JP2018190949A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 画素部と、前記画素部を駆動する駆動回路とを有し、
   前記駆動回路は、第１のトランジスタを有し、
   前記画素部は、第２のトランジスタ及び前記第２のトランジスタに電気的に接続される画素電極を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の間に設けられ、且つチャネルの機能を有する第１の金属酸化物膜と、を有し、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、チャネルの機能を有する第２の金属酸化物膜を有し、
   前記画素電極は、第３の金属酸化物膜で形成され、
   前記第３の金属酸化物膜は、前記第２の金属酸化物膜より水素濃度が高い領域を有し、
   前記第１の金属酸化物膜、前記第２の金属酸化物膜、及び前記第３の金属酸化物膜は、それぞれ第１の領域及び第２の領域を有し、
   前記第１の領域は、ＩｎまたはＺｎと、酸素とを有し、
   前記第２の領域は、Ｉｎまたは元素Ｍと、酸素とを有し、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、モザイク状に分散または分布している、
   表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の金属酸化物膜及び前記第２のトランジスタ上に絶縁膜が設けられ、
   前記絶縁膜は、前記第２のトランジスタ上において開口部を有し、
   前記第２の金属酸化物膜は、ゲート絶縁膜上に設けられ、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の一方、並びに前記第３の金属酸化物膜は、前記絶縁膜上に設けられ、
   前記第３の金属酸化物膜は、前記絶縁膜の開口部において、前記第２のトランジスタと電気的に接続される、
   表示装置。
3. 請求項１において、
   前記第１の金属酸化物膜及び前記第２のトランジスタ上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜が順に積層して設けられ、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はそれぞれ、前記第２のトランジスタ上において開口部を有し、
   前記第２の金属酸化物膜は、ゲート絶縁膜上に設けられ、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の一方は、前記第１の絶縁膜上に設けられ、
   前記第３の金属酸化物膜は、前記第２の絶縁膜上に設けられ、
   前記第３の金属酸化物膜は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜それぞれの開口部において、前記第２のトランジスタと電気的に接続される、
   表示装置。
4. 請求項１において、
   前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極と、ゲート絶縁膜と、を有し、
   前記第２の金属酸化物膜及び前記第３の金属酸化物膜は、前記ゲート絶縁膜上に設けられる、
   表示装置。
5. 画素部と、前記画素部を駆動する駆動回路とを有し、
   前記駆動回路は、第１のトランジスタを有し、
   前記画素部は、第２のトランジスタ及び前記第２のトランジスタに電気的に接続される画素電極を有し、
   前記第２のトランジスタ上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜が順に積層して設けられ、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はそれぞれ、前記第２のトランジスタ上において開口部を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の間に設けられ、且つチャネルの機能を有する第１の金属酸化物膜と、を有し、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、チャネルの機能を有する第２の金属酸化物膜を有し、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の一方は、前記第１の絶縁膜上に設けられ、
   前記画素電極は、前記第２の絶縁膜上に設けられ、
   前記画素電極は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜それぞれの開口部において、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は第１の領域及び第２の領域を有し、
   前記第１の領域は、ＩｎまたはＺｎと、酸素とを有し、
   前記第２の領域は、Ｉｎまたは元素Ｍと、酸素とを有し、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、モザイク状に分散または分布している、
   表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタは、デュアルゲート構造であり、
   前記第２のトランジスタは、シングルゲート構造である、
   表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置と、
   受信装置と、を有する電子機器。