TWI587428B - 基板處理裝置及元件製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及元件製造方法 Download PDF

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TWI587428B
TWI587428B TW105113423A TW105113423A TWI587428B TW I587428 B TWI587428 B TW I587428B TW 105113423 A TW105113423 A TW 105113423A TW 105113423 A TW105113423 A TW 105113423A TW I587428 B TWI587428 B TW I587428B
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鈴木智也
西川仁
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尼康股份有限公司
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Description

基板處理裝置及元件製造方法
本發明係關於基板處理裝置。
本申請係根據2011年4月25日申請之日本特願2011-097122號主張優先權，並將其內容援引於此。
作為構成顯示器裝置等顯示裝置之顯示元件，例如有液晶顯示元件、有機電致發光(有機EL)元件等。目前，此等顯示元件係以對應各畫素在基板表面形成被稱為薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)之主動元件(Active device)漸為主流。
近年來，提出了一種在片狀之基板(例如薄膜構件等)上形成顯示元件之技術。作為此種技術，例如有一種被稱為捲軸對捲軸(roll to roll)方式(以下，簡記為「捲軸方式」)之手法廣為人知(例如，參照專利文獻1)。捲軸方式，係將捲繞在基板供應側之供應用滾筒之1片片狀基板(例如，帶狀之薄膜構件)送出且一邊將送出之基板以基板回收側之回收用滾筒加以捲取，一邊藉由設置於供應用滾筒與回收用滾筒間之處理部(單元)對基板施以所欲加工者。
又，在基板送出至被捲取為止之期間，例如一邊使用複數個搬送滾筒等搬送基板、一邊使用複數個處理部來形成構成TFT之閘極電極、閘極絕緣膜、半導體膜、源極一汲極電極等，在基板之被處理面上依 序形成顯示元件之構成要件。
專利文獻1：國際公開第2006/100868號小冊子
然而，上述步驟，有可能需要全長數百公尺之長搬送路徑，而例如被要求在工廠等之有限空間內有效率地配置各處理部。
本發明之態樣，其目的在於提供能有效率地配置處理部之基板處理裝置。
依據本發明之態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：複數個處理部，對形成為帶狀之基板分別進行處理；第一處理室，收容複數個處理部中能執行共通次程序之第一處理部；第二處理室，係收容複數個處理部中之第二處理部；以及搬送部，將基板分別搬送至第一處理室及第二處理室。
根據本發明之態樣，能有效率地利用處理部之空間。
3‧‧‧基板處理部(處理部)
10‧‧‧處理裝置
11~13‧‧‧處理室(第一處理室、第二處理室、第三處理室)
15~19‧‧‧連接部
20‧‧‧搬送裝置(搬送部)
41‧‧‧塗布裝置
42‧‧‧顯影裝置
43‧‧‧洗淨裝置
44‧‧‧鍍敷裝置
45‧‧‧廢液回收部(回收管、回收部)
51~53‧‧‧加熱裝置
60‧‧‧筐體
61‧‧‧基板搬入口(搬入口)
62‧‧‧基板收容室(收容室)
63‧‧‧基板搬出口(搬出口)
70‧‧‧加熱部
84‧‧‧異物移動抑制裝置
85‧‧‧流體移動限制裝置
86‧‧‧調溫裝置(基板調溫部)
91‧‧‧振動除去裝置(調整機構)
92、93‧‧‧張力消除機構
96‧‧‧旋轉驅動部
100‧‧‧基板處理裝置
192、193‧‧‧振動吸收機構
292、293‧‧‧振動吸收機構
392、393‧‧‧振動賦予機構
S‧‧‧基板
CONT‧‧‧控制部
EX‧‧‧曝光裝置
R(R1~R30)‧‧‧導引滾筒(導引部)
圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置之整體構成的圖。
圖2係顯示本實施形態之基板處理裝置之基板處理部構成之剖面圖。
圖3係顯示本實施形態之加熱單元之構成之剖面圖。
圖4係顯示本實施形態之加熱單元之構成之立體圖。
圖5係顯示本實施形態之加熱裝置之構成之立體圖。
圖6係顯示本實施形態之配置於處理室之加熱裝置之配置例之圖。
圖7係顯示加熱裝置之配置例之比較圖。
圖8係顯示本實施形態之振動除去裝置之構成之側視圖。
圖9係顯示振動除去裝置之其他構成之側視圖。
圖10係顯示振動除去裝置之其他構成之側視圖。
圖11係顯示振動除去裝置之其他構成之側視圖。
圖12係顯示振動除去裝置之其他構成之側視圖。
圖13係顯示振動除去裝置之其他構成之側視圖。
圖14係顯示本實施形態之處理室彼此間之構成之圖。
圖15係顯示本實施形態之流體除去裝置之構成之圖。
以下，參照圖式說明本實施形態。
圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置100之構成的圖。
如圖1所示，基板處理裝置100具有：供應帶狀之基板(例如片狀之薄膜構件)S之基板供應部2、對基板S之表面(被處理面)Sa進行處理之基板處理部3、回收基板S之基板回收部4、控制此等各部之控制部CONT。基板處理部3具備用以在從基板供應部2送出基板S後至藉由基板回收部4回收基板S之期間對基板S之表面執行各種處理之基板處理裝置100。此基板處理裝置100，可使用於在基板S上形成例如有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)之情形。
此外，本實施形態中，係如圖1所示設定XYZ正交座標系統，以下適當使用此XYZ正交座標系統來進行說明。XYZ正交座標系統，例如沿水平面設定X軸及Y軸，沿垂直方向朝上設定Z軸。又，基板處理裝置100係整體沿X軸從其負側(-側)往正側(+側)搬送基板S。此時，帶狀之基板S之寬度方向(短邊方向)設定於Y軸方向。
作為在基板處理裝置100成為處理對象之基板S，可使用例 如樹脂膜或不鏽鋼等之箔(foil)。樹脂膜可使用例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯基共聚物(Ethylene vinyl copolymer)樹脂、聚氯乙烯基樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯基樹脂等材料。
基板S，以承受例如200℃程度之熱其尺寸亦實質上無變化之熱膨脹係數較小者較佳。例如可將無機填料混於樹脂膜以降低熱膨脹係數。作為無機填料，例如有氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。
基板S之寬度方向(短邊方向)之尺寸係形成為例如1m~2m程度、長度方向(長邊方向)之尺寸則形成為例如10m以上。當然，此尺寸僅為一例，並不限於此。例如基板S之Y方向之尺寸為50cm以下亦可、亦可為2m以上。又，基板S之X方向之尺寸亦可在10m以下。
基板S係形成為具有可撓性。此處，所謂可撓性，係指例如對基板施以自重程度之力亦不會斷裂或破裂、而能將該基板加以彎折之性質。又，藉由自重程度之力而彎折之性質亦包含於可撓性。又，上述可撓性會隨著該基板材質、大小、厚度、以及温度等之環境等而改變。此外，基板S可使用一片帶狀之基板、亦可使用將複數個單位基板加以連接而形成為帶狀之構成。
基板供應部2係將例如捲成捲軸狀之基板S送出供應至基板處理部3。於基板供應部2，設有用以例如捲繞基板S之軸部或使該軸部旋轉之旋轉驅動裝置等。除此之外，亦可係設置例如用以覆蓋捲成捲軸狀狀態之基板S的覆蓋部等。此外，基板供應部2不限定於送出捲成捲軸狀之基板S之機構，只要係包含將帶狀之基板S於其長度方向依序送出之機構 者即可。
基板回收部4係將通過基板處理部3所具備之基板處理裝置100之基板S例如捲取成捲軸狀加以回收。於基板回收部4，與基板供應部2同樣的，設有用以捲繞基板S之軸部及使該軸部旋轉之旋轉驅動源、以及覆蓋回收之基板S的覆蓋部等。此外，在基板處理部3將基板S例如切成平板(panel)狀之場合等時，亦可為例如將基板S回收成重疊狀態等與捲繞成捲軸狀之狀態不同之狀態回收基板S之構成。
基板處理部3，將從基板供應部2供應之基板S搬送至基板回收部4，並在搬送過程對基板S之被處理面Sa進行處理。基板處理部3具有例如處理裝置10、搬送裝置(搬送部)20。
處理裝置10具有用以對基板S之被處理面Sa形成例如有機EL元件之各種裝置。作為此種裝置，例如有用以在被處理面Sa上形成間隔壁之間隔壁形成裝置、用以形成電極的電極形成裝置、以及用以形成發光層之發光層形成裝置等。更具體而言，有液滴塗布裝置(例如噴墨型塗布裝置等)、成膜裝置(例如鍍敷裝置、蒸鍍裝置、濺鍍裝置)、曝光裝置、顯影裝置、表面改質裝置、洗淨裝置等。此等之各裝置，係沿基板S之搬送路徑適當設置。本實施形態中，作為處理裝置10例如以使用塗布裝置41、加熱裝置51~53、曝光裝置EX、顯影裝置42、洗淨裝置43、鍍敷裝置44(以上，於圖2以後詳述)等之構成為例來說明。
搬送裝置20具有在基板處理部3內導引基板S之複數個導引滾筒(導引部)R(圖1中僅例示2個滾筒)。導引滾筒R沿基板S之搬送路徑配置。於複數個導引滾筒R中之至少一部分之導引滾筒R安裝有旋轉驅 動機構(未圖示)。本實施形態中，搬送裝置20之搬送路徑之長度為例如全長數百公尺程度。
圖2係顯示基板處理部3一部分之剖面圖。
如圖2所示，基板處理部3具有三個處理室11~13。處理室11~13被分隔部14分隔。
分隔部14具備構成處理室11之底部之分隔構件14a、構成處理室11之頂部及處理室12之底部之分隔構件14b、構成處理室12之頂部及處理室13之底部之分隔構件14c、構成處理室13之頂部之分隔構件14d。
處理室11係在複數個處理室中配置於重力方向之最下部(最靠-Z側)。處理室11形成對基板S進行使用液體之處理(濕式處理)之處理空間。於處理室11，例如如圖2所示，作為處理裝置10係設有具備光阻液收容容器(收容用以對基板S塗布之光阻液)之塗布裝置41、具備顯影液收容容器(收容用以對基板S進行顯影處理之顯影液)之顯影裝置42、具備洗淨液收容容器(收容洗淨基板S之洗淨液)之洗淨裝置43、具備鍍敷液收容容器(收容用以對洗淨處理後之基板S形成圖案之鍍敷液)之鍍敷裝置44。此外，不限於上述液體，於處理室11亦能收容使用各種液體之處理裝置。
塗布裝置41具有配置於該塗布裝置41內部、導引基板S之導引滾筒R2及將塗布處理結束之基板S從塗布裝置41內搬出至處理室11之導引滾筒R3。於基板S之搬送方向之導引滾筒R2之上游側配置有將從基板供應部2供應之基板S導引至塗布裝置41之導引滾筒R1。於顯影裝置42具有配置於該顯影裝置42內部、導引基板S之導引滾筒R20及將顯影處 理結束之基板S從顯影裝置42內搬出至處理室11內之導引滾筒R21。於基板S之搬送方向之導引滾筒R20之上游側配置有從處理室12之加熱裝置52經由導引滾筒R17將基板S導引至顯影裝置42之導引滾筒R18及R19。
於基板S之搬送方向之導引滾筒R21之下游側配置有將基板S從顯影裝置42往洗淨裝置43導引之導引滾筒R22及R23。此外，此等導引滾筒R1、R18、R19、R22及R23配置於處理室11內。
於洗淨裝置43具備配置於該洗淨裝置43內部、導引基板S之導引滾筒R24及將洗淨處理結束之基板S從洗淨裝置43內搬出至處理室11內之導引滾筒R25。於鍍敷裝置44具備配置於該鍍敷裝置44內部、導引基板S之導引滾筒R28及將鍍敷處理結束之基板S從鍍敷裝置44內搬出至處理室11內之導引滾筒R29。
於分隔構件14a設有構成連接於未圖示之回收裝置之廢液回收流路一部分之複數個回收管(廢液回收部、回收部)45。回收管45之一端部分別連接於塗布裝置41、顯影裝置42及洗淨裝置43，另一端部連接於連接在回收裝置之未圖示廢液回收流路。各回收管45係將在塗布裝置41、顯影裝置42及洗淨裝置43成為廢液之光阻液、顯影液及洗淨液經由廢液回收流路排出至回收裝置。於回收管45設有未圖示之開閉閥。控制部CONT能控制該開閉閥之開閉時點。本實施形態中，由於於重力方向最下部之處理室11設有濕式處理用之裝置，因此能抑制此等裝置與回收裝置之間之廢液回收流路之流路系長度。
處理室12配置於處理室11上方(+Z側)。處理室12形成對基板S進行加熱處理之處理空間。於處理室12，作為處理裝置10係設有加 熱基板S之加熱裝置51~53。加熱裝置51係加熱藉由塗布裝置41塗布有光阻液之基板S，使光阻液乾燥。加熱裝置52係再度加熱通過處理室13之曝光裝置EX之基板S，使光阻液乾燥。加熱裝置52係以與加熱裝置51之加熱溫度不同之溫度、例如較加熱裝置51之加熱溫度高之溫度加熱基板S。加熱裝置53係加熱藉由顯影裝置42進行顯影處理且藉由洗淨裝置43洗淨後之基板S，使基板S之表面乾燥。
於基板S之搬送方向之加熱裝置51之上游側配置有將通過處理室11內之塗布裝置41之基板S往該加熱裝置51導引之導引滾筒R4。於基板S之搬送方向之加熱裝置51之下游側，沿搬送路徑配置有導引滾筒R5、R6及R7，藉由此等導引滾筒R5、R6及R7將基板S導引至處理室13內之曝光裝置EX。
於基板S之搬送方向之加熱裝置52之上游側，沿搬送路徑配置有將通過處理室13之曝光裝置EX之基板S經由導引滾筒R13往該加熱裝置52導引之導引滾筒R14、R15及R16。於基板S之搬送方向之加熱裝置52之下游側，於處理室11之顯影裝置42配置有經由導引滾筒R18及R19導引基板S之導引滾筒R17。
於基板S之搬送方向之加熱裝置53之上游側配置有將通過洗淨裝置43之基板S往該加熱裝置53導引之導引滾筒R26。又，於基板S之搬送方向之加熱裝置53之下游側，配置有將基板S導引至處理室11內之鍍敷裝置44之導引滾筒R27。又，於導引滾筒R27之+X側配置有將基板S導引至次一步驟之導引滾筒R30。此等導引滾筒R4、R5、R6、R7、R14、R15、R16、R17、R26、R27及R30配置於處理室12內。
於分隔構件14b，在處理室11與處理室12之間設有用以使基板S通過之複數個連接部15~19。連接部15~19例如係於Z方向貫通分隔構件14b之貫通孔。各連接部15~19形成為基板S能通過之尺寸。基板S藉由通過連接部15~19而橫跨處理室11與處理室12移動。
導引滾筒R3及導引滾筒R4係導引基板S通過連接部15。導引滾筒R17及導引滾筒R18係導引基板S通過連接部16。導引滾筒R25及導引滾筒R26係導引基板S通過連接部17。導引滾筒R27及導引滾筒R28係導引基板S通過連接部18。導引滾筒R29及導引滾筒R30係導引基板S通過連接部19。如上述，搬送裝置20係導引該基板S以使基板S通過連接部15~19。
此外，隔著連接部15~19配置之上述導引滾筒R3、R4、R17、R18、R25~R30例如亦可係具有調整基板S之溫度之調溫裝置之構成。藉由此構成，能在加熱裝置51~53之前後調整基板S之溫度。
其次說明加熱裝置51~53之詳細構成。加熱裝置51~53分別具有一個或複數個加熱單元50。圖3係顯示加熱單元50構成之側剖面圖。圖4係顯示加熱單元50構成之立體圖。
如圖3及圖4所示，加熱單元50具有筐體60及加熱筐體60內之加熱部70。
筐體60係藉由一對第一壁部(右側壁部60d及左側壁部60c)與一對第二壁部(上壁部60f及下壁部60e)形成內部空間之矩形環狀。又，形成於筐體60之內部空間發揮基板收容室(收容室)62之功能。於筐體60之一方之第一壁部(左側側壁部)60c形成有基板搬入口(搬入口)61，於筐體60 之另一方之第一壁部(右側側壁部)60d形成有基板搬出口(搬出口)63。又，將筐體60之一方端面(-Y側端面)作為第一開口端60a，將筐體60之另一方端面(+Y側端面)作為第二開口端60b。於筐體60之第一開口端60a及第二開口端60b設有用以使複數個加熱單元50連結之連結部(未圖示)。
筐體60之第一開口端60a及第二開口端60b能安裝密閉基板收容室62之蓋部。因此，僅使用一個加熱單元50時，能藉由阻塞開口端60a及60b之端面來形成密閉空間。又，藉由連結複數個加熱單元50，能形成較使用單體之加熱單元50時更大之密閉空間。此情形下，能以蓋部阻塞配置於連結方向之端之加熱單元50之端面。
基板搬入口61及基板搬出口63形成為基板S能通過之尺寸。亦即，基板搬入口61及基板搬出口63之Z方向尺寸形成為較基板S之厚度大。又，基板搬入口61及基板搬出口63之Y方向尺寸形成為較基板S之短邊方向之尺寸大。
於基板收容室62設有導引基板S之翻折滾筒(翻折部)64~67。翻折滾筒64~67被未圖示之支承構件於筐體60支承成能旋轉。翻折滾筒64及66配置於基板收容室62之+X側端部、亦即右側側壁部60d側。翻折滾筒65及67配置於基板收容室62之-X側端部、亦即左側側壁部60c側。翻折滾筒64、65、66及67依此順序從筐體60上部(+Z側)往下部(-Z側)配置。
翻折滾筒64將從基板搬入口61搬入並往+X方向行進之基板S往-X方向翻折。翻折滾筒65將在翻折滾筒64被翻折並往-X方向行進之基板S往+X方向翻折。翻折滾筒66將在翻折滾筒65被翻折並往+X方向 行進之基板S往-X方向翻折。翻折滾筒67將在翻折滾筒66被翻折並往-X方向行進之基板S往+X方向翻折。
因此，藉由翻折滾筒64~67而導引之基板S在從Z方向觀看時該基板S之翻折片(一部分)彼此重疊，且該翻折片彼此以非接觸狀態配置。因此，可一邊維持基板S之被處理面Sa之狀態，一邊有效率地將基板S收容於基板收容室62。
於翻折滾筒64~67中之至少1個連接有例如馬達等未圖示之旋轉驅動機構。控制部CONT能調整該旋轉驅動機構之轉數及旋轉之時點。因此，能依各加熱單元50調整基板S之搬送速度。
又，亦可使翻折滾筒64~67中之至少1個移動於X方向、Y方向及Z方向之任一方向。此情形下，能藉由控制部CONT控制翻折滾筒64~67，來依各加熱單元50調整基板S之搬送路徑。此外，本實施形態中，雖於筐體60內配置有4個翻折滾筒，但亦能依照基板S之加熱時間增減其數目。
圖5係例示加熱裝置51~53之構成之圖。
如圖5所示，加熱裝置51~53具有於Y方向排列配置有複數個之加熱單元50。該複數個加熱單元50為相鄰之加熱單元50彼此連結之狀態。此外，圖5中係省略加熱單元50之第一開口端60a之蓋部。
藉由連結加熱單元50使基板收容室62彼此連通。因此，藉由加熱單元50連結，能構成設有複數個基板S之搬送路徑之一個加熱爐。加熱部70亦可為於複數個加熱單元50共通地設置之構成，亦可為於加熱單元50之各個個別設置之構成。
在加熱部70於複數個加熱單元50共通地設置之情形，加熱部70能一起加熱形成為一個加熱爐之複數個基板收容室62。因此，經由不同搬送路徑而搬送之複數個基板S係在一個加熱爐被加熱部70一起加熱。因此，能謀求加熱處理之效率化。此外，在將加熱部70分別設於各加熱單元50時之構成之情形，亦可依各加熱單元50調整加熱溫度或加熱之時點。又，作為加熱部70，能使用發熱機構或照射電磁波之照射部(未圖示)等。
圖6係顯示處理室11中之加熱裝置51及52之配置之圖。
圖6所示之構成中，係在處理室12使複數個加熱單元50連結之加熱裝置51於Y方向排列配置有複數個(3個)之構成。如此，藉由使加熱單元50或加熱裝置51於Y方向排列配置，與如圖7所示之使加熱單元50排列配置於X方向之構成相較，能更節約處理室12之空間。
返回圖2，處理室13配置於處理室12之上方(+Z側)。處理室13係對基板S進行曝光處理之處理空間。於處理室13，作為處理裝置10係設有曝光裝置EX。曝光裝置EX係對在塗布裝置41中塗布於基板S之光阻層照射經由光罩圖案之曝光用光。於處理室13配置有將基板S導引至被照射曝光裝置EX之曝光用光之位置之導引滾筒R10及R11。
於分隔構件14c形成有開口部90。開口部90係在Z方向貫通分隔構件14c而形成。基板S藉由導引滾筒R8及R9，經由該開口部90從處理室12往處理室13被導引。又，基板S藉由導引滾筒R12及R13，經由該開口部90從處理室13往處理室12被導引。如上述，開口部90係基板S通過之部分。
於開口部90內部設有振動除去裝置(調整機構)91，其除去被 搬送裝置20(例如導引滾筒R8~R13等)導引之基板S之振動。振動除去裝置91為藉由消除基板S之張力而使基板S之振動傳達性降低來除去傳達至基板S之振動之構成。因此，本實施形態之振動除去裝置91具有用以消除基板S之張力之張力消除機構92及93。此外，振動除去裝置91可不完全消除基板S之振動，只要能將振動減低至處理裝置能容許之程度即可。因此，張力消除機構亦能稱為張力減低機構。
張力消除機構92配置於較曝光裝置EX(導引滾筒R10)更靠基板S之搬送方向上游側。更具體而言，張力消除機構92配置於導引滾筒R8與導引滾筒R9之間。張力消除機構93配置於較曝光裝置EX(導引滾筒R11)更靠基板S之搬送方向下游側。更具體而言，張力消除機構93配置於導引滾筒R12與導引滾筒R13之間。
圖8係顯示張力消除機構92及93之構成之圖。
如圖8所示，張力消除機構92及93具有方向轉換滾筒94a及94b(方向轉換部94)與夾持滾筒95a及95b(夾持部95)。方向轉換滾筒94a及94b係將基板S之搬送方向轉換為基板S往重力方向(-Z方向)鬆弛。具體而言，基板S中之方向轉換滾筒94a與方向轉換滾筒94b間之部分Sb為鬆弛之狀態。又，於方向轉換滾筒94a設有溫度調整機構(基板調溫部)94c。藉由溫度調整機構94c調整基板S中接觸於方向轉換滾筒94a之部分之溫度。此外，該溫度調整機構94c亦能省略。
夾持滾筒95a設於在與方向轉換滾筒94a之間夾著基板S之位置。夾持滾筒95b設於在與方向轉換滾筒94b之間夾著基板S之位置。夾持滾筒95a及95b連接於旋轉驅動部96。旋轉驅動部96個別調整夾持滾筒 95a及95b之旋轉時點或轉數。因此，能在形成有鬆弛部分Sb之狀態下搬送基板S。
又，在基板S中以方向轉換滾筒94a與夾持滾筒95a所夾之部分與基板S中以方向轉換滾筒94b與夾持滾筒95b所夾之部分之間，能以搬送速度不同之方式搬送基板S。是以，能一邊調整鬆弛部分Sb之尺寸，一邊搬送基板S。
如上述，藉由張力消除機構92及93形成鬆弛部分Sb並使基板S之張力消除，來自方向轉換滾筒94a及夾持滾筒95a之上游側之振動係被減低。因此，在隔著張力消除機構92及93之處理室12與處理室13之間，抑制基板S之振動之傳達。因此，配置於處理室13之曝光裝置EX，係不受處理室11或處理室12之振動影響地進行曝光處理。由於此種張力消除機構92及93配置於分隔構件14c，因此能有效率地利用基板處理部3之處理室11~13之空間。
其次，說明使用如上述構成之基板處理裝置100製造有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)之步驟。基板處理裝置100係依照控制部CONT之控制製造該顯示元件。
首先，將捲纏於未圖示之滾筒之基板S安裝於基板供應部2。控制部CONT以從此狀態從基板供應部2送出該基板S之方式使未圖示之滾筒旋轉。接著，以設於基板回收部4之未圖示之滾筒捲取通過基板處理部3之該基板S。
控制部CONT，在基板S從基板供應部2送出後至以基板回收部4捲取之期間，係藉由基板處理部3之搬送裝置20使基板S在該基板 處理部3內適當地搬送。控制部CONT，首先使基板S搬入基板處理部3之處理室11。以下，說明控制部CONT之動作。
搬入處理室11之基板S，經由如圖2所示之導引滾筒R1而搬入塗布裝置41。在塗布裝置41，基板S被導引滾筒R2往+X方向搬送。在搬送之過程中，於基板S之被處理面Sa形成感光劑之塗布膜。在塗布裝置41被進行處理之基板S藉由導引滾筒R3之導引經由連接部15往處理室12搬送。
搬入處理室12之基板S經由導引滾筒R4從加熱裝置51之基板搬入口61往基板收容室62搬入(參照圖3)。在基板收容室62，在基板S被翻折複數次之狀態下加熱基板S，在此搬送狀態下進行基板S之加熱。因此，能進行有效地利用了基板收容室62空間之加熱處理。在加熱裝置51，藉由加熱使形成於基板S之塗布膜乾燥。在進行加熱處理後，從基板搬出口63搬出之基板S經由導引滾筒R5、R6及R7往開口部90搬送。
到達開口部90之基板S，被導引滾筒R8搬入張力消除機構92。在張力消除機構92，藉由在以方向轉換滾筒94a與夾持滾筒95a所夾之部分與以方向轉換滾筒94b與夾持滾筒95b所夾之部分之間使搬送速度不同，以於基板S形成鬆弛部分Sb。
在形成鬆弛部分Sb後，使方向轉換滾筒94a及94b與夾持滾筒95a及95b對基板S之搬送速度相等。藉由此動作，使基板S在形成有鬆弛部分Sb之狀態下從張力消除機構92被搬出。該基板S經由導引滾筒R9往處理室13搬送。
從處理室12側經由基板S而傳達之振動，係於基板S之鬆 弛部分Sb除去振動。因此，抑制振動經由基板S傳達至處理室13。此外，當於方向轉換滾筒94a設有溫度調整機構94c之情形，係在該方向轉換滾筒94a進行基板S之溫度調整。此處係調整成例如適於曝光處理之溫度。
往處理室13搬入之基板S被導引滾筒R10及R11搬送。藉由曝光裝置EX對該基板S進行曝光處理。藉由曝光處理，形成於基板S之被處理面Sa之塗布膜中之既定區域係感光。在曝光處理結束之基板S插入開口部90後，經由導引滾筒R12搬入張力消除機構93。
在張力消除機構93，係與上述之張力消除機構92同樣地於基板S形成鬆弛部分Sb。因此，從處理室12側經由基板S而傳達之振動，係於基板S之鬆弛部分Sb除去振動。另一方面，如前述，在張力消除機構92亦形成有鬆弛部分Sb，因此，基板S中配置於處理室13之部分，成為在張力消除機構92及張力消除機構93兩者被除去來自處理室12之振動傳達之狀態。
若導引滾筒R8~R13或加熱裝置51、52等之振動傳達至基板S，則會有基板S或其他部位在曝光裝置EX之曝光用光照射位置振動之情形，而有可能使曝光精度降低。因此，藉由使用振動除去裝置91除去在橫跨曝光裝置EX之部分之基板S之振動，來抑制曝光精度之降低。
從處理室13往處理室12搬送之基板S，經由導引滾筒R14、R15及R16搬入加熱裝置52。在加熱裝置52，進行對已感光之塗布膜之加熱處理。在進行加熱處理後，從加熱裝置52搬出之基板S經由導引滾筒R17插入連接部16，經由連接部16往處理室11搬送。
搬送至處理室11之基板S經由導引滾筒R18及R19搬入顯 影裝置42。在顯影裝置42，基板S係一邊被浸於顯影液一邊被導引滾筒R20搬送，而在搬送之過程中進行顯影處理。已被進行顯影處理之基板S被導引滾筒R21從顯影裝置42搬出，經由導引滾筒R22及R23往洗淨裝置43搬入。
在洗淨裝置43，基板S係一邊被浸於顯影液一邊被導引滾筒R24搬送，而在搬送之過程中進行洗淨處理。已被進行洗淨處理之基板S被導引滾筒R25從洗淨裝置43搬出後，經由連接部17往處理室12搬入。
搬送至處理室12之基板S經由導引滾筒R26搬入加熱裝置53。在加熱裝置53，進行用以使已洗淨之基板S乾燥之加熱處理或用以加熱塗布膜之加熱處理等。進行該加熱處理後，從加熱裝置53搬出之基板S藉由導引滾筒R27之導引經由連接部18往處理室11搬送。
搬送至處理室11之基板S被搬入鍍敷裝置44。在鍍敷裝置44，基板S係一邊被浸於鍍敷液一邊被導引滾筒R28搬送，而在搬送之過程中進行鍍敷處理。於已被進行鍍敷處理之基板S形成既定圖案。鍍敷處理後之基板S被導引滾筒R29從鍍敷裝置44搬出，經由連接部19往處理室12搬送。在處理室12，經由導引滾筒R30搬入未圖示之加熱裝置，而進行加熱處理。
如以上所述，根據本實施形態，係配置對基板S分別進行不同種類之處理之處理部3且將此處理部3中具有彼此共通之處理步驟(共通次程序)之處理部3配置於相同處理室內。進而，由於具備搬送裝置20，該搬送裝置20能以基板S橫跨各處理室11~13內被搬送之方式且基板S對各個處理室11~13進出複數次之方式搬送基板S，因此能有效率地利用基板處 理部3之空間。
例如，如本實施形態所示，在形成顯示元件之構成要素時，由於會頻繁地進行加熱處理，因此會設有多數台加熱裝置。在如本實施形態所示使加熱裝置彙整配置於一個處理室12時，能有效率地利用熱能。又，由於係使配置加熱裝置之處理室12配置於Z方向之中央階層，隔著該處理室12配置處理室11(濕式處理)及處理室13(曝光處理)之構成，因此為易進出加熱裝置之構成。因此，能使裝置整體之基板S之搬送路徑縮短。又，在處理室12，由於加熱裝置以於X方向及Y方向重疊之方式排列配置有複數個，因此能節約處理室12之空間。因此，能抑制為了設置基板處理裝置100所需要之設置地面積。
又，圖2中，作為處理裝置10，雖以塗布裝置、加熱裝置、曝光裝置、顯影裝置、洗淨裝置、鍍敷裝置之組合為例進行了說明。但並不限定於此組合。又，亦可使此處理裝置10於X方向或Y方向配置複數個。亦即，經由導引滾筒R30使基板S搬送至其他處理裝置10之塗布裝置，藉由反覆進行上述之動作，於基板S依序形成顯示元件之構成要素。此情形下，在配置複數個處理裝置10時，亦可使複數個曝光裝置EX之曝光精度或解析度互異。
在將此處理裝置10於Y方向配置複數個時，如上述，能使用如圖5所示之複數個加熱單元50、亦即將相鄰之加熱單元50連結之構成。
本發明之技術範圍並不限於上述實施形態，在不脫離本發明之趣旨之範圍內可施加適當變更。
例如，上述實施形態中，雖使用如圖8所示之張力消除機構 92及93之構成作為振動除去裝置91之構成，但並不限於此。作為振動除去裝置91，亦可為例如分別示於圖9~圖11之構成。
圖9係顯示作為振動除去裝置91之張力消除機構92及93之其他構成例之振動吸收機構192及193。
振動吸收機構192及193具有方向轉換滾筒194a及194b(方向轉換部194)與振動吸收部196。
振動吸收部196具有滾筒196a、滾筒支承部196b、彈簧構件196c、以及壁部196d。
滾筒196a配置於方向轉換滾筒194a與方向轉換滾筒194b之間。於此滾筒196a掛有基板S中被方向轉換之一部分Sc。滾筒196a透過滾筒支承部196b及彈簧構件196c安裝於壁部196d。因此，基板S之振動係在該一部分Sc被滾筒196a及彈簧構件196c吸收。
圖10係顯示作為振動除去裝置91之張力消除機構92及93之其他構成例之振動吸收機構292及293。
振動吸收機構292及293具有方向轉換滾筒294a及294b(方向轉換部294)與振動吸收部297。振動吸收部297具有滾筒297a、形成於該滾筒297a之圓筒面之振動吸收層297b。
滾筒297a配置於方向轉換滾筒294a與方向轉換滾筒294b之間。於此滾筒297a掛有基板S中被方向轉換之一部分Sc。振動吸收層297b係使用例如SORBOTHANE等振動吸收性材料。圖10所示之構成中，由於係藉由形成於滾筒297a之振動吸收層297b吸收基板S之振動，因此能以簡單之構成達成。
圖11係顯示作為振動除去裝置91之張力消除機構92及93之其他構成例之振動賦予機構392及393。
振動賦予機構392及393具有方向轉換滾筒394a及394b(方向轉換部394)與振動產生部398。振動產生部398具有滾筒398a、使該滾筒398a振動之振動調整部398b、以及檢測出基板S中在滾筒398a下游側之位置之振動之感測器398c。
滾筒398a配置於方向轉換滾筒394a與方向轉換滾筒394b之間。於此滾筒398a掛有基板S中被方向轉換之一部分Sc。振動調整部398b係根據感測器398c之檢測結果使抵消基板S振動之振動產生。因此，圖11所示之構成中，藉由在滾筒398a抵消基板S之振動，而能抑制基板S之振動之傳達。
此外，亦可如圖12所示，例如在上述張力消除機構92之構成中，方向轉換滾筒94a與夾持滾筒95a配置於處理室12，方向轉換滾筒94b與夾持滾筒95b配置於處理室13，在上述張力消除機構93之構成中，方向轉換滾筒94a與夾持滾筒95a配置於處理室13，方向轉換滾筒94b與夾持滾筒95b配置於處理室12。
同樣地，亦可係在圖9所示之振動吸收機構192之構成中，例如方向轉換滾筒194a與滾筒196a配置於處理室12，方向轉換滾筒194b配置於處理室13，在振動吸收機構193之構成中，方向轉換滾筒194a配置於處理室13，滾筒196a與方向轉換滾筒194b配置於處理室12。又，作為壁部196d亦可使用例如分隔構件14b等。
又，亦可係在圖10所示之振動吸收機構292之構成中，例 如方向轉換滾筒294a與滾筒297a配置於處理室12，方向轉換滾筒294b配置於處理室13，在振動吸收機構293之構成中，方向轉換滾筒294a配置於處理室13，滾筒297a與方向轉換滾筒294b配置於處理室12。
進而，亦可係在圖11所示之振動賦予機構392之構成中，例如方向轉換滾筒394a與滾筒398a配置於處理室12，方向轉換滾筒394b配置於處理室13，在振動吸收機構393之構成中，方向轉換滾筒394a配置於處理室13，滾筒398a與方向轉換滾筒394b配置於處理室12。
又，亦可係在圖8所示之張力消除機構92及93之構成中，方向轉換滾筒94a及夾持滾筒95a與方向轉換滾筒94b及夾持滾筒95b配置於處理室12及處理室13中至少一方之構成。於圖13顯示方向轉換滾筒94a及94b與夾持滾筒95a及95b配置於處理室13之構成。
又，上述實施形態中，雖舉於處理室12與處理室13之間設有振動除去裝置91之構成為例進行了說明，但並不限於此。
例如，亦可係於處理室12與處理室13之間，除了振動除去裝置91以外，如圖14所示設有抑制異物之移動之異物移動抑制裝置84或限制氣體及液體之流體移動限制裝置85、調整基板S之調溫裝置(基板調溫部)86等之構成。
圖14中，從基板S之搬送方向上游側往下游側依序配置有異物移動抑制裝置84、流體移動限制裝置85、調溫裝置86及振動除去裝置91。又，上述之振動除去裝置91、異物移動抑制裝置84、流體移動限制裝置85、調溫裝置86之至少一個亦可配置於處理室12與處理室13之間。
異物移動抑制裝置84具有氣簾形成部84a及載台84b。異物 移動抑制裝置84藉由氣簾形成部84a對被載台84b支承之基板S形成氣簾。藉由該氣簾除去基板S上之異物。
又，流體移動限制裝置85具有上游側滾筒85a、下游側滾筒85b及氣體噴射部85c。圖15係顯示流體移動限制裝置85之構成之俯視圖。如圖14及圖15所示，流體移動限制裝置85係對在被掛於上游側滾筒85a與下游側滾筒85b之狀態下搬送之基板S從氣體噴射部85c噴射氣體。
氣體噴射部85c例如相對對被掛於上游側滾筒85a與下游側滾筒85b之狀態之基板S配置於-Y側之位置、+X側之位置及-Y方向與+X方向間之位置之至少1個位置。藉由對基板S噴射氣體，能藉由該氣體除去附著於基板S表面之液體或飄蕩於基板表面之氣體。
又，如圖14所示，調溫裝置86進行已除去流體之基板S之溫度調整。調溫裝置86具有滾筒86a及調溫機構86b。上述實施形態中，雖舉於方向轉換滾筒94a設有溫度調整機構94c之構成為例進行了說明，但係能與其另外地調整基板S之溫度。
此外，異物移動抑制裝置84、流體移動限制裝置85、調溫裝置86、振動除去裝置91之各個不限於配置於處理室12與處理室13之間之構成，亦可係配置於處理室11與處理室12之間之構成。
又，上述實施形態中，雖舉將處理室11~13於Z方向階層配置之構成為例進行了說明，但並不限於此。例如，亦可係將處理室11~13於X方向或Y方向排列配置之構成。又，在處理室11~13分別形成為獨立之裝置或工廠時，亦能適用本發明。
又，上述實施形態中，雖係以基板S之被處理面Sa朝向垂 直於重力方向之方向(與XY平面平行之方向)搬送基板S之構成，但並不限於此，亦可係在基板S之被處理面Sa朝向平行於重力方向之方向之狀態(使基板S立起之狀態)下搬送基板S之構成。此情形下，張力消除機構92及93中使基板S彎曲向重力方向時，能為使基板S之被處理面Sa局部地朝向垂直於重力方向之方向之構成。
又，圖2中，作為處理裝置10，雖以塗布裝置、加熱裝置、曝光裝置、顯影裝置、洗淨裝置、鍍敷裝置之組合為例進行了說明。但並不限定於此組合。又，亦可使此處理裝置10於X方向或Y方向配置複數個。亦即，經由導引滾筒R30使基板S搬送至其他處理裝置10之塗布裝置，藉由反覆進行上述之動作，於基板S依序形成顯示元件之構成要素。此情形下，在配置複數個處理裝置10時，亦可使複數個曝光裝置EX之曝光精度或解析度互異。在將此處理裝置10於Y方向配置複數個時，如上述，能使用如圖5所示之複數個加熱單元50、亦即將相鄰之加熱單元50連結之構成。
本實施形態中，亦可為將處理室11~13之室內壓力分別獨立調整之構成。
例如，最好係將處理室13之室內壓力調整成較處理室12之室內壓力高，以防附著於光學系表面之異物(微粒)從其他處理室、例如處理室12侵入收容曝光裝置EX之處理室13。又，在處理室11由於使用複數個液體，因此最好係將處理室13之室內壓力調整成較處理室12之室內壓力高，以防此等液體侵入處理室12內。
又，3個處理室之壓力，亦可為3個處理室中使處理室13 之壓力為最高，使處理室11之壓力為最低，將處理室12設定為處理室13與處理室11間之壓力。
10‧‧‧處理裝置
11~13‧‧‧處理室
14‧‧‧分隔部
14a~14d‧‧‧分隔構件
15~19‧‧‧連接部
20‧‧‧搬送裝置
41‧‧‧塗布裝置
42‧‧‧顯影裝置
43‧‧‧洗淨裝置
44‧‧‧鍍敷裝置
45‧‧‧回收管
50‧‧‧加熱單元
51~53‧‧‧加熱裝置
90‧‧‧開口部
91‧‧‧振動除去裝置
92,93‧‧‧張力消除機構
R1~R30‧‧‧導引滾筒
EX‧‧‧曝光裝置

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，係一邊將具有可撓性之帶狀基板搬送於長邊方向、一邊於前述基板上形成電子元件，其具備：第一處理室，用以使用液體對前述基板進行濕式處理；第二處理室，藉由分隔構件而與前述第一處理室分隔，用以使前述基板乾燥；第三處理室，藉由分隔構件而與前述第二處理室分隔，用以將前述電子元件之圖案曝光於前述基板；以及搬送裝置，沿著通過形成於前述分隔構件之各個之連接部或開口部將前述基板依前述第一處理室、前述第二處理室、前述第三處理室之順序搬送於長邊方向的第一搬送路徑、以及使在前述第三處理室被曝光處理後之前述基板通過前述連接部或前述開口部而再度被搬送至前述第一處理室的第二搬送路徑，導引前述基板；於前述第一處理室，收容有在藉由前述第一搬送路徑搬送之前述曝光處理前之前述基板形成第一液體之塗布膜之塗布裝置、以及以第二液體處理藉由前述第二搬送路徑搬送之前述曝光處理後之前述基板之濕式處理裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述搬送裝置具有複數個導引滾筒，其為了形成前述第一搬送路徑及前述第二搬送路徑而將前述基板之長邊方向導引成朝向重力方向或水平方向。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述第一搬送路徑設定為前述基板依收容於前述第一處理室之前述塗布裝置、前述第二處理室、以及前述第三處理室之順序被搬送於長邊方向，前述第二搬送路徑設定為在前述第三處理室被曝光處理後之前述基板被搬送至收容於前述第一處理室之前述濕式處理裝置。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述濕式處理裝置，係使用顯影液使前述基板顯影之顯影裝置、使用洗淨液洗淨前述基板之洗淨裝置、以及使用鍍敷液於前述基板上形成圖案之鍍敷裝置之任一者。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，前述搬送裝置，具備用以形成第三搬送路徑之複數個滾筒，該第三搬送路徑，係使經由前述第二搬送路徑而以前述濕式處理裝置處理後之前述基板通過前述連接部或前述開口部而再度搬送至前述第二處理室的路徑。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，於前述第二處理室，收容加熱經由前述第一搬送路徑搬送之前述基板以使以前述塗布裝置形成之前述塗布膜乾燥的第一加熱裝置、以及加熱以前述濕式處理裝置處理並經由前述第三搬送路徑搬送之前述基板並使之乾燥的第二加熱裝置。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，前述搬送裝置具備調整機構，該調整機構係減低經由前述第一搬送路徑搬入前述第三處理室之前述基板或從前述第三處理室在前述第二搬送路徑被搬出之前述基板的張力。
  8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，於前述第二處理室與前述第三處理室之間、或前述第一處理室與前述第二處理室之間，設有除去前述基板上之異物之異物移動抑制裝置與除去附著於前述基板表面之液體之流體移動限制裝置的至少一個。
  9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，前述第一處理室、前述第二處理室、以及前述第三處理室，係於重力方向階層地配置成前述第二處理室位於前述第一處理室上方且前述第三處理室位於前述第二處理室上方。
  10. 一種元件製造方法，係一邊將具有可撓性之帶狀片基板搬送於長邊方向、一邊於前述片基板上形成電子元件，其包含： 在依序施加用以使形成有液體之感光性膜之前述片基板乾燥之第一加熱處理、將既定圖案形成於該第一加熱處理後之前述膜之曝光處理、在該曝光處理後使用既定液體材料處理前述片基板之濕式處理、以及在該濕式處理後使前述片基板乾燥之第二加熱處理時，進行前述濕式處理之濕式處理部收容於第一處理室，進行前述第一加熱處理之加熱處理部與進行前述第二加熱處理之加熱處理部收容於藉由分隔部而與前述第一處理室分隔之第二處理室，進行前述曝光處理之曝光處理部收容於藉由分隔部而與前述第二處理室分隔之第三處理室；通過形成於前述分隔部之各個之連接部或開口部，從前述第二處理室依前述第三處理室、前述第一處理室、以及前述第二處理室之順序將前述片基板搬送於長邊方向。
  11. 如申請專利範圍第10項之元件製造方法，其中，收容於前述第一處理室之前述濕式處理部，係使用顯影液使前述片基板顯影之顯影裝置、使用洗淨液洗淨前述片基板之洗淨裝置、以及使用鍍敷液於前述片基板上形成圖案之鍍敷裝置之任一者。
  12. 如申請專利範圍第11項之元件製造方法，其中，將在前述第一加熱處理前將前述液體之感光性膜形成於前述片基板上之成膜處理部收容於前述第一處理室。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之元件製造方法，其中，將前述第二處理室及前述第三處理室於重力方向排列配置。
  14. 如申請專利範圍第13項之元件製造方法，其中，前述第一處理室，具備在前述重力方向配置於前述第二處理室及前述第三處理室下方且回收在前述濕式處理部產生之廢棄物之回收部。
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