JP2018189968A - 電子機器 - Google Patents

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秋男 遠藤
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Abstract

【課題】可撓性部品を支持するための支持具および発光装置を提供する。
【解決手段】第1の基板110と、第2の基板120と、ラック150と、ピニオン160と、蝶番と、を有し、第2の基板120を動かすことにより、ピニオン160の回転力を第1の基板110のラック150に伝達させ、第1の基板110を蝶番の一方の蝶番片132と重なる状態で水平方向に移動させることで、可撓性部品190を第1の基板110および第2の基板120に固定しつつ、蝶番部近傍において許容される曲率半径を維持しながら可撓性部品190を曲げることができる。
【選択図】図1

Description

本発明の一態様は、可撓性部品の支持具、および発光装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を
一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。トランジスタ、半導体回路は半導体装置の一態様である。また、記憶装置、
表示装置、撮像装置、電子機器は、半導体装置を有する場合がある。
近年、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence:EL)を
利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、
一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加するこ
とにより、発光性の物質からの発光が得られる。
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バック
ライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき
、応答速度が高いなどの利点も有する。
また、上述の発光素子を有する発光装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を有
する基板の採用が検討されている。
可撓性を有する基板を用いた発光装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの
基板上に剥離層を形成し、当該剥離層上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した
後、他の基板(例えば可撓性を有する基板)へと半導体素子を転置する技術が開発されて
いる(特許文献1参照)。
特開2003−174153号公報
可撓性基板上に形成された発光装置等の部品は、可撓性の特徴を活かして、折り畳んで携
帯性を向上させることができる。一方で、薄型であることによって機械的強度が十分に確
保できないことが問題となっている。そのため、当該可撓性の部品の携帯時にかかる外力
や予期せぬ衝撃から保護するには機械的強度を有する支持具を設けることが好ましい。
ところが、可撓性の部品はある程度曲げ撓めることは可能であるが、曲率半径が極めて小
さくなるように折ってしまうと、内部構造が物理的に破壊されてしまう。したがって、保
護のために支持具を使用したとしても当該可撓性の部品が曲げられる領域は、許容される
曲率半径を維持しなければならない。
例えば、蝶番でつながれた二枚の板を有する折り畳み式の支持具があり、当該支持具が開
いた状態で一つの可撓性の部品(例えば発光装置等)が二枚の板に渡って設置されている
とする。ここで、可撓性の部品を破壊することなく安全に支持具を折りたたむには、蝶番
部近傍において可撓性の部品に許容される曲率半径を維持する工夫が必要となる。
当該曲率半径の維持は、蝶番でつながれた二枚の板のうちの一方のみに可撓性の部品を固
定し、他方の板とは水平方向に滑るように固定する構成にすれば蝶番の工夫なしに容易に
達成し得るが、デザイン性や信頼性を低下させてしまう。
したがって、本発明の一態様は、可撓性部品を支持するための支持具を提供することを目
的の一つとする。または、可撓性部品の信頼性を損なうことなく曲げ動作を行うための支
持具を提供することを目的の一つとする。または、可撓性部品に許容される曲率半径を維
持するための支持具を提供することを目的の一つとする。または、可撓性部品の信頼性を
向上させる支持具を提供することを目的の一つとする。または、可撓性部品の電気特性の
低下を抑える支持具を提供することを目的の一つとする。または、可撓性部品の新規な支
持具を提供することを目的の一つとする。または、新規な発光装置を提供することを目的
の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明は、可撓性部品の支持具であり、当該可撓性部品を破壊することなく安定した曲げ
動作を行うための可撓性部品の支持具、および当該可撓性部品を有する発光装置に関する
。なお、当該可撓性部品の支持具は用途または状況によっては可撓性部品の保護具として
も作用する。
本発明の一態様は、第1の基板と、第2の基板と、ラックと、ピニオンと、蝶番と、を有
し、ラックは第1の基板上における角部に固定され、ピニオンは蝶番の軸に中心が固定さ
れ、蝶番の一方の蝶番片にはスライド機構が設けられ、蝶番の軸は蝶番の他方の蝶番片に
固定され、第2の基板を、第1の基板のラックが固定された角部側に隣接させた状態にお
いて、ラックの歯とピニオンの歯が噛み合うように、第1の基板および第2の基板上に蝶
番が配置され、スライド機構によって第1の基板と蝶番の一方の蝶番片とが重なる状態で
水平方向に移動する機能を有した状態で固定され、第2の基板と蝶番の他方の蝶番片とが
固定され、第2の基板を動かすことにより、ピニオンの回転力をラックに伝達させ、第1
の基板を蝶番の一方の蝶番片と重なる状態で水平方向に移動させることを特徴とする可撓
性部品の支持具である。
なお、本明細書等における「第1」、「第2」などの序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
上記可撓性部品の支持具には、一つの可撓性部品を第1の基板および第2の基板に渡って
固定することができ、可撓性部品を破壊することなく曲げ動作を行うことができる。
また、上記第1の基板および第2の基板とは、蝶番および周辺要素(ラック、ピニオン等
)を二組用いて接続された構成とすることができる。
本発明の他の一態様は、第1の基板と、第2の基板と、第3の基板と、第1のラックと、
第2のラックと、第1のピニオンと、第2のピニオンと、第3のピニオンと、中間歯車と
、第1の蝶番と、第2の蝶番と、を有し、第1のラックは第2の基板上における角部に固
定され、第1のピニオンは第1の蝶番の軸に中心が固定され、第1の蝶番の軸は第1の蝶
番の一方の蝶番片に固定され、第1の蝶番の他方の蝶番片には第1のスライド機構が設け
られ、第1の基板を、第2の基板の第1のラックが固定された角部側に隣接させた状態に
おいて、第1のラックの歯と第2のピニオンの歯が噛み合うように、第1の基板および第
2の基板上に第1の蝶番が配置され、第1のスライド機構によって第2の基板と第1の蝶
番の他方の蝶番片とが重なる状態で水平方向に移動する機能を有した状態で固定され、第
1の基板と第1の蝶番の一方の蝶番片とが固定され、第2のラックは第3の基板上におけ
る角部に固定され、第2のピニオンは第2の蝶番の一方の蝶番片に固定された軸に中心が
固定され、第3のピニオンは第2の蝶番の他方の蝶番片に固定された軸に中心が固定され
、第2のピニオンおよび第3のピニオンは中間歯車を介して歯が噛み合っており、中間歯
車は第2の蝶番の一方の蝶番片に固定された軸に中心が固定され、第2の蝶番の一方の蝶
番片には第2のスライド機構が設けられ、第2の基板の第1の蝶番を固定した側とは逆側
を、第3の基板の第2のラックが固定された角部側に隣接させた状態において、第2のラ
ックの歯と第2のピニオンの歯が噛み合うように、第2の基板および第3の基板上に第2
の蝶番が配置され、第2のスライド機構によって第3の基板と第2の蝶番の一方の蝶番片
とが重なる状態で水平方向に移動する機能を有した状態で固定され、第2の基板と第2の
蝶番の他方の蝶番片とが固定され、第1の基板を動かすことにより、第1のピニオンの回
転力を第1のラックに伝達させ、第2の基板を第1の蝶番の他方の蝶番片と重なる状態で
水平方向に移動させ、第2の基板を動かすことにより、第3のピニオンの回転力を中間歯
車および第2のピニオンを介して第2のラックに伝達させ、第3の基板を第2の蝶番の一
方の蝶番片と重なる状態で水平方向に移動させることを特徴とする可撓性部品の支持具で
ある。
上記可撓性部品の支持具には、一つの可撓性部品を第1の基板、第2の基板、および第3
の基板に渡って固定することができ、可撓性部品を破壊することなく曲げ動作を行うこと
ができる。
また、上記第1の基板および第2の基板とは、第1の蝶番および周辺要素(第1のラック
、第1のピニオン等)を二組用いて接続され、上記第2の基板および第3の基板とは、第
2の蝶番および周辺要素(第2のラック、第2のピニオン、第3のピニオン等)を二組用
いて接続された構成とすることができる。
また、本発明の他の一態様は、第1の基板と、第2の基板と、ラックと、ピニオンと、蝶
番と、可撓性発光装置と、を有し、ラックは第1の基板上における角部に固定され、ピニ
オンは蝶番の軸に中心が固定され、蝶番の一方の蝶番片にはスライド機構が設けられ、蝶
番の軸は蝶番の他方の蝶番片に固定され、第2の基板を、第1の基板のラックが固定され
た角部側に隣接させた状態において、ラックの歯とピニオンの歯が噛み合うように、第1
の基板および第2の基板上に蝶番が配置され、スライド機構によって第1の基板と蝶番の
一方の蝶番片とが重なる状態で水平方向に移動する機能を有した状態で固定され、第2の
基板と蝶番の他方の蝶番片とが固定され、可撓性発光装置は第1の基板および第2の基板
に渡って固定され、第2の基板を動かすことにより、ピニオンの回転力をラックに伝達さ
せ、第1の基板を蝶番の一方の蝶番片と重なる状態で水平方向に移動させることにより、
可撓性発光装置の曲げ部の曲率半径を維持することを特徴とする発光装置である。
また、本発明の他の一態様は、第1の基板と、第2の基板と、第3の基板と、第1のラッ
クと、第2のラックと、第1のピニオンと、第2のピニオンと、第3のピニオンと、中間
歯車と、第1の蝶番と、第2の蝶番と、可撓性発光装置と、を有し、第1のラックは第2
の基板上における角部に固定され、第1のピニオンは第1の蝶番の軸に中心が固定され、
第1の蝶番の軸は第1の蝶番の一方の蝶番片に固定され、第1の蝶番の他方の蝶番片には
第1のスライド機構が設けられ、第1の基板を、第2の基板の第1のラックが固定された
角部側に隣接させた状態において、第1のラックの歯と第2のピニオンの歯が噛み合うよ
うに、第1の基板および第2の基板上に第1の蝶番が配置され、第1のスライド機構によ
って第2の基板と第1の蝶番の他方の蝶番片とが重なる状態で水平方向に移動する機能を
有した状態で固定され、第1の基板と第1の蝶番の一方の蝶番片とが固定され、第2のラ
ックは第3の基板上における角部に固定され、第2のピニオンは第2の蝶番の一方の蝶番
片に固定された軸に中心が固定され、第3のピニオンは第2の蝶番の他方の蝶番片に固定
された軸に中心が固定され、第2のピニオンおよび第3のピニオンは中間歯車を介して歯
が噛み合っており、中間歯車は第2の蝶番の一方の蝶番片に固定された軸に中心が固定さ
れ、第2の蝶番の一方の蝶番片には第2のスライド機構が設けられ、第2の基板の第1の
蝶番を固定した側とは逆側を、第3の基板の第2のラックが固定された角部側に隣接させ
た状態において、第2のラックの歯と第2のピニオンの歯が噛み合うように、第2の基板
および第3の基板上に第2の蝶番が配置され、第2のスライド機構によって第3の基板と
第2の蝶番の一方の蝶番片とが重なる状態で水平方向に移動する機能を有した状態で固定
され、第2の基板と第2の蝶番の他方の蝶番片とが固定され、可撓性発光装置は第1の基
板、第2の基板、および第3の基板に渡って固定され、第1の基板を動かすことにより、
第1のピニオンの回転力を第1のラックに伝達させ、第2の基板を第1の蝶番の他方の蝶
番片と重なる状態で水平方向に移動させ、第2の基板を動かすことにより、第3のピニオ
ンの回転力を中間歯車および第2のピニオンを介して第2のラックに伝達させ、第3の基
板を第2の蝶番の一方の蝶番片と重なる状態で水平方向に移動させることを特徴とする発
光装置である。
上記可撓性発光装置としては有機EL素子を用いた表示装置や照明装置などを用いること
ができる。
本発明の一態様を用いることにより、可撓性部品を支持するための支持具を提供すること
ができる。または、可撓性部品の信頼性を損なうことなく曲げ動作を行うための支持具を
提供することができる。または、可撓性部品に許容される曲率半径を維持するための支持
具を提供することができる。または、可撓性部品の信頼性を向上させる支持具を提供する
ことができる。または、可撓性部品の電気特性の低下を抑える支持具を提供することがで
きる。または、可撓性部品の新規な支持具を提供することができる。または、新規な発光
装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
可撓性部品を支持するための支持具を説明する斜視図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する上面図および断面図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する上面図および断面図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する断面図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する断面図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する斜視図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する上面図および断面図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する上面図および断面図。 可撓性部品を支持するための支持具を説明する断面図。 発光パネルを説明する図。 発光パネルを説明する図。 発光パネルを説明する図。 発光パネルを説明する図。 発光パネルの作製方法を説明する図。 発光パネルの作製方法を説明する図。 歯車を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成
において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略することがある。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の可撓性部品の支持具について説明する。なお、本発
明の一態様の支持具は、曲げに対して敏感な部品全般に対して適用可能であり、当該部品
は電気部品に限定されない。
図1は、本発明の一態様である開閉可能な可撓性部品の支持具において、蝶番が鈍角をな
すように開いたときの斜視図である。また、図2(A)、(B)、(C)、(D)は、可
撓性部品が平坦となるように支持具を開いた状態を図示したものである。図2(A)は上
面図(可撓性部品を設置する側)であり、図2(A)に示すA1−A2の断面図を図2(
B)、A3−A4の断面図を図2(C)、A5−A6の断面図を図2(D)にそれぞれ示
す。
本発明の一態様の可撓性部品の支持具は、第1の基板110、第2の基板120、蝶番1
30、ラック150、ピニオン160を有している。なお、図2(A)においては、第1
の基板110と第2の基板120とをA1−A2(図の上下方向を分割する中心線)を対
称軸として線対称の位置に置かれた二つの蝶番で接続する構成を示している。当該二つの
蝶番は互いに鏡像の関係の構成とすること以外の構成は同じである。したがって、以下に
おいて、蝶番等の詳細な説明は一方に対して行うこととする。
ラック150は第1の基板110上における角部に固定され、ピニオン160は蝶番13
0の軸140に中心が固定される。また、軸140は蝶番130の蝶番片132に固定さ
れる。すなわち、ピニオン160には、蝶番片132の動作が軸140を介して伝達され
る。
第2の基板120を、第1の基板110のラック150が固定された角部側に隣接させた
状態とし、ラック150の歯とピニオン160の歯が噛み合うように(図2(D)参照)
、第1の基板110および第2の基板120上に蝶番130が配置される。
蝶番130の蝶番片131にはスライド機構が設けられ、当該スライド機構によって第1
の基板110と蝶番130の蝶番片131とが重なる状態で水平方向に移動可能な状態で
固定される(図2(C)参照)。そして、第2の基板120と蝶番130の蝶番片132
とが固定される。
本発明の一態様において、上記スライド機構の構成は限定されない。例えば、図示するよ
うに蝶番130の蝶番片131に形成された長穴170と、当該長穴に挿入され、第1の
基板と固定される治具180(ねじ等)によって構成することができる。また、上記長穴
は第1の基板側に形成されていてもよい。さらに上記スライド機構としては、上下のテー
ブルがベアリングや低摩擦材料などを介して重なる機構などを用いることもできる。
なお、蝶番130の蝶番片131には2つの長穴170が設けられた構成を例示したが、
長穴170は一つであってもよい。
また、可撓性部品190は、図2(A)、(B)に示す領域F1を除く領域を第1の基板
110および第2の基板120に固定することができる。領域F1は、可撓性部品190
の曲げられる領域に相当し、領域F1において、第1の基板110と可撓性部品190は
固定されていない必要がある。
図3(A)、(B)、(C)、(D)は、図1に示す支持具の閉じた状態を図示したもの
である。図3(A)は上面図であり、図3(A)に示すB1−B2の断面図を図3(B)
、B3−B4の断面図を図3(C)、B5−B6の断面図を図3(D)にそれぞれ示す。
上記構成の支持具においては、第2の基板120を動かすことにより、ピニオン160の
回転力をラック150に伝達させ、第1の基板110を蝶番130の蝶番片131と重な
る状態で水平方向に移動させることができる。また、第1の基板110を動かす、または
両方の基板を動かすことによっても、上記と同様の動作をさせることができる。
したがって、図2(B)に示すように、可撓性部品190が第1の基板110および第2
の基板120に固定された状態であっても、図3(B)に示すように曲げ部の曲率半径を
一定に維持したまま支持具を曲げることができる。なお、可撓性部品190に許容される
曲げ部の曲率半径は、蝶番130の軸140を覆う管の径およびピニオン160の径を選
択することにより調整することができる。
また、図4(A)、(B)、(C)は、本発明の一態様の支持具を閉じた状態から開いた
状態にするまでの過程を示す側面図である。ここで、可撓性部品190の第1の基板11
0側の端部をE1、第2の基板120側の端部をE2としたとき、開閉によって端部E1
および端部E2の位置が変化しないことがわかる。
つまり、本発明の一態様の支持具では、可撓性部品190が第1の基板110および第2
の基板120に曲げ部を除いて固定できる状態である。したがって、可撓性部品190に
強い機械的強度を付与することができ、信頼性を向上させることができる。また、第1の
基板110および第2の基板120の面形状を可撓性部品190に反映させることができ
、機能性やデザイン性を向上させることができる。例えば、可撓性部品190が表示装置
である場合、第1の基板110および第2の基板120の面形状を平坦とすることで視認
性を向上させることができる。
一方、比較例として本発明の一態様を用いない支持具の開閉の様子を図5に示す。図5(
A)、(B)、(C)は支持具を閉じた状態から開いた状態にするまでの過程を示す側面
図である。図5に示す支持具はラック、ピニオン、およびスライド機構を有さず、本発明
の一態様とは第1の基板110が水平方向に移動できない点が異なる。
図5に示す支持具において、可撓性部品190は第1の基板110に固定し、第2の基板
120には固定しない状態とする。ここで、開閉の動作において、可撓性部品190の端
部E1の位置は変化しないが、端部E2の位置は開閉の度合いによって逐次変化する。
これは図5(A)に示すように、可撓性部品190の一部の領域191が曲げ部に確保さ
れるためである。図5(B)の形態から図5(A)の形態に変化させると、第2の基板1
20上で可撓性部品190が蝶番の方向に引っ張られるように移動し、端部E2の位置が
変化する。また、図5(B)の形態から図5(C)の形態に変化させると、第2の基板1
20上で可撓性部品190は蝶番とは逆方向に移動し、端部E2の位置が変化する。
そのため、図5に示す支持具では、第2の基板120に可撓性部品190を固定できない
ため、機械的強度を向上させることが困難である。また、第2の基板120と可撓性部品
との間で摩擦が発生するため、機械的または電気的な信頼性を損なうことがある。また、
第2の基板120の面形状を可撓性部品190に反映させることができないため、機能性
やデザイン性を十分に向上させることが困難である。
したがって、本発明の一態様を用いることで、可撓性部品に優れた信頼性、機能性、およ
びデザイン性を付与することができる。
なお、本明細書において説明する歯車や蝶番などの部品は一例を示したものであり、その
形状や数等は限定されない。また、本明細書で説明する歯車や蝶番が有する作用と同様の
作用を有する他の部品を当該歯車および当該蝶番の替わりに用いることもできる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる本発明の一態様の可撓性部品の支持具につい
て説明する。実施の形態1では二つ折りの支持具を説明したが、本実施の形態では三つ折
りの支持具について説明する。
図6(A)、(B)は本発明の一態様である開閉可能な可撓性部品の支持具において、各
蝶番が鈍角をなすように開いたときの斜視図である。図6(A)は可撓性部品が設置され
る側であり、図6(B)は図6(A)の逆側である。また、図7(A)、(B)、(C)
、(D)は、本発明の一態様である開閉可能な可撓性部品の支持具の開いた状態を図示し
たものである。図7(A)は上面図(可撓性部品を設置する側)であり、図7(A)に示
すC1−C2の断面図を図7(B)、C3−C4の断面図を図7(C)、C5−C6の断
面図を図7(D)にそれぞれ示す。
本発明の一態様の可撓性部品の支持具は、第1の基板211、第2の基板212、第3の
基板213、第1の蝶番220、第1のラック251、第2のラック252、第1のピニ
オン261、第2のピニオン262、第3のピニオン263、および中間歯車264を有
している。なお、図7(A)においては、第1の基板211、第2の基板212、および
第3の基板213をC1−C2(図の上下方向を分割する中心線)を対称軸として線対称
の位置に置かれた二組(計四個)の蝶番で接続する構成を示している。第1の基板211
と第2の基板212とを接続する二つ蝶番は互いに鏡像の関係の構成とすること以外の構
成は同じである。また、第2の基板212と第3の基板213とを接続する二つ蝶番は互
いに鏡像の関係の構成とすること以外の構成は同じである。したがって、以下において、
種類が同じ蝶番等の詳細な説明は一方に対して行うこととする。
第1のラック251は第2の基板212上における角部に固定され、第1のピニオン26
1は第1の蝶番220の軸241に中心が固定される。また、軸241は第1の蝶番22
0の蝶番片221に固定される。すなわち、第1のピニオン261には、蝶番片221の
動作が軸241を介して伝達される。
第1の基板211を、第2の基板212の第1のラック251が固定された角部側に隣接
させた状態とし、第1のラック251の歯と第1のピニオン261の歯が噛み合うように
(図7(D)参照)、第1の基板211および第2の基板212上に第1の蝶番220が
配置される。
第1の蝶番220の蝶番片222には第1のスライド機構が設けられ、当該第1のスライ
ド機構によって第2の基板212と第1の蝶番220の蝶番片222とが重なる状態で水
平方向に移動可能な状態で固定される(図7(C)参照)。そして、第1の基板211と
第1の蝶番220の蝶番片221とが固定される。
本発明の一態様において、上記第1のスライド機構の構成は限定されない。例えば、図示
するように、第1の蝶番220の蝶番片222には長穴271が形成され、当該長穴に挿
入された治具280(ねじ等)によって構成することができる。なお、第1のスライド機
構に関しては、実施の形態1のスライド機構の説明を参酌できる。
なお、第1の蝶番220の蝶番片222には2つの長穴271が設けられた構成を例示し
たが、長穴271は一つであってもよい。
また、可撓性部品290は、図7(A)、(B)に示す領域F2を除く領域を第1の基板
211、第2の基板212、および第3の基板213に固定することができる。領域F2
は、可撓性部品290の曲げられる領域に相当し、領域F2において、第2の基板212
と可撓性部品290は固定されていない必要がある。
第2のラック252は第3の基板213上における角部に固定され、第2のピニオン26
2は第2の蝶番230の蝶番片232に固定された軸242に中心が固定される。また、
第3のピニオン263は第2の蝶番230の蝶番片231に固定された軸243に中心が
固定される。そして、第2のピニオン262および第3のピニオン263は中間歯車26
4を介して歯が噛み合っている。また、中間歯車は第2の蝶番230の蝶番片232に固
定された軸に中心が固定される。この構成により、第3のピニオン263には蝶番片23
1の動作が軸243を介して伝達され、第3のピニオン263の動作は中間歯車244を
介して第2のピニオン262に伝達される。
第2の基板212の第1の蝶番220を固定した側とは逆側を、第3の基板213の第2
のラック252が固定された角部側に隣接させた状態とし、第2のラック252の歯と第
2のピニオン262の歯が噛み合うように(図7(D)参照)、第2の基板212および
第3の基板213上に第2の蝶番230が配置される。
第2の蝶番230の蝶番片232には第2のスライド機構が設けられ、当該第2のスライ
ド機構によって第3の基板213と第2の蝶番230の蝶番片232とが重なる状態で水
平方向に移動可能な状態で固定される(図7(C)参照)。そして、第2の基板212と
第2の蝶番230の蝶番片231とが固定される。
本発明の一態様において、上記第2のスライド機構の構成は限定されない。例えば、図示
するように、第2の蝶番230の蝶番片232には長穴272が形成され、当該長穴に挿
入された治具280(ねじ等)によって構成することができる。なお、第2のスライド機
構に関しては、実施の形態1のスライド機構の説明を参酌できる。
なお、第2の蝶番230の蝶番片232には1つの長穴272が設けられた構成を例示し
たが、長穴272は二つであってもよい。
また、第3の基板213には第4の基板214が固定されており、実際には可撓性部品2
90は第4の基板214に固定される。ただし、第3の基板213と第4の基板214は
同一物とすれば、可撓性部品290は第3の基板213に固定されるものとして説明する
ことができる。
また、第2の基板212の角部には、折り畳んだ時に第2のピニオン262、第3のピニ
オン263、および中間歯車264が干渉しないように切欠きが設けてある。
また、図7において、第2の蝶番230の蝶番片231は第2の基板212に作り込まれ
た構成を図示しているが、前述の説明のように、蝶番片231を第2の基板212に固定
する構成であってもよい。
また、第2のピニオン262、第3のピニオン263および中間歯車264は、図16に
示す構成であってもよい。図16(A)は上面図、図16(B)は側面図である。
第3のピニオン263は歯車263aおよび歯車263bを有する。第2のピニオン26
2および歯車263bは中間歯車264を介して互いに噛み合っている。また、第2のラ
ック252には歯車263aのみが噛み合う構成となっている。
図8(A)、(B)、(C)、(D)は、図6に示す支持具の閉じた状態を図示したもの
である。図8(A)は上面図であり、図8(A)に示すD1−D2の断面図を図8(B)
、D3−D4の断面図を図8(C)、D5−D6の断面図を図8(D)にそれぞれ示す。
上記構成の支持具においては、第1の基板211を動かすことにより、第1のピニオン2
61の回転力を第1のラック251に伝達させ、第2の基板212を第1の蝶番220の
蝶番片222と重なる状態で水平方向に移動させることができる。
また、第2の基板212を動かすことにより、第3のピニオン263の回転力を中間歯車
264および第2のピニオン262を介して第2のラック252に伝達させ、第3の基板
213を第2の蝶番230の蝶番片232と重なる状態で水平方向に移動させることがで
きる。なお、基板を動かす動作は支持具の開閉動作であり、当該開閉動作はいずれの基板
を動かすことによっても可能である。
したがって、図7(B)に示すように、可撓性部品290が第1の基板211、第2の基
板212、および第3の基板213(第4の基板214)に固定された状態であっても、
図8(B)に示すように曲げ部の曲率半径を一定に維持したまま支持具を曲げることがで
きる。なお、可撓性部品290に許容される曲げ部の曲率半径は、第1の蝶番220の軸
241を覆う管の径、第1のピニオン261の径、第2の蝶番230の軸243を覆う管
の径、および第3のピニオン263の径を選択することにより調整することができる。
また、図9(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明に一態様の支持具を閉じた状態か
ら開いた状態にするまでの過程を示す側面図である。なお、第3の基板213の一部を透
過させて図示している。ここで、可撓性部品290の第1の基板211側の端部をE1、
第3の基板213側の端部をE2としたとき、開閉によって端部E1および端部E2の位
置が変化しないことがわかる。
つまり、本発明の一態様の支持具では、可撓性部品290が第1の基板211、第2の基
板212、および第3の基板213(第4の基板214)に固定された状態であるため、
可撓性部品290に強い機械的強度を付与することができ、信頼性を向上させることがで
きる。また、第1の基板211、第2の基板212、および第3の基板213(第4の基
板214)の面形状を可撓性部品290に反映させることができ、機能性やデザイン性を
向上させることができる。例えば、可撓性部品290が表示装置である場合、第1の基板
211、第2の基板212、および第3の基板213(第4の基板214)の面形状を平
坦とすることで視認性を向上させることができる。
したがって、本発明の一態様を用いることで、可撓性部品に優れた信頼性、機能性、およ
びデザイン性を付与することができる。また、本発明の一態様を用いることで、可撓性部
品を小さく折り畳むことができ、可撓性部品に優れた携帯性を付与することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態1および2で説明した可撓性部品として用いることができ
る発光装置(発光パネル)の例について説明する。
<具体例1>
図10(A)に可撓性部品の一例として用いることができる発光パネルの平面図を示し、
図10(A)における一点鎖線G1−G2間の断面図の一例を図10(B)に示す。
図10(B)に示す発光パネルは、素子層301、接着層305、基板303を有する。
素子層301は、基板401、接着層403、絶縁層405、トランジスタ440、導電
層357、絶縁層407、絶縁層409、発光素子430、絶縁層411、封止層413
、絶縁層461、着色層459、遮光層457、および絶縁層455を有する。
導電層357は、接続体415を介してFPC308と電気的に接続する。
発光素子430は、下部電極431、EL層433、および上部電極435を有する。下
部電極431は、トランジスタ440のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続す
る。下部電極431の端部は、絶縁層411で覆われている。発光素子430はトップエ
ミッション構造である。上部電極435は透光性を有し、EL層433が発する光を透過
する。
発光素子430と重なる位置に、着色層459が設けられ、絶縁層411と重なる位置に
遮光層457が設けられている。着色層459および遮光層457は絶縁層461で覆わ
れている。発光素子430と絶縁層461の間は封止層413で充填されている。
発光パネルは、光取り出し部304および駆動回路部306に、複数のトランジスタを有
する。トランジスタ440は、絶縁層405上に設けられている。絶縁層405と基板4
01は接着層403によって貼り合わされている。また、絶縁層455と基板303は接
着層305によって貼り合わされている。絶縁層405や絶縁層455に透水性の低い膜
を用いると、発光素子430やトランジスタ440に水等の不純物が侵入することを抑制
でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。接着層403は、接着層305と同
様の材料を用いることができる。
具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層405やトランジスタ440、発光素子
430を作製し、該作製基板を剥離し、接着層403を用いて基板401上に絶縁層40
5やトランジスタ440、発光素子430を転置することで作製できる発光パネルを示し
ている。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層455、着色層459お
よび遮光層457を作製し、該作製基板を剥離し、接着層305を用いて基板303上に
絶縁層455、着色層459および遮光層457を転置することで作製できる発光パネル
を示している。
基板に、透水性が高く耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高
温をかけることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限
がある。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製
を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することが
できる。そして、それらを基板303や基板401へと転置することで、信頼性の高い発
光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量または薄型であり、且つ
信頼性の高い発光装置を実現できる。作製方法の詳細は後述する。
基板303および基板401には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。
これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、基板303
を有機樹脂基板とし、基板401を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とするこ
とで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを
実現できる。
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネ
ルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基
板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下である
ことがより好ましい。
また、基板401に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなるこ
とを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板401を金
属基板と熱放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる
)の積層構造としてもよい。
<具体例2>
図11(A)に発光パネルにおける光取り出し部304の別の例を示す。図11(A)の
発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。なお、以下の各具体例では、具体
例1と同様の構成については説明を省略する。
図11(A)に示す発光パネルは、素子層301、接着層305、基板303を有する。
素子層301は、基板401、接着層403、絶縁層405、トランジスタ440、絶縁
層407、絶縁層409、発光素子430、絶縁層411、絶縁層417、封止層413
、絶縁層461、着色層459、遮光層457、受光素子、導電層481、導電層483
、絶縁層491、絶縁層493、絶縁層495、および絶縁層455を有する。
具体例2では、絶縁層411上に絶縁層417を有する。絶縁層417を設けることで、
基板303と基板401の間隔を調整することができる。
図11(A)では、絶縁層455および封止層413の間に受光素子を有する例を示す。
基板401側の非発光領域(例えばトランジスタ440や配線が設けられた領域)に重ね
て受光素子を配置することができるため、画素(発光素子)の開口率を低下させることな
く発光パネルにタッチセンサを設けることができる。
発光パネルが有する受光素子には、例えば、pn型またはpin型のフォトダイオードを
用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、p型半導体層471、i型半
導体層473、およびn型半導体層475を有するpin型のフォトダイオードを用いる
なお、i型半導体層473は、含まれるp型を付与する不純物およびn型を付与する不純
物がそれぞれ1×1020cm−3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が10
0倍以上である。i型半導体層473には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元
素を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした
不純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層
473は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図
的に添加されたものをその範疇に含む。
遮光層457は、受光素子よりも基板303側に位置しており、受光素子と重なる。受光
素子と封止層413との間に位置する遮光層457によって、発光素子430の発する光
が受光素子に照射されることを抑制できる。
導電層481および導電層483は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層48
1は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層483は
、受光素子に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。
光学式タッチセンサを基板303と封止層413の間に有すると、発光素子430の発光
の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。
<具体例3>
図11(B)に発光パネルにおける光取り出し部304の別の例を示す。図11(B)の
発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。
図11(B)に示す発光パネルは、素子層301、接着層305、基板303を有する。
素子層301は、基板401、接着層403、絶縁層405、トランジスタ440、絶縁
層407、絶縁層409a、絶縁層409b、発光素子430、絶縁層411、絶縁層4
17、封止層413、着色層459、遮光層457、受光素子、導電層480、導電層4
81、および絶縁層455を有する。
図11(B)では、絶縁層405および封止層413の間に受光素子を有する例を示す。
受光素子を絶縁層405および封止層413の間に設けることで、トランジスタ440を
構成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導
電層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加
させることなく、タッチ操作が可能な発光パネルを作製できる。
<具体例4>
図12(A)に発光パネルの別の例を示す。図12(A)の発光パネルは、タッチ操作が
可能な発光パネルである。
図12(A)に示す発光パネルは、素子層301、接着層305、基板303を有する。
素子層301は、基板401、接着層403、絶縁層405、トランジスタ440、導電
層356、導電層357、絶縁層407、絶縁層409、発光素子430、絶縁層411
、絶縁層417、封止層413、着色層459、遮光層457、絶縁層455、導電層4
72、導電層474、絶縁層476、絶縁層478、導電層494および導電層496を
有する。
図12(A)では、絶縁層455および封止層413の間に静電容量式のタッチセンサを
有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層472および導電層474を有す
る。
導電層356および導電層357は、接続体415を介してFPC308と電気的に接続
する。導電層494および導電層496は、導電性粒子492を介して導電層474と電
気的に接続する。したがって、FPC308を介して静電容量式のタッチセンサを駆動す
ることができる。
<具体例5>
図12(B)に発光パネルの別の例を示す。図12(B)の発光パネルは、タッチ操作が
可能な発光パネルである。
図12(B)に示す発光パネルは、素子層301、接着層305、基板303を有する。
素子層301は、基板401、接着層403、絶縁層405、トランジスタ440、導電
層356、導電層357、絶縁層407、絶縁層409、発光素子430、絶縁層411
、絶縁層417、封止層413、着色層459、遮光層457、絶縁層455、導電層4
70、導電層472、導電層474、絶縁層476、および絶縁層478を有する。
図12(B)では、絶縁層455および封止層413の間に静電容量式のタッチセンサを
有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層472および導電層474を有す
る。
導電層356および導電層357は、接続体415aを介してFPC308aと電気的に
接続する。導電層470は、接続体415bを介してFPC308bと電気的に接続する
。したがって、FPC308aを介して発光素子430やトランジスタ440を駆動し、
FPC308bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
<具体例6>
図13(A)に発光パネルにおける光取り出し部304の別の例を示す。
図13(A)に示す光取り出し部304は、基板303、接着層305、基板402、絶
縁層405、トランジスタ440、絶縁層407、導電層408、絶縁層409a、絶縁
層409b、発光素子430、絶縁層411、封止層413、および着色層459を有す
る。
発光素子430は、下部電極431、EL層433、および上部電極435を有する。下
部電極431は、導電層408を介してトランジスタ440のソース電極またはドレイン
電極と電気的に接続する。下部電極431の端部は、絶縁層411で覆われている。発光
素子430はボトムエミッション構造である。下部電極431は透光性を有し、EL層4
33が発する光を透過する。
発光素子430と重なる位置に、着色層459が設けられ、発光素子430が発する光は
、着色層459を介して基板303側に取り出される。発光素子430と基板402の間
は封止層413で充填されている。基板402は、前述の基板401と同様の材料を用い
て作製できる。
<具体例7>
図13(B)に発光パネルの別の例を示す。
図13(B)に示す発光パネルは、素子層301、接着層305、基板303を有する。
素子層301は、基板402、絶縁層405、導電層510a、導電層510b、複数の
発光素子、絶縁層411、導電層412、および封止層413を有する。
導電層510aおよび導電層510bは、発光パネルの外部接続電極であり、FPC等と
電気的に接続させることができる。
発光素子430は、下部電極431、EL層433、および上部電極435を有する。下
部電極431の端部は、絶縁層411で覆われている。発光素子430はボトムエミッシ
ョン構造である。下部電極431は透光性を有し、EL層433が発する光を透過する。
導電層412は、下部電極431と電気的に接続する。
基板303は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が
施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レ
ンズやフィルムを、該基板または該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接
着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
導電層412は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極431の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極435と電気
的に接続する導電層を絶縁層411上に設けてもよい。
導電層412は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料またはこれらを主成分とする
合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。導電層412の膜厚は
、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.5μm
以下である。
上部電極435と電気的に接続する導電層の材料にペースト(銀ペーストなど)を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、EL層433が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と
該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
<材料の一例>
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に
説明した構成については説明を省略する。
素子層301は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んで
いる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いること
ができる。
素子層301は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに有
していてもよい。
発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラン
ジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型
またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または
、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも
一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
発光パネルが有する発光素子は、一対の電極(下部電極431および上部電極435)と
、該一対の電極間に設けられたEL層433とを有する。該一対の電極の一方は陽極とし
て機能し、他方は陰極として機能する。
発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:I
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物(例
えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、また
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムと
チタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアル
ミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金
、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含
む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜また
は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。
該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、
上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とI
TOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。
下部電極431および上部電極435の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、EL層433に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はEL層433において再結合し、EL層433に含まれる発光物質が発
光する。
EL層433は少なくとも発光層を有する。EL層433は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質(電子輸送性および正孔輸送性が高
い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
EL層433には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。EL層433を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸
着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
素子層301において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられているこ
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/m・day]以下
、好ましくは1×10−6[g/m・day]以下、より好ましくは1×10−7[g
/m・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m・day]以下とする
基板303は透光性を有し、少なくとも素子層301が有する発光素子の発する光を透過
する。基板303は可撓性を有する。また、基板303の屈折率は、大気の屈折率よりも
高い。
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、基板303として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
可撓性および可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PE
S)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いること
が好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いる
ことができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂
に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
基板303としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハー
ドコート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、ア
ラミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子
の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
接着層305は、透光性を有し、少なくとも素子層301が有する発光素子の発する光を
透過する。また、接着層305の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
接着層305には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、
熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂
、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低
い材料が好ましい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー(酸化チタン等)を混合することにより、発光素
子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。
また、接着層305には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層
305には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。
樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が0.1以上あることが好ましく、
0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また粒子としては、酸化チ
タン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオ
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。
絶縁層405、絶縁層455には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光パネルを実現できるため好ましい。
絶縁層407は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。絶縁層407としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜
などの無機絶縁膜を用いることができる。
絶縁層409、絶縁層409a、および絶縁層409bとしては、それぞれ、トランジス
タ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適であ
る。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いるこ
とができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)等を用いるこ
とができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積層させてもよ
い。
絶縁層411は、下部電極431の端部を覆って設けられている。絶縁層411の上層に
形成されるEL層433や上部電極435の被覆性を良好なものとするため、絶縁層41
1の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
絶縁層411の材料としては、樹脂または無機絶縁材料を用いることができる。樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポ
キシ樹脂、またはフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層411の作製が
容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ま
しい。
絶縁層411の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
絶縁層417は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、または金属材料等を用いて形成すること
ができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂
などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用い
ることができる。絶縁層417に導電材料を用い、絶縁層417と上部電極435とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極435の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層417は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
絶縁層476、絶縁層478、絶縁層491、絶縁層493、絶縁層495は、それぞれ
、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層478や絶縁層49
5は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いるこ
とが好ましい。
封止層413には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、
熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、PVC(ポリビニルクロライ
ド)樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポ
リビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を用いることがで
きる。封止層413に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層413を通過して発光
素子430の光が発光パネルの外に取り出される場合は、封止層413に屈折率の高いフ
ィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材につ
いては、接着層305に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。
導電層356、導電層357、導電層494、および導電層496は、それぞれ、トラン
ジスタまたは発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、
導電層480は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる
例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらの元素を含む
合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。また、上記導電層は、
それぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸
化インジウム(In等)、酸化スズ(SnO等)、酸化亜鉛(ZnO)、インジ
ウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(In−ZnO等)またはこれ
らの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
また、導電層408、導電層412、導電層510aおよび導電層510bも、それぞれ
、上記金属材料、合金材料、または導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
導電層472および導電層474、並びに、導電層481および導電層483は、透光性
を有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化
亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層470は導電
層472と同一の材料、同一の工程で形成できる。
導電性粒子492は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したもの
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。
接続体415としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状またはシー
ト状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金
属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状
となった粒子を用いることが好ましい。
着色層459は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
また、隣接する着色層459の間に、遮光層457が設けられている。遮光層457は隣
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層459の端部を、遮光層457と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層457は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図10
(B)に示すように、遮光層457を駆動回路部306などの光取り出し部304以外の
領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
また、着色層459と遮光層457を覆う絶縁層461を設けると、着色層459や遮光
層457に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ま
しい。絶縁層461は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることが
できる。絶縁層461に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
<作製方法例>
次に、発光パネルの作製方法を図14および図15を用いて例示する。ここでは、具体例
1(図10(B))の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。
まず、作製基板501上に剥離層503を形成し、剥離層503上に絶縁層405を形成
する。次に、絶縁層405上にトランジスタ440、導電層357、絶縁層407、絶縁
層409、発光素子430、および絶縁層411を形成する。なお、導電層357が露出
するように、絶縁層411、絶縁層409、および絶縁層407は開口する(図14(A
)参照)。
また、作製基板505上に剥離層507を形成し、剥離層507上に絶縁層455を形成
する。次に、絶縁層455上に遮光層457、着色層459、および絶縁層461を形成
する(図14(B)参照)。
作製基板501および作製基板505としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(B
aO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。
剥離層503および剥離層507としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、または該元素を含む化合物材料からなり、単層または積層された層である。シ
リコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、またはタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、またはタングス
テンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお
、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に
相当する。
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(NO)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能であ
る。
各絶縁膜は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
その後、作製基板505の着色層459等が設けられた面または作製基板501の発光素
子430等が設けられた面に封止層413となる材料を塗布し、封止層413を介して該
面同士を貼り合わせる(図14(C)参照)。
そして、作製基板501を剥離し、露出した絶縁層405と基板401を、接着層403
を用いて貼り合わせる。また、作製基板505を剥離し、露出した絶縁層455と基板3
03を、接着層305を用いて貼り合わせる。図15(A)では、基板303が導電層3
57と重ならない構成としたが、導電層357と基板303が重なっていてもよい。
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の
照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF
、BrF、ClF等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に削除または溶液やNF、BrF、ClF等のフッ化ガスに
よるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくと
もよい。
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成し
、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱すること
により、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。または、作製基板と有機樹
脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹
脂の界面で剥離を行ってもよい。
最後に、絶縁層455および封止層413を開口することで、導電層357を露出させる
(図15(B)参照)。なお、基板303が導電層357と重なる構成の場合は、基板3
03および接着層305も開口する(図15(C)参照)。開口の手段は特に限定されず
、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを
用いればよい。また、導電層357上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理
的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
以上により、発光パネルを作製することができる。
以上に示したように、本実施の形態の発光パネルは、基板303と、基板401または基
板402と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、2
枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率や
表示の鮮明さの向上が容易となる。
また、可撓性を有する発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(
テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタル
カメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯
電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの
大型ゲーム機などが挙げられる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
110 第1の基板
120 第2の基板
130 蝶番
131 蝶番片
132 蝶番片
140 軸
150 ラック
160 ピニオン
170 長穴
180 治具
190 可撓性部品
191 領域
211 第1の基板
212 第2の基板
213 第3の基板
214 第4の基板
220 第1の蝶番
221 蝶番片
222 蝶番片
230 第2の蝶番
231 蝶番片
232 蝶番片
241 軸
242 軸
243 軸
244 中間歯車
251 第1のラック
252 第2のラック
261 第1のピニオン
262 第2のピニオン
263 第3のピニオン
264 中間歯車
271 長穴
272 長穴
280 治具
290 可撓性部品
301 素子層
303 基板
304 光取り出し部
305 接着層
306 駆動回路部
308 FPC
308a FPC
308b FPC
356 導電層
357 導電層
401 基板
402 基板
403 接着層
405 絶縁層
407 絶縁層
408 導電層
409 絶縁層
409a 絶縁層
409b 絶縁層
411 絶縁層
412 導電層
413 封止層
415 接続体
415a 接続体
415b 接続体
417 絶縁層
430 発光素子
431 下部電極
433 EL層
435 上部電極
440 トランジスタ
455 絶縁層
457 遮光層
459 着色層
461 絶縁層
470 導電層
471 p型半導体層
472 導電層
473 i型半導体層
474 導電層
475 n型半導体層
476 絶縁層
478 絶縁層
480 導電層
481 導電層
483 導電層
491 絶縁層
492 導電性粒子
493 絶縁層
494 導電層
495 絶縁層
496 導電層
501 作製基板
503 剥離層
505 作製基板
507 剥離層
510a 導電層
510b 導電層

Claims (3)

  1. 第1の基板と、第2の基板と、可撓性部品と、を有し、
    前記可撓性部品は、前記第1の基板および前記第2の基板に渡って固定され、
    前記可撓性部品は、発光装置を有し、
    前記発光装置は、第3の基板と、前記第3の基板上の接着層と、前記接着層上の絶縁層と、前記絶縁層上のトランジスタと、前記トランジスタ上の発光素子と、前記発光素子上の封止層と、を有し、
    前記発光素子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねるように折り曲げたとき、前記可撓性部品の折り曲げ部の曲率半径は、一定に維持されることを特徴とする電子機器。
  2. 第1の基板と、第2の基板と、可撓性部品と、を有し、
    前記可撓性部品は、前記第1の基板および前記第2の基板に渡って固定され、
    前記可撓性部品は、発光装置を有し、
    前記発光装置は、第3の基板と、前記第3の基板上の接着層と、前記接着層上の絶縁層と、前記絶縁層上のトランジスタと、前記トランジスタ上の発光素子と、前記発光素子上の封止層と、を有し、
    前記発光素子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねるように折り曲げたとき、前記可撓性部品の折り曲げ部の曲率半径は、支持具により一定に維持されることを特徴とする電子機器。
  3. 第1の基板と、第2の基板と、可撓性部品と、を有し、
    前記可撓性部品は、前記第1の基板および前記第2の基板に渡って固定され、
    前記可撓性部品は、発光装置を有し、
    前記発光装置は、第3の基板と、前記第3の基板上の接着層と、前記接着層上の絶縁層と、前記絶縁層上のトランジスタと、前記トランジスタ上の発光素子と、前記発光素子上の封止層と、を有し、
    前記発光素子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねるように折り曲げたとき、支持具により前記第1の基板をスライドさせることで、前記可撓性部品の折り曲げ部の曲率半径を一定に維持することを特徴とする電子機器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020212797A1 (ja) * 2019-04-19 2020-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 可撓性部品の支持具および表示装置

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI643056B (zh) 2013-07-22 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR20210129272A (ko) 2013-11-28 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 그 구동 방법
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN106030451B (zh) 2014-02-28 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 电子设备
US9588549B2 (en) 2014-02-28 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR20160083990A (ko) * 2015-01-02 2016-07-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치
KR102341879B1 (ko) * 2015-01-14 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
US10317934B2 (en) * 2015-02-04 2019-06-11 Dell Products, Lp Gearing solution for an external flexible substrate on a multi-use product
KR102287583B1 (ko) * 2015-04-08 2021-08-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108028029B (zh) * 2015-09-24 2020-02-18 夏普株式会社 柔性器件
KR102421579B1 (ko) * 2015-11-16 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치
JP6850587B2 (ja) 2015-11-18 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
WO2017113393A1 (zh) * 2015-12-31 2017-07-06 深圳市柔宇科技有限公司 可弯折移动终端
CN105528035A (zh) * 2015-12-31 2016-04-27 联想(北京)有限公司 一种电子设备
CN105702168B (zh) * 2016-01-26 2018-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 曲率可调节的显示装置
JP6918560B2 (ja) 2016-04-28 2021-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
US10528079B2 (en) 2016-08-26 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device, display method, input/output method, server system, and computer program
US10488887B2 (en) 2016-10-04 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR102595230B1 (ko) 2016-10-13 2023-10-30 삼성전자주식회사 플렉서블 디스플레이를 포함하는 폴더블 전자 장치
CN110720033A (zh) * 2016-12-08 2020-01-21 Essenlix 公司 分析样品卡和适配器及其使用
US10268244B2 (en) * 2017-01-26 2019-04-23 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd Housing assembly and electronic device
TWI676411B (zh) * 2017-03-06 2019-11-01 華碩電腦股份有限公司 支撐架
CN107230431B (zh) * 2017-07-11 2024-01-05 佛山鼎辉光电科技有限公司 摇头显示装置
US10400943B2 (en) * 2017-07-21 2019-09-03 Cutter Technologies Pte Ltd Height adjustable stand
JP6556812B2 (ja) * 2017-11-28 2019-08-07 Nissha株式会社 ハードコート付フィルムタイプタッチセンサとこれを用いたフレキシブルディバイス
CN111357041B (zh) 2017-11-30 2023-06-13 株式会社半导体能源研究所 显示面板、显示装置、输入输出装置及数据处理装置
US11672152B2 (en) 2017-11-30 2023-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, and display device, display module, and electronic device including display panel
USD945993S1 (en) * 2018-05-29 2022-03-15 Intel Corporation Hinged electronic device
KR102540815B1 (ko) 2018-06-01 2023-06-08 삼성전자주식회사 폴더블 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20210043676A (ko) 2018-08-21 2021-04-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
CN109270987B (zh) 2018-08-29 2020-09-11 维沃移动通信有限公司 一种转轴及具有该转轴的电子设备
CN108922408B (zh) 2018-09-19 2024-02-27 云谷(固安)科技有限公司 一种可折叠支撑装置及可折叠柔性显示装置
US11075347B2 (en) * 2018-10-22 2021-07-27 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device
JP6917973B2 (ja) * 2018-12-28 2021-08-11 Nissha株式会社 折り畳み式表示装置
US11215332B2 (en) * 2019-05-02 2022-01-04 Intense Lighting, Inc. Lighting fixture having an adjustable optic system
US10773826B1 (en) * 2019-10-15 2020-09-15 Goodrich Lighting Systems, Inc. Adjustable aiming aircraft light assembly
CN112303421B (zh) * 2020-10-30 2022-11-01 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN115695597A (zh) * 2021-07-27 2023-02-03 北京小米移动软件有限公司 折叠式屏幕及电子设备
US20230367369A1 (en) * 2022-05-16 2023-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic devices with flexible displays

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174153A (ja) * 2001-07-16 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置
JP2003298700A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Railway Technical Res Inst 携帯型情報端末装置
JP2007219071A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Sharp Corp 電子情報表示装置
JP2010256660A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2011216786A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
WO2012167204A2 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Microsoft Corporation Flexible display flexure assembly
JP2012253014A (ja) * 2011-05-12 2012-12-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及び発光装置を用いた電子機器
US20130037228A1 (en) * 2011-07-11 2013-02-14 Polymer Vision B.V. Flexible display with display support
JP2013050547A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Canon Inc 表示装置

Family Cites Families (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54167267U (ja) * 1978-05-15 1979-11-24
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH063087B2 (ja) * 1986-04-04 1994-01-12 永大産業株式会社 蝶 番
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH03137379A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Nec Corp ヒンジ
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
GB2336460B (en) * 1997-12-24 2002-02-27 Mitsubishi Electric Corp Flexible liquid crystal display panel mounting structure
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2003520998A (ja) * 2000-01-24 2003-07-08 スポットウェア テクノロジーズ インコーポレイテッド 小型化可能/たたみ込み可能なモジュールpda
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US20050122671A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-09 Homer Steven S. Electronic device with improved hinge
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
KR101078509B1 (ko) 2004-03-12 2011-10-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 박막 트랜지스터의 제조 방법
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
KR101221428B1 (ko) * 2004-07-20 2013-01-11 김시환 휴대용 표시장치
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
JP4160549B2 (ja) * 2004-10-05 2008-10-01 株式会社ストロベリーコーポレーション ヒンジ装置並びにヒンジ装置を用いた電子機器
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
CN102938420B (zh) 2004-11-10 2015-12-02 佳能株式会社 无定形氧化物和场效应晶体管
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7714801B2 (en) * 2005-01-05 2010-05-11 Nokia Corporation Foldable electronic device and a flexible display device
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101707212B (zh) 2005-11-15 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP5117016B2 (ja) 2006-08-21 2013-01-09 富士フイルム株式会社 表示装置
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
KR20080035709A (ko) * 2006-10-20 2008-04-24 김종억 플렉시블 디스플레이를 구비한 3단 폴더형 휴대폰
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
TWI413037B (zh) * 2007-06-15 2013-10-21 Creator Technology Bv 具有可改變角度的可撓性顯示器的電子裝置
JP2009110366A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sharp Corp 連結構造体及び電子情報装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
US8803816B2 (en) 2008-09-08 2014-08-12 Qualcomm Incorporated Multi-fold mobile device with configurable interface
US8836611B2 (en) 2008-09-08 2014-09-16 Qualcomm Incorporated Multi-panel device with configurable interface
US8863038B2 (en) 2008-09-08 2014-10-14 Qualcomm Incorporated Multi-panel electronic device
US9009984B2 (en) 2008-09-08 2015-04-21 Qualcomm Incorporated Multi-panel electronic device
US8860632B2 (en) 2008-09-08 2014-10-14 Qualcomm Incorporated Multi-panel device with configurable interface
US8933874B2 (en) 2008-09-08 2015-01-13 Patrik N. Lundqvist Multi-panel electronic device
US8860765B2 (en) 2008-09-08 2014-10-14 Qualcomm Incorporated Mobile device with an inclinometer
US8947320B2 (en) 2008-09-08 2015-02-03 Qualcomm Incorporated Method for indicating location and direction of a graphical user interface element
US8866840B2 (en) 2008-09-08 2014-10-21 Qualcomm Incorporated Sending a parameter based on screen size or screen resolution of a multi-panel electronic device to a server
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US8385055B2 (en) * 2008-12-26 2013-02-26 Industrial Technology Research Institute Electric device and display panel thereof
WO2010128614A1 (en) 2009-05-02 2010-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101566035B1 (ko) * 2009-12-03 2015-11-05 삼성전자주식회사 슬라이딩 모듈이 구비된 휴대용 통신 장치의 케이스
US20110241998A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Mckinney Susan Flexible portable communication device
JP2011221189A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Seiko Epson Corp 表示装置
KR101292974B1 (ko) * 2010-06-30 2013-08-02 주식회사 팬택 플렉서블 디스플레이를 구비한 이동통신단말기
TWM395340U (en) * 2010-08-04 2010-12-21 Micro Star Int Co Ltd Foldable electronic apparatus
TWM395341U (en) 2010-08-04 2010-12-21 Micro Star Int Co Ltd Foldable electronic apparatus
KR101148397B1 (ko) * 2010-08-17 2012-05-23 주식회사 팬택 휴대 단말기
WO2012049968A1 (ja) * 2010-10-13 2012-04-19 ナガシマ工芸株式会社 情報端末用表示装置
KR20120079493A (ko) * 2010-12-23 2012-07-13 주식회사 팬택 휴대 단말기
KR101839615B1 (ko) * 2011-04-14 2018-03-19 삼성전자주식회사 연성 표시부를 구비한 휴대용 통신 장치
JP5801607B2 (ja) * 2011-05-31 2015-10-28 スタッフ株式会社 電子機器
US8804324B2 (en) * 2011-06-03 2014-08-12 Microsoft Corporation Flexible display overcenter assembly
US8787016B2 (en) * 2011-07-06 2014-07-22 Apple Inc. Flexible display devices
EP3826278A1 (en) * 2011-07-11 2021-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible display with guided plates to support the display in the open position
EP2584128B1 (en) * 2011-10-19 2015-09-16 BlackBerry Limited Portable electronic device housing including hinge
US8711554B2 (en) * 2011-10-19 2014-04-29 Blackberry Limited Portable electronic device housing including hinge
CN202522966U (zh) * 2012-03-22 2012-11-07 宏碁股份有限公司 便携计算机的置放平台
US8971031B2 (en) * 2012-08-07 2015-03-03 Creator Technology B.V. Display system with a flexible display
US9195108B2 (en) * 2012-08-21 2015-11-24 Apple Inc. Displays with bent signal lines
US9013864B2 (en) * 2012-11-02 2015-04-21 Blackberry Limited Support for a flexible display
USD745006S1 (en) * 2013-07-10 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device
KR20210070393A (ko) * 2013-07-12 2021-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
TWI643056B (zh) 2013-07-22 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102288238B1 (ko) * 2013-09-03 2021-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9588549B2 (en) * 2014-02-28 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
USD750036S1 (en) * 2014-03-13 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device
US10310554B2 (en) * 2014-12-20 2019-06-04 Production Resource Group, L.L.C. Folding display panels for large-format displays
WO2018061119A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 シャープ株式会社 情報処理装置
US10996913B2 (en) * 2019-09-24 2021-05-04 Intel Corporation Multimodal dual display

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174153A (ja) * 2001-07-16 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置
JP2003298700A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Railway Technical Res Inst 携帯型情報端末装置
JP2007219071A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Sharp Corp 電子情報表示装置
JP2010256660A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2011216786A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
JP2012253014A (ja) * 2011-05-12 2012-12-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及び発光装置を用いた電子機器
WO2012167204A2 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Microsoft Corporation Flexible display flexure assembly
US20130037228A1 (en) * 2011-07-11 2013-02-14 Polymer Vision B.V. Flexible display with display support
JP2013050547A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Canon Inc 表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020212797A1 (ja) * 2019-04-19 2020-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 可撓性部品の支持具および表示装置

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