CN105575975B - 基板处理装置及元件制造方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置及元件制造方法，基板处理装置具备：多个处理部，对形成为带状的基板分别进行处理；第一处理室，收容多个处理部中能执行共通次程序的第一处理部；第二处理室，收容多个处理部中的第二处理部；以及搬送部，将基板分别搬送至第一处理室及第二处理室。

Description

基板处理装置及元件制造方法
本申请是分案申请，原案的申请号为201280007251.1，申请日为2012年04月20日，发明名称为“基板处理装置”。
技术领域
本发明是关于基板处理装置及元件制造方法。
本申请是根据2011年4月25日申请的日本特愿2011-097122号主张优先权，并将其内容援引于此。
背景技术
作为构成显示器装置等显示装置的显示元件，例如有液晶显示元件、有机电致发光(有机EL)元件等。目前，此等显示元件是以对应各画素在基板表面形成被称为薄膜电晶体(Thin Film Transistor：TFT)的主动元件(Active device)渐为主流。
近年来，提出了一种在片状的基板(例如薄膜构件等)上形成显示元件的技术。作为此种技术，例如有一种被称为卷轴对卷轴(roll to roll)方式(以下，简记为「卷轴方式」)的手法广为人知(例如，参照专利文献1)。卷轴方式，是将卷绕在基板供应侧的供应用滚筒的1片片状基板(例如，带状的薄膜构件)送出且一边将送出的基板以基板回收侧的回收用滚筒加以卷取，一边藉由设置于供应用滚筒与回收用滚筒间的处理部(单元)对基板施以所欲加工。
又，在基板送出至被卷取为止的期间，例如一边使用多个搬送滚筒等搬送基板、一边使用多个处理部来形成构成TFT的闸极电极、闸极绝缘膜、半导体膜、源极－汲极电极等，在基板的被处理面上依序形成显示元件的构成要件。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006/100868号小册子
发明内容
发明所要解决的课题
然而，上述步骤，有可能需要全长数百公尺的长搬送路径，而例如被要求在工厂等的有限空间内有效率地配置各处理部。
解决课题的技术手段
本发明的态样，其目的在于提供能有效率地配置处理部的基板处理装置及元件制造方法。
依据本发明的态样，提供一种基板处理装置，其具备：多个处理部，对形成为带状的基板分别进行处理；第一处理室，收容多个处理部中能执行共通次程序的第一处理部；第二处理室，收容多个处理部中的第二处理部；以及搬送部，将基板分别搬送至第一处理室及第二处理室。
发明效果
根据本发明的态样，能有效率地利用处理部的空间。
附图说明
图1显示本实施形态的基板处理装置的整体构成的图。
图2显示本实施形态的基板处理装置的基板处理部构成的剖面图。
图3显示本实施形态的加热单元的构成的剖面图。
图4显示本实施形态的加热单元的构成的立体图。
图5显示本实施形态的加热装置的构成的立体图。
图6显示本实施形态的配置于处理室的加热装置的配置例的图。
图7显示加热装置的配置例的比较图。
图8显示本实施形态的振动除去装置的构成的侧视图。
图9显示振动除去装置的其他构成的侧视图。
图10显示振动除去装置的其他构成的侧视图。
图11显示振动除去装置的其他构成的侧视图。
图12显示振动除去装置的其他构成的侧视图。
图13显示振动除去装置的其他构成的侧视图。
图14显示本实施形态的处理室彼此间的构成的图。
图15显示本实施形态的流体除去装置的构成的图。
主要元件标号说明：
S 基板
CONT 控制部
EX曝光装置
R(R1～R30)导引滚筒(导引部)
3 基板处理部(处理部)
10 处理装置
41 涂布装置
42 显影装置
43 洗净装置
44 镀敷装置
11～13 处理室(第一处理室、第二处理室、第三处理室)
15～19 连接部
20 搬送装置(搬送部)
45 废液回收部(回收管、回收部)
51～53 加热装置
60 筐体
61 基板搬入口(搬入口)
62 基板收容室(收容室)
63 基板搬出口(搬出口)
70 加热部
84 异物移动抑制装置
85 流体移动限制装置
86 调温装置(基板调温部)
91 振动除去装置(调整机构)
92、93 张力消除机构
96 旋转驱动部
100 基板处理装置
192、193 振动吸收机构
292、293 振动吸收机构
392、393 振动赋予机构
具体实施方式
以下，参照图式说明本实施形态。
图1显示本实施形态的基板处理装置100的构成的图。
如图1所示，基板处理装置100具有：供应带状的基板(例如片状的薄膜构件)S的基板供应部2、对基板S的表面(被处理面)Sa进行处理的基板处理部3、回收基板S的基板回收部4、控制此等各部的控制部CONT。基板处理部3具备用以在从基板供应部2送出基板S后至藉由基板回收部4回收基板S的期间对基板S的表面执行各种处理的基板处理装置100。此基板处理装置100，可使用于在基板S上形成例如有机EL元件、液晶显示元件等显示元件(电子元件)的情形。
此外，本实施形态中，如图1所示设定XYZ正交座标系统，以下适当使用此XYZ正交座标系统来进行说明。XYZ正交座标系统，例如沿水平面设定X轴及Y轴，沿垂直方向朝上设定Z轴。又，基板处理装置100是整体沿X轴从其负侧(-侧)往正侧(+侧)搬送基板S。此时，带状的基板S的宽度方向(短边方向)设定于Y轴方向。
作为在基板处理装置100成为处理对象的基板S，可使用例如树脂膜或不锈钢等的箔(foil)。树脂膜可使用例如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯基共聚物(Ethylene vinyl copolymer)树脂、聚氯乙烯基树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯基树脂等材料。
基板S，以承受例如200℃程度的热其尺寸亦实质上无变化的热膨胀系数较小者较佳。例如可将无机填料混于树脂膜以降低热膨胀系数。作为无机填料，例如有氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。
基板S的宽度方向(短边方向)的尺寸形成为例如1m～2m程度、长度方向(长边方向)的尺寸则形成为例如10m以上。当然，此尺寸仅为一例，并不限于此。例如基板S的Y方向的尺寸为50cm以下亦可、亦可为2m以上。又，基板S的X方向的尺寸亦可在10m以下。
基板S形成为具有可挠性。此处，所谓可挠性，是指例如对基板施以自重程度的力亦不会断裂或破裂、而能将该基板加以弯折的性质。又，藉由自重程度的力而弯折的性质亦包含于可挠性。又，上述可挠性会随着该基板材质、大小、厚度、以及温度等的环境等而改变。此外，基板S可使用一片带状的基板、亦可使用将多个单位基板加以连接而形成为带状的构成。
基板供应部2是将例如卷成卷轴状的基板S送出供应至基板处理部3。于基板供应部2，设有用以例如卷绕基板S的轴部或使该轴部旋转的旋转驱动装置等。除此之外，亦可设置例如用以覆盖卷成卷轴状状态的基板S的覆盖部等。此外，基板供应部2不限定于送出卷成卷轴状的基板S的机构，只要包含将带状的基板S于其长度方向依序送出的机构即可。
基板回收部4是将通过基板处理部3所具备的基板处理装置100的基板S例如卷取成卷轴状加以回收。于基板回收部4，与基板供应部2同样的，设有用以卷绕基板S的轴部及使该轴部旋转的旋转驱动源、以及覆盖回收的基板S的覆盖部等。此外，在基板处理部3将基板S例如切成平板(panel)状的场合等时，亦可为例如将基板S回收成重叠状态等与卷绕成卷轴状的状态不同的状态回收基板S的构成。
基板处理部3，将从基板供应部2供应的基板S搬送至基板回收部4，并在搬送过程对基板S的被处理面Sa进行处理。基板处理部3具有例如处理装置10、搬送装置(搬送部)20。
处理装置10具有用以对基板S的被处理面Sa形成例如有机EL元件的各种装置。作为此种装置，例如有用以在被处理面Sa上形成间隔壁之间隔壁形成装置、用以形成电极的电极形成装置、以及用以形成发光层的发光层形成装置等。更具体而言，有液滴涂布装置(例如喷墨型涂布装置等)、成膜装置(例如镀敷装置、蒸镀装置、溅镀装置)、曝光装置、显影装置、表面改质装置、洗净装置等。此等的各装置，是沿基板S的搬送路径适当设置。本实施形态中，作为处理装置10例如以使用涂布装置41、加热装置51～53、曝光装置EX、显影装置42、洗净装置43、镀敷装置44(以上，于图2以后详述)等的构成为例来说明。
搬送装置20具有在基板处理部3内导引基板S的多个导引滚筒(导引部)R(图1中仅例示2个滚筒)。导引滚筒R沿基板S的搬送路径配置。于多个导引滚筒R中的至少一部分的导引滚筒R安装有旋转驱动机构(未图示)。本实施形态中，搬送装置20的搬送路径的长度为例如全长数百公尺程度。
图2显示基板处理部3一部分的剖面图。
如图2所示，基板处理部3具有三个处理室11～13。处理室11～13被分隔部14分隔。
分隔部14具备构成处理室11的底部的分隔构件14a、构成处理室11的顶部及处理室12的底部的分隔构件14b、构成处理室12的顶部及处理室13的底部的分隔构件14c、构成处理室13的顶部的分隔构件14d。
处理室11在多个处理室中配置于重力方向的最下部(最靠-Z侧)。处理室11形成对基板S进行使用液体的处理(湿式处理)的处理空间。于处理室11，例如如图2所示，作为处理装置10设有具备光阻液收容容器41a(收容用以对基板S涂布的光阻液)的涂布装置41、具备显影液收容容器42a(收容用以对基板S进行显影处理的显影液)的显影装置42、具备洗净液收容容器43a(收容洗净基板S的洗净液)的洗净装置43、具备镀敷液收容容器44a(收容用以对洗净处理后的基板S形成图案的镀敷液)的镀敷装置44。此外，不限于上述液体，于处理室11亦能收容使用各种液体的处理装置。
涂布装置41具有配置于该涂布装置41内部、导引基板S的导引滚筒R2及将涂布处理结束的基板S从涂布装置41内搬出至处理室11的导引滚筒R3。于基板S的搬送方向的导引滚筒R2的上游侧配置有将从基板供应部2供应的基板S导引至涂布装置41的导引滚筒R1。于显影装置42具有配置于该显影装置42内部、导引基板S的导引滚筒R20及将显影处理结束的基板S从显影装置42内搬出至处理室11内的导引滚筒R21。于基板S的搬送方向的导引滚筒R20的上游侧配置有从处理室12的加热装置52经由导引滚筒R17将基板S导引至显影装置42的导引滚筒R18及R19。
于基板S的搬送方向的导引滚筒R21的下游侧配置有将基板S从显影装置42往洗净装置43导引的导引滚筒R22及R23。此外，此等导引滚筒R1、R18、R19、R22及R23配置于处理室11内。
于洗净装置43具备配置于该洗净装置43内部、导引基板S的导引滚筒R24及将洗净处理结束的基板S从洗净装置43内搬出至处理室11内的导引滚筒R25。于镀敷装置44具备配置于该镀敷装置44内部、导引基板S的导引滚筒R28及将镀敷处理结束的基板S从镀敷装置44内搬出至处理室11内的导引滚筒R29。
于分隔构件14a设有构成连接于未图示的回收装置的废液回收流路一部分的多个回收管(废液回收部、回收部)45。回收管45的一端部分别连接于涂布装置41、显影装置42及洗净装置43，另一端部连接于连接在回收装置的未图示废液回收流路。各回收管45将在涂布装置41、显影装置42及洗净装置43成为废液的光阻液、显影液及洗净液经由废液回收流路排出至回收装置。于回收管45设有未图示的开闭阀。控制部CONT能控制该开闭阀的开闭时点。本实施形态中，由于于重力方向最下部的处理室11设有湿式处理用的装置，因此能抑制此等装置与回收装置之间的废液回收流路的流路系统长度。
处理室12配置于处理室11上方(+Z侧)。处理室12形成对基板S进行加热处理的处理空间。于处理室12，作为处理装置10设有加热基板S的加热装置51～53。加热装置51加热藉由涂布装置41涂布有光阻液的基板S，使光阻液干燥。加热装置52再度加热通过处理室13的曝光装置EX的基板S，使光阻液干燥。加热装置52以与加热装置51的加热温度不同的温度、例如较加热装置51的加热温度高的温度加热基板S。加热装置53加热藉由显影装置42进行显影处理且藉由洗净装置43洗净后的基板S，使基板S的表面干燥。
于基板S的搬送方向的加热装置51的上游侧配置有将通过处理室11内的涂布装置41的基板S往该加热装置51导引的导引滚筒R4。于基板S的搬送方向的加热装置51的下游侧，沿搬送路径配置有导引滚筒R5、R6及R7，藉由此等导引滚筒R5、R6及R7将基板S导引至处理室13内的曝光装置EX。
于基板S的搬送方向的加热装置52的上游侧，沿搬送路径配置有将通过处理室13的曝光装置EX的基板S经由导引滚筒R13往该加热装置52导引的导引滚筒R14、R15及R16。于基板S的搬送方向的加热装置52的下游侧，于处理室11的显影装置42配置有经由导引滚筒R18及R19导引基板S的导引滚筒R17。
于基板S的搬送方向的加热装置53的上游侧配置有将通过洗净装置43的基板S往该加热装置53导引的导引滚筒R26。又，于基板S的搬送方向的加热装置53的下游侧，配置有将基板S导引至处理室11内的镀敷装置44的导引滚筒R27。又，于导引滚筒R27的+X侧配置有将基板S导引至次一步骤的导引滚筒R30。此等导引滚筒R4、R5、R6、R7、R14、R15、R16、R17、R26、R27及R30配置于处理室12内。
于分隔构件14b，在处理室11与处理室12之间设有用以使基板S通过的多个连接部15～19。连接部15～19例如是于Z方向贯通分隔构件14b的贯通孔。各连接部15～19形成为基板S能通过的尺寸。基板S藉由通过连接部15～19而横跨处理室11与处理室12移动。
导引滚筒R3及导引滚筒R4是导引基板S通过连接部15。导引滚筒R17及导引滚筒R18是导引基板S通过连接部16。导引滚筒R25及导引滚筒R26是导引基板S通过连接部17。导引滚筒R27及导引滚筒R28是导引基板S通过连接部18。导引滚筒R29及导引滚筒R30是导引基板S通过连接部19。如上述，搬送装置20是导引该基板S以使基板S通过连接部15～19。
此外，隔着连接部15～19配置的上述导引滚筒R3、R4、R17、R18、R25～R30例如亦可是具有调整基板S的温度的调温装置的构成。藉由此构成，能在加热装置51～53的前后调整基板S的温度。
其次说明加热装置51～53的详细构成。加热装置51～53分别具有一个或多个加热单元50。图3显示加热单元50构成的侧剖面图。图4显示加热单元50构成的立体图。
如图3及图4所示，加热单元50具有筐体60及加热筐体60内的加热部70。
筐体60藉由一对第一壁部(右侧壁部60d及左侧壁部60c)与一对第二壁部(上壁部60f及下壁部60e)形成内部空间的矩形环状。又，形成于筐体60的内部空间发挥基板收容室(收容室)62的功能。于筐体60的一方的第一壁部(左侧侧壁部)60c形成有基板搬入口(搬入口)61，于筐体60的另一方的第一壁部(右侧侧壁部)60d形成有基板搬出口(搬出口)63。又，将筐体60的一方端面(-Y侧端面)作为第一开口端60a，将筐体60的另一方端面(+Y侧端面)作为第二开口端60b。于筐体60的第一开口端60a及第二开口端60b设有用以使多个加热单元50连结的连结部(未图示)。
筐体60的第一开口端60a及第二开口端60b能安装密闭基板收容室62的盖部。因此，仅使用一个加热单元50时，能藉由阻塞开口端60a及60b的端面来形成密闭空间。又，藉由连结多个加热单元50，能形成较使用单体的加热单元50时更大的密闭空间。此情形下，能以盖部阻塞配置于连结方向之端的加热单元50的端面。
基板搬入口61及基板搬出口63形成为基板S能通过的尺寸。亦即，基板搬入口61及基板搬出口63的Z方向尺寸形成为较基板S的厚度大。又，基板搬入口61及基板搬出口63的Y方向尺寸形成为较基板S的短边方向的尺寸大。
于基板收容室62设有导引基板S的翻折滚筒(翻折部)64～67。翻折滚筒64～67被未图示的支承构件于筐体60支承成能旋转。翻折滚筒64及66配置于基板收容室62的+X侧端部、亦即右侧侧壁部60d侧。翻折滚筒65及67配置于基板收容室62的-X侧端部、亦即左侧侧壁部60c侧。翻折滚筒64、65、66及67依此顺序从筐体60上部(+Z侧)往下部(-Z侧)配置。
翻折滚筒64将从基板搬入口61搬入并往+X方向行进的基板S往-X方向翻折。翻折滚筒65将在翻折滚筒64被翻折并往-X方向行进的基板S往+X方向翻折。翻折滚筒66将在翻折滚筒65被翻折并往+X方向行进的基板S往-X方向翻折。翻折滚筒67将在翻折滚筒66被翻折并往-X方向行进的基板S往+X方向翻折。
因此，藉由翻折滚筒64～67而导引的基板S在从Z方向观看时该基板S的翻折片(一部分)彼此重叠，且该翻折片彼此以非接触状态配置。因此，可一边维持基板S的被处理面Sa的状态，一边有效率地将基板S收容于基板收容室62。
于翻折滚筒64～67中的至少1个连接有例如马达等未图示的旋转驱动机构。控制部CONT能调整该旋转驱动机构的转数及旋转的时点。因此，能依各加热单元50调整基板S的搬送速度。
又，亦可使翻折滚筒64～67中的至少1个移动于X方向、Y方向及Z方向的任一方向。此情形下，能藉由控制部CONT控制翻折滚筒64～67，来依各加热单元50调整基板S的搬送路径。此外，本实施形态中，虽于筐体60内配置有4个翻折滚筒，但亦能依照基板S的加热时间增减其数目。
图5例示加热装置51～53的构成的图。
如图5所示，加热装置51～53具有于Y方向排列配置有多个的加热单元50。该多个加热单元50为相邻的加热单元50彼此连结的状态。此外，图5中省略加热单元50的第一开口端60a的盖部。
藉由连结加热单元50使基板收容室62彼此连通。因此，藉由加热单元50连结，能构成设有多个基板S的搬送路径的一个加热炉。加热部70亦可为于多个加热单元50共通地设置的构成，亦可为于加热单元50的各个个别设置的构成。
在加热部70于多个加热单元50共通地设置的情形，加热部70能一起加热形成为一个加热炉的多个基板收容室62。因此，经由不同搬送路径而搬送的多个基板S在一个加热炉被加热部70一起加热。因此，能谋求加热处理的效率化。此外，在将加热部70分别设于各加热单元50时的构成的情形，亦可依各加热单元50调整加热温度或加热的时点。又，作为加热部70，能使用发热机构或照射电磁波的照射部(未图示)等。
图6显示处理室11中的加热装置51及52的配置的图。
图6所示的构成中，是在处理室12使多个加热单元50连结的加热装置51于Y方向排列配置有多个(3个)的构成。如此，藉由使加热单元50或加热装置51于Y方向排列配置，与如图7所示的使加热单元50排列配置于X方向的构成相较，能更节约处理室12的空间。
返回图2，处理室13配置于处理室12的上方(+Z侧)。处理室13对基板S进行曝光处理的处理空间。于处理室13，作为处理装置10设有曝光装置EX。曝光装置EX对在涂布装置41中涂布于基板S的光阻层照射经由光罩图案的曝光用光。于处理室13配置有将基板S导引至被照射曝光装置EX的曝光用光的位置的导引滚筒R10及R11。
于分隔构件14c形成有开口部90。开口部90是在Z方向贯通分隔构件14c而形成。基板S藉由导引滚筒R8及R9，经由该开口部90从处理室12往处理室13被导引。又，基板S藉由导引滚筒R12及R13，经由该开口部90从处理室13往处理室12被导引。如上述，开口部90是基板S通过的部分。
于开口部90内部设有振动除去装置(调整机构)91，其除去被搬送装置20(例如导引滚筒R8～R13等)导引的基板S的振动。振动除去装置91为藉由消除基板S的张力而使基板S的振动传达性降低来除去传达至基板S的振动的构成。因此，本实施形态的振动除去装置91具有用以消除基板S的张力的张力消除机构92及93。此外，振动除去装置91可不完全消除基板S的振动，只要能将振动减低至处理装置能容许的程度即可。因此，张力消除机构亦能称为张力减低机构。
张力消除机构92配置于较曝光装置EX(导引滚筒R10)更靠基板S的搬送方向上游侧。更具体而言，张力消除机构92配置于导引滚筒R8与导引滚筒R9之间。张力消除机构93配置于较曝光装置EX(导引滚筒R11)更靠基板S的搬送方向下游侧。更具体而言，张力消除机构93配置于导引滚筒R12与导引滚筒R13之间。
图8显示张力消除机构92及93的构成的图。
如图8所示，张力消除机构92及93具有方向转换滚筒94a及94b(方向转换部94)与夹持滚筒95a及95b(夹持部95)。方向转换滚筒94a及94b是将基板S的搬送方向转换为基板S往重力方向(-Z方向)松弛。具体而言，基板S中的方向转换滚筒94a与方向转换滚筒94b间的部分Sb为松弛的状态。又，于方向转换滚筒94a设有温度调整机构(基板调温部)94c。藉由温度调整机构94c调整基板S中接触于方向转换滚筒94a的部分的温度。此外，该温度调整机构94c亦能省略。
夹持滚筒95a设于在与方向转换滚筒94a之间夹着基板S的位置。夹持滚筒95b设于在与方向转换滚筒94b之间夹着基板S的位置。夹持滚筒95a及95b连接于旋转驱动部96。旋转驱动部96个别调整夹持滚筒95a及95b的旋转时点或转数。因此，能在形成有松弛部分Sb的状态下搬送基板S。
又，在基板S中以方向转换滚筒94a与夹持滚筒95a所夹的部分与基板S中以方向转换滚筒94b与夹持滚筒95b所夹的部分之间，能以搬送速度不同的方式搬送基板S。是以，能一边调整松弛部分Sb的尺寸，一边搬送基板S。
如上述，藉由张力消除机构92及93形成松弛部分Sb并使基板S的张力消除，来自方向转换滚筒94a及夹持滚筒95a的上游侧的振动被减低。因此，在隔着张力消除机构92及93的处理室12与处理室13之间，抑制基板S的振动的传达。因此，配置于处理室13的曝光装置EX，不受处理室11或处理室12的振动影响地进行曝光处理。由于此种张力消除机构92及93配置于分隔构件14c，因此能有效率地利用基板处理部3的处理室11～13的空间。
其次，说明使用如上述构成的基板处理装置100制造有机EL元件、液晶显示元件等显示元件(电子元件)的步骤。基板处理装置100是依照控制部CONT的控制制造该显示元件。
首先，将卷缠于未图示的滚筒的基板S安装于基板供应部2。控制部CONT以从此状态从基板供应部2送出该基板S的方式使未图示的滚筒旋转。接着，以设于基板回收部4的未图示的滚筒卷取通过基板处理部3的该基板S。
控制部CONT，在基板S从基板供应部2送出后至以基板回收部4卷取的期间，是藉由基板处理部3的搬送装置20使基板S在该基板处理部3内适当地搬送。控制部CONT，首先使基板S搬入基板处理部3的处理室11。以下，说明控制部CONT的动作。
搬入处理室11的基板S，经由如图2所示的导引滚筒R1而搬入涂布装置41。在涂布装置41，基板S被导引滚筒R2往+X方向搬送。在搬送的过程中，于基板S的被处理面Sa形成感光剂的涂布膜。在涂布装置41被进行处理的基板S藉由导引滚筒R3的导引经由连接部15往处理室12搬送。
搬入处理室12的基板S经由导引滚筒R4从加热装置51的基板搬入口61往基板收容室62搬入(参照图3)。在基板收容室62，在基板S被翻折多次的状态下加热基板S，在此搬送状态下进行基板S的加热。因此，能进行有效地利用了基板收容室62空间的加热处理。在加热装置51，藉由加热使形成于基板S的涂布膜干燥。在进行加热处理后，从基板搬出口63搬出的基板S经由导引滚筒R5、R6及R7往开口部90搬送。
到达开口部90的基板S，被导引滚筒R8搬入张力消除机构92。在张力消除机构92，藉由在以方向转换滚筒94a与夹持滚筒95a所夹的部分与以方向转换滚筒94b与夹持滚筒95b所夹的部分之间使搬送速度不同，以于基板S形成松弛部分Sb。
在形成松弛部分Sb后，使方向转换滚筒94a及94b与夹持滚筒95a及95b对基板S的搬送速度相等。藉由此动作，使基板S在形成有松弛部分Sb的状态下从张力消除机构92被搬出。该基板S经由导引滚筒R9往处理室13搬送。
从处理室12侧经由基板S而传达的振动，是于基板S的松弛部分Sb除去振动。因此，抑制振动经由基板S传达至处理室13。此外，当于方向转换滚筒94a设有温度调整机构94c的情形，是在该方向转换滚筒94a进行基板S的温度调整。此处是调整成例如适于曝光处理的温度。
往处理室13搬入的基板S被导引滚筒R10及R11搬送。藉由曝光装置EX对该基板S进行曝光处理。藉由曝光处理，形成于基板S的被处理面Sa的涂布膜中的既定区域感光。在曝光处理结束的基板S插入开口部90后，经由导引滚筒R12搬入张力消除机构93。
在张力消除机构93，是与上述的张力消除机构92同样地于基板S形成松弛部分Sb。因此，从处理室12侧经由基板S而传达的振动，是于基板S的松弛部分Sb除去振动。另一方面，如前述，在张力消除机构92亦形成有松弛部分Sb，因此，基板S中配置于处理室13的部分，成为在张力消除机构92及张力消除机构93两者被除去来自处理室12的振动传达的状态。
若导引滚筒R8～R13或加热装置51、52等的振动传达至基板S，则会有基板S或其他部位在曝光装置EX的曝光用光照射位置振动的情形，而有可能使曝光精度降低。因此，藉由使用振动除去装置91除去在横跨曝光装置EX的部分的基板S的振动，来抑制曝光精度的降低。
从处理室13往处理室12搬送的基板S，经由导引滚筒R14、R15及R16搬入加热装置52。在加热装置52，进行对已感光的涂布膜的加热处理。在进行加热处理后，从加热装置52搬出的基板S经由导引滚筒R17插入连接部16，经由连接部16往处理室11搬送。
搬送至处理室11的基板S经由导引滚筒R18及R19搬入显影装置42。在显影装置42，基板S是一边被浸于显影液一边被导引滚筒R20搬送，而在搬送的过程中进行显影处理。已被进行显影处理的基板S被导引滚筒R21从显影装置42搬出，经由导引滚筒R22及R23往洗净装置43搬入。
在洗净装置43，基板S是一边被浸于显影液一边被导引滚筒R24搬送，而在搬送的过程中进行洗净处理。已被进行洗净处理的基板S被导引滚筒R25从洗净装置43搬出后，经由连接部17往处理室12搬入。
搬送至处理室12的基板S经由导引滚筒R26搬入加热装置53。在加热装置53，进行用以使已洗净的基板S干燥的加热处理或用以加热涂布膜的加热处理等。进行该加热处理后，从加热装置53搬出的基板S藉由导引滚筒R27的导引经由连接部18往处理室11搬送。
搬送至处理室11的基板S被搬入镀敷装置44。在镀敷装置44，基板S是一边被浸于镀敷液一边被导引滚筒R28搬送，而在搬送的过程中进行镀敷处理。于已被进行镀敷处理的基板S形成既定图案。镀敷处理后的基板S被导引滚筒R29从镀敷装置44搬出，经由连接部19往处理室12搬送。在处理室12，经由导引滚筒R30搬入未图示的加热装置，而进行加热处理。
如以上所述，根据本实施形态，是配置对基板S分别进行不同种类的处理的处理部3且将此处理部3中具有彼此共通的处理步骤(共通次程序)的处理部3配置于相同处理室内。进而，由于具备搬送装置20，该搬送装置20能以基板S横跨各处理室11～13内被搬送的方式且基板S对各个处理室11～13进出多次的方式搬送基板S，因此能有效率地利用基板处理部3的空间。
例如，如本实施形态所示，在形成显示元件的构成要素时，由于会频繁地进行加热处理，因此会设有多数台加热装置。在如本实施形态所示使加热装置汇整配置于一个处理室12时，能有效率地利用热能。又，由于是使配置加热装置的处理室12配置于Z方向的中央阶层，隔着该处理室12配置处理室11(湿式处理)及处理室13(曝光处理)的构成，因此为易进出加热装置的构成。因此，能使装置整体的基板S的搬送路径缩短。又，在处理室12，由于加热装置以于X方向及Y方向重叠的方式排列配置有多个，因此能节约处理室12的空间。因此，能抑制为了设置基板处理装置100所需要的设置地面积。
又，图2中，作为处理装置10，虽以涂布装置、加热装置、曝光装置、显影装置、洗净装置、镀敷装置的组合为例进行了说明。但并不限定于此组合。又，亦可使此处理装置10于X方向或Y方向配置多个。亦即，经由导引滚筒R30使基板S搬送至其他处理装置10的涂布装置，藉由反复进行上述的动作，于基板S依序形成显示元件的构成要素。此情形下，在配置多个处理装置10时，亦可使多个曝光装置EX的曝光精度或解析度互异。
在将此处理装置10于Y方向配置多个时，如上述，能使用如图5所示的多个加热单元50、亦即将相邻的加热单元50连结的构成。
本发明的技术范围并不限于上述实施形态，在不脱离本发明的趣旨的范围内可施加适当变更。
例如，上述实施形态中，虽使用如图8所示的张力消除机构92及93的构成作为振动除去装置91的构成，但并不限于此。作为振动除去装置91，亦可为例如分别示于图9～图11的构成。
图9显示作为振动除去装置91的张力消除机构92及93的其他构成例的振动吸收机构192及193。
振动吸收机构192及193具有方向转换滚筒194a及194b(方向转换部194)与振动吸收部196。
振动吸收部196具有滚筒196a、滚筒支承部196b、弹簧构件196c、以及壁部196d。
滚筒196a配置于方向转换滚筒194a与方向转换滚筒194b之间。于此滚筒196a挂有基板S中被方向转换的一部分Sc。滚筒196a透过滚筒支承部196b及弹簧构件196c安装于壁部196d。因此，基板S的振动是在该一部分Sc被滚筒196a及弹簧构件196c吸收。
图10显示作为振动除去装置91的张力消除机构92及93的其他构成例的振动吸收机构292及293。
振动吸收机构292及293具有方向转换滚筒294a及294b(方向转换部294)与振动吸收部297。振动吸收部297具有滚筒297a、形成于该滚筒297a的圆筒面的振动吸收层297b。
滚筒297a配置于方向转换滚筒294a与方向转换滚筒294b之间。于此滚筒297a挂有基板S中被方向转换的一部分Sc。振动吸收层297b是使用例如SORBOTHANE等振动吸收性材料。图10所示的构成中，由于是藉由形成于滚筒297a的振动吸收层297b吸收基板S的振动，因此能以简单的构成达成。
图11显示作为振动除去装置91的张力消除机构92及93的其他构成例的振动赋予机构392及393。
振动赋予机构392及393具有方向转换滚筒394a及394b(方向转换部394)与振动产生部398。振动产生部398具有滚筒398a、使该滚筒398a振动的振动调整部398b、以及检测出基板S中在滚筒398a下游侧的位置的振动的感测器398c。
滚筒398a配置于方向转换滚筒394a与方向转换滚筒394b之间。于此滚筒398a挂有基板S中被方向转换的一部分Sc。振动调整部398b是根据感测器398c的检测结果使抵消基板S振动的振动产生。因此，图11所示的构成中，藉由在滚筒398a抵消基板S的振动，而能抑制基板S的振动的传达。
此外，亦可如图12所示，例如在上述张力消除机构92的构成中，方向转换滚筒94a与夹持滚筒95a配置于处理室12，方向转换滚筒94b与夹持滚筒95b配置于处理室13，在上述张力消除机构93的构成中，方向转换滚筒94a与夹持滚筒95a配置于处理室13，方向转换滚筒94b与夹持滚筒95b配置于处理室12。
同样地，亦可是在图9所示的振动吸收机构192的构成中，例如方向转换滚筒194a与滚筒196a配置于处理室12，方向转换滚筒194b配置于处理室13，在振动吸收机构193的构成中，方向转换滚筒194a配置于处理室13，滚筒196a与方向转换滚筒194b配置于处理室12。又，作为壁部196d亦可使用例如分隔构件14b等。
又，亦可是在图10所示的振动吸收机构292的构成中，例如方向转换滚筒294a与滚筒297a配置于处理室12，方向转换滚筒294b配置于处理室13，在振动吸收机构293的构成中，方向转换滚筒294a配置于处理室13，滚筒297a与方向转换滚筒294b配置于处理室12。
进而，亦可是在图11所示的振动赋予机构392的构成中，例如方向转换滚筒394a与滚筒398a配置于处理室12，方向转换滚筒394b配置于处理室13，在振动吸收机构393的构成中，方向转换滚筒394a配置于处理室13，滚筒398a与方向转换滚筒394b配置于处理室12。
又，亦可是在图8所示的张力消除机构92及93的构成中，方向转换滚筒94a及夹持滚筒95a与方向转换滚筒94b及夹持滚筒95b配置于处理室12及处理室13中至少一方的构成。于图13显示方向转换滚筒94a及94b与夹持滚筒95a及95b配置于处理室13的构成。
又，上述实施形态中，虽举于处理室12与处理室13之间设有振动除去装置91的构成为例进行了说明，但并不限于此。
例如，亦可是于处理室12与处理室13之间，除了振动除去装置91以外，如图14所示设有抑制异物的移动的异物移动抑制装置84或限制气体及液体的流体移动限制装置85、调整基板S的调温装置(基板调温部)86等的构成。
图14中，从基板S的搬送方向上游侧往下游侧依序配置有异物移动抑制装置84、流体移动限制装置85、调温装置86及振动除去装置91。又，上述的振动除去装置91、异物移动抑制装置84、流体移动限制装置85、调温装置86的至少一个亦可配置于处理室12与处理室13之间。
异物移动抑制装置84具有气帘形成部84a及载台84b。异物移动抑制装置84藉由气帘形成部84a对被载台84b支承的基板S形成气帘。藉由该气帘除去基板S上的异物。
又，流体移动限制装置85具有上游侧滚筒85a、下游侧滚筒85b及气体喷射部85c。图15显示流体移动限制装置85的构成的俯视图。如图14及图15所示，流体移动限制装置85是对在被挂于上游侧滚筒85a与下游侧滚筒85b的状态下搬送的基板S从气体喷射部85c喷射气体。
气体喷射部85c例如相对于被挂于上游侧滚筒85a与下游侧滚筒85b的状态的基板S配置于-Y侧的位置、+X侧的位置及-Y方向与+X方向间的位置的至少1个位置。藉由对基板S喷射气体，能藉由该气体除去附着于基板S表面的液体或飘荡于基板表面的气体。
又，如图14所示，调温装置86进行已除去流体的基板S的温度调整。调温装置86具有滚筒86a及调温机构86b。上述实施形态中，虽举于方向转换滚筒94a设有温度调整机构94c的构成为例进行了说明，但是能与其另外地调整基板S的温度。
此外，异物移动抑制装置84、流体移动限制装置85、调温装置86、振动除去装置91的各个不限于配置于处理室12与处理室13之间的构成，亦可是配置于处理室11与处理室12之间的构成。
又，上述实施形态中，虽举将处理室11～13于Z方向阶层配置的构成为例进行了说明，但并不限于此。例如，亦可是将处理室11～13于X方向或Y方向排列配置的构成。又，在处理室11～13分别形成为独立的装置或工厂时，亦能适用本发明。
又，上述实施形态中，虽是以基板S的被处理面Sa朝向垂直于重力方向的方向(与XY平面平行的方向)搬送基板S的构成，但并不限于此，亦可是在基板S的被处理面Sa朝向平行于重力方向的方向的状态(使基板S立起的状态)下搬送基板S的构成。此情形下，张力消除机构92及93中使基板S弯曲向重力方向时，能为使基板S的被处理面Sa局部地朝向垂直于重力方向的方向的构成。
又，图2中，作为处理装置10，虽以涂布装置、加热装置、曝光装置、显影装置、洗净装置、镀敷装置的组合为例进行了说明。但并不限定于此组合。又，亦可使此处理装置10于X方向或Y方向配置多个。亦即，经由导引滚筒R30使基板S搬送至其他处理装置10的涂布装置，藉由反复进行上述的动作，于基板S依序形成显示元件的构成要素。此情形下，在配置多个处理装置10时，亦可使多个曝光装置EX的曝光精度或解析度互异。在将此处理装置10于Y方向配置多个时，如上述，能使用如图5所示的多个加热单元50、亦即将相邻的加热单元50连结的构成。
本实施形态中，亦可为将处理室11～13的室内压力分别独立调整的构成。
例如，最好是将处理室13的室内压力调整成较处理室12的室内压力高，以防附着于光学系统表面的异物(微粒)从其他处理室、例如处理室12侵入收容曝光装置EX的处理室13。又，在处理室11由于使用多个液体，因此最好是将处理室13的室内压力调整成较处理室12的室内压力高，以防此等液体侵入处理室12内。
又，3个处理室的压力，亦可为3个处理室中使处理室13的压力为最高，使处理室11的压力为最低，将处理室12设定为处理室13与处理室11间的压力。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其具备：
多个处理部，对形成为带状的基板分别进行处理；
第一处理室，收容前述多个处理部中能执行共通次程序的第一处理部；
第二处理室，收容前述多个处理部中的第二处理部；以及
搬送部，将前述基板分别搬送至前述第一处理室及前述第二处理室；
前述共通次程序的第一处理部包含加热处理步骤；
在前述第一处理部设置：
筐体，其以搬入被前述搬送部搬送的前述基板的搬入口、收容从前述搬入口搬入的前述基板的收容室、与搬出前述基板的搬出口构成；以及
加热部，加热收容于前述收容室的前述基板。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，前述第一处理部具有多个前述筐体；
前述加热部对多个前述筐体共通地设置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，前述第一处理部具有调整机构，该调整机构就前述筐体的各个，调整前述收容室中的前述基板的搬送速度及搬送路径中的至少一方。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，前述第一处理部具有在前述收容室内将前述基板翻折多次的翻折部。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，前述加热部具有对前述基板照射电磁波的照射部。
6.如权利要求3所述的基板处理装置，其进一步具备连接前述第一处理室与前述第二处理室的连接部；
前述搬送部具有导引前述基板使前述基板通过前述连接部的导引部。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，前述导引部具有调整前述基板的温度的基板调温部。
8.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，前述第一处理室及前述第二处理室于重力方向排列配置。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其进一步具备收容能执行湿式处理步骤的多个第三处理部的第三处理室；
前述第三处理室，设有在前述重力方向配置于前述第一处理室及前述第二处理室下方且回收在前述湿式处理步骤产生的废弃物的回收部。
10.一种元件制造方法，其一边将具有可挠性的带状的薄片基板搬送于长边方向，一边将电子元件形成于前述薄片基板上，其特征在于：
在依序实施使藉由液体而形成有感光性膜的前述薄片基板干燥的第一加热处理、在该第一加热处理后的前述膜形成既定图案的曝光处理、在该曝光处理后使用既定的液体材料处理前述薄片基板的湿式处理、及在该湿式处理后使前述薄片基板干燥的第二加热处理时，
将进行前述第一加热处理的加热处理部和进行前述第二加热处理的加热处理部一起收容于第一处理室，将进行前述曝光处理的曝光处理部收容于藉由分隔部而和前述第一处理室分隔的第二处理室，将进行前述湿式处理的湿式处理部收容于藉由分隔部而和前述第一处理室分隔的第三处理室，
通过形成于前述分隔部的各个的连接部或开口部，从前述第一处理室依序以前述第二处理室、前述第三处理室、及前述第一处理室的顺序，将前述薄片基板搬送于长边方向的搬送路径来加以设定。
11.如权利要求10所述的元件制造方法，其中，被收容于前述第三处理室的前述湿式处理部为使用显影液对前述薄片基板进行显影的显影装置、使用洗净液对前述薄片基板进行洗净的洗净装置、使用镀敷液在前述薄片基板上形成图案的镀敷装置中的任一者。
12.如权利要求10所述的元件制造方法，其中，在述第一加热处理之前，将以液体形成的感光性膜形成于前述薄片基板上的成膜处理部收容于前述第三处理室。
13.如权利要求10至12中任一项所述的元件制造方法，其中，将前述第一处理室及前述第二处理室排列配置于重力方向。
14.如权利要求13所述的元件制造方法，其中，前述第三处理室，设有在前述重力方向配置于前述第一处理室及前述第二处理室下方且回收在前述湿式处理部产生的废弃物的回收部。
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