JP2018182199A5

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Publication number: JP2018182199A5
Application number: JP2017083064A
Authority: JP
Filing date: 2017-04-19
Publication date: 2020-04-09
Anticipated expiration: 2037-04-19

Claims

環構造と１級窒素原子及び２級窒素原子の少なくとも１つを含むカチオン性官能基とを有し、重量平均分子量が９０以上６００以下である化合物（Ａ）と、
分子内に−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基（Ｘは、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基である）を３つ以上有し、３つ以上の−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基のうち、１つ以上６つ以下が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基であり、重量平均分子量が２００以上６００以下である架橋剤（Ｂ）と、
アミノ基を有さずカルボキシ基を有する重量平均分子量４６以上１９５以下の酸（Ｃ−１）及び環構造を有さず窒素原子を有する重量平均分子量１７以上１２０以下の塩基（Ｃ−２）からなる群より選ばれる少なくとも１種の添加剤（Ｃ）と、
極性溶媒（Ｄ）と、
を含む、半導体用膜形成用組成物。
さらに、前記架橋剤（Ｂ）は、分子内に環構造を有する、請求項１に記載の半導体用膜形成用組成物。
前記架橋剤（Ｂ）が有する環構造は、ベンゼン環及びナフタレン環の少なくとも一方である、請求項２に記載の半導体用膜形成用組成物。
さらに、前記架橋剤（Ｂ）は、前記３つ以上の−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基において、少なくとも１つのＸが炭素数１以上６以下のアルキル基である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体用膜形成用組成物。
基板に形成された凹部の充填材料に用いられる、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体用膜形成用組成物。
多層レジスト法に用いられる、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体用膜形成用組成物。
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用膜形成用組成物を製造する製造方法であって、
前記化合物（Ａ）と、前記架橋剤（Ｂ）と、前記添加剤（Ｃ）と、を混合する混合工程を含む半導体用膜形成用組成物の製造方法。
前記添加剤（Ｃ）は、アミノ基を有さずカルボキシ基を有する重量平均分子量４６以上１９５以下の酸（Ｃ−１）を少なくとも含み、
前記混合工程は、前記酸（Ｃ−１）と前記化合物（Ａ）との混合物と、前記架橋剤（Ｂ）と、を混合する工程である請求項７に記載の半導体用膜形成用組成物の製造方法。
前記添加剤（Ｃ）は、環構造を有さず窒素原子を有する重量平均分子量１７以上１２０以下の塩基（Ｃ−２）を少なくとも含み、
前記混合工程は、前記塩基（Ｃ−２）と前記架橋剤（Ｂ）との混合物と、前記化合物（Ａ）と、を混合する工程である請求項７に記載の半導体用膜形成用組成物の製造方法。
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用膜形成用組成物を用いて半導体用部材を製造する製造方法であって、
前記半導体用膜形成用組成物を基板に付与する付与工程と、
前記半導体用膜形成用組成物が付与された前記基板を温度１００℃以上４２５℃以下の条件で加熱する加熱工程と、
を有する、半導体用部材の製造方法。
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用膜形成用組成物を用いて半導体用工程材を製造する製造方法であって、
前記半導体用膜形成用組成物を基板に付与する付与工程と、
前記半導体用膜形成用組成物が付与された前記基板を温度１００℃以上４２５℃以下の条件で加熱する加熱工程と、
を有する、半導体用工程材の製造方法。