JP2018174084A5 - 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Claims (13)
- 基板と、
前記基板に接する領域を有する第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層に接する領域を有する第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層に接する領域を有する第１の層と、を有し、
前記第２の樹脂層はポリイミド樹脂を主成分として構成され、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との界面から、液体クロマトグラフィー質量分析測定における質量電荷比が１０００以上１２００以下の物質が検出され、前記質量電荷比が１０００以上１２００以下の物質は前記界面と反対側から第１の樹脂層を液体クロマトグラフィー質量分析測定した際に検出される物質と異なる半導体装置。 - 請求項１において、
前記界面から、液体クロマトグラフィー質量分析測定における質量電荷比が１０００より小さい物質の検出が５より少ない半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記基板が可とう性を有する半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の層はトランジスタを有する半導体装置。 - 請求項４において、
前記トランジスタはチャネル形成領域に金属酸化物を有する半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の層は前記トランジスタと電気的に接続された表示素子を有する半導体装置。 - 作製基板上に、酸化チタン層を形成し、
前記酸化チタン層上に、ポリイミドを主成分とする第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層上に被剥離層を形成し、
前記第１の樹脂層にレーザ光を照射することによって、前記第１の樹脂層の前記酸化チタン層に接する部分に、前記ポリイミドを主成分とする第１の樹脂層の材料を液体クロマトグラフィー質量分析測定した際に検出される物質とは異なり、かつ液体クロマトグラフィー質量分析測定における質量電荷比で１０００以上の物質を含む分離領域を形成し、
前記作製基板と前記被剥離層とを前記分離領域で分離する半導体装置の作製方法。 - 作製基板上に、
ポリイミドを主成分とする第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層上にトランジスタを含む被剥離層を形成し、
前記第１の樹脂層にレーザ光を照射することによって、前記第１の樹脂層の前記酸化チタン層に接する部分に、前記ポリイミドを主成分とする第１の樹脂層の材料を液体クロマトグラフィー質量分析測定した際に検出される物質とは異なり、かつ液体クロマトグラフィー質量分析測定における質量電荷比で１０００以上の物質を含む分離領域を形成し、
前記作製基板と前記被剥離層とを前記分離領域で分離する半導体装置の作製方法。 - 請求項８において、
前記トランジスタはチャネル形成領域に金属酸化物を含む半導体装置の作製方法。 - 請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記酸化チタン層に面する前記第１の樹脂層の表面おいて、液体クロマトグラフィー質量分析測定における質量電荷比で１０００より小さい物質の検出が５より少ない半導体装置の作製方法。 - 請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記分離領域と前記酸化チタン層との間に空洞が形成される半導体装置の作製方法。 - 請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記被剥離層は表示素子を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記被剥離層が発光素子を有する半導体装置の作製方法。
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