JP2018109206A5 - - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016256657A JP7005896B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
| SG10202105751VA SG10202105751VA (en) | 2016-12-28 | 2017-12-11 | Gas flow sputtering device and method for producing sputtering target raw material |
| CN201780078453.8A CN110100042B (zh) | 2016-12-28 | 2017-12-11 | 气流溅射装置以及溅射靶原料的制造方法 |
| PCT/JP2017/044448 WO2018123550A1 (ja) | 2016-12-28 | 2017-12-11 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
| TW106145564A TWI660060B (zh) | 2016-12-28 | 2017-12-25 | 氣流濺鍍裝置及濺鍍靶材原料的製造方法 |
| JP2021087172A JP2021127524A (ja) | 2016-12-28 | 2021-05-24 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016256657A JP7005896B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021087172A Division JP2021127524A (ja) | 2016-12-28 | 2021-05-24 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018109206A JP2018109206A (ja) | 2018-07-12 |
| JP2018109206A5 true JP2018109206A5 (https=) | 2019-08-22 |
| JP7005896B2 JP7005896B2 (ja) | 2022-01-24 |
Family
ID=62708037
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016256657A Active JP7005896B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
| JP2021087172A Pending JP2021127524A (ja) | 2016-12-28 | 2021-05-24 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021087172A Pending JP2021127524A (ja) | 2016-12-28 | 2021-05-24 | ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7005896B2 (https=) |
| CN (1) | CN110100042B (https=) |
| SG (1) | SG10202105751VA (https=) |
| TW (1) | TWI660060B (https=) |
| WO (1) | WO2018123550A1 (https=) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU4503696A (en) * | 1995-05-11 | 1996-11-29 | Materials Research Corporation | Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering ta rget therefor |
| JP2004183022A (ja) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Ulvac Japan Ltd | ターゲット装置及びスパッタリング装置 |
| JP2009066497A (ja) | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Bridgestone Corp | 光触媒酸化チタン薄膜及びその製造方法 |
| JP5460619B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-04-02 | 住友重機械工業株式会社 | ターゲット、およびこれを備えた成膜装置 |
| JP2013147711A (ja) | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Renesas Electronics Corp | 気相成長装置 |
| JP5876138B2 (ja) | 2012-03-15 | 2016-03-02 | Jx金属株式会社 | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-12-28 JP JP2016256657A patent/JP7005896B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-11 CN CN201780078453.8A patent/CN110100042B/zh active Active
- 2017-12-11 SG SG10202105751VA patent/SG10202105751VA/en unknown
- 2017-12-11 WO PCT/JP2017/044448 patent/WO2018123550A1/ja not_active Ceased
- 2017-12-25 TW TW106145564A patent/TWI660060B/zh not_active IP Right Cessation
-
2021
- 2021-05-24 JP JP2021087172A patent/JP2021127524A/ja active Pending
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