JP2018151645A - パターン形成方法 - Google Patents

パターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018151645A
JP2018151645A JP2018082734A JP2018082734A JP2018151645A JP 2018151645 A JP2018151645 A JP 2018151645A JP 2018082734 A JP2018082734 A JP 2018082734A JP 2018082734 A JP2018082734 A JP 2018082734A JP 2018151645 A JP2018151645 A JP 2018151645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing chamber
processing
roller
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018082734A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6508389B2 (ja
Inventor
鈴木　智也
Tomoya Suzuki
智也 鈴木
仁 西川
Hitoshi Nishikawa
仁 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2018151645A publication Critical patent/JP2018151645A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6508389B2 publication Critical patent/JP6508389B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Advancing Webs (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】効率的に処理部を配置することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する帯状の基板Ｓを長尺方向に露光装置ＥＸに搬送して処理した後、ウェット処理装置４１〜４４に搬送することにより、基板上に電子デバイスのパターンを形成する。露光装置は仕切り部材１４ｃで仕切られた第１の処理室１３内に設置され、ウェット処理装置は、重力方向に関して第１の処理室の下方側に位置する第２の処理室１２内に設置され、第１の処理室の仕切り部材に設けられた開口部９０を通して、感光剤が塗布された基板を長尺方向に露光装置に搬入し、基板の感光剤による塗布膜に電子デバイスのパターンを露光する工程と、重力方向に関して第１の処理室と第２の処理室との間を仕切る仕切り部材に設けられた接続部１５〜１９を通して、露光装置で露光された基板を長尺方向にウェット処理装置に搬送し、塗布膜を液体で処理する工程と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、パターン形成方法に関する。
本願は、２０１１年４月２５日に出願された特願２０１１−０９７１２２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。現在、これらの表示素子では、各画素に対応して基板表面に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を形成する能動的素子（アクティブデバイス）が主流となってきている。
近年では、シート状の基板（例えばフィルム部材など）上に表示素子を形成する技術が提案されている。このような技術として、例えばロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式は、基板供給側の供給用ローラーに巻かれた１枚のシート状の基板（例えば、帯状のフィルム部材）を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側の回収用ローラーで巻き取りながら、供給用ローラーと回収用ローラーとの間に設置された処理部（ユニット）により基板に所望の加工を施していくものである。
そして、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、例えば複数の搬送ローラー等を用いて基板が搬送され、複数の処理部を用いてＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極等を形成し、基板の被処理面上に表示素子の構成要素を順次形成する。
国際公開第２００６／１００８６８号
しかしながら、上記の工程では、全長数百メートルといった長い搬送経路が必要になる可能性があり、例えば工場などの限られたスペースにおいて各処理部を効率的に配置することが求められる。
本発明に係る態様は、効率的に処理部を配置することが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明に係る態様に従えば、可撓性を有する帯状の基板を長尺方向に露光装置に搬送して処理した後、ウェット処理装置に搬送することにより、前記基板上に電子デバイスのパターンを形成するパターン形成方法であって、前記露光装置は仕切り部材で仕切られた第１の処理室内に設置され、前記ウェット処理装置は、重力方向に関して前記第１の処理室の下方側に位置する第２の処理室内に設置され、前記第１の処理室の仕切り部材に設けられた開口部を通して、感光剤が塗布された前記基板を長尺方向に前記露光装置に搬入し、前記基板の前記感光剤による塗布膜に電子デバイスのパターンを露光する工程と、重力方向に関して前記第１の処理室と前記第２の処理室との間を仕切る仕切り部材に設けられた接続部を通して、前記露光装置で露光された前記基板を長尺方向に前記ウェット処理装置に搬送し、前記塗布膜を液体で処理する工程と、を含むパターン形成方法が提供される。
本発明に係る態様によれば、処理部のスペースを効率的に利用することができる。
本実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す図。 本実施形態に係る基板処理装置の基板処理部の構成を示す断面図。 本実施形態に係る加熱ユニットの構成を示す断面図。 本実施形態に係る加熱ユニットの構成を示す斜視図。 本実施形態に係る加熱装置の構成を示す斜視図。 本実施形態に係る処理室に配置される加熱装置のレイアウトの例を示す図。 加熱装置のレイアウトの例を示す比較図。 本実施形態に係る振動除去装置の構成を示す側面図。 振動除去装置の他の構成を示す側面図。 振動除去装置の他の構成を示す側面図。 振動除去装置の他の構成を示す側面図。 振動除去装置の他の構成を示す側面図。 振動除去装置の他の構成を示す側面図。 本実施形態に係る処理室同士の間の構成を示す図。 本実施形態に係る流体除去装置の構成を示す図。
以下、図面を参照して、本実施の形態を説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理装置１００は、帯状の基板（例えば、シート状のフィルム部材）Ｓを供給する基板供給部２と、基板Ｓの表面（被処理面）Ｓａに対して処理を行う基板処理部３と、基板Ｓを回収する基板回収部４と、これらの各部を制御する制御部ＣＯＮＴと、を有している。基板処理部３は、基板供給部２から基板Ｓが送り出されてから、基板回収部４によって基板Ｓが回収されるまでの間に、基板Ｓの表面に各種処理を実行するための基板処理装置１００を備える。この基板処理装置１００は、基板Ｓ上に例えば有機ＥＬ素子、液晶表示素子等の表示素子（電子デバイス）を形成する場合に用いることができる。
なお、本実施形態では、図１に示すようにＸＹＺ座標系を設定し、以下では適宜このＸＹＺ座標系を用いて説明を行う。ＸＹＺ座標系は、例えば、水平面に沿ってＸ軸及びＹ軸が設定され、鉛直方向に沿って上向きにＺ軸が設定される。また、基板処理装置１００は、全体としてＸ軸に沿って、そのマイナス側（−側）からプラス側（＋側）へ基板Ｓを搬送する。その際、帯状の基板Ｓの幅方向（短尺方向）は、Ｙ軸方向に設定される。
基板処理装置１００において処理対象となる基板Ｓとしては、例えば樹脂フィルムやステンレス鋼などの箔（フォイル）を用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。
基板Ｓは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
基板Ｓの幅方向（短尺方向）の寸法は例えば１ｍ〜２ｍ程度に形成されており、長さ方向（長尺方向）の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えば基板ＳのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、基板ＳのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。
基板Ｓは、可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、基板に自重程度の力を加えても剪断したり破断したりすることはなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板Ｓとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。
基板供給部２は、例えばロール状に巻かれた基板Ｓを基板処理部３へ送り出して供給する。この場合、基板供給部２には、基板Ｓを巻きつける軸部や当該軸部を回転させる回転駆動装置などが設けられる。この他、例えばロール状に巻かれた状態の基板Ｓを覆うカバー部などが設けられた構成であっても構わない。なお、基板供給部２は、ロール状に巻かれた基板Ｓを送り出す機構に限定されず、帯状の基板Ｓをその長さ方向に順次送り出す機構を含むものであればよい。
基板回収部４は、基板処理部３が備える基板処理装置１００を通過した基板Ｓを例えばロール状に巻きとって回収する。基板回収部４には、基板供給部２と同様に、基板Ｓを巻きつけるための軸部や当該軸部を回転させる回転駆動源、回収した基板Ｓを覆うカバー部などが設けられている。なお、基板処理部３において基板Ｓがパネル状に切断される場合などには例えば基板Ｓを重ねた状態に回収するなど、ロール状に巻いた状態とは異なる状態で基板Ｓを回収する構成であっても構わない。
基板処理部３は、基板供給部２から供給される基板Ｓを基板回収部４へ搬送すると共に、搬送の過程で基板Ｓの被処理面Ｓａに対して処理を行う。基板処理部３は、処理装置１０及び搬送装置（搬送部）２０を有している。
処理装置１０は、基板Ｓの被処理面Ｓａに対して例えば有機ＥＬ素子を形成するための各種装置を有している。このような装置としては、例えば被処理面Ｓａ上に隔壁を形成するための隔壁形成装置、電極を形成するための電極形成装置、発光層を形成するための発光層形成装置などが挙げられる。より具体的には、液滴塗布装置（例えばインクジェット型塗布装置など）、成膜装置（例えば鍍金装置、蒸着装置、スパッタリング装置）、露光装置、現像装置、表面改質装置、洗浄装置などが挙げられる。これらの各装置は、基板Ｓの搬送経路に沿って適宜設けられる。本実施形態では、処理装置１０として、例えば塗布装置４１、加熱装置５１〜５３、露光装置ＥＸ、現像装置４２、洗浄装置４３、鍍金装置４４（以上、図２以降で詳述）などが用いられた構成を例に挙げて説明する。
搬送装置２０は、基板処理部３内において基板Ｓを案内する複数の案内ローラー（案内部）Ｒ（図１では、２つのローラのみを例示）を有している。案内ローラーＲは、基板Ｓの搬送経路に沿って配置されている。複数の案内ローラーＲのうち少なくとも一部の案内ローラーＲには、回転駆動機構（不図示）が取り付けられている。本実施形態において、搬送装置２０における搬送経路の長さは、例えば全長数百メートル程度となっている。
図２は、基板処理部３の一部の構成を示す断面図である。
図２に示すように、基板処理部３は、３つの処理室１１〜１３を有している。処理室１１〜１３は、仕切り部１４によって仕切られている。
仕切り部１４は、処理室１１の床部を構成する仕切り部材１４ａと、処理室１１の天井部及び処理室１２の床部を構成する仕切り部材１４ｂと、処理室１２の天井部及び処理室１３の床部を構成する仕切り部材１４ｃと、処理室１３の天井部を構成する仕切り部材１４ｄとを備える。
処理室１１は、複数の処理室の中で、重力方向の最下部（最も−Ｚ側）に配置されている。処理室１１は、基板Ｓに対して液体を用いた処理（ウェット処理）を行う処理空間を形成している。処理室１１には、例えば図２に示すように、処理装置１０として、基板Ｓに塗布するためのレジスト液を収容するレジスト液収容容器４１ａを備える塗布装置４１と、基板Ｓに現像処理を行うための現像液を収容する現像液収容容器４２ａを備える現像装置４２と、基板Ｓを洗浄する洗浄液を収容する洗浄液収容容器４３ａを備える洗浄装置４３と、洗浄処理後の基板Ｓに対してパターンを形成するための鍍金液を収容する鍍金液収容容器４４ａを備える鍍金装置４４と、が設けられている。なお、処理室１１には、上述した液体に限らず、各種液体を使用する処理装置を収容することが可能である。
塗布装置４１は、当該塗布装置４１の内部に配置され、基板Ｓを案内する案内ローラーＲ２及び塗布処理が終了した基板Ｓを塗布装置４１内から処理室１１に搬出する案内ローラーＲ３を有する。基板Ｓの搬送方向に関する案内ローラーＲ２の上流側には、基板供給部２から供給された基板Ｓを塗布装置４１に案内する案内ローラーＲ１が配置されている。現像装置４２には、当該現像装置４２の内部に配置され、基板Ｓを案内する案内ローラーＲ２０及び現像処理が終了した基板Ｓを現像装置４２内から処理室１１内に搬出する案内ローラーＲ２１を有する。基板Ｓの搬送方向に関する案内ローラーＲ２０の上流側には、処理室１２の加熱装置５２から案内ローラーＲ１７を介して基板Ｓを現像装置４２に案内する案内ローラーＲ１８及びＲ１９が配置されている。
基板Ｓの搬送方向における案内ローラーＲ２１の下流側には、基板Ｓを現像装置４２から洗浄装置４３へと案内する案内ローラーＲ２２及びＲ２３が配置されている。なお、これら案内ローラーＲ１、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２２及びＲ２３は、処理室１１内に配置されている。
洗浄装置４３には、当該洗浄装置４３の内部に配置され、基板Ｓを案内する案内ローラーＲ２４及び洗浄処理が終了した基板Ｓを洗浄装置４３内から処理室１１内に搬出する案内ローラーＲ２５が備えられている。鍍金装置４４には、当該鍍金装置４４の内部に配置され、基板Ｓを案内する案内ローラーＲ２８と、鍍金処理が終了した基板Ｓを鍍金装置４４から処理室１１内に搬出する案内ローラーＲ２９とが備えられている。
仕切り部材１４ａには、不図示の回収装置に接続された廃液回収流路の一部を構成する複数の回収管（廃液回収部、回収部）４５が設けられている。回収管４５の一端部は、塗布装置４１、現像装置４２及び洗浄装置４３のそれぞれに接続され、他端部は、回収装置に接続された不図示の廃液回収流路に接続されている。各回収管４５は、塗布装置４１、現像装置４２及び洗浄装置４３において廃液となったレジスト液、現像液及び洗浄液を廃液回収流路を介して回収装置に排出する。回収管４５には、不図示の開閉弁などが設けられている。制御部ＣＯＮＴは、当該開閉弁の開閉のタイミングを制御可能である。本実施形態では、重力方向の最下部の処理室１１にウェット処理用の装置が設けられているため、これらの装置と回収装置との間の廃液回収流路の流路系の長さが抑えることができる。
処理室１２は、処理室１１の上方（＋Ｚ側）に配置されている。処理室１２は、基板Ｓに対して加熱処理を行う処理空間を形成している。処理室１２には、処理装置１０として、基板Ｓを加熱する加熱装置５１〜５３が設けられている。加熱装置５１は、塗布装置４１によってレジスト液が塗布された基板Ｓを加熱し、レジスト液を乾燥させる。加熱装置５２は、処理室１３の露光装置ＥＸを通過した基板Ｓを再び加熱し、レジスト液を乾燥させる。加熱装置５２は、加熱装置５１の加熱温度と異なる温度、例えば、加熱装置５１の加熱温度よりも高い温度で基板Ｓを加熱している。加熱装置５３は、現像装置４２によって現像処理が行われ、かつ洗浄装置４３によって洗浄された後の基板Ｓを加熱し、基板Ｓの表面を乾燥させる。
基板Ｓの搬送方向に関する加熱装置５１の上流側には、処理室１１内の塗布装置４１を通過した基板Ｓを当該加熱装置５１へ案内する案内ローラーＲ４が配置されている。基板Ｓの搬送方向に関する加熱装置５１の下流側には、案内ローラーＲ５、Ｒ６及びＲ７が搬送経路に沿って配置されており、これら案内ローラーＲ５、Ｒ６及びＲ７によって処理室１３内の露光装置ＥＸに基板Ｓを案内している。
基板Ｓの搬送方向に関する加熱装置５２の上流側には、処理室１３の露光装置ＥＸを通過した基板Ｓを案内ローラーＲ１３を介して当該加熱装置５２へ案内する案内ローラーＲ１４、Ｒ１５及びＲ１６が搬送経路に沿って配置されている。基板Ｓの搬送方向に関する加熱装置５２の下流側には、処理室１１の現像装置４２に、案内ローラーＲ１８及びＲ１９を介して基板Ｓを案内する案内ローラーＲ１７が配置されている。
基板Ｓの搬送方向に関する加熱装置５３の上流側には、洗浄装置４３を通過した基板Ｓを当該加熱装置５３へ基板Ｓを案内する案内ローラーＲ２６が配置されている。また、基板Ｓの搬送方向に関する加熱装置５３の下流側には、処理室１１内の鍍金装置４４に基板Ｓを案内する案内ローラーＲ２７が配置されている。また、案内ローラーＲ２７の＋Ｘ側には、次の工程に基板Ｓを案内する案内ローラーＲ３０が配置されている。これら案内ローラーＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ３０は、処理室１２内に配置されている。
仕切り部材１４ｂには、処理室１１と処理室１２との間で、基板Ｓを通過させるための複数の接続部１５〜１９が設けられている。接続部１５〜１９は、例えば、仕切り部材１４ｂをＺ方向に貫通する貫通穴である。各接続部１５〜１９は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、接続部１５〜１９を通過することによって処理室１１と処理室１２との間に跨って移動する。
案内ローラーＲ３及び案内ローラーＲ４は、基板Ｓが接続部１５を通過するように案内する。案内ローラーＲ１７及び案内ローラーＲ１８は、基板Ｓが接続部１６を通過するように案内する。案内ローラーＲ２５及び案内ローラーＲ２６は、基板Ｓが接続部１７を通過するように案内する。案内ローラーＲ２７及び案内ローラーＲ２８は、基板Ｓが接続部１８を通過するように案内する。案内ローラーＲ２９及び案内ローラーＲ３０は、基板Ｓが接続部１９を通過するように案内する。このように、搬送装置２０は、基板Ｓが接続部１５〜１９を通過するように当該基板Ｓを案内する。
なお、接続部１５〜１９を挟んで配置された上記の案内ローラーＲ３、Ｒ４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ２５〜Ｒ３０が、例えば基板Ｓの温度を調整する温調装置を有する構成であっても構わない。この構成により、加熱装置５１〜５３の前後で基板Ｓの温度を調整可能となる。
次に加熱装置５１〜５３の詳細な構成について説明する。加熱装置５１〜５３は、それぞれ一つ又は複数の加熱ユニット５０を有している。図３は、加熱ユニット５０の構成を示す側断面図である。図４は、加熱ユニット５０の構成を示す斜視図である。
図３及び図４に示すように、加熱ユニット５０は、筐体６０及び筐体６０内を加熱する加熱部７０を有している。
筐体６０は、一対の第一壁部（右側壁部６０ｄ及び左側壁部６０ｃ）と、一対の第二壁部（上壁部６０ｆ及び下壁部６０ｅ）とによって、内部空間を形成する矩形の環状である。そして、筐体６０に形成された内部空間は、基板収容室（収容室）６２として機能する。筐体６０の一方の第一壁部（左側側壁部）６０ｃには、基板搬入口（搬入口）６１が形成され、筐体６０の他方の第一壁部（右側側壁部）６０ｄには、基板搬出口（搬出口）６３が形成されている。また、筐体６０の一方の端面（−Ｙ側の端面）を第一の開口端６０ａとし、筐体６０の他方の端面（Ｙ側の端面）を第二の開口端６０ｂとする。筐体６０の第一の開口端６０ａ及び第二の開口端６０ｂには、複数の加熱ユニット５０を連結させるための連結部（不図示）が設けられている。
筐体６０の第一の開口端６０ａ及び第二の開口端６０ｂは、基板収容室６２を密閉する蓋部が取り付け可能となっている。このため、加熱ユニット５０を一つのみ用いる場合には開口端６０ａ及び６０ｂの端面を塞ぐことによって密閉空間を形成することが可能である。また、複数の加熱ユニット５０を連結することによって、単体の加熱ユニット５０を用いる場合に比べて大きな密閉空間を形成することができる。この場合には連結方向の端に配置される加熱ユニット５０の端面を蓋部で塞ぐことが可能となっている。
基板搬入口６１及び基板搬出口６３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。すなわち、基板搬入口６１及び基板搬出口６３のＺ方向の寸法は、基板Ｓの厚さよりも大きく形成されている。また、基板搬入口６１及び基板搬出口６３のＹ方向の寸法は、基板Ｓの短手方向の寸法よりも大きく形成されている。
基板収容室６２には、基板Ｓを案内する折り返しローラー（折り返し部）６４〜６７が設けられている。折り返しローラー６４〜６７は、不図示の支持部材によって筐体６０に回転可能に支持されている。折り返しローラー６４及び６６は、基板収容室６２の＋Ｘ側の端部、すなわち右側側壁部６０ｄ側に配置されている。折り返しローラー６５及び６７は、基板収容室６２の−Ｘ側の端部、すなわち左側側壁部６０ｃ側に配置されている。折り返しローラー６４、６５、６６及び６７は、この順序で筐体６０の上部（＋Ｚ側）から下部（−Ｚ側）に向けて配置されている。
折り返しローラー６４は、基板搬入口６１から搬入され＋Ｘ方向に進行する基板Ｓを−Ｘ方向に折り返す。折り返しローラー６５は、折り返しローラー６４で折り返されて−Ｘ方向に進行する基板Ｓを＋Ｘ方向に折り返す。折り返しローラー６６は、折り返しローラー６４で折り返されて＋Ｘ方向に進行する基板Ｓを−Ｘ方向に折り返す。折り返しローラー６５は、折り返しローラー６４で折り返されて−Ｘ方向に進行する基板Ｓを＋Ｘ方向に折り返す。
したがって、折り返しローラー６４〜６７によって案内される基板Ｓは、Ｚ方向に見たときに当該基板Ｓの折り返し片（一部）同士が重なると共に、当該折り返し片同士が非接触となった状態で配置される。このため、基板Ｓの被処理面Ｓａの状態を維持しつつ、基板収容室６２に基板Ｓが効率的に収容される。
折り返しローラー６４〜６７のうち少なくとも１つには、例えばモーターなどの不図示の回転駆動機構が接続されている。制御部ＣＯＮＴは、当該回転駆動機構の回転数及び回転のタイミングを調整可能である。したがって、加熱ユニット５０ごとに基板Ｓの搬送速度を調整可能となっている。
また、折り返しローラー６４〜６７のうち少なくとも１つをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向のいずれかに移動可能としても構わない。この場合、制御部ＣＯＮＴが折り返しローラー６４〜６７の移動を制御することにより、加熱ユニット５０ごとに基板Ｓの搬送経路を調整可能となる。なお、本実施形態では、筐体６０内に４つの折り返しローラーを配置したが、基板Ｓの加熱時間に応じて、その数を増減することも可能である。
図５は、加熱装置５１〜５３の構成を例示する図である。
図５に示すように、加熱装置５１〜５３は、Ｙ方向に複数並んで配置された複数の加熱ユニット５０を有している。当該複数の加熱ユニット５０は、隣接する加熱ユニット５０同士が連結された状態となっている。なお、図５では、加熱ユニット５０の第一の開口端６０ａの蓋部を省略している。
加熱ユニット５０を連結することによって、基板収容室６２同士が連通することになる。したがって、加熱ユニット５０が連結することによって、基板Ｓの搬送経路が複数設けられた一つの加熱炉を構成することが可能になる。加熱部７０は、複数の加熱ユニット５０に対して共通して設けられる構成としても良いし、加熱ユニット５０のそれぞれについて個別に設けられる構成としても良い。
加熱部７０が複数の加熱ユニット５０に対して共通して設けられる場合、加熱部７０は、一つの加熱炉として形成された複数の基板収容室６２をまとめて加熱することができる。このため、異なる搬送経路を介して搬送される複数の基板Ｓが一つの加熱炉で加熱部７０によってまとめて加熱されることになる。このため、加熱処理の効率化を図ることができる。なお、加熱部７０を加熱ユニット５０ごとにそれぞれ設ける構成の場合、加熱ユニット５０ごとに加熱温度や加熱のタイミングを調整するようにしても構わない。また、加熱部７０としては、発熱機構や、電磁波を照射する照射部（不図示）などを用いることができる。
図６は、処理室１２における加熱装置５１及び５２の配置を示す図である。
図６に示す構成では、処理室１２において複数の加熱ユニット５０を連結させた加熱装置５１がＹ方向に複数（３つ）並んで配置された構成となっている。このように、加熱ユニット５０あるいは加熱装置５１をＹ方向に並べて配置させることで、図７に示すような加熱ユニット５０をＸ方向に並べて配置させた構成に比べて、処理室１２のスペースを節約することができる。
図２に戻って、処理室１３は、処理室１２の上方（＋Ｚ側）に配置されている。処理室１３は、基板Ｓに対して露光処理を行う処理空間である。処理室１３には、処理装置１０として、露光装置ＥＸが設けられている。露光装置ＥＸは、塗布装置４１において基板Ｓに塗布されたレジスト層に、マスクのパターンを介した露光光を照射する。処理室１３には、露光装置ＥＸの露光光が照射される位置に基板Ｓを案内する案内ローラーＲ１０及びＲ１１が配置されている。
仕切り部材１４ｃには、開口部９０が形成されている。開口部９０は、仕切り部材１４ｃをＺ方向に貫通して形成されている。基板Ｓは、案内ローラーＲ８及びＲ９により、当該開口部９０を介して処理室１２から処理室１３へ案内される。また、基板Ｓは、案内ローラーＲ１２及びＲ１３により、当該開口部９０を介して処理室１３から処理室１２へ案内される。このように、開口部９０は、基板Ｓが通過する部分である。
開口部９０の内部には、搬送装置２０（例えば、案内ローラーＲ８〜Ｒ１３など）によって案内される基板Ｓの振動を除去する振動除去装置（調整機構）９１が設けられている。振動除去装置９１は、基板Ｓの張力を解消し、基板Ｓの振動伝達性を低下させることで、基板Ｓに伝達された振動を除去する構成となっている。そこで、本実施形態における振動除去装置９１は、基板Ｓの張力を解消するための張力解消機構９２及び９３を有している。なお、振動除去装置９１は、基板Ｓの振動を完全になくさずに、処理装置が許容できる程度に振動が低減できればよい。従って、張力解消機構は、張力低減機構と称することもできる。
張力解消機構９２は、露光装置ＥＸ（案内ローラーＲ１０）よりも基板Ｓの搬送方向の上流側に配置されている。より具体的には、張力解消機構９２は、案内ローラーＲ８と案内ローラーＲ９との間に配置されている。張力解消機構９３は、露光装置ＥＸ（案内ローラーＲ１１）よりも基板Ｓの搬送方向の下流側に配置されている。より具体的には、張力解消機構９３は、案内ローラーＲ１２と案内ローラーＲ１３との間に配置されている。
図８は、張力解消機構９２及び９３の構成を示す図である。
図８に示すように、張力解消機構９２及び９３は、方向転換ローラー９４ａ及び９４ｂ（方向転換部９４）と、ニップローラー９５ａ及び９５ｂ（ニップ部９５）とを有している。方向転換ローラー９４ａ及び９４ｂは、基板Ｓが重力方向（−Ｚ方向）に弛むように基板Ｓの搬送方向を転換する。具体的には、基板Ｓのうち方向転換ローラー９４ａと方向転換ローラー９４ｂとの間の部分Ｓｂが弛んだ状態となる。また、方向転換ローラー９４ａには温度調整機構（基板温調部）９４ｃが設けられている。温度調整機構９４ｃにより、基板Ｓのうち方向転換ローラー９４ａに接触する部分の温度が調整されることになる。なお、当該温度調整機構９４ｃは、省略可能である。
ニップローラー９５ａは、方向転換ローラー９４ａとの間で基板Ｓを挟む位置に設けられている。ニップローラー９５ｂは、方向転換ローラー９４ｂとの間で基板Ｓを挟む位置に設けられている。ニップローラー９５ａ及び９５ｂは、回転駆動部９６に接続されている。回転駆動部９６は、ニップローラー９５ａ及び９５ｂの回転のタイミングや回転数を個別に調整する。このため、弛み部分Ｓｂが形成された状態で基板Ｓを搬送することができる。
また、基板Ｓのうち方向転換ローラー９４ａとニップローラー９５ａとで挟まれた部分と、基板Ｓのうち方向転換ローラー９４ｂとニップローラー９５ｂとで挟まれた部分との間で、搬送速度が異なるように基板Ｓを搬送することができる。したがって、弛み部分Ｓｂの寸法を調整しつつ基板Ｓを搬送することができる。
このように張力解消機構９２及び９３が弛み部分Ｓｂを形成して基板Ｓの張力を解消させることで、方向転換ローラー９４ａ及びニップローラー９５ａの上流側からの振動は低減されることとなる。このため、張力解消機構９２及び９３を挟んだ処理室１２と処理室１３との間においては、基板Ｓの振動の伝達が抑制されることになる。したがって、処理室１３に配置された露光装置ＥＸでは、処理室１１や処理室１２における振動の影響を受けることなく露光処理が行われることになる。このような張力解消機構９２及び９３が仕切り部材１４ｃに配置されているため、基板処理部３の処理室１１〜１３のスペースを効率的に利用することができる。
次に、上記のように構成された基板処理装置１００を用いて有機ＥＬ素子、液晶表示素子などの表示素子（電子デバイス）を製造する工程を説明する。基板処理装置１００は、制御部ＣＯＮＴの制御に従って、当該表示素子を製造する。
まず、不図示のローラーに巻き付けられた基板Ｓを基板供給部２に取り付ける。制御部ＣＯＮＴは、この状態から基板供給部２から当該基板Ｓが送り出されるように、不図示のローラーを回転させる。そして、基板処理部３を通過した当該基板Ｓを基板回収部４に設けられた不図示のローラーで巻き取らせる。
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが基板供給部２から送り出されてから基板回収部４で巻き取られるまでの間に、基板処理部３の搬送装置２０によって基板Ｓを当該基板処理部３内で適宜搬送させる。制御部ＣＯＮＴは、まず基板Ｓを基板処理部３の処理室１１に搬入させる。以下、制御部ＣＯＮＴによる動作を説明する。
処理室１１に搬入された基板Ｓは、図２に示す案内ローラーＲ１を経由して塗布装置４１に搬入される。塗布装置４１では、基板Ｓは案内ローラーＲ２によって＋Ｘ方向に搬送される。搬送の過程で、基板Ｓの被処理面Ｓａには感光剤の塗布膜が形成される。塗布装置４１において処理が行われた基板Ｓは、案内ローラーＲ３の案内によって接続部１５を介して処理室１２へと搬送される。
処理室１２に搬入された基板Ｓは、案内ローラーＲ４を経て加熱装置５１の基板搬入口６１から基板収容室６２に搬入される（図３参照）。基板収容室６２では、基板Ｓが複数回折り曲げられた状態で基板Ｓが加熱され、この搬送状態で基板Ｓの加熱が行われる。このため、基板収容室６２のスペースを効率的に利用した加熱処理が行われることになる。加熱装置５１では、加熱により基板Ｓに形成された塗布膜を乾燥させる。加熱処理が行われた後、基板搬出口６３から搬出された基板Ｓは、案内ローラーＲ５、Ｒ６及びＲ７を介して開口部９０へ搬送される。
開口部９０に到達した基板Ｓは、案内ローラーＲ８によって張力解消機構９２に搬入される。張力解消機構９２では、方向転換ローラー９４ａとニップローラー９５ａとで挟まれる部分と、方向転換ローラー９４ｂとニップローラー９５ｂとで挟まれる部分との間で搬送速度を異ならせることにより、基板Ｓに弛み部分Ｓｂが形成される。
弛み部分Ｓｂが形成された後、方向転換ローラー９４ａ及び９４ｂとニップローラー９５ａ及び９５ｂとによる基板Ｓの搬送速度を等しくする。この動作により、弛み部分Ｓｂが形成された状態で基板Ｓが張力解消機構９２から搬出される。当該基板Ｓは、案内ローラーＲ９を経て処理室１３へ搬送される。
処理室１２側から基板Ｓを介して伝達される振動は、基板Ｓの弛み部分Ｓｂにおいて振動が除去される。このため、基板Ｓを介して処理室１３に振動が伝達されるのが抑制されることになる。なお、方向転換ローラー９４ａに温度調整機構９４ｃが設けられている場合には、当該方向転換ローラー９４ａにおいて基板Ｓの温度調整が行われる。ここでは、例えば露光処理に適した温度に調整される。
処理室１３へ搬入された基板Ｓは、案内ローラーＲ１０及びＲ１１によって搬送される。当該基板Ｓに対しては、露光装置ＥＸによって露光処理が行われる。露光処理により、基板Ｓの被処理面Ｓａに形成された塗布膜のうち所定の領域が感光する。露光処理が完了した基板Ｓは、開口部９０に挿入された後、案内ローラーＲ１２を経て張力解消機構９３に搬入される。
張力解消機構９３では、上記の張力解消機構９２と同様、基板Ｓに弛み部分Ｓｂが形成される。従って、処理室１２側から基板Ｓを介して伝達される振動は、基板Ｓの弛み部分Ｓｂにおいて振動が除去される。一方、前述したように、張力解消機構９２においても弛み部分Ｓｂが形成されている。このため、基板Ｓのうち処理室１３に配置される部分は、張力解消機構９２及び張力解消機構９３の両方において、処理室１２からの振動の伝達が除去された状態となる。
案内ローラーＲ８〜Ｒ１３や加熱装置５１、５２などの振動が基板Ｓに伝わると、露光装置ＥＸの露光光照射位置において基板Ｓや他の部位が振動する場合があり、露光精度が低下する可能性がある。このため、振動除去装置９１を用いて露光装置ＥＸを跨ぐ部分における基板Ｓの振動を除去することで、露光精度の低下が抑制される。
処理室１３から処理室１２へ搬送された基板Ｓは、案内ローラーＲ１４、Ｒ１５及びＲ１６を介して加熱装置５２に搬入される。加熱装置５２では、感光された塗布膜に対する加熱処理が行われる。加熱処理が行われた後、加熱装置５２から搬出された基板Ｓは、案内ローラーＲ１７を介して接続部１６に挿入され、接続部１６を経由して処理室１１へ搬送される。
処理室１１に搬送された基板Ｓは、案内ローラーＲ１８及びＲ１９を経由して現像装置４２に搬入される。現像装置４２では、基板Ｓは現像液に浸されながら案内ローラーＲ２０によって搬送され、搬送の過程で現像処理が行われる。現像処理が行われた基板Ｓは、案内ローラーＲ２１によって現像装置４２から搬出され、案内ローラーＲ２２及びＲ２３を介して洗浄装置４３へ搬入される。
洗浄装置４３では、基板Ｓは洗浄液に浸されながら案内ローラーＲ２４によって搬送され、搬送の過程で洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われた基板Ｓは、案内ローラーＲ２５によって洗浄装置４３から搬出された後、接続部１７を介して処理室１２へと搬送される。
処理室１２に搬送された基板Ｓは、案内ローラーＲ２６を介して加熱装置５３へ搬入される。加熱装置５２では、洗浄された基板Ｓを乾燥させるための加熱処理や、塗布膜を加熱するための加熱処理などが行われる。当該加熱処理が行われた後、加熱装置５３から搬出された基板Ｓは、案内ローラーＲ２７の案内によって、接続部１８を経由して処理室１１へ搬送される。
処理室１１へ搬送された基板Ｓは、鍍金装置４４に搬入される。鍍金装置４４では、基板Ｓは鍍金液に浸されながら案内ローラーＲ２８によって搬送され、搬送の過程で鍍金処理が行われる。鍍金処理が行われた基板Ｓには、所定のパターンが形成される。鍍金処理後の基板Ｓは、案内ローラーＲ２９によって鍍金装置４４から搬出され、接続部１９を介して処理室１２へ搬送される。処理室１２では、案内ローラーＲ３０を介して不図示の加熱装置に搬入され、加熱処理が行われる。
以上のように、本実施形態によれば、基板Ｓに対してそれぞれ異なる種類の処理を行う処理部３を配置し、かつ、この処理部３のうち、互いに共通する処理工程（共通サブプロセス）を有する処理部３を同じ処理室内に配置するようにした。さらに、基板Ｓが各処理室１１〜１３内を跨って搬送可能となるように、かつ、基板Ｓがそれぞれの処理室１１〜１３に対して複数回ずつ出入りするように、当該基板Ｓを搬送する搬送装置２０を備えるため、基板処理部３のスペースを効率的に利用することが可能となる。
例えば、本実施形態のように、表示素子の構成要素を形成する場合、加熱処理が頻繁に行われるため、加熱装置の台数が多数設けられることになる。本実施形態のように一つの処理室１２に加熱装置をまとめて配置させる場合、熱エネルギーを効率的に利用することができる。また、加熱装置が配置される処理室１２をＺ方向の中央の階層に配置させ、当該処理室１２を挟んで処理室１１（ウェット処理）及び処理室１３（露光処理）を配置させる構成としたので、加熱装置にアクセスしやすい構成となる。このため、装置全体の基板Ｓの搬送経路を短縮させることができる。また、処理室１２において、加熱装置がＸ方向及びＹ方向に重なるように複数並んで配置されているため、処理室１２のスペースを節約することができる。このため、基板処理装置１００を設置するために要する敷地の面積を抑えることができる。
また、図２では、処理装置１０として、塗布装置、加熱装置、露光装置、現像装置、洗浄装置、鍍金装置の組合せを例に説明したが、この組合せに限定されない。また、この処理装置１０をＸ方向又はＹ方向に複数配置させてもよい。すなわち、案内ローラーＲ３０を介して、他の処理装置１０の塗布装置に基板Ｓを搬送させて、上記の動作を繰り返し行うことにより、基板Ｓに表示素子の構成要素が順次形成される。この場合、複数の処理装置１０を複数配置させた場合、複数の露光装置ＥＸの露光精度や解像度を互いに異なるものにしてもよい。
この処理装置１０をＹ方向に複数配置した場合、上述したように、図５に示すような複数の加熱ユニット５０、すなわち、隣接する加熱ユニット５０を連結した構成を用いることができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、振動除去装置９１の構成としては、図８に示すような張力解消機構９２及び９３を用いた構成としたが、これに限られることは無い。振動除去装置９１として、例えば図９〜図１１にそれぞれ示すような構成であっても構わない。
図９は、振動除去装置９１における張力解消機構９２及び９３の別の構成例としての、振動吸収機構１９２及び１９３を示している。
振動吸収機構１９２及び１９３は、方向転換ローラー１９４ａ及び１９４ｂ（方向転換部１９４）と、振動吸収部１９６とを有している。
振動吸収部１９６は、ローラー１９６ａと、ローラー支持部１９６ｂと、バネ部材１９６ｃと、壁部１９６ｄとを有している。
ローラー１９６ａは、方向転換ローラー１９４ａと方向転換ローラー１９４ｂとの間に配置されている。このローラー１９６ａには、基板Ｓのうち方向転換された一部分Ｓｃが掛けられている。ローラー１９６ａは、ローラー支持部１９６ｂ及びバネ部材１９６ｃを介して壁部１９６ｄに取り付けられている。このため、基板Ｓの振動は、当該一部分Ｓｃにおいて、ローラー１９６ａ及びバネ部材１９６ｃによって吸収される。
図１０は、振動除去装置９１における張力解消機構９２及び９３の別の構成例としての、振動吸収機構２９２及び２９３を示している。
当該振動吸収機構２９２及び２９３は、方向転換ローラー２９４ａ及び２９４ｂ（方向転換部２９４）と、振動吸収部２９７とを有している。振動吸収部２９７は、ローラー２９７ａと、当該ローラー２９７ａの円筒面に形成された振動吸収層２９７ｂとを有している。
ローラー２９７ａは、方向転換ローラー２９４ａと方向転換ローラー２９４ｂとの間に配置されている。このローラー２９７ａには、基板Ｓのうち方向転換された一部分Ｓｃが掛けられている。振動吸収層２９７ｂは、例えばソルボセインなどの振動吸収性材料が用いられている。図１０に示す構成においては、ローラー２９７ａに形成された振動吸収層２９７ｂによって基板Ｓの振動が吸収されるため、簡単な構成で済むことになる。
図１１は、振動除去装置９１における張力解消機構９２及び９３の別の構成例としての、振動付与機構３９２及び３９３を示している。
振動付与機構３９２及び３９３は、方向転換ローラー３９４ａ及び３９４ｂ（方向転換部３９４）と、振動発生部３９８とを有している。振動発生部３９８は、ローラー３９８ａと、当該ローラー３９８ａを振動させる振動調整部３９８ｂと、基板Ｓのうちローラー３９８ａの下流側の位置における振動を検出するセンサ３９８ｃとを有している。
ローラー３９８ａは、方向転換ローラー３９４ａと方向転換ローラー３９４ｂとの間に配置されている。このローラー３９８ａには、基板Ｓのうち方向転換された一部分Ｓｃが掛けられている。振動調整部３９８ｂは、センサ３９８ｃの検出結果に基づいて、基板Ｓの振動を打ち消すような振動を発生させる。したがって、図１１に示す構成においては、ローラー３９８ａにおいて基板Ｓの振動を打ち消すことにより、基板Ｓの振動の伝達を抑制することができる。
なお、図１２に示すように、例えば、上記張力解消機構９２の構成においては、方向転換ローラー９４ａとニップローラー９５ａとが処理室１２に配置され、方向転換ローラー９４ｂとニップローラー９５ｂとが処理室１３に配置され、上記張力解消機構９３の構成においては、方向転換ローラー９４ａとニップローラー９５ａとが処理室１３に配置され、方向転換ローラー９４ｂとニップローラー９５ｂとが処理室１２に配置された構成であっても構わない。
同様に、図９に示す振動吸収機構１９２の構成において、例えば方向転換ローラー１９４ａとローラー１９６ａとが処理室１２に配置され、方向転換ローラー１９４ｂが処理室１３に配置され、振動吸収機構１９３の構成において、方向転換ローラー１９４ａが処理室１３に配置され、ローラー１９６ａと方向転換ローラー１９４ｂとが処理室１２に配置された構成であっても構わない。また、壁部１９６ｄとしては、例えば仕切り部材１４ｂなどを用いることができる。
また、図１０に示す振動吸収機構２９２の構成において、例えば方向転換ローラー２９４ａとローラー２９７ａとが処理室１２に配置され、方向転換ローラー２９４ｂが処理室１３に配置され、振動吸収機構２９３の構成において、方向転換ローラー２９４ａが処理室１３に配置され、ローラー２９７ａと方向転換ローラー２９４ｂとが処理室１２に配置された構成であっても構わない。
更に、図１１に示す振動付与機構３９２の構成において、例えば方向転換ローラー３９４ａとローラー３９８ａとが処理室１２に配置され、方向転換ローラー３９４ｂが処理室１３に配置され、振動吸収機構３９３の構成において、方向転換ローラー３９４ａが処理室１３に配置され、ローラー３９８ａと方向転換ローラー３９４ｂとが処理室１２に配置された構成であっても構わない。
また、図８に示す張力解消機構９２及び９３の構成においては、方向転換ローラー９４ａ及びニップローラー９５ａと、方向転換ローラー９４ｂ及びニップローラー９５ｂと、が処理室１２及び処理室１３のうち少なくとも一方に配置された構成であっても構わない。図１３には、方向転換ローラー９４ａ及び９４ｂと、ニップローラー９５ａ及び９５ｂとが処理室１３に配置された構成を示す。
また、上記実施形態においては、処理室１２と処理室１３との間に振動除去装置９１が設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。
例えば、処理室１２と処理室１３との間には、図１４に示すように、振動除去装置９１に加え、異物の移動を抑制する異物移動抑制装置８４や、気体及び液体の移動を規制する流体移動規制装置８５、基板Ｓの温度を調整する温調装置（基板温調部）８６などが設けられた構成であっても構わない。
図１４では、基板Ｓの搬送方向の上流側から下流側へ、異物移動抑制装置８４、流体移動規制装置８５、温調装置８６及び振動除去装置９１の順で配置されている。また、上記の振動除去装置９１、異物移動抑制装置８４、流体移動規制装置８５、温調装置８６の少なくとも１つは、処理室１１と処理室１２との間に配置されても構わない。
異物移動抑制装置８４は、エアカーテン形成部８４ａ及びステージ８４ｂを有している。異物移動抑制装置８４は、ステージ８４ｂによって支持された基板Ｓに対してエアカーテン形成部８４ａによってエアカーテンを形成する。当該エアカーテンにより、基板Ｓ上の異物が除去される。
また、流体移動規制装置８５は、上流側ローラー８５ａ、下流側ローラー８５ｂ及び気体噴射部８５ｃを有している。図１５は、流体移動規制装置８５の構成を示す平面図である。図１４及び図１５に示すように、流体移動規制装置８５は、上流側ローラー８５ａと下流側ローラー８５ｂとに掛けられた状態で搬送される基板Ｓに対して、気体噴射部８５ｃから気体を噴射する。
気体噴射部８５ｃは、例えば上流側ローラー８５ａと下流側ローラー８５ｂとに掛けられた状態の基板Ｓに対して、−Ｙ側の位置、＋Ｘ側の位置、及び、−Ｙ方向と＋Ｘ方向との間の位置、の少なくとも１つに配置されている。基板Ｓに対して気体を噴射することにより、当該気体によって基板Ｓの表面に付着した液体、あるいは基板の表面に漂う気体を除去することができる。
また、図１４に示すように、温調装置８６は、流体が除去された基板Ｓの温度調整を行う。温調装置８６は、ローラー８６ａ及び温調機構８６ｂを有している。上記実施形態では方向転換ローラー９４ａに温度調整機構９４ｃが設けられた構成を例に挙げて説明したが、これとは別に、基板Ｓの温度調整が可能となる。
なお、異物移動抑制装置８４、流体移動規制装置８５、温調装置８６、振動除去装置９１のそれぞれは、処理室１２と処理室１３との間に配置される構成に限られず、処理室１１と処理室１２との間に配置される構成であっても構わない。
また、上記実施形態においては、処理室１１〜１３をＺ方向に階層的に配置する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、処理室１１〜１３がＸ方向又はＹ方向に並べて配置された構成であっても構わない。また、処理室１１〜１３のそれぞれが独立した装置あるいは工場として形成された場合であっても、本発明の適用は可能である。
また、上記実施形態においては、基板Ｓの被処理面Ｓａが重力方向に垂直な方向（ＸＹ平面に平行な方向）を向くように基板Ｓを搬送させる構成としたが、これに限られることは無く、基板Ｓの被処理面Ｓａが重力方向に平行な方向を向いた状態（基板Ｓを立てた状態）で基板Ｓを搬送させる構成としても構わない。この場合、張力解消機構９２及び９３において、基板Ｓを重力方向に撓ませる場合、基板Ｓの被処理面Ｓａを部分的に重力方向に垂直な方向に向ける構成とすることができる。
また、図２では、処理装置１０として、塗布装置、加熱装置、露光装置、現像装置、洗浄装置、鍍金装置の組合せを例に説明したが、この組合せに限定されない。また、この処理装置１０をＸ方向又はＹ方向に複数配置させてもよい。すなわち、案内ローラーＲ３０を介して、他の処理装置１０の塗布装置に基板Ｓを搬送させて、上記の動作を繰り返し行うことにより、基板Ｓに表示素子の構成要素が順次形成される。この場合、複数の処理装置１０を複数配置させた場合、複数の露光装置ＥＸの露光精度や解像度を互いに異なるものにしてもよい。この処理装置１０をＹ方向に複数配置した場合、上述したように、図５に示すような複数の加熱ユニット５０、すなわち、隣接する加熱ユニット５０を連結した構成を用いることができる。
本実施形態においては、処理室１１〜１３の室内の圧力をそれぞれ独立に調整する構成にしてもよい。
例えば、露光装置ＥＸを収容する処理室１３には、光学系の表面に付着する異物（パーティクル）が他の処理室、例えば処理室１２から侵入しないように、処理室１３の室内の圧力を処理室１２の圧力より高くしておくことが望ましい。また、処理室１１では、複数の液体を使用するので、これら液体が処理室１２内に浸入しないように、処理室１３の室内の圧力を処理室１２の圧力より高くしておくことが望ましい。
また、３つの処理室の圧力は、３つの処理室のうち、処理室１３の圧力を最も高くし、処理室１１の圧力を最も低くし、処理室１２を処理室１３と処理室１１の間の圧力に設定してもよい。
Ｓ…基板 ＣＯＮＴ…制御部 ＥＸ…露光装置 Ｒ（Ｒ１〜Ｒ３０）…案内ローラー（案内部） ３…基板処理部（処理部） １０…処理装置 ４１…塗布装置 ４２…現像装置 ４３…洗浄装置 ４４…鍍金装置 １１〜１３…処理室（第１処理室、第２処理室、第３処理室） １５〜１９…接続部 ２０…搬送装置（搬送部） ４５…廃液回収部（回収管、回収部） ５１〜５３…加熱装置 ６０…チャンバー ６１…基板搬入口（搬入口） ６２…基板収容室（収容室） ６３…基板搬出口（搬出口） ７０…加熱部 ８４…異物移動抑制装置 ８５…流体移動規制装置 ８６…温調装置（基板温調部） ９１…振動除去装置（調整機構） ９２、９３…張力解消機構 ９６…回転駆動部 １００…基板処理装置 １９２、１９３…振動吸収機構 ２９２、２９３…振動吸収機構 ３９２、３９３…振動付与機構

Claims (7)

  1. 可撓性を有する帯状の基板を長尺方向に露光装置に搬送して処理した後、ウェット処理装置に搬送することにより、前記基板上に電子デバイスのパターンを形成するパターン形成方法であって、
    前記露光装置は仕切り部材で仕切られた第１の処理室内に設置され、前記ウェット処理装置は、重力方向に関して前記第１の処理室の下方側に位置する第２の処理室内に設置され、
    前記第１の処理室の仕切り部材に設けられた開口部を通して、感光剤が塗布された前記基板を長尺方向に前記露光装置に搬入し、前記基板の前記感光剤による塗布膜に電子デバイスのパターンを露光する工程と、
    重力方向に関して前記第１の処理室と前記第２の処理室との間を仕切る仕切り部材に設けられた接続部を通して、前記露光装置で露光された前記基板を長尺方向に前記ウェット処理装置に搬送し、前記塗布膜を液体で処理する工程と、
    を含むパターン形成方法。
  2. 請求項１に記載のパターン形成方法であって、
    前記第２の処理室に設置される前記ウェット処理装置は、
    前記露光装置で露光処理される前の前記基板の表面に前記塗布膜を形成する塗布装置と、
    前記露光装置で露光された前記基板の前記塗布膜を現像液で処理する現像装置と、を含む、
    パターン形成方法。
  3. 請求項２に記載のパターン形成方法であって、
    前記基板を長尺方向に搬送する為の複数のローラで構成される搬送部によって、前記第２の処理室内の前記塗布装置、前記第１の処理室内の前記露光装置、及び前記第２の処理室内の前記現像装置の順番に前記基板を搬送する、
    パターン形成方法。
  4. 請求項３に記載のパターン形成方法であって、
    前記基板を前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で搬送する為に、前記搬送部は、前記第１の処理室側と前記第２の処理室側の各々に設けられて、前記基板を重力方向に折り返すローラを含む、
    パターン形成方法。
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成方法であって、
    前記第２の処理室には、前記ウェット処理装置で発生する廃棄物を回収する回収部が設けられる、
    パターン形成方法。
  6. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成方法であって、
    前記第１の処理室の圧力を前記第２の処理室の圧力よりも高くする、
    パターン形成方法。
  7. 請求項３に記載のパターン形成方法であって、
    前記基板は、重力方向に関して前記第１の処理室と前記第２の処理室との間に設置される第３の処理室を通るように前記搬送部の複数のローラによって搬送され、前記塗布装置での処理によって前記基板に塗布された前記塗布膜、又は前記現像装置での処理によって前記基板に付着した液体を、前記基板が前記第３の処理室を通る間に乾燥、或いは除去する、
    パターン形成方法。
JP2018082734A 2011-04-25 2018-04-24 パターン形成方法 Active JP6508389B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011097122 2011-04-25
JP2011097122 2011-04-25

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017121931A Division JP6337993B2 (ja) 2011-04-25 2017-06-22 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018151645A true JP2018151645A (ja) 2018-09-27
JP6508389B2 JP6508389B2 (ja) 2019-05-08

Family

ID=47072178

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013512332A Active JP6003884B2 (ja) 2011-04-25 2012-04-20 基板処理装置およびデバイス製造方法
JP2016084438A Active JP6172322B2 (ja) 2011-04-25 2016-04-20 基板処理装置
JP2017121931A Active JP6337993B2 (ja) 2011-04-25 2017-06-22 基板処理装置
JP2018082734A Active JP6508389B2 (ja) 2011-04-25 2018-04-24 パターン形成方法

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013512332A Active JP6003884B2 (ja) 2011-04-25 2012-04-20 基板処理装置およびデバイス製造方法
JP2016084438A Active JP6172322B2 (ja) 2011-04-25 2016-04-20 基板処理装置
JP2017121931A Active JP6337993B2 (ja) 2011-04-25 2017-06-22 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
JP (4) JP6003884B2 (ja)
KR (4) KR101970114B1 (ja)
CN (2) CN105575975B (ja)
TW (4) TWI595579B (ja)
WO (1) WO2012147658A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105308507B (zh) * 2013-06-14 2018-12-25 株式会社尼康 基板处理装置以及器件制造方法
KR102211609B1 (ko) * 2014-09-04 2021-02-03 가부시키가이샤 니콘 처리 시스템 및 디바이스 제조 방법
CN111095512B (zh) * 2017-09-08 2024-01-26 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体硅片的方法及装置
JP7142494B2 (ja) * 2018-06-25 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197333A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Toshiba Microelectronics Corp レジスト廃液回収装置
JPH11204411A (ja) * 1998-01-19 1999-07-30 Nikon Corp 塗布現像露光装置
JP2003192127A (ja) * 2002-12-03 2003-07-09 Takehide Hayashi フラットパネル枚葉搬送システム
JP2004186469A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 帯状連続基材およびそれを用いた半導体装置ならびに製造方法
US20050196707A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Eastman Kodak Company Patterned conductive coatings
JP2011209589A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成方法、カラーフィルターの製造方法、およびパターン形成装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10314635A (ja) * 1997-05-19 1998-12-02 Hitachi Ltd 塗布装置
JP2000236105A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法および装置
JP2000303178A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成装置
JP2002358024A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置の製造方法及び液晶表示装置
JP4003163B2 (ja) * 2002-01-15 2007-11-07 富士フイルム株式会社 多層塗布膜の製造装置
JP2003229356A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6566032B1 (en) * 2002-05-08 2003-05-20 Eastman Kodak Company In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive
JP2005260040A (ja) * 2004-02-12 2005-09-22 Sony Corp ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法
WO2006100868A1 (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機化合物層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JP2006294484A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8136911B2 (en) * 2005-07-05 2012-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Patterning apparatus, method for making organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display
JP2007149482A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4771816B2 (ja) * 2006-01-27 2011-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007207469A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Konica Minolta Holdings Inc 積層体の製造方法、積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
BRPI0709199A2 (pt) * 2006-03-26 2011-06-28 Lotus Applied Technology Llc sistema e método para depositar uma pelìcula fina em um substrato flexìvel
JP2008252049A (ja) * 2006-05-18 2008-10-16 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 処理液処理装置及びこれを備えた基板処理装置
JP5109301B2 (ja) * 2006-07-27 2012-12-26 富士電機株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2008204890A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法、これを用いる照明又は表示装置
JP2009063889A (ja) 2007-09-07 2009-03-26 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物、重合性化合物、樹脂及びパターン形成方法
JP5182610B2 (ja) * 2007-10-11 2013-04-17 富士電機株式会社 薄膜太陽電池の製造装置
JP5104301B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2009174002A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Fujifilm Corp 熱処理方法、およびバリアフィルム
JP5056682B2 (ja) * 2008-09-04 2012-10-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造装置
JP4756076B2 (ja) * 2009-02-24 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP5494648B2 (ja) * 2009-03-13 2014-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
JP2010277755A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法
US8379186B2 (en) * 2009-07-17 2013-02-19 Nikon Corporation Pattern formation apparatus, pattern formation method, and device manufacturing method
US8801307B2 (en) * 2009-09-25 2014-08-12 Nikon Corporation Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197333A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Toshiba Microelectronics Corp レジスト廃液回収装置
JPH11204411A (ja) * 1998-01-19 1999-07-30 Nikon Corp 塗布現像露光装置
JP2003192127A (ja) * 2002-12-03 2003-07-09 Takehide Hayashi フラットパネル枚葉搬送システム
JP2004186469A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 帯状連続基材およびそれを用いた半導体装置ならびに製造方法
US20050196707A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Eastman Kodak Company Patterned conductive coatings
JP2011209589A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成方法、カラーフィルターの製造方法、およびパターン形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101896220B1 (ko) 2018-09-07
CN103380483B (zh) 2016-11-02
TW201830478A (zh) 2018-08-16
JP6172322B2 (ja) 2017-08-02
WO2012147658A1 (ja) 2012-11-01
JP6003884B2 (ja) 2016-10-05
CN105575975B (zh) 2018-04-06
JP6337993B2 (ja) 2018-06-06
JP6508389B2 (ja) 2019-05-08
KR20180095947A (ko) 2018-08-28
CN105575975A (zh) 2016-05-11
TWI595579B (zh) 2017-08-11
KR101970114B1 (ko) 2019-04-17
JP2016174164A (ja) 2016-09-29
TWI662592B (zh) 2019-06-11
TW201731005A (zh) 2017-09-01
KR101837917B1 (ko) 2018-03-12
CN103380483A (zh) 2013-10-30
KR20140012635A (ko) 2014-02-03
TWI624896B (zh) 2018-05-21
JP2017188696A (ja) 2017-10-12
TW201243983A (en) 2012-11-01
KR101719860B1 (ko) 2017-03-24
TW201630102A (zh) 2016-08-16
JPWO2012147658A1 (ja) 2014-07-28
KR20180016623A (ko) 2018-02-14
KR20170034450A (ko) 2017-03-28
TWI587428B (zh) 2017-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6337993B2 (ja) 基板処理装置
JP6593507B2 (ja) パターン形成装置
US20110135405A1 (en) Roller apparatus and transportation apparatus
KR102126421B1 (ko) 롤용 카세트 장치
JP2013112436A (ja) 基板処理装置
JP2018101798A (ja) 湿式処理方法
JPWO2012115037A1 (ja) 可撓性基板の搬送装置及び表示デバイス又は電子回路の製造システム
JP2019153809A (ja) 湿式処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190227

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6508389

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250