JP2018195726A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示すように、パワー半導体モジュールは、パワー半導体チップ1と、積層基板2と、金属基板3と、端子ケース4と、金属端子5と、金属ワイヤ6と、蓋7と、封止材8と、中間層10と、を備える。
図7は、実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの評価結果を示す表である。種々の条件で実施の形態にかかるパワー半導体モジュールを作成し、作成したパワー半導体モジュールに対して、ヒートショック試験を行った結果を示す。ヒートショック試験では、−40℃〜125℃の温度変化を1000回行った。
2 積層基板
21 絶縁性基板
22 導電性板
3 金属基板
4 端子ケース
5 金属端子
6 金属ワイヤ
7 蓋
8 封止材
9 接着剤
10 中間層
Claims (9)
- 半導体素子を搭載した積層基板と、
前記積層基板を搭載した金属基板と、
前記金属基板を接着剤で接着した樹脂ケースと、
前記樹脂ケース内を充填した封止材と、
前記金属基板と前記樹脂ケースとの接着部分と、前記封止材との間に設けられた中間層と、
を備え、
前記中間層は、線膨張係数が前記封止材の線膨張係数より大きく、前記接着剤の線膨張係数より小さいことを特徴とする半導体装置。 - 前記中間層は、線膨張係数が前記封止材の線膨張係数と、前記接着剤の線膨張係数との中間の値であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記中間層は、弾性率が前記封止材の弾性率より小さく、前記接着剤の弾性率より大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記中間層は、弾性率が前記封止材の弾性率と、前記接着剤の弾性率との中間の値であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記中間層は、熱硬化性樹脂に線膨張係数が20×10-6/K〜400×10-6/Kの添加粒子を配合したものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、またはマレイミド樹脂であり、前記添加粒子はシリコーンゴム、ブタジエンゴム、またはアクリロニトリルブタジエンゴムであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記添加粒子は、前記熱硬化性樹脂100質量部に対して1〜10質量部含まれることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。
- 前記封止材としての熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、またはマレイミド樹脂であり、前記接着剤の材料はシリコーンゴム、ブタジエンゴム、またはアクリロニトリルブタジエンゴムであることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。
- 半導体素子を積層基板に搭載する第1工程と、
前記積層基板を金属基板に搭載する第2工程と、
前記金属基板を接着剤で樹脂ケースに接着する第3工程と、
前記金属基板と前記樹脂ケースとの接着部分と、前記封止材との間に中間層を形成する第4工程と、
前記樹脂ケース内を封止材で充填する第5工程と、
を含み、
前記第4工程では、前記中間層を、線膨張係数が前記封止材の線膨張係数より大きく、前記接着剤の線膨張係数より小さく形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2006032617A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
JP2015023128A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2015088499A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP2017028159A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758282A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール及び車両用インバータ装置 |
JP2006032617A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
JP2015023128A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2015088499A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP2017028159A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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