JP7113602B2 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
表示装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7113602B2 JP7113602B2 JP2017171722A JP2017171722A JP7113602B2 JP 7113602 B2 JP7113602 B2 JP 7113602B2 JP 2017171722 A JP2017171722 A JP 2017171722A JP 2017171722 A JP2017171722 A JP 2017171722A JP 7113602 B2 JP7113602 B2 JP 7113602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal oxide
- transistor
- insulating film
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 469
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 468
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 113
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 54
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1520
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 191
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 189
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 description 136
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 122
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 97
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 97
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 93
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 90
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 79
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 69
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 68
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 57
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 53
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 52
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 51
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 45
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 45
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 40
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 34
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 32
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 32
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 28
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 28
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 22
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 18
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 11
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 11
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 4
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008813 Sn—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 2
- 210000001508 eye Anatomy 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 2
- 238000000731 high angular annular dark-field scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910010967 Ti—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 oxygen radicals Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/10—Special adaptations of display systems for operation with variable images
- G09G2320/103—Detection of image changes, e.g. determination of an index representative of the image change
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/04—Display protection
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2340/00—Aspects of display data processing
- G09G2340/04—Changes in size, position or resolution of an image
- G09G2340/0407—Resolution change, inclusive of the use of different resolutions for different screen areas
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/18—Use of a frame buffer in a display terminal, inclusive of the display panel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/36—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
- G09G5/39—Control of the bit-mapped memory
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置及びその作製方法について、図1乃至図16を参照して説明する。
図2は、本発明の一態様の表示装置が有する駆動回路及び表示部に含まれるトランジスタの上面図である。図2(A)は、駆動回路に含まれるトランジスタ100Aの上面図であり、図2(B)は画素部に含まれるトランジスタ200Aの上面図である。図1(A-1)は、図2(A)に示す一点鎖線X1-X2間における切断面の断面図に相当し、図1(A-2)は、図2(A)に示す一点鎖線Y1-Y2間における切断面の断面図に相当する。図1(B-1)は、図2(B)に示す一点鎖線X3-X4間における切断面の断面図に相当し、図1(B-2)は、図2(B)に示す一点鎖線Y3-Y4間における切断面の断面図に相当する。なお、図2において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100A、200Aの構成要素の一部(ゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜等)を省略して図示している。また、各トランジスタにおいて、一点鎖線X1-X2方向、X3-X4方向をチャネル長方向、一点鎖線Y1-Y2方向、Y3-Y4方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図2と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
次に、本実施の形態の表示装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板102として用いてもよい。なお、基板102として、ガラス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。
ゲート電極の機能を有する導電膜104、204、120a、ソース電極の機能を有する導電膜112a、212a、ドレイン電極の機能を有する導電膜112b、212bとしては、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100A、200Aのゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜106としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜及び酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁層を用いることができる。なお、絶縁膜106を、2層または3層以上の積層構造としてもよい。
金属酸化物膜108、208としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、トランジスタ100A、200Aの保護絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜114、116は、金属酸化物膜108、208に酸素を供給する機能を有する。すなわち、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、金属酸化物膜108、208へのダメージ緩和膜としても機能する。
絶縁膜118は、トランジスタ100A、200Aの保護絶縁膜として機能する。
次に、保護絶縁膜の積層構造が異なる表示装置について、図4を用いて説明する。
次に、画素電極としての機能を有する導電膜の形状が異なる表示装置について、図8及び図9を用いて説明する。
次に、本実施の形態で示すトランジスタに適用可能なトランジスタの変形例について説明する。図14(A)は、トランジスタ100Cの上面図であり、図14(B)は、図14(A)に示す一点鎖線X1-X2間における切断面の断面図に相当し、図14(C)は、図14(A)に示す一点鎖線Y1-Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、ここでは、トランジスタ100Cとしてトランジスタ100Aの変形例を説明するが、トランジスタ100Cの構成を適宜トランジスタ200A、200Bに適用することができる。
次に、本発明の一態様の表示装置に含まれるトランジスタ100A、200Aの作製方法について、図5乃至図7を用いて説明する。
図4に示す表示装置の作製方法について説明する。図4に示す表示装置は、図1に示す表示装置と同様に、絶縁膜116まで形成する。次に、画素部において絶縁膜119を形成する。絶縁膜116上に感光性樹脂を塗布後、露光及び現像を行って、絶縁膜119を形成することができる。または、絶縁膜116上に非感光性樹脂を塗布後、焼成を行う。次に、レジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて焼成された非感光性樹脂をエッチングすることで、絶縁膜119を形成することができる。
図8に示す表示装置の作製方法について説明する。まず、基板102上に導電膜を形成し、該導電膜をリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い加工して、トランジスタ100Aの第1のゲート電極としての機能を有する導電膜104、トランジスタ200Aのゲート電極としての機能を有する導電膜204、及び容量配線205を形成する。次に、導電膜104上に第1のゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜106を形成する。次に、絶縁膜106上に金属酸化物膜108、208、209を形成する(図11(A-1)、図11(B-1)参照)。なお、金属酸化物膜209_1、及び金属酸化物膜209_2により、島状の金属酸化物膜209が構成される。
本実施の形態においては、本発明の一態様の金属酸化物膜について、図18乃至図20を用いて説明を行う。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC構成を有する金属酸化物の詳細について説明する。ここでは、CAC構成を有する金属酸化物の代表例として、CAC-OSを用いて説明する。
続いて、各種測定方法を用い、基板上に成膜した酸化物半導体について測定を行った結果について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る9個の試料について説明する。各試料は、それぞれ、酸化物半導体を成膜する際の基板温度、及び酸素ガス流量比を異なる条件で作製する。なお、試料は、基板と、基板上の酸化物半導体と、を有する構造である。
本項目では、9個の試料に対し、X線回折(XRD:X-ray diffraction)測定を行った結果について説明する。なお、XRD装置として、Bruker社製D8 ADVANCEを用いた。また、条件は、Out-of-plane法によるθ/2θスキャンにて、走査範囲を15deg.乃至50deg.、ステップ幅を0.02deg.、走査速度を3.0deg./分とした。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、及び酸素ガス流量比10%で作製した試料を、HAADF(High-Angle Annular Dark Field)-STEM(Scanning Transmission Electron Microscope)によって観察、及び解析した結果について説明する(以下、HAADF-STEMによって取得した像は、TEM像ともいう。)。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、及び酸素ガス流量比10%で作製した試料に、プローブ径が1nmの電子線(ナノビーム電子線ともいう。)を照射することで、電子線回折パターンを取得した結果について説明する。
本項目では、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X-ray spectroscopy)を用い、EDXマッピングを取得し、評価することによって、成膜時の基板温度R.T.、及び酸素ガス流量比10%で作製した試料の元素分析を行った結果について説明する。なお、EDX測定には、元素分析装置として日本電子株式会社製エネルギー分散型X線分析装置JED-2300Tを用いる。なお、試料から放出されたX線の検出にはSiドリフト検出器を用いる。
次に、金属酸化物膜をトランジスタに用いる場合について説明する。
本実施の形態においては、表示素子として横電界モード(水平電界モードともいう)の液晶素子を用いる表示装置について、図21を用いて説明する。
CAC-OSをトランジスタに用いる場合について説明する。まず、スパッタリング装置(SP)にてゲート電極(GE:Gate Electrode)を形成する。なお、ゲート電極を加工する際に、マスクを1枚使用する。
LTPSをトランジスタに用いる場合について説明する。まず、スパッタリング装置を用いて遮光膜を形成する。なお、遮光膜を加工する際に、マスクを1枚使用する。
a-Si:Hをトランジスタに用いる場合について説明する。まず、スパッタリング装置を用いて、ゲート電極(GE)を形成する。なお、ゲート電極を加工する際に、マスクを1枚使用する。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図22乃至図28を用いて以下説明を行う。
図23乃至図28に示す表示装置700は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。また、引き回し配線部711は、信号線710を有する。また、画素部702は、トランジスタ750及び容量素子(図示しない)を有する。また、ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。
図23に示す表示装置700は、液晶素子775を有する。液晶素子775は、導電膜772、導電膜774、及び液晶層776を有する。導電膜774は、第2の基板705側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図23に示す表示装置700は、導電膜772と導電膜774に印加される電圧によって、液晶層776の配向状態が変わることで光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
図26に示す表示装置700は、発光素子782を有する。発光素子782は、導電膜772、EL層786、及び導電膜788を有する。図26に示す表示装置700は、発光素子782が有するEL層786が発光することによって、画像を表示することができる。なお、EL層786は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
また、図25及び図26に示す表示装置700に入出力装置を設けてもよい。当該入出力装置としては、例えば、タッチパネル等が挙げられる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図29を用いて説明を行う。
図29(A)に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域(以下、画素部502という)と、画素部502の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部(以下、駆動回路部504という)と、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路506という)と、端子部507と、を有する。なお、保護回路506は、設けない構成としてもよい。
図30は、表示装置800の構成例を示すブロック図である。表示装置800は、表示ユニット810、タッチセンサユニット820、コントローラIC815、ホスト840を有する。また、表示装置800は必要に応じて光センサ843及び開閉センサ844を有してもよい。表示ユニット810は、画素部502、ゲートドライバ504a及びソースドライバ504bを有する。
図30において、コントローラIC815は、インタフェース850、フレームメモリ851、デコーダ852、センサコントローラ853、コントローラ854、クロック生成回路855、画像処理部860、メモリ870、タイミングコントローラ873、レジスタ875及びタッチセンサコントローラ884を有する。
ガンマ補正、調光、調色などの画像補正処理は、入力の画像データXに対して出力の補正データYを作成する処理に相当する。画像処理部860が使用するパラメータは、画像データXを、補正データYに変換するためのパラメータである。
コントローラ854は、ホスト840から送られる画像データに変化がない場合、コントローラIC815内の一部回路をパワーゲーティングすることができる。具体的には、例えば、領域890内の回路(フレームメモリ851、デコーダ852、画像処理部860、メモリ870、タイミングコントローラ873、レジスタ875)を一時的に停止することができる。ホスト840から画像データに変化がないことを示す制御信号をコントローラIC815に送信し、当該制御信号をコントローラ854で検出した場合にパワーゲーティングする構成が可能である。
図32(A)に、フレームメモリ851の構成例を示す。フレームメモリ851は、制御部902、セルアレイ903、周辺回路908を有する。周辺回路908は、センスアンプ回路904、ドライバ905、メインアンプ906、入出力回路907を有する。
図33は、レジスタ875の構成例を示すブロック図である。レジスタ875は、スキャンチェーンレジスタ部875A、及びレジスタ部875Bを有する。スキャンチェーンレジスタ部875Aは、複数のレジスタ930を有する。複数のレジスタ930によって、スキャンチェーンレジスタが構成されている。レジスタ部875Bは、複数のレジスタ931を有する。
表示装置800に関するコントローラIC815とレジスタ875の動作例について、出荷前と、表示装置800を有する電子機器の起動時、及び通常動作時に分けて説明する。
出荷前には、表示装置800の仕様等に関するパラメータを、レジスタ875に格納する。これらのパラメータには、例えば、画素数、タッチセンサ数、タイミングコントローラ873が各種タイミング信号の波形生成に用いるパラメータ等がある。また、画像処理部860が補正回路864を備えている場合、その補正データもパラメータとしてレジスタ875に格納される。これらのパラメータは、レジスタ875以外に、専用のROMを設けて格納してもよい。
表示装置800を有する電子機器の起動時には、ホスト840より送られる使用者設定等のパラメータを、レジスタ875に格納する。これらのパラメータには、例えば、表示の輝度や色調、タッチセンサの感度、省エネルギー設定(表示を暗くする、または表示を消す、までの時間)、また、ガンマ補正のカーブやテーブル等がある。なお、当該パラメータをレジスタ875に格納する際、コントローラ854からレジスタ875にスキャンクロック信号及び当該スキャンクロック信号に同期して当該パラメータに相当するデータが送信される。
通常動作には、動画等を表示している状態、静止画を表示中でIDS駆動が可能な状態、表示を行わない状態等に分けられる。動画等を表示している状態は、画像処理部860、及びタイミングコントローラ873等は動作中であるが、レジスタ875のデータ変更は、スキャンチェーンレジスタ部875Aに対して行われるため、画像処理部860等への影響はない。スキャンチェーンレジスタ部875Aのデータ変更が終わった後、スキャンチェーンレジスタ部875Aのデータをレジスタ部875Bへ一括してロードすることで、レジスタ875のデータ変更が完了する。また、画像処理部860等は当該データに対応した動作に切り替わる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図35乃至図37を用いて説明を行う。
図35は、光学式のタッチセンサを備える表示モジュール7000の断面概略図である。図35に示す表示モジュール7000は、上部カバー7001と下部カバー7002との間に、FPCに接続された表示パネル7006、バックライト(図示しない)、フレーム7009、プリント基板7010、バッテリ7011を有する。
次に、図36(A)乃至図36(E)に電子機器の一例を示す。
次に、図36(A)乃至図36(E)に示す電子機器と、異なる電子機器の一例を図37(A)乃至図37(G)に示す。
図38は、放送システムの構成例を模式的に示すブロック図である。放送システム1500は、カメラ1510、送信装置1511、電子機器システム1501を有する。電子機器システム1501は、受信装置1512、表示装置1513を有する。カメラ1510はイメージセンサ1520、画像処理装置1521を有する。送信装置1511は、エンコーダ1522及び変調器1523を有する。
8Kディスプレイに関する国際規格として、Recommendation ITU-R BT.2020-2がある。この規格において、解像度は水平解像度7680、垂直解像度4320、駆動方法はプログレッシブ方式であり、フレーム周波数は最大120Hzとされている。
以下では、本発明の一態様である金属酸化物を用いたトランジスタと、比較としてアモルファスシリコンを用いた場合とで、大型の8K液晶ディスプレイモジュールが動作可能であるかを検証した。
検証は、ゲート線の電位が完全に立ち下がるまでの時間(ゲート立下り時間)と、ソース線の電位が入力電圧の最大値の95%に達するまでの時間(ソース線充電時間)の2つの合計の時間を見積もった。検証結果を以下に示す。
まず、上記説明したトランジスタ100Eに相当するトランジスタを作製し、当該トランジスタの電気特性を評価した。本実施例においては、以下に示す試料A1及びA2を作製した。
まず、ガラス基板上に厚さ100nmのタングステン膜を、スパッタリング装置を用いて形成した。続いて当該導電膜をフォトリソグラフィ法により加工して、第1のゲート電極としての機能を有する導電膜104を形成した。
試料A1の第1の金属酸化物膜は、厚さ20nmのIn-Ga-Zn膜を用い、第2の金属酸化物膜は、厚さ25nmのIn-Ga-Zn膜を用いた。
試料A2の第1の金属酸化物膜は、厚さ20nmのIn-Ga-Zn膜を用い、第2の金属酸化物膜は、厚さ25nmのIn-Ga-Zn膜を用いた。
次に、上記作製した試料A1及び試料A2のトランジスタのId-Vg特性を測定した。なお、トランジスタのId-Vg特性の測定条件としては、第1のゲート電極としての機能を有する導電膜に印加する電圧(以下、ゲート電圧(Vg)ともいう)、及び第2のゲート電極としての機能を有する導電膜に印加する電圧(以下、バックゲート電圧(Vbg)ともいう)を、-15Vから+20Vまで0.25Vのステップで印加した。また、ソース電極としての機能を有する導電膜に印加する電圧(以下、ソース電圧(Vs)ともいう)を0V(comm)とし、ドレイン電極としての機能を有する導電膜に印加する電圧(以下、ドレイン電圧(Vd)ともいう)を、0.1V及び20Vとした。
ここで、電界効果移動度について説明する。トランジスタの電流駆動力の指標として、電界効果移動度が用いられる。トランジスタのオン領域は線形領域と飽和領域に分かれる。それぞれの領域の特性から、Gradual channel近似に基づくドレイン電流の解析式に基づいてトランジスタの電界効果移動度を算出することができる。区別する必要のあるときは、それぞれ線形移動度(Linear mobility)、飽和移動度(Saturation mobility)と呼ばれる。飽和移動度は、以下の式(1)で表される。
次に、試料A1のストレス試験の結果を図47に示す。ストレス試験としては、ゲートバイアスストレス試験(GBT試験)を用いた。GBT試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化を、短時間で評価することができる。ここでは、GBT試験として、トランジスタが形成されている基板を60℃に保持し、トランジスタのソースとドレインに0V、ゲートに30Vまたは-30Vの電圧を印加し、この状態を3600秒間保持した。このとき、ゲートに正の電圧を印加する試験をPBTS、負の電圧を印加する試験をNBTSと表記する。また、10000lxの白色LED光を照射した状態でゲートに30Vまたは-30Vの電圧を印加し、この状態を3600秒間保持した。このとき、ゲートに正の電圧を印加する試験をPBITS、負の電圧を印加する試験をNBITSと表記する。
次に、上記作製した試料A1、A2の信頼性評価を行った。
次に、上記信頼性評価において、試験条件を変えて信頼性評価を行った。また、試料A1と同じ条件を用いて作製した、3つのトランジスタにおいて、信頼性評価を行った。該3つのトランジスタはチャネル長がそれぞれ3μm、4μm、6μm、チャネル幅がそれぞれ1000μmであった。なお、信頼性評価1と信頼性評価2では、測定したサンプルが異なるため、信頼性評価の結果が若干異なる。
次に、上記説明したトランジスタ100Aに相当するトランジスタを作製し、当該トランジスタの電気特性を評価した。本実施例においては、以下に示す試料A3及びA4を作製した。ただし、試料A3及び試料A4のトランジスタにおける導電膜120aと絶縁膜118の積層順は、トランジスタ100Aと異なる。
まず、ガラス基板上に厚さ100nmのタングステン膜を、スパッタリング装置を用いて形成した。続いて当該導電膜をフォトリソグラフィ法により加工して、第1のゲート電極としての機能を有する導電膜104を形成した。
次に、上記作製した試料A3及び試料A4のトランジスタそれぞれ10個のId-Vg特性を測定した。なお、トランジスタのId-Vg特性の測定条件としては、Vg及びVbgを、-15Vから+15Vまで0.25Vのステップで印加した。また、Vsを0V(comm)とし、Vdを、0.1V及び20Vとした。
次に、試料A3のトランジスタ及び試料A4のトランジスタの、GBT試験を行った。なお、トランジスタそれぞれのチャネル長Lは、共に3μmであり、チャネル幅Wは共に50μmである。ここでは、GBT試験として、トランジスタが形成されている基板を60℃に保持し、トランジスタのソースとドレインに0V、ゲートに30Vまたは-30Vの電圧を印加し、この状態を3600秒間保持した。このとき、ゲートに正の電圧を印加する試験をPBTS、負の電圧を印加する試験をNBTSと表記する。また、10000lxの白色LED光を照射した状態でゲートに30Vまたは-30Vの電圧を印加し、この状態を3600秒間保持した。このとき、ゲートに正の電圧を印加する試験をPBITS、負の電圧を印加する試験をNBITSと表記する。
表3に検討した液晶表示装置の仕様を示す。液晶表示装置の画面サイズを65inchとし、画素構成としてRGBの3サブ画素をストライプ状に配置させた。画素回路は1Tr + 1C / cellとした。画素回路に含まれるトランジスタは、CAC-OS膜を有するチャネルエッチ構造のトランジスタを想定した。ゲートドライバは内蔵され、ソースドライバはICが外付された。フレーム周波数を120Hzとして動作させた場合におけるビデオ信号の書込みに要する時間をシミュレーションにて確認した。
表4にゲート線、ソース線、ゲートドライバのCLK線の寄生抵抗と寄生容量の抽出結果を示す。また、画素容量の抽出結果を示す。また、これらの抽出結果を用いて、過渡解析を行った。
まず、上記説明したトランジスタ100Aに相当するトランジスタを作製した。本実施例においては、以下に示す試料Bを作製した。ただし、試料Bのトランジスタにおける導電膜120aと絶縁膜118の積層順は、トランジスタ100Aと異なる。
まず、ガラス基板上に厚さ100nmのタングステン膜を、スパッタリング装置を用いて形成した。続いて当該導電膜をフォトリソグラフィ法により加工して、第1のゲート電極としての機能を有する導電膜104を形成した。
次に、試料Bのトランジスタの信頼性評価を行った。信頼性評価は、トランジスタにパルス電圧を繰り返し印加することによりトランジスタを駆動し、オン電流の変化率を評価した。
まず、上記説明したトランジスタ100Aに相当するトランジスタを作製した。本実施例においては、以下に示す試料Cを作製した。
まず、ガラス基板上に厚さ100nmのタングステン膜を、スパッタリング装置を用いて形成した。続いて当該導電膜をフォトリソグラフィ法により加工して、第1のゲート電極としての機能を有する導電膜104を形成した。
次に、上記作製した試料CのトランジスタのId-Vg特性を測定した。なお、トランジスタのId-Vg特性の測定条件としては、Vg及びVbgを、-15Vから+20Vまで0.25Vのステップで印加した。また、Vsを0V(comm)とし、Vdを、0.1V及び20Vとした。
100C トランジスタ
100D トランジスタ
100E トランジスタ
102 基板
104 導電膜
106 絶縁膜
108 金属酸化物膜
108_1 金属酸化物膜
108_1_0 金属酸化物膜
108_2 金属酸化物膜
108_2_0 金属酸化物膜
112a 導電膜
112a_1 導電膜
112a_2 導電膜
112a_3 導電膜
112b 導電膜
112b_1 導電膜
112b_2 導電膜
112b_3 導電膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
117 開口部
118 絶縁膜
119 絶縁膜
120 導電膜
120a 導電膜
120a_1 導電膜
142a 開口部
191 ターゲット
192 プラズマ
193 ターゲット
194 プラズマ
200A トランジスタ
200B トランジスタ
204 導電膜
205 容量配線
208 金属酸化物膜
208_1 金属酸化物膜
208_2 金属酸化物膜
209 金属酸化物膜
209_1 金属酸化物膜
209_2 金属酸化物膜
210 導電膜
210_1 導電膜
210_2 導電膜
211 開口部
212a 導電膜
212b 導電膜
213 導電膜
220a 導電膜
220a_1 導電膜
242a 開口部
242b 開口部
250 容量素子
250a 容量素子
331 プロファイル群
332 プロファイル群
341 プロファイル群
342 プロファイル群
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路
507 端子部
550 トランジスタ
552 トランジスタ
554 トランジスタ
560 容量素子
562 容量素子
570 液晶素子
572 発光素子
601 画素部
601_1 領域
601_2 領域
601_3 領域
601_4 領域
602 負荷
603 ソースドライバ
605 ゲートドライバ
607 端子部
609 配線
611 配線
613 配線
621 画素部
621_1 領域
621_2 領域
621_3 領域
621_4 領域
623 画素
700 表示装置
701 基板
702 画素部
704 ソースドライバ回路部
705 基板
706 ゲートドライバ回路部
708 FPC端子部
710 信号線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
730 絶縁膜
732 封止膜
734 絶縁膜
735 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 接続電極
770 絶縁膜
772 導電膜
773 絶縁膜
774 導電膜
775 液晶素子
776 液晶層
778 構造体
780 異方性導電膜
782 発光素子
786 EL層
788 導電膜
791 タッチパネル
792 絶縁膜
793 電極
794 電極
795 絶縁膜
796 電極
797 絶縁膜
800 表示装置
810 表示ユニット
815 コントローラIC
820 タッチセンサユニット
840 ホスト
843 光センサ
844 開閉センサ
845 光
850 インタフェース
851 フレームメモリ
852 デコーダ
853 センサコントローラ
854 コントローラ
855 クロック生成回路
860 画像処理部
861 ガンマ補正回路
862 調光回路
863 調色回路
864 補正回路
870 メモリ
873 タイミングコントローラ
875 レジスタ
875A スキャンチェーンレジスタ部
875B レジスタ部
884 タッチセンサコントローラ
890 領域
902 制御部
903 セルアレイ
904 センスアンプ回路
905 ドライバ
906 メインアンプ
907 入出力回路
908 周辺回路
909 メモリセル
930 レジスタ
931 レジスタ
947 保持回路
948 セレクタ
949 フリップフロップ回路
950 インバータ
955 インバータ
957 アナログスイッチ
958 アナログスイッチ
961 インバータ
963 インバータ
964 クロックドインバータ
965 アナログスイッチ
966 バッファ
1500 放送システム
1500A 放送システム
1501 電子機器システム
1501A 電子機器システム
1510 カメラ
1511 送信装置
1512 受信装置
1513 表示装置
1520 イメージセンサ
1521 画像処理装置
1522 エンコーダ
1522A エンコーダ
1522B エンコーダ
1523 変調器
1530 画像生成装置
1540 Rawデータ
1541 映像データ
1541A 映像データ
1541B 映像データ
1542 符号化データ
1542A 符号化データ
1542B 符号化データ
1543 放送信号
1560 TV
1561 放送局
1562 人工衛星
1563 電波塔
1564 アンテナ
1565 アンテナ
1566A 電波
1566B 電波
1567A 電波
1567B 電波
1571 受信装置
1572 無線機
1573 無線機
1574 受信装置
1575 コネクタ部
7000 表示モジュール
7001 上部カバー
7002 下部カバー
7006 表示パネル
7009 フレーム
7010 プリント基板
7011 バッテリ
7015 発光部
7016 受光部
7017a 導光部
7017b 導光部
7018 光
8000 カメラ
8001 筐体
8002 表示部
8003 操作ボタン
8004 シャッターボタン
8006 レンズ
8100 ファインダー
8101 筐体
8102 表示部
8103 ボタン
8200 ヘッドマウントディスプレイ
8201 装着部
8202 レンズ
8203 本体
8204 表示部
8205 ケーブル
8206 バッテリ
8300 ヘッドマウントディスプレイ
8301 筐体
8302 表示部
8304 固定具
8305 レンズ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
Claims (6)
- 画素部と、前記画素部を駆動する駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第1のトランジスタを有し、
前記画素部は、第2のトランジスタ及び前記第2のトランジスタに電気的に接続される画素電極を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の間に設けられ、且つチャネルの機能を有する第1の金属酸化物膜と、を有し、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、チャネルの機能を有する第2の金属酸化物膜を有し、
前記画素電極は、第3の金属酸化物膜で形成され、
前記第3の金属酸化物膜は、前記第2の金属酸化物膜より水素濃度が高い領域を有し、
前記第1の金属酸化物膜、前記第2の金属酸化物膜、及び前記第3の金属酸化物膜は、それぞれ第1の領域及び第2の領域を有し、
前記第1の領域は、インジウム酸化物またはインジウム亜鉛酸化物を有し、
前記第2の領域は、ガリウム酸化物またはガリウム亜鉛酸化物を有し、
前記第1の領域及び前記第2の領域は、モザイク状に分散または分布している、表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の金属酸化物膜及び前記第2のトランジスタ上に絶縁膜が設けられ、
前記絶縁膜は、前記第2のトランジスタ上において開口部を有し、
前記第2の金属酸化物膜は、ゲート絶縁膜上に設けられ、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の一方、並びに前記第3の金属酸化物膜は、前記絶縁膜上に設けられ、
前記第3の金属酸化物膜は、前記絶縁膜の開口部において、前記第2のトランジスタと電気的に接続される、表示装置。 - 請求項1において、
前記第2のトランジスタは、第3のゲート電極と、ゲート絶縁膜と、を有し、
前記第2の金属酸化物膜及び前記第3の金属酸化物膜は、前記ゲート絶縁膜上に設けられる、表示装置。 - 画素部と、前記画素部を駆動する駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第1のトランジスタを有し、
前記画素部は、第2のトランジスタ及び前記第2のトランジスタに電気的に接続される画素電極を有し、
前記第2のトランジスタ上に第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜が順に積層して設けられ、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜はそれぞれ、前記第2のトランジスタ上において開口部を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の間に設けられ、且つチャネルの機能を有する第1の金属酸化物膜と、を有し、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、チャネルの機能を有する第2の金属酸化物膜を有し、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の一方は、前記第1の絶縁膜上に設けられ、
前記画素電極は、前記第2の絶縁膜上に設けられ、
前記画素電極は、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜それぞれの開口部において、前記第2のトランジスタと電気的に接続され、
前記第1の金属酸化物膜及び前記第2の金属酸化物膜は第1の領域及び第2の領域を有し、
前記第1の領域は、インジウム酸化物またはインジウム亜鉛酸化物を有し、
前記第2の領域は、ガリウム酸化物またはガリウム亜鉛酸化物を有し、
前記第1の領域及び前記第2の領域は、モザイク状に分散または分布している、表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタは、デュアルゲート構造であり、
前記第2のトランジスタは、シングルゲート構造である、表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の表示装置と、
受信装置と、を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022118918A JP2022169523A (ja) | 2016-09-12 | 2022-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178106 | 2016-09-12 | ||
JP2016178106 | 2016-09-12 | ||
JP2016183322 | 2016-09-20 | ||
JP2016183322 | 2016-09-20 | ||
JP2016233577 | 2016-11-30 | ||
JP2016233577 | 2016-11-30 | ||
JP2017099483 | 2017-05-19 | ||
JP2017099483 | 2017-05-19 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022118918A Division JP2022169523A (ja) | 2016-09-12 | 2022-07-26 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018190949A JP2018190949A (ja) | 2018-11-29 |
JP2018190949A5 JP2018190949A5 (ja) | 2020-10-08 |
JP7113602B2 true JP7113602B2 (ja) | 2022-08-05 |
Family
ID=61560992
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017171722A Active JP7113602B2 (ja) | 2016-09-12 | 2017-09-07 | 表示装置及び電子機器 |
JP2022118918A Pending JP2022169523A (ja) | 2016-09-12 | 2022-07-26 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022118918A Pending JP2022169523A (ja) | 2016-09-12 | 2022-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10276594B2 (ja) |
JP (2) | JP7113602B2 (ja) |
KR (1) | KR102403389B1 (ja) |
CN (2) | CN115857237A (ja) |
DE (1) | DE112017004584T5 (ja) |
TW (1) | TWI743187B (ja) |
WO (1) | WO2018047067A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110178176A (zh) * | 2017-01-16 | 2019-08-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US10460822B2 (en) * | 2017-08-23 | 2019-10-29 | Arm Limited | Memory with a controllable I/O functional unit |
CN108376695B (zh) * | 2018-02-05 | 2021-01-08 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
JP7275112B2 (ja) | 2018-04-20 | 2023-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020092222A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR102557031B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2023-07-19 | 삼성전자주식회사 | 금속 베젤을 이용하는 안테나 모듈 및 그것을 포함하는 전자 장치 |
JP7201508B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-01-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
US11036322B2 (en) * | 2019-06-24 | 2021-06-15 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Array substrate and method of manufacturing same |
KR20210028318A (ko) | 2019-09-03 | 2021-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 제조 방법 |
CN111243540A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-06-05 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示面板的驱动方法、其驱动电路及显示装置 |
JP7454971B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検出方法及びプラズマ処理装置 |
KR20220067651A (ko) * | 2020-11-17 | 2022-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20230155700A (ko) * | 2022-05-04 | 2023-11-13 | 경희대학교 산학협력단 | 강유전성 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 화소 회로 및 그 구동 방법 |
TWI825888B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-12-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 觸控顯示裝置及其製作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006528843A (ja) | 2003-07-25 | 2006-12-21 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 三元化合物チャネル層を有する半導体デバイス |
JP2011040730A (ja) | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2015130487A (ja) | 2013-12-02 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016136633A (ja) | 2009-08-07 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015188054A5 (ja) | 2014-10-17 | 2017-11-24 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011027467A1 (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 株式会社 東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR101801540B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
EP2491594A4 (en) | 2009-10-21 | 2015-09-16 | Semiconductor Energy Lab | DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE WITH THE DISPLAY DEVICE |
TWI525818B (zh) | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
KR102330543B1 (ko) | 2012-04-13 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102071545B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI821777B (zh) | 2012-09-24 | 2023-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9166021B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
DE112014004839T5 (de) | 2013-10-22 | 2016-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
JP6625796B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6486660B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6506545B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9929279B2 (en) * | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI675004B (zh) | 2014-02-21 | 2019-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置 |
US10043913B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device |
US20150318171A1 (en) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide |
KR20150126272A (ko) * | 2014-05-02 | 2015-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물의 제작 방법 |
KR102333604B1 (ko) | 2014-05-15 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
JP6758844B2 (ja) | 2015-02-13 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR102653836B1 (ko) | 2015-03-03 | 2024-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치 |
JP2016183322A (ja) | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 日本ポリプロ株式会社 | 電気電子機器部品搬送ケース用プロピレン系樹脂組成物及び電気電子機器部品搬送ケース |
WO2017149413A1 (en) | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2017153862A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite and transistor |
JP6917734B2 (ja) | 2016-03-18 | 2021-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10388738B2 (en) | 2016-04-01 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and method for manufacturing the same |
KR102492209B1 (ko) | 2016-05-19 | 2023-01-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터 |
-
2017
- 2017-09-06 CN CN202211570911.9A patent/CN115857237A/zh active Pending
- 2017-09-06 KR KR1020197009699A patent/KR102403389B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-06 CN CN201780052947.9A patent/CN109643735B/zh active Active
- 2017-09-06 WO PCT/IB2017/055351 patent/WO2018047067A1/en active Application Filing
- 2017-09-06 DE DE112017004584.3T patent/DE112017004584T5/de active Pending
- 2017-09-07 JP JP2017171722A patent/JP7113602B2/ja active Active
- 2017-09-07 US US15/698,117 patent/US10276594B2/en active Active
- 2017-09-08 TW TW106130878A patent/TWI743187B/zh active
-
2022
- 2022-07-26 JP JP2022118918A patent/JP2022169523A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006528843A (ja) | 2003-07-25 | 2006-12-21 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 三元化合物チャネル層を有する半導体デバイス |
JP2011040730A (ja) | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2016136633A (ja) | 2009-08-07 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015130487A (ja) | 2013-12-02 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015188054A5 (ja) | 2014-10-17 | 2017-11-24 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102403389B1 (ko) | 2022-06-03 |
CN109643735B (zh) | 2022-12-16 |
TW201826509A (zh) | 2018-07-16 |
KR20190045930A (ko) | 2019-05-03 |
DE112017004584T5 (de) | 2019-07-11 |
CN115857237A (zh) | 2023-03-28 |
JP2018190949A (ja) | 2018-11-29 |
US20180076231A1 (en) | 2018-03-15 |
WO2018047067A1 (en) | 2018-03-15 |
JP2022169523A (ja) | 2022-11-09 |
US10276594B2 (en) | 2019-04-30 |
TWI743187B (zh) | 2021-10-21 |
CN109643735A (zh) | 2019-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7113602B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
JP7254867B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP7025575B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6925164B2 (ja) | 半導体装置または当該半導体装置を有する表示装置 | |
JP7082465B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2021185632A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
TWI753899B (zh) | 半導體裝置及包括該半導體裝置的顯示裝置 | |
TW201903967A (zh) | 半導體裝置、顯示裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
JP6817141B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JPWO2019025917A1 (ja) | 半導体装置、及び表示装置 | |
KR20240012619A (ko) | 반도체 장치, 이 반도체 장치의 제작 방법, 또는 이 반도체 장치를 가지는 표시 장치 | |
JP2023011576A (ja) | 半導体装置 | |
JP2022180417A (ja) | 半導体装置 | |
CN107735725B (zh) | 液晶显示装置及电子设备 | |
CN111033757B (zh) | 半导体装置及显示装置 | |
KR102662057B1 (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
JP2018133508A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200826 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7113602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |