JP2018139309A - 電子装置 - Google Patents

電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018139309A
JP2018139309A JP2018085026A JP2018085026A JP2018139309A JP 2018139309 A JP2018139309 A JP 2018139309A JP 2018085026 A JP2018085026 A JP 2018085026A JP 2018085026 A JP2018085026 A JP 2018085026A JP 2018139309 A JP2018139309 A JP 2018139309A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
curved
base
component mounting
main surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018085026A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6705861B2 (ja
Inventor
山田 浩
Hiroshi Yamada
浩 山田
拓治 岡村
Takuji Okamura
拓治 岡村
明彦 舟橋
Akihiko Funahashi
明彦 舟橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JP2018139309A publication Critical patent/JP2018139309A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6705861B2 publication Critical patent/JP6705861B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/18Optical objectives specially designed for the purposes specified below with lenses having one or more non-spherical faces, e.g. for reducing geometrical aberration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/51Housings
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】曲状電子部品実装部の熱分布を一様なものとすることが可能となる電子部品実装用パッケージおよび電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置21において、電子部品実装用パッケージ1は、一主面および他主面と、一主面に設けられ、縦断面視で弧状の凹部2dまたは凸部とを有する基体2と、凹部2dまたは凸部に設けられ、湾曲した曲状電子部品10が実装される曲状電子部品実装部11とを有している。基体2は、一主面の側から平面透視したときに、曲状電子部品実装部11と重なるように他の主面に切り欠き4を有している。
【選択図】図1

Description

本発明は、曲状電子部品、例えばCCD(Charge Coupled Device)型またはCMO
S(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等の撮像素子、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子等の曲状電子部品が実装された電子装置に関するものである。
従来から湾曲した撮像素子が知られている(例えば、特開2004−356175号公報)。なお、撮像素子を実装するパッケージを電子部品実装用パッケージとし、電子部品実装用パッケージと撮像素子を含めて電子装置とする。
上述のような電子部品実装用パッケージとしては、湾曲した撮像素子が作動する際の撮像素子の熱分布が場所によって大きく異なる虞があり、電子装置の処理機能の低下が懸念されていた。
本発明の1つの態様に係る電子部品実装用パッケージは、一主面および他主面と、前記一主面に設けられ、縦断面視で弧状の凹部または凸部と、平坦部とを有する基体と、前記凹部または前記凸部と、前記平坦部とに設けられ、湾曲した曲状電子部品が実装される曲状電子部品実装部とを有する電子部品実装用パッケージと、該電子部品実装用パッケージに実装されるとともに、平坦領域を有する前記曲状電子部品と、を備えており、前記平坦領域と前記平坦部とは重なって位置している。
(a)は、本発明の第1の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 (a)は、本発明の第1の実施形態に係る電子部品実装用パッケージの外観斜視図であって、(b)は、(a)の変形例である。 (a)は、本発明の第2の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 (a)は、本発明の第3の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 本発明の第4の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す縦断面図である。 (a)は、本発明の第5の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 (a)は、本発明の第6の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 (a)は、本発明の第7の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 本発明の第8の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の縦断面図である。 本発明の第9の実施形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す縦断面図である。 本発明の第9の実施形態のその他の形態に係る電子部品実装用パッケージ、および電子装置の外観を示す縦断面図である。
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、電子部品実装用パッケージは複数の曲状電子部品実装部を有するものを含むものとする。また、電子部品実装用パッケージに曲状電子部品が実装された構成を電子装置とする。電子部品実装用パッケージおよび電子装置は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。
(第1の実施形態)
図1を参照して本発明の第1の実施形態における電子装置21および電子部品実装用パッケージ1について説明する。本実施形態における電子装置21は、電子部品実装用パッケージ1と曲状電子部品10とを有している。
図1に示す例において、電子部品実装用パッケージ1は、一主面および他主面と、一主面に設けられ、縦断面視で弧状の凹部2dを有する基体2と、凹部2dに設けられ、湾曲した曲状電子部品10が実装される曲状電子部品実装部11とを有しており、基体2は、一主面の側から平面透視したときに、曲状電子部品実装部11と重なるように他主面に切り欠き4を有している。
図1または図2に示す例では、基体2は主面と、一主面に設けられた凹部2dを有している。また、図1に示す例では基体2の一主面に曲状電子部品接続用パッド3を有している。なお、図2では、曲状電子部品接続用パッド3および曲状電子部品10は省略しており、図2(a)は切り欠き4が側面から見えない電子部品実装用パッケージ1であって、図2(b)は切り欠き4が側面から見える電子部品実装用パッケージ1である。
基体2は、絶縁基体に後述する配線導体が形成されて成る。この絶縁基体の材料は例えば、電気絶縁性セラミックス、または樹脂等が使用される。
基体2の絶縁基体の材料として使用される電気絶縁性セラミックスとしては例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,またはガラスセラミックス焼結体等が挙げられる。
基体2の絶縁基体の材料として使用される樹脂としては例えば、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,アクリル樹脂,フェノール樹脂,またはフッ素系樹脂等が挙げられる。フッ素系樹脂としては例えば、ポリエステル樹脂、または四フッ化エチレン樹脂が挙げられる。
図1に示す例のように、基体2は、前述した材料から成る絶縁層を複数上下に積層して形成されている。
基体2は、図1または図2に示す例のように3層の絶縁層から形成されていてもよいし、単層〜2層または4層以上の絶縁層から形成されていてもよい。図1または図2に示す例では、基体2は3層の絶縁層から形成されている。
基体2は上面もしくは側面にもしくは下面に外部回路接続用電極が設けられていてもよ
い。外部回路接続用電極は例えば、電子装置21と外部装置等と電気的に接続するために設けられる。
基体2の内部には、各絶縁層間を導通させる貫通導体と内部配線とから成る配線導体が設けられていてもよいし、基体2は、表面に露出した配線導体を有していてもよい。また、その配線導体によって、外部回路接続用電極と曲状電子部品接続用パッド3とが電気的に接続されていてもよい。また、基体2を形成する枠体2aの内部に設けられた配線導体が、枠体2aの表面に露出した配線導体等によって電気的に接続されていてもよい。
曲状電子部品接続用パッド3、外部回路接続用電極及び配線導体は、基体2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銀(Ag)若しくは銅(Cu)、または、これらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。また、曲状電子部品接続用パッド3、外部回路接続用電極及び配線導体は、基体2が樹脂から成る場合には、銅(Cu),金(Au),アルミニウム(Al),ニッケル(Ni),クロム(Cr),モリブデン(Mo)若しくはチタン(Ti)、または、これらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。
曲状電子部品接続用パッド3、外部回路接続用電極及び配線導体の露出した表面に、めっき層が設けられることが好ましい。この構成によれば、曲状電子部品接続用パッド3、外部回路接続用電極、および配線導体の露出表面を保護して酸化を防止できる。また、この構成によれば、曲状電子部品接続用パッド3と曲状電子部品10との接続部材13(ワイヤボンディング等)を介した電気的接続を良好にできる。めっき層は、例えば、厚さ0.5〜10μmのNiめっき層を被着させる。または、このNiめっき層の上に、厚さ0.5〜3μmの金(Au)めっき層を被着させてもよい。
図1に示す例のように、電子部品実装用パッケージ1は、凹部2dに、湾曲した曲状電子部品10が実装される曲状電子部品実装部11を有している。
曲状電子部品実装部11は曲状電子部品10が実装される領域をいう。図1に示す例では、曲状電子部品実装部11は曲状電子部品接続用パッド3よりも内側の領域である。図1では、断面視において弧状の凹部となっている領域である。
図1に示す例では、電子部品実装用パッケージ1の基体2は、一主面の側から平面透視したときに、曲状電子部品実装部11と重なるように他主面に切り欠き4を有している。
図1に示す例のように、基体2は一主面の側から平面透視したときに、曲状電子部品実装部11と重なるように、他主面に切り欠き4を有していることで、電子部品実装用パッケージ1に曲状電子部品10を実装して曲状電子部品10が作動し、発熱した場合において、切り欠きを有することにより曲状電子部品10の発熱箇所に応じて基体2の厚みを適したものとすることができる。よって曲状電子部品10の放熱を適するものとし、曲状電子部品実装部11の熱分布を一様なものとすることが可能となる。なお、例えば切り欠き4の位置、大きさを変更することで、熱が切り欠き4の空隙(空気)に伝熱する、外部回路等に接して伝熱するのを適するものとし、曲状電子部品実装部11の熱分布をより一様なものとすることが可能となる。
また、一般的に、曲状電子部品実装部が弧状の凹部となっていることで、曲状電子部品実装部と曲状電子部品実装部の周囲の平坦部との熱膨張又は熱収縮における挙動、または応力の方向が異なっている。そのため、曲状電子部品実装部と曲状電子部品実装部の周囲の平坦部との境目にストレスがかかり、基体の変形、クラック、または割れの発生が懸念
されている。図1に示す例のように、基体2は一主面の側から平面透視したときに、曲状電子部品実装部11と重なるように、他主面に切り欠き4を有していることで、曲状電子部品10が作動し、発熱した際に電子部品実装用パッケージ1が熱膨張または熱収縮を起こした場合においても、切り欠き4を有することで、曲状電子部品実装部11からの熱膨張または熱収縮の応力を緩和、吸収させることが可能となる。よって、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れを低減させることが可能となる。
また、平面視で切り欠き4と重なる曲状電子部品実装部11の厚みtは50μm以上であることで、曲状電子部品実装部11直下の基体2の温度の上昇を抑えつつ曲状電子部品実装部11の熱分布を均一としやすいため好ましい。なお、図1は2層から成っているがこの時は、少なくとも1層が50μm以上であることが好ましい。
また、断面視で基体2の凹部2dの周縁部から凹部2dの最低点4cまでは30μm以上であることが好ましい。断面視で基体2の凹部2dの周縁部から凹部2dの最低点4cまでの距離が30μm以上であることで、曲状電子部品10を実装する工程において、凹部2dの中心に実装しやすい。さらに、曲状電子部品10が撮像素子である場合、凹部2dの曲率は電子装置21に接合されるレンズ筐体の最も下面側に設けられる凹レンズまたは凸レンズの曲率と等しいか、それ以下であることが好ましい。凹部2dの曲率がレンズ筐体の最も下面側に設けられる凹レンズまたは凸レンズの曲率と等しいことで、より良好な画像を得ることができる。また、凹部2dの曲率がレンズ筐体の最も下面側に設けられる凹レンズまたは凸レンズの曲率以下であることで、曲状電子部品10を実装する工程で曲状電子部品10に負荷をかけることなく接合できる。
また、図1に示す例では、電子部品実装用パッケージ1の切り欠き4の最低点4cは基体2の下面と縦断面視において同一の高さに位置している。このことにより、切り欠き4の弧状の部分が外部回路等に接するものとなり、曲状電子部品10の放熱を適したものとすることができ、より曲状電子部品実装部11の熱分布を一様なものとすることが容易となる。また、外部回路等と電子装置21を実装する際、切り欠き4の最低点4cを樹脂等からなる接着剤等で外部回路と接合することで曲状電子部品10の作動時の発熱における基体2の熱膨張を抑えることができ、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させることができる。なお、後述するが、電子部品実装用パッケージ1の切り欠き4の最低点4cは基体2の下面と縦断面視においてより上の高さに位置していてもよい。なお、同一の高さとは、切り欠き4の最低点4cの高さ位置と、基体2の下面の高さ位置との差が200μm以下のものをいう。
なお、切り欠き4の最低点4cとは、図1に示すように、切り欠き4の内面(底面)のうち、基体2の下面側に最も近い部分のことである。
また、電子部品実装用パッケージ1の基体2は、凹部2dと切り欠き4との間に一定の厚みとなる部分(網掛け部分であり、後述の実施形態においても同様に示している)を有していてもよい。このことによって、一定の厚みとなる部分の熱分布をより一様なものとすることができる。また曲状電子部品実装部11直下の基体2の一部が厚くなっている部分を有することで、基体2の一定の厚みとなる箇所へ拡散する熱を少なくすることができる為、効果的に熱分布を一様なものとすることが可能となる。なお、一定の厚みとなる部分とは、網掛け部分における厚みが厚い個所と薄い個所との差が50μm以下または厚みの厚い個所の1%以下のものをいう。
また、電子部品実装用パッケージ1の基体2は、一主面の側から平面透視したときに、凹部2dの切り欠き4と重なる部分と、切り欠き4の全体との間が一定の厚みとなってい
ることが好ましい。このことによって、平面視で切り欠き4と重なる部分の熱分布が一様なものとなるため、より曲状電子部品10全体の熱分布を一様なものとすることが可能となる。また、縦断面視において凹部2dの広い部分で厚みが一定となるため、曲状電子部品10が作動し発熱した際、熱膨張の挙動が一定となるため、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れをより低減させることが可能となる。
また、凹部2dの周縁は、図1に示す例のように平面視において矩形状であってもよいが、平面視において円形であってもよい、また、凹部2dの周縁の形状が平面視において1つ以上の角部を有する場合、角部をつなぐ各辺は直線ではなく緩やかな曲線を描いていることで、曲状電子部品10を実装する際に曲状電子部品10にかかるストレスを低減させることができる。
また、凹部2dの側面と凹部2dの周囲に設けられた平坦部11aの延長面との成す角度θは90°未満である。
図1に示す例では、基体2は1種類の材料からなっている。また、後述するが電子部品実装用パッケージ1の基体2は枠体2aと、その下面に設けられた基部2bから成りっていてもよい。このとき、枠体2aに用いられる材料として例えば電気絶縁性セラミックスまたは、樹脂等であり、基部2bに用いられる材料として例えば、電気絶縁性セラミックス、樹脂、または金属である。また、枠体2a及び基部2bは各絶縁層間を導通させる貫通導体と内部配線とから成る配線導体が設けられていてもよいし表面に露出した配線導体を有していてもよい。また、このとき枠体2aと基部2bは電気的に接続していてもよい。
次に、図1を用いて、電子装置21について説明する。図1に示す例において、電子装置21は電子部品実装用パッケージ1と、曲状電子部品実装部11に実装された曲状電子部品10と、を有している。
曲状電子部品10は例えば、CCD型またはCMOS型等の撮像素子、LED等の発光素子、または半導体回路素子等が用いられる。図1に示す例においては、曲状電子部品10の各電極は、接続部材13(ボンディングワイヤ)によって曲状電子部品接続用パッド3に電気的に接続されている。
なお、図示していないが、曲状電子部品10の下面と基体2の曲状電子部品実装部11とは、例えば熱硬化性の樹脂等で接合することで、曲状電子部品10を強固に実装し、取り扱い時等において曲状電子部品10の位置ズレを低減させることができる。また、曲状電子部品10を実装する工程において、曲状電子部品10の下面と基体2の曲状電子部品実装部11との間に上述の熱硬化性の樹脂等を介することで、実装箇所、傾きを調整する際に基体と曲状電子部品10とが擦れて、ダスト等が発生することを低減させることができる。
本発明の電子装置21は、上記構成の電子部品実装用パッケージ1と、曲状電子部品実装部11に実装された曲状電子部品10と有していることにより、曲状電子部品10の放熱を適するものとし、曲状電子部品実装部11の熱分布を一様なものとすることが可能となる。また、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れを低減させることが可能となる。
次に、本実施形態の電子部品実装用パッケージ1の製造方法の一例について説明する。
なお、下記で示す製造方法の一例は、多数個取り配線基板を用いた製造方法である。
(1)まず、基体2を構成するセラミックグリーンシートを形成する。例えば、酸化アルミニウム(Al)質焼結体である基体2を得る場合には、Alの粉末に焼結助材としてシリカ(SiO),マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダー、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
なお、基体2が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等で成形することによって基体2を形成することができる。
また、基体2は、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。この場合には、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって基体2を形成できる。
(2)次に、スクリーン印刷法等によって、上記(1)の工程で得られたセラミックグリーンシートに曲状電子部品接続用パッド3、外部回路接続用電極及び貫通導体や内部配線を含んだ配線導体となる部分に金属ペーストを塗布または充填する。
この金属ペーストは、前述した金属材料から成る金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、基体2との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。
(3)次に、凹部2dを有する基体2となるセラミックグリーンシートを準備する。凹部2dを有する基体2を作製するためには、例えば枠体2a及び基部2bとなるセラミックグリーンシートを準備する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層して加圧する工程により、複数のセラミックグリーンシート同士を一体化させる。枠体2aとなるセラミックグリーンシートは例えば金型、またはレーザー加工を用いて開口部2cとなる部分を打ち抜くことで作製することもできる。また、複数のセラミックグリーンシートを積層して加圧し、セラミックグリーンシート積層体を作製してから開口部2cとなる部分を打ち抜いてもよい。
弧状の凹部2d及び切り欠き4は、この基部2bを作成する工程において形成することができる。例えば、通常の金型でまたこの基部2bを作成する工程において基部2bとなるセラミックグリーンシートを準備したあと、弧状の凹部2dまたは切り欠き4の形状となる金型で押圧して形成してもよい。また、例えば切削加工において、凹部2dまたは切り欠き4を形成してもよい。
(4)次に、各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層して加圧することにより基体2となるセラミックグリーンシート積層体を作製する。このとき、上述した枠体2aとなるセラミックグリーンシートと基部2bとなるセラミックグリーンシートを積層して加圧することで一体化した基体2となるセラミックグリーンシート積層体を作製することができる。
(5)次に、このセラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、基体2が複数配列された多数個取り配線基板を得る。なお、この工程によって
、前述した金属ペーストは、基体2となるセラミックグリーンシートと同時に焼成され、曲状電子部品接続用パッド3、外部回路接続用電極、または配線導体となる。
(6)次に、焼成して得られた多数個取り配線基板を複数の基体2に分断する。この分断においては、基体2の外縁となる箇所に沿って多数個取り配線基板に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法、またはスライシング法等により基体2の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。なお、凹部2dまたは切り欠き4を形成していない状態で基体2を作製し、複数の基体2に分断したのち切削加工を用いることで凹部2dまたは切り欠き4を形成することもできる。
上記(1)〜(6)の工程によって、電子部品実装用パッケージ1が得られる。なお、上記(1)〜(6)の工程順番は指定されない。このようにして形成された電子部品実装用パッケージ1の曲状電子部品実装部11に曲状電子部品10を実装することで、電子装置21を作製することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図3を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第1の実施形態の電子装置21と異なる点は、基体2が枠体2aと、枠体2aとは異なる材料の基部2bと、から成る点である。
図3に示す例では、基体2は枠体2aと、枠体2aの下面に設けられた基部2bから成り、基部2bは金属材料から成る。このことによって、一般的に、金属材料から成る基部2bは枠体2aと同じ電気絶縁性セラミックスまたは樹脂等の材料から成るときと比べて熱伝導性が高くなる。よって、曲状電子部品実装部11の熱分布をより早い段階で一様なものとすることが可能となる。
また、基部2bが金属材料から成る場合、枠体2aと同じ電気絶縁性セラミックスまたは樹脂等の材料から成るときと比較して、延性が高くなる。よって、曲状電子部品10が作動し、発熱した際に電子部品実装用パッケージ1が熱膨張または熱収縮を起こした場合においても、曲状電子部品実装部11からの熱膨張または熱収縮の応力をより良好に緩和、吸収させることが可能となる。よって、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスをより低減させ、基体2の変形、クラック、または割れを低減させることが可能となる。
また、基部2bが金属材料から成るとき、曲状電子部品10は平面視において、凹部2dの外周部よりも内側に位置することで、例えば曲状電子部品10が撮像素子である場合に、基部2bで乱反射した光が撮像素子の受光面へ到達することを低減することが可能となる。なお、この時例えば凹部2dの一主面に黒ニッケル等を用いて被膜することでより乱反射した光が受光面へ到達することを低減させることができる。
ここで、基部2bが金属材料から成るとき、基部2bは、例えばステンレス(SUS)、Fe−Ni−Co合金、42アロイ,銅(Cu),または銅合金等から成る。また、枠体2aに用いられる材料としては、例えば電気絶縁性セラミックスまたは、樹脂等である。また例えば、枠体2aの主成分が約5×10−6/℃〜10×10−6/℃の熱膨張率を有する酸化アルミニウム質焼結体である場合、基部2bは約10×10−6/℃の熱膨張率を有するステンレス(SUS410)であることが好ましい。この場合には、電子装置21の作動時に枠体2aと基部2bとの熱収縮差または熱膨張差が小さくなるので、枠体2aと基部2bとの間を接合する接合材にかかる熱応力を緩和することができ、枠体2aがと基部2bとが剥がれるのを低減させることができる。
枠体2aと基部2bを接合する方法として例えば、ペースト状の熱硬化性樹脂(接着部材)をスクリーン印刷法やディスペンス法等で枠体2aまたは基部2bのいずれか一方の接合面に塗布しトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等で乾燥させた後、枠体2aと基部2bとを重ねた状態でトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させ約150℃で約90分間、加熱することで接合材を完全に熱硬化させ、枠体2aと基部2bとを強固に接着させる。
基部2bは、ろう材、熱硬化性樹脂または低融点ガラス等からなる接合材により枠体2aに接合されている。また、接合材は異方性導電フィルム(ACF)等の導電性を有する物であってもよい。熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂等が用いられる。接合材として、曲状電子部品10の実装時または作動時の熱によって変性しないものを用いることによって、曲状電子部品10の実装時または作動時に枠体2aと基部2bとが剥離することを良好に抑制することができるので好ましい。
接合材は、例えばビスフェノールA型液状エポキシ樹脂,ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂,フェノールノボラック型液状樹脂等からなる主剤に、球状の酸化珪素等から成る充填材,テトラヒドロメチル無水フタル酸等の酸無水物などを主とする硬化剤および着色剤としてカーボン紛末等を添加し遠心攪拌機等を用いて混合,混練してペースト状とすることによって得られる。
また、接合材としては、この他にも例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールA変性エポキシ樹脂,ビスフェノールF型エポキシ樹脂,フェノールノボラック型エポキシ樹脂,クレゾールノボラック型エポキシ樹脂,特殊ノボラック型エポキシ樹脂,フェノール誘導体エポキシ樹脂,ビスフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系やアミン系,リン系,ヒドラジン系,イミダゾールアダクト系,アミンアダクト系,カチオン重合系,ジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもの等を使用することができる。
基部2bに弧状の凹部2dを作成する方法としては、例えば、弧状の凹部または切り欠きの形状となる金型で押圧して形成することができる。また、例えば金属材料から成る平板を切削加工することで、凹部2dまたは切り欠き4を形成してもよい。また、例えばエッチング加工によって形成することもできる。また、凹部2dを形成後、研磨加工を行い表面粗さを、小さくしてもよい。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図4を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第2の実施形態の電子装置21と異なる点は、曲状電子部品10に信号処理部10aが設けられている点、基部2bに設けられた切り欠き4の大きさが異なる点、平面視において、枠体2aよりも基部2bが外側へ飛び出ている点である。
図4に示す例では、曲状電子部品10は外周部に信号処理部10aを有しており、切り
欠き4は平面視において信号処理部10aと重ならない位置に設けられている。
一般的に、曲状電子部品10が作動する時、信号処理部10aは他の部分と比較して発熱量が大きい。よって、図4に示す例のように、切り欠き4は平面視において信号処理部10aと重ならない位置に設けることで、断面視において信号処理部10aの直下の基体2の厚みを発熱量が比較的小さいその他の部分の基体2の厚みと比較して大きくすることができる。よって、信号処理部10aの放熱性を向上させることができる。また信号処理部10aの放熱性を向上させることができることで、曲状電子部品10のその他の箇所へ信号処理部10aで発生した熱が伝わりにくくなり、曲状電子部品10のその他の箇所の熱分布をより効果的に一様なものとすることが可能となる。
なお、ここで信号処理部10aは例えば曲状電子部品10が撮像素子の時は、垂直駆動回路、水平駆動回路、カラム信号距離回路、システム制御回路または出力回路等のことを言う。
また、図4に示す例では、平面視において基部2bの外周部が枠体2aの外周部より外側へ位置している。このことによって、より信号処理部10aの放熱性を向上させることが可能となる。また、図4に示す例では、平面視で基部2bの全周が枠体2aの外周よりも外側に位置しているが、少なくとも信号処理部10aの近傍の外周部のみが平面視で枠体2aの外周部より外側に位置していることで、信号処理部10aの放熱性をより向上させることが可能となる。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図5を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第2の実施形態の電子装置21と異なる点は、凹部2dと前記切り欠き4との間の厚みが小さい点である。
図5に示す例のように、電子部品実装用パッケージ1の凹部2dと切り欠き4との間の厚みを小さくすることで、曲状電子部品実装部11の直下の体積が小さくなる。そのため、放熱性をより小さくすることができるため曲状電子部品10が作動し発熱した際、熱膨張の応力を小さくすることが可能となるため、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れをより低減させることが可能となる。
また、図5に示す例では平面視において、基部2bの外周部が枠体2aの外周部よりも内側に位置している。このことによって、枠体2aと基部2bを接合する工程において、工程ズレにより基部2bの接合位置がずれたとしても、基部2bが平面視で枠体2aの外周部より外側に位置することが無くなる。よって、電子装置21の小型化が可能となる。
(第5実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図6を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第2の実施形態の電子装置21と異なる点は、基部2bの形状が異なる点と切り欠き4の形状が異なる点である。
図6に示す例では、基体2は枠体2aと枠体2aの下面に設けられた基部2bを有しており、切り欠き4は断面視において、外周部が枠体2aと基部2bとの接合部よりも高い
位置に突出部4bを有している。切り欠き4が突出部4bを有していることにより、基部2bは平坦部11aと凹部2dとの間に弾性構造を有することになる。基部2bが平坦部11aと凹部2dとの間に弾性構造を有することによって、曲状電子部品10が作動し発熱した際、熱膨張の応力を弾性構造で吸収することが可能となり、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れをより低減させることが可能となる。なお、本構造における基部2bの材料は電気絶縁性セラミックス、または樹脂等であってもよいが、延性の高い金属材料から成ることでより効果を得ることができる。
(第6実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図7を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第5の実施形態の電子装置21と異なる点は、縦断面視において切り欠き4の最低点4cは基体2の下面より高い点である。
図7に示す例では電子部品実装用パッケージ1は、縦断面視において切り欠き4の最低点4cは基体2の下面より高くなっている。このことによって、本実施形態の電子部品実装用パッケージ1を用いた電子装置21を外部回路に実装する際、外部回路と切り欠き4の内面が接触することを低減させることが可能となる。よって、曲状電子部品10が作動し発熱した際、基部2bが外部回路と擦れることを低減することが可能となるため、ダスト等の発生を低減させることが可能となる。
また、図7に示す例では、断面視において突出部4bと基部2bの一主面との間の厚みが他の箇所に比べて薄くなっている。このことによって、基部2bの平坦部11aと凹部2dとの間のバネの効力をより向上させることが可能となる。よって、曲状電子部品10が作動し発熱した際、熱膨張の応力をバネ構造で吸収することが可能となり、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れをより低減させることが可能となる。
なお、切り欠き4の最低点4cとは、図1に示す例と同様に、切り欠き4の内面(底面)のうち、基体2の下面側に最も近い部分のことである。
(第7実施形態)
次に、本発明の第7の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図8を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第5の実施形態の電子装置21と異なる点は、基部2bの凹部2dの周囲に平坦部11aを有する点である。
図8に示す例では、電子部品実装用パッケージ1の基部2bの凹部2dの周囲に平坦部11aを有している。このことによって基部2bの凹部2dの周囲の体積が大きいものとすることが可能となる。よって、例えば曲状電子部品10の外周部に設けられた信号処理部10aで発生した熱を平坦部11aへと誘導することが可能となり、曲状電子部品10のその他の箇所へ伝わることを低減させることが可能となり、曲状電子部品10のその他の箇所の熱分布をより低い温度で一定とすることが可能となる。
(第8実施形態)
次に、本発明の第8の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図9を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第7の実施形態の電子装置21と異なる点は、曲状電子部品10は平坦領域10bを有し、平坦領域10bは基部2bの平坦部11aと平面視で重なる部分に位置している点である。
図8に示す例では、曲状電子部品10は平坦領域10bを有し、平坦領域10bは基部2bの平坦部11aと平面視で重なる部分に位置している。
一般的に、曲状電子部品10はダイシング加工等で個片に分割される工程、または運搬等の工程等において、外周部に微小なクラックの起点が発生する場合がある。そのため、曲状電子部品10を凹部2dに実装する工程において、曲状電子部品10に応力が加わると、その微小なクラックの起点からクラックが発生してしまう可能性がある。そのため、本構成のように、曲状電子部品10が平坦領域10bを有し、平坦領域10bが基部2bの平坦部11aと平面視で重なる部分に位置していることで、曲状電子部品10の外周部にかかる応力を低減させることができ、曲状電子部品10の外周部の微小なクラックの起点からのクラック発生を低減させることが可能となる。
また、曲状電子部品10が平坦領域10bを有しているとき、接続部材13はその平坦領域10bに設けられていることで、ワイヤーボンディング工程において、より良好に接続することが可能となる。
図6〜図9に示す例では、凹部2dの周縁の形状は、平面視において矩形状であってもよいが、平面視において円形であってもよい、また、凹部2dの周縁が平面視において1つ以上の角部を有する場合、角部をつなぐ各辺は直線ではなく緩やかな曲線を描いていることで、曲状電子部品10を実装する際に曲状電子部品10にかかるストレスを低減させることができる。
また、図6〜図9に示す例では、凹部2dの側面と凹部2dの周囲に設けられた平坦部11aの延長面との成す角度θは90°未満である。
また、図6〜図9に示す例では、平面視で切り欠き4と重なる曲状電子部品実装部11の厚みtは50μm以上であることで、曲状電子部品実装部11直下の基体2の温度の上昇を抑えつつ曲状電子部品実装部11の熱分布を均一としやすいため好ましい。さらに、曲状電子部品10が撮像素子である場合、凹部2dの曲率は電子装置21に接合されるレンズ筐体の最も下面側に設けられる凹レンズまたは凸レンズの曲率と等しいか、それ以下であることが好ましい。凹部2dの曲率がレンズ筐体の最も下面側に設けられる凹レンズまたは凸レンズの曲率と等しいことで、より良好な画像を得ることができる。また、凹部2dの曲率がレンズ筐体の最も下面側に設けられる凹レンズまたは凸レンズの曲率以下であることで、曲状電子部品10を実装する工程で曲状電子部品10に負荷をかけることなく接合できる。
(第9実施形態)
次に、本発明の第9の実施形態による電子部品実装用パッケージ1および電子装置21について、図10〜図11を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置21において、第1の実施形態の電子装置21と異なる点は、電子部品実装用パッケージ1は弧状の凹部2dの位置に弧状の凸部2eを有する点である。
図10〜図11に示す例では、一主面および他主面と、一主面に設けられ、縦断面視で
弧状の凸部2eとを有する基体2と、凸部2eに設けられ、湾曲した曲状電子部品10が実装される曲状電子部品実装部11とを有しており、基体2は、一主面の側から平面透視したときに、曲状電子部品実装部11と重なるように他主面に切り欠き4を有している。このことで、第1の実施形態と同様に電子部品実装用パッケージ1に曲状電子部品10を実装して曲状電子部品10が作動し、発熱した場合において、切り欠きを有することにより曲状電子部品10の発熱箇所に応じて基体2の厚みを適したものとすることができる。よって曲状電子部品10の放熱を適するものとし、曲状電子部品実装部11の熱分布を一様なものとすることが可能となる。
また、曲状電子部品10が作動し、発熱した際に電子部品実装用パッケージ1が熱膨張または熱収縮を起こした場合においても、切り欠き4を有することで、曲状電子部品実装部11からの熱膨張または熱収縮の応力を緩和、吸収させることが可能となる。よって、曲状電子部品実装部11とその周囲の平坦部11aとの境目にかかるストレスを低減させ、基体2の変形、クラック、または割れを低減させることが可能となる。
また、断面視で基体2の凸部2eの周縁部から凸部2eの最高点までは30μm以上であることが好ましい。断面視で基体2の凸部2eの周縁部から凸部2eの最高点までの距離が30μm以上であることで、曲状電子部品10を実装する工程において、凹部2dの中心に実装しやすい。さらに、曲状電子部品10が撮像素子である場合、凸部2eの曲率は電子装置21に接合されるレンズ筐体の最も下面側に設けられる凸レンズの曲率と等しいか、それ以上であることが好ましい。凸部2eの曲率がレンズ筐体の最も下面側に設けられる凸レンズの曲率と等しいことで、より良好な画像を得ることができる。また、凹部2dの曲率がレンズ筐体の最も下面側に設けられる凸レンズの曲率よりも大きいことで、曲状電子部品10を実装する工程で曲状電子部品10に負荷をかけることなく接合できる。
また、凸部2eの側面と凹部2dの周囲に設けられた平坦部11aの延長面との成す角度θは90°未満である。
また、図11に示す例では、曲状電子部品10は外周部に信号処理部10aを有しており、切り欠き4は平面視において信号処理部10aと重ならない位置に設けられている。このことによって、断面視において信号処理部10aの直下の基体2の厚みを発熱量が比較的小さいその他の部分の基体2の厚みと比較して大きくすることができる。よって、信号処理部10aの放熱性を向上させることができる。また信号処理部10aの放熱性を向上させることができることで、曲状電子部品10のその他の箇所へ信号処理部10aで発生した熱が伝わりにくくなり、曲状電子部品10のその他の箇所の熱分布をより効果的に一様なものとすることが可能となる。
なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、数値などの種々の変形は可能である。
また、例えば、図1〜図11に示す例では、曲状電子部品接続用パッド3の形状は矩形状であるが、円形状やその他の多角形状であってもかまわない。
また、本実施形態における曲状電子部品接続用パッド3の配置、数、形状などは指定されない。
また、本実施形態における特徴部の種々の組み合わせは上述の実施形態の例に限定されるものでない。
また、図1〜図11に示す曲状電子部品10の形状は問わない。例えば図1の実施形態に実装される曲状電子部品10に平坦領域10bが設けられていてもよく、また例えば図1の実施形態において、基体2は凸部2eを有していてもよい。

Claims (6)

  1. 一主面および他主面と、前記一主面に設けられ、縦断面視で弧状の凹部または凸部と、平坦部とを有する基体と、前記凹部または前記凸部と、前記平坦部とに設けられ、湾曲した曲状電子部品が実装される曲状電子部品実装部とを有する電子部品実装用パッケージと、
    該電子部品実装用パッケージに実装されるとともに、平坦領域を有する前記曲状電子部品と、を備えており、
    前記平坦領域と前記平坦部とは重なって位置していることを特徴とする電子装置。
  2. 一主面および他主面と、前記一主面に設けられ、縦断面視で弧状の凹部または凸部と、平坦部とを有する基体と、前記凹部または前記凸部と、前記平坦部とに設けられ、湾曲した曲状電子部品が実装される曲状電子部品実装部とを有する電子部品実装用パッケージと、
    該電子部品実装用パッケージに実装される前記曲状電子部品と、を備えており、
    前記凹部または前記凸部と、弧状の前記曲状電子部品との間には樹脂が位置しており、前記凹部または前記凸部と、弧状の前記曲状電子部品とは前記樹脂を介して接合されていることを特徴とする電子装置。
  3. 前記基体は、金属材料を含む層と、セラミックス材料または樹脂材料を含む層を有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子装置。
  4. 前記基体は、前記一主面の側から平面透視したときに、前記曲状電子部品実装部と重なるように前記他主面に切り欠きを有しており、前記基体は、前記凹部または前記凸部と前記切り欠きとの間に一定の厚みとなる部分を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の電子装置。
  5. 前記基体は、枠体と該枠体の下面に設けられた基部を有しており、
    前記切り欠きは断面視において、外周部が前記枠体と前記基部との接合部よりも高い位置に突出部を有することを特徴とする請求項4に記載の電子装置。
  6. 前記突出部は上面に平坦な部分を有することを特徴とする請求項5に記載の電子装置。
JP2018085026A 2014-12-17 2018-04-26 電子装置 Active JP6705861B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014255248 2014-12-17
JP2014255248 2014-12-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016564722A Division JP6334732B2 (ja) 2014-12-17 2015-10-27 電子部品実装用パッケージおよび電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018139309A true JP2018139309A (ja) 2018-09-06
JP6705861B2 JP6705861B2 (ja) 2020-06-03

Family

ID=56126357

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016564722A Active JP6334732B2 (ja) 2014-12-17 2015-10-27 電子部品実装用パッケージおよび電子装置
JP2018085026A Active JP6705861B2 (ja) 2014-12-17 2018-04-26 電子装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016564722A Active JP6334732B2 (ja) 2014-12-17 2015-10-27 電子部品実装用パッケージおよび電子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170351069A1 (ja)
JP (2) JP6334732B2 (ja)
CN (1) CN107112288B (ja)
WO (1) WO2016098455A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7089167B2 (ja) * 2018-04-23 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6621951B1 (ja) * 2018-12-28 2019-12-18 長瀬産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2020188236A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 京セラ株式会社 電子部品実装用パッケージおよび電子装置
WO2022137503A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 Ngkエレクトロデバイス株式会社 パッケージ

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004104259A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像装置
JP2012028620A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2012114189A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP2012182243A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器
JP2012182194A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
JP2014007292A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよび電子装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1258739B1 (en) * 2000-02-25 2008-08-06 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray imaging device and method of manufacture thereof
JP2004311812A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Mitsubishi Electric Corp 撮像装置およびその製造方法
JP2005136325A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005260436A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Mitsubishi Electric Corp 撮像モジュールおよびこれを用いた撮像装置
CN200983368Y (zh) * 2006-01-25 2007-11-28 廖本瑜 高亮度led的高散热封装基板
JP4969237B2 (ja) * 2006-12-25 2012-07-04 パナソニック株式会社 固体撮像装置とその製造方法
JP5004669B2 (ja) * 2007-05-28 2012-08-22 京セラ株式会社 撮像部品および撮像ユニット、ならびにこれらの製造方法
JP2009071251A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Yokogawa Electric Corp フリップチップbga基板
CN102201422B (zh) * 2011-04-26 2014-10-22 格科微电子(上海)有限公司 凹面cmos图像传感器及其制造方法
JP2016076543A (ja) * 2014-10-03 2016-05-12 株式会社東芝 固体撮像装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004104259A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像装置
JP2012028620A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2012114189A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP2012182243A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器
JP2012182194A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
JP2014007292A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよび電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107112288B (zh) 2020-02-07
US20170351069A1 (en) 2017-12-07
JPWO2016098455A1 (ja) 2017-12-07
WO2016098455A1 (ja) 2016-06-23
JP6705861B2 (ja) 2020-06-03
CN107112288A (zh) 2017-08-29
JP6334732B2 (ja) 2018-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6068649B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6502925B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6208889B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6705861B2 (ja) 電子装置
JP6235713B2 (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP6363495B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
WO2018079644A1 (ja) 撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュール
JP6592102B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6677595B2 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール
JP2016219616A (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6297923B2 (ja) 撮像素子実装用基板及び撮像装置
JP6626752B2 (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP6499042B2 (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP6418968B2 (ja) 電子部品実装用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP2017152521A (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP2016103520A (ja) 電子部品実装用パッケージおよび電子装置
JP6560076B2 (ja) 撮像装置
JP6144578B2 (ja) 撮像素子搭載用基板及び撮像装置
JP6400985B2 (ja) 電子素子実装用基板及び電子装置
JP6606008B2 (ja) 撮像素子実装用基板、撮像装置および撮像モジュール
JP2020188236A (ja) 電子部品実装用パッケージおよび電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180910

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200414

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200514

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6705861

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150