JP2005136325A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 固体撮像素子チップをパッケージに固定する際に、割れが生じるのを有効に防止することができ、製造歩留まりを高めることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、固体撮像素子チップ１０１と、パッケージ１０３と、レンズ１０４とを備えている。固体撮像素子チップ１０１では、半導体基板１０５の凸曲面状の表面部に複数の光電変換部１０２が形成されている。この固体撮像装置１００では、パッケージ１０３のチップ保持面１０３ａは、像面ずれを解消できるように、凹曲面状に湾曲している。固体撮像素子チップ１０１は、凹曲面状のチップ保持面１０３ａに沿って、パッケージ１０３に接着されている。光電変換部１０２が形成された方の表面がパッケージ１０３の凹曲面状のチップ保持面１０３ａに当接し、光電変換部１０２が形成されていない方の表面が受光面となっている。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体基板の表面部に複数の光電変換部が配列されてなる固体撮像素子チップと、固体撮像素子チップを保持するパッケージと、固体撮像素子チップ上に被写体像を結像させるレンズとを有する固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。

例えば、カメラ付き携帯電話等に搭載される、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＯＭＳ（Computer Output Microfilm System）などの固体撮像素子チップを用いた固体撮像装置では、レンズによって固体撮像素子チップ上に被写体像が結像されるようになっている。そして、この種の固体撮像装置では、その軽量化および薄型化を図るため、レンズの数を少なくすることが求められる。しかし、レンズの数が少ないと、レンズの収差により、被写体像の周辺部で像面ずれないしは焦点ずれが生じ、画質が悪くなる。

そこで、固体撮像素子チップを湾曲した形状でパッケージに固定することにより像面ずれを防止するようにした固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。従来のこの種の固体撮像装置では、特許文献１にも開示されているように、固体撮像素子チップの凹曲面状に湾曲した表面部に光電変換部が形成されている。
特開平１−２０２９８９号公報（第２頁、第３頁、第１図）

ところで、例えば特許文献１に開示された従来のこの種の固体撮像装置では、固体撮像素子チップを湾曲させる際に固体撮像素子チップの裏面部、すなわち光電変換部が形成されていない方の表面部が凸状に湾曲する。このため、研磨時に裏面に生じた傷を基点として固体撮像素子チップに割れが生じることが多く、固体撮像装置の製造歩留りが低下するといった問題がある。

本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、固体撮像素子チップをパッケージの湾曲したチップ保持面に固定する際に、固体撮像素子チップに割れが生じるのを有効に防止することができ、製造歩留まりを高めることができる固体撮像装置ないしはその製造方法を提供することを解決すべき課題とする。

上記課題を解決するためになされた本発明にかかる固体撮像装置は、半導体基板の表面部（表面近傍部）に複数の光電変換部が配列されてなる固体撮像素子チップと、固体撮像素子チップを保持するパッケージと、固体撮像素子チップ上に被写体像を結像させるレンズを備えた光学系とを有している。ここで、パッケージのチップ保持面は、光学系の光軸に垂直な平面に対して生ずる像面ずれないしは焦点ずれに対応する（像面ずれを解消する）湾曲形状に形成されている。そして、固体撮像素子チップは、パッケージのチップ保持面にその湾曲形状に沿って接着されている。また、光電変換部は、固体撮像素子チップの受光面とは反対側の表面部に形成されている。

本発明にかかる固体撮像装置では、固体撮像素子チップの凸曲面状の表面部に光電変換部が形成され、研磨時に傷が生じている裏面部が凹曲面状に湾曲する。このため、従来のこの種の固体撮像装置に比べて、固体撮像素子チップに割れが生じるのが抑制され、固体撮像装置の製造歩留りが向上する。

以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の実施の形態を具体的に説明する。
実施の形態１．
まず、図１〜図３を参照しつつ、本発明の実施の形態１を具体的に説明する。図１は、実施の形態１にかかる固体撮像装置の模式的な断面図であり、図２は、図１に示す固体撮像装置を構成する固体撮像素子チップを拡大して示した断面図である。

図１および図２に示すように、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００は、固体撮像素子チップ１０１と、この固体撮像素子チップ１０１を保持するパッケージ１０３と、被写体Ａの像を固体撮像素子チップ１０１上に結像させるレンズ１０４とを備えている。この固体撮像素子チップ１０１では、半導体基板１０５の一方の表面部（表面近傍部）に、複数の光電変換部１０２が形成（配列）されている。そして、レンズ１０４を経由して光電変換部１０２に入射された光（被写体Ａの像）は光電変換され、光電変換により生じた電気信号は、固体撮像素子チップ１０１から外部へ出力される。

この固体撮像装置１００では、パッケージ１０３のチップ保持面１０３ａは、レンズ１０４を含む光学系の光軸Ｌに垂直な平面に対して生ずる像面ずれないしは焦点ずれを解消できるように、凹曲面状に湾曲している。そして、固体撮像素子チップ１０１は、凹曲面状のチップ保持面１０３ａに沿って、パッケージ１０３に接着されている。ここで、凹曲面状のチップ保持面１０３ａの曲率半径は、例えば２０ｍｍに設定される。また、各光電変換部１０２は、固体撮像素子チップ１０１の、受光面とは反対側の表面部に形成されている。半導体基板１０５は、容易に湾曲できるように薄肉化され、その厚みは、例えば５０μｍに設定されている。

このように、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００では、固体撮像素子チップ１０１の受光面は凹曲面状であり、受光面と反対側の表面（反受光面）は凸曲面状であり、この凸曲面状の表面部に光電変換部１０２が形成されている。すなわち、光電変換部１０２が形成された方の表面がパッケージ１０３の凹曲面状のチップ保持面１０３ａに当接し、裏面、すなわち光電変換部１０２が形成されていない方の表面が受光面となる。
なお、図３に示すように、普通の固体撮像装置では、光電変換部１０２が、受光側の凹曲面状の表面部に形成されている。

ここで、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００において、例えば、半導体基板１０５がシリコン基板であって、逆方向バイアスを印加したＰＮ接合を光電変換部１０２として用いている場合について考える。この場合、ＰＮ接合とその周囲に生じる空乏層、および、Ｎ型拡散層を含む領域全体が光電変換部１０２となる。そして、半導体基板１０５の受光側端面から入射した光が光電変換部１０２内に電子−正孔対を生成すると、光電変換部１０２の出力電圧が変化するので、光を検出することができる。

光電変換部１０２の出力電圧は、回路を経由して外部出力用電極から出力される。この場合、半導体基板１０５の受光側端面から入射した光はシリコン基板中で吸収されて減衰するので、光検出の感度を良好に保つためには、入射光は、大きく減衰する前に光電変換部１０２の受光側端面に到達して該光電変換部１０２内で充分に吸収されなければならない。人間の可視光の波長はおおむね４００ｎｍ〜７００ｎｍであり、この可視光の吸収長は０.１２５μｍ〜５μｍである。したがって、図１０に示すように、半導体基板１０５の受光側端面から光電変換部１０２の受光側端面までの距離ｄは、０.１２５μｍ以下でなければならない。また、半導体基板１０５の反受光側端面から光電変換部１０２の受光側端までの距離、すなわち光電変換部１０２の厚さは、５μｍ以上であるのが望ましい。

以下、図４（ａ）〜（ｄ）を参照しつつ、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００の製造方法を説明する。なお、図４（ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子チップ１０１ないしは固体撮像装置１００の断面構造を示している。
図４（ａ）に示すように、この固体撮像装置１００の製造プロセスでは、まず、イオン注入、酸化、拡散、エッチング、成膜などのウェハプロセスにより、半導体ウェハ１０５’に、複数の光電変換部１０２を備えた固体撮像素子を形成する。

続いて、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０５’の裏面、すなわち光電変換部１０２が形成されていない方の表面を研磨またはエッチングして、半導体ウェハ１０５’を、例えば５０μｍの厚さにまで薄肉化する。そして、半導体ウェハ１０５’をダイシングして、固体撮像素子チップ１０１を形成する。なお、半導体ウェハ１０５’の裏面の研磨またはエッチングと、半導体ウェハ１０５’のダイシングとは、どちらを先に行ってもよい。

次に、図４（ｃ）に示すように、固体撮像素子チップ１０１の光電変換部１０２が形成されている方の表面をパッケージ１０３のチップ保持面１０３ａに向ける。そして、この姿勢を保って、固体撮像素子チップ１０１を、チップ保持面１０３ａに沿って、例えば曲率半径２０ｍｍに湾曲させてチップ保持面１０３ａに接着する。この固体撮像素子チップ１０１の接着は、例えば、銀ペースト、接着剤、両面テープなどを用いて行うことができる。続いて、パッケージ１０３と固体撮像素子チップ１０１の外部出力用電極（図示せず）とを、例えばワイヤまたは半田バンプで電気的に接続する。

最後に、図４（ｄ）に示すように、固体撮像素子チップ１０１の受光面と対向し、かつ該受光面から所定の距離を隔てた位置、すなわち被写体の像を固体撮像素子チップ１０１上に結像させることができる距離を隔てた位置にレンズ１０４を配置する。これにより、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００が完成する。

このように、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００では、固体撮像素子チップ１０１の凸曲面状に湾曲した表面部に光電変換部１０２が形成される一方、研磨またはエッチングにより傷が生じている裏面部が凹曲面状に湾曲している。このため、例えば、図３に示すように凹曲面状の表面部に光電変換部が形成された普通の固体撮像装置に比べて、固体撮像素子チップ１０１に割れが生じるのが抑制され、固体撮像装置１００の製造歩留りが向上する。

また、半導体基板１０５の受光側端面から光電変換部１０２の受光側端面までの距離が０.１２５μｍ以下に設定されるので、固体撮像素子チップ１０１の受光面（裏面）に入射した光の減衰が抑制され、該光を受光面と反対側に形成された光電変換部１０２で有効に検出することができる。さらに、半導体基板１０５の反受光側端面から光電変換部１０２の受光側端までの距離が５μｍ以上であるので、光電変換部１０２に入射した光を該光電変換部１０２で確実に吸収して検出することができる。

実施の形態２．
以下、本発明の実施の形態２を説明する。ただし、実施の形態２にかかる固体撮像装置ないしはその製造方法は、実施の形態１にかかる固体撮像装置ないしはその製造方法と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。

実施の形態２にかかる固体撮像装置は、図１および図２に示す、実施の形態１にかかる固体撮像装置１００と同様であるので、その説明は省略する。
しかし、固体撮像装置１００の製造方法は、実施の形態１とは異なる。以下、図５（ａ）〜（ｄ）および図６（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ、実施の形態２にかかる固体撮像装置１００の製造方法を説明する。なお、図５（ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子チップ１０１ないしは固体撮像装置１００の断面構造を示し、図６（ａ）〜（ｃ）は半導体基板１０５の断面構造を示している。

図５（ａ）に示すように、この固体撮像装置１００の製造プロセスでは、まず、所定の形状の半導体基板１０５を準備する。そして、以下で説明する手法で、この半導体基板１０５の一方の表面（広がり面）に凸曲面を形成する（該表面を凸曲面状に形成ないしは加工する）。
すなわち、まず、図６（ａ）に示すように、半導体基板１０５の一方の表面（広がり面）に、該半導体基板１０５とほぼ同一のエッチングレートをもつレジスト１１０（レジスト膜）を形成する。

続いて、図６（ｂ）に示すように、凹曲面を有する型（図示せず）を用いて、この型の凹曲面を半導体基板１０５上のレジスト１１０（レジスト膜）の表面に押し当て、レジスト１１０を凸曲面状にする。
次に、図６（ｃ）に示すように、半導体基板１０５上のレジスト１１０をエッチバックして、半導体基板１０５の表面を凸曲面状にする。

このように、半導体基板１０５の表面を凸曲面状にした後、図５（ｂ）に示すように、半導体基板１０５の凸曲面状の表面に光電変換部１０２を形成する。この光電変換部１０２の形成手法は、基本的には、実施の形態１の場合と同様である。
続いて、図５（ｃ）に示すように、半導体基板１０５の裏面、すなわち光電変換部１０２が設けられていない方の表面（広がり面）を凹曲面状にする。この凹曲面の形成は、一般に知られている手法、例えば特開平６−７７４５９号公報の段落［００１１］〜［００１５］に記載されている手法を用いることができる。

以下、この凹曲面の具体的な形成手法を説明する。すなわち、まず、半導体基板１０５の、光電変換部１０２が形成されている凸曲面状の表面をレジストで保護する。続いて、半導体基板１０５の裏面に、半導体基板１０５とほぼ同一のエッチングレートをもつレジスト膜を形成する。次に、凸曲面を有する型を準備し、この型の凸曲面を半導体基板１０５の裏面上のレジスト膜に押し当て、レジスト膜を凹曲面状にする。さらに、半導体基板１０５の裏面のレジスト膜をエッチバックして、半導体基板１０５の裏面を凹曲面状にする。最後に、半導体基板１０５の凸曲面状の表面のレジストを除去する。これにより、半導体基板１０５と光電変換部１０２とからなる固体撮像素子チップ１０１は、例えば５０μｍの厚さに薄肉化され、かつ例えば曲率半径２０ｍｍの湾曲状のものとなる。

このようにして湾曲状の固体撮像素子チップ１０１を形成した後、固体撮像素子チップ１０１の、光電変換部１０２が形成されている凸曲面状の表面をパッケージ１０３のチップ保持面１０３ａに向け、この姿勢を保って、固体撮像素子チップ１０１をパッケージ１０３のチップ保持面１０３ａに接着する。接着は、例えば、銀ペースト、接着剤、両面テープなどを用いて行う。次に、パッケージ１０３と、固体撮像素子チップ１０１の外部出力用電極（図示せず）とを、例えばワイヤまたは半田バンプで電気的に接続する。

最後に、図５（ｄ）に示すように、固体撮像素子チップ１０１の受光面と対向し、かつ該受光面から所定の距離を隔てた位置、すなわち被写体の像を固体撮像素子チップ１０１上に結像させることができる距離を隔てた位置にレンズ１０４を配置する。これにより、実施の形態２にかかる固体撮像装置１００が完成する。

このようにして製造された実施の形態２にかかる固体撮像装置１００では、固体撮像素子チップ１０１の凸曲面状の表面部に光電変換部１０２が形成され、裏面部が凹曲面状となっている。このため、基本的には、実施の形態１の場合と同様の作用・効果が得られる。また、半導体基板１０５の裏面の研磨を行わないので、該裏面の傷が少ない。このため、従来のこの種の固体撮像装置に比べて、固体撮像素子チップ１０１に割れが生じるのがより有効に抑制され、固体撮像装置１００の製造歩留りが一層向上する。

実施の形態３．
以下、本発明の実施の形態３を説明する。ただし、実施の形態３にかかる固体撮像装置ないしはその製造方法は、実施の形態１にかかる固体撮像装置ないしはその製造方法と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。

実施の形態３にかかる固体撮像装置１００の全体的な構成ないしは機能は、基本的には、図１に示す実施の形態１にかかる固体撮像装置１００と同様である。すなわち、実施の形態３にかかる固体撮像装置１００は、実施の形態１と同様に、固体撮像素子チップ１０１と、パッケージ１０３と、レンズ１０４とを有している。そして、固体撮像素子１０１においては、半導体基板１０５の凸曲面状の表面部に、複数の光電変換部１０２が形成（配列）されている。また、実施の形態１と同様に、半導体基板１０５は薄肉化され、その厚みは例えば５０μｍに設定され、固体撮像素子チップ１０１は、パッケージ１０３のチップ保持面１０３ａに沿って、例えば曲率半径２０ｍｍに湾曲して固定されている。

しかし、固体撮像素子チップ１０１の構成は、実施の形態１の場合とはやや異なる。以下、実施の形態３にかかる固体撮像素子チップ１０１の具体的な構成ないしは機能を説明する。
図７は、実施の形態３にかかる固体撮像装置１００を構成する固体撮像素子チップ１０１を拡大して示した断面図である。図７に示すように、この固体撮像素子チップ１０１でも、実施の形態１の場合と同様に、光電変換部１０２が形成された方の表面がパッケージ１０３の凹曲面状のチップ保持面１０３ａに当接し、光電変換部１０２が形成されていない方の表面が受光面となる。また、実施の形態１の場合と同様に、半導体基板１０５の受光側端面から光電変換部１０２の受光側端面までの距離ｄ（図１０参照）は０.１２５μｍ以下であり、半導体基板１０５の反受光側端面から光電変換部１０２の受光側端までの距離、すなわち光電変換部１０２の厚さは、５μｍ以上であるのが望ましい。

しかし、実施の形態３にかかる固体撮像素子チップ１０１は、次の点で、実施の形態１にかかる固体撮像素子チップ１０１と相違する。すなわち、図７からも明らかなように、実施の形態３にかかる固体撮像素子チップ１０１では、半導体基板１０５の凹曲面状の裏面、すなわち光電変換部１０２が形成されていない方の表面に、保護膜１０８で保護されたカラーフィルタ１０７が配置され、この保護膜１０８上に複数（多数）のマイクロレンズ１０６が配置されている。ここで、マイクロレンズ１０６およびカラーフィルタ１０７は、光電変換部１０２と対応する位置、すなわち光の入射方向に重なる位置に配置されている。

したがって、レンズ１０４で集光された光は、順に、マイクロレンズ１０６と、カラーフィルタ１０７とを通して、固体撮像素子チップ１０１の光電変換部１０２に入射する。
なお、図８に示すように、普通のこの種の固体撮像素子チップ１０１では、半導体基板１０５の、光電変換部１０２が形成されている方の受光面側の凹曲面状の表面に、保護膜１０８で保護されたカラーフィルタ１０７とマイクロレンズ１０６とが配置されている。

以下、図９（ａ）〜（ｄ）を参照しつつ、実施の形態３にかかる固体撮像装置１００の製造方法を説明する。なお、図９（ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子チップ１０１ないしは固体撮像装置１００の断面構造を示している。
図９（ａ）に示すように、この固体撮像装置１００の製造方法では、まず、イオン注入、酸化、拡散、エッチング、成膜などのウェハプロセスにより、半導体ウェハ１０５’に、複数の光電変換部１０２を備えた固体撮像素子を形成する。

続いて、図９（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０５’の裏面、すなわち光電変換部１０２が形成されていない方の表面を研磨またはエッチングして、半導体ウェハ１０５’を例えば５０μｍの厚さに薄肉化する。そして、半導体ウェハ１０５’の裏面に、樹脂からなる保護膜１０８で保護されたカラーフィルタ１０７を形成する。さらに、半導体ウェハ１０５’の裏面上の保護膜１０８上にマイクロレンズを形成する。この後、半導体ウェハ１０５’をダイシングして、固体撮像素子チップ１０１を形成する。

次に、図９（ｃ）に示すように、固体撮像素子チップ１０１の光電変換部１０２が形成されている方の表面をパッケージ１０３のチップ保持面１０３ａに向ける。そして、この姿勢を保って、固体撮像素子チップ１０１を、チップ保持面１０３ａに沿って、例えば曲率半径２０ｍｍに湾曲させてチップ保持面１０３ａに接着する。この固体撮像素子チップ１０１の接着は、例えば、銀ペースト、接着剤、両面テープなどを用いて行う。続いて、パッケージ１０３と固体撮像素子チップ１０１の外部出力用電極（図示せず）とを、例えばワイヤまたは半田バンプで電気的に接続する。

最後に、図９（ｄ）に示すように、固体撮像素子チップ１０１の受光面と対向し、かつ該受光面から所定の距離を隔てた位置、すなわち被写体の像を固体撮像素子チップ１０１上に結像させることができる距離を隔てた位置にレンズ１０４を配置する。これにより、実施の形態３にかかる固体撮像装置１００が完成する。

このようにして製造された実施の形態３にかかる固体撮像装置１００では、固体撮像素子チップ１０１の凸曲面状の表面部に光電変換部１０２が形成され、傷が生じている裏面が凹曲面状となっている。このため、基本的には、実施の形態１の場合と同様の作用・効果が得られる。さらに、固体撮像素子チップ１０１の裏面にマイクロレンズ１０６が形成されているので、マイクロレンズ１０６によって、レンズ１０４を通して入射してくる光を光電変換部１０２で効率よく検出することができる。このため、固体撮像装置１００の光検出感度が向上する。

以上のように、本発明にかかる固体撮像装置は、製造歩留まりの高い撮像装置として有用であり、とくに携帯電話等の端末機器のカメラとして用いるのに適している。

本発明の実施の形態１にかかる固体撮像装置の模式的な断面図である。 図１に示す固体撮像装置を構成する固体撮像素子チップの模式的な断面図である。 普通の固体撮像素子チップの模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子チップないしは固体撮像装置の模式的な断面図であり、実施の形態１にかかる固体撮像装置の製造方法を示している。 （ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子チップないしは固体撮像装置の模式的な断面図であり、実施の形態２にかかる固体撮像装置の製造方法を示している。 （ａ）〜（ｃ）は半導体基板の模式的な断面図であり、実施の形態２にかかる固体撮像装置の半導体基板の製造方法を示している。 本発明の実施の形態３にかかる固体撮像装置を構成する固体撮像素子チップの模式的な断面図である。 カラーフィルタとマイクロレンズとを備えた普通の固体撮像素子チップの模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子チップないしは固体撮像装置の模式的な断面図であり、実施の形態３にかかる固体撮像装置の製造方法を示している。 実施の形態１にかかる固体撮像装置の固体撮像素子チップの模式的な断面図である。

符号の説明

１００ 固体撮像装置、 １０１ 固体撮像素子チップ、 １０２ 光電変換部、 １０３ パッケージ、 １０３ａ パッケージのチップ保持面、 １０４ レンズ、 １０５ 半導体基板、 １０５’ 半導体ウェハ、 １０６ マイクロレンズ、 １０７ カラーフィルタ、 １０８ 保護膜。

Claims (6)

1. 半導体基板の表面部に複数の光電変換部が配列されてなる固体撮像素子チップと、固体撮像素子チップを保持するパッケージと、固体撮像素子チップ上に被写体像を結像させるレンズを備えた光学系とを有する固体撮像装置であって、
   パッケージのチップ保持面が、光学系の光軸に垂直な平面に対して生ずる像面ずれに対応する湾曲形状に形成され、
   固体撮像素子チップが、パッケージのチップ保持面にその湾曲形状に沿って接着され、
   光電変換部が、固体撮像素子チップの受光面とは反対側の表面部に形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
2. 半導体基板の受光側端面と光電変換部の受光側端面との距離が０.１２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 固体撮像素子チップの、光電変換部が形成されていない方の表面に、マイクロレンズとカラーフィルタとが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
   イオン注入、酸化、拡散、エッチングおよび／または成膜の各プロセスを含むウェハプロセスにより、半導体ウェハに、複数の光電変換部を備えた固体撮像素子を形成する工程と、
   半導体ウェハの、光電変換部が形成されていない方の表面を研磨またはエッチングして半導体ウェハを薄肉化する工程と、
   半導体ウェハをダイシングして固体撮像素子チップを形成する工程と、
   固体撮像素子チップの、光電変換部が形成されている方の表面をパッケージのチップ保持面に向け、固体撮像素子チップをチップ保持面に沿って湾曲させてチップ保持面に接着する工程と、
   パッケージと固体撮像素子チップの外部出力用電極とを電気的に接続する工程と、
   固体撮像素子チップの受光面と対向する所定の位置にレンズを配置する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
5. 請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
   半導体基板の一方の表面を凸曲面状に形成する工程と、
   半導体基板の凸曲面状の表面部に光電変換部を形成する工程と、
   半導体基板の、光電変換部が形成されていない方の表面を凹曲面状に形成する工程と、
   半導体基板と光電変換部とからなる固体撮像素子チップの、光電変換部が形成されている方の表面をパッケージのチップ保持面に向け、固体撮像素子チップをチップ保持面に接着する工程と、
   パッケージと固体撮像素子チップの外部出力用電極とを電気的に接続する工程と、
   固体撮像素子チップの受光面と対向する所定の位置にレンズを配置する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
6. 請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
   イオン注入、酸化、拡散、エッチングおよび／または成膜の各プロセスを含むウェハプロセスにより、半導体ウェハに、複数の光電変換部を備えた固体撮像素子を形成する工程と、
   半導体ウェハの、光電変換部が形成されていない方の表面を研磨またはエッチングして半導体ウェハを薄肉化する工程と、
   半導体ウェハの、光電変換部が形成されていない方の表面に、カラーフィルタとマイクロレンズとを形成する工程と、
   半導体ウェハをダイシングして固体撮像素子チップを形成する工程と、
   固体撮像素子チップの、光電変換部が形成されている方の表面をパッケージのチップ保持面に向け、固体撮像素子チップをチップ保持面に沿って湾曲させてチップ保持面に接着する工程と、
   パッケージと固体撮像素子チップの外部出力用電極とを電気的に接続する工程と、
   固体撮像素子チップの受光面と対向する所定の位置にレンズを配置する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
   

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