JP2018106786A - 磁気テープ装置およびヘッドトラッキングサーボ方法 - Google Patents
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Abstract
Description
磁気ディスク装置は一般にHDD(Hard disk drive)と呼ばれ、浮上型の記録再生方式を採用している。磁気ディスク装置では、磁気ディスク回転時の空気流によって磁気ディスクと磁気ヘッドとの所定の間隔を維持できるように、磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面の形状および磁気ヘッドスライダを支えるヘッドサスペンションアセンブリが設計される。かかる磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁気ヘッドが接触しない状態で情報の記録および再生が行われる。このような記録再生方式が浮上型である。これに対し、磁気テープ装置は摺動型の記録再生方式を採用している。磁気テープ装置では、情報の記録および再生時には、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する。
まずサーボヘッドにより、磁性層に形成されているサーボパターンを読み取る(即ち、サーボ信号を再生する)。サーボパターンを読み取ることにより得られた値に応じて、磁気テープ装置内で磁気ヘッドの位置を制御する。これにより、情報の記録および/または再生のために磁気テープ装置内で磁気テープを搬送する際、磁気テープの位置が変動しても、磁気ヘッドがデータトラックに追従する精度を高めることができる。例えば、磁気テープを磁気テープ装置内で搬送して情報の記録および/または再生を行う際、磁気テープの位置が磁気ヘッドに対して幅方向に変動しても、ヘッドトラッキングサーボを行うことにより、磁気テープ装置内で磁気テープの幅方向における磁気ヘッドの位置を制御することができる。こうして、磁気テープ装置において磁気テープに正確に情報を記録すること、および/または、磁気テープに記録されている情報を正確に再生すること、が可能となる。
本発明者らは上記目的を達成するために検討を重ねる中で、ヘッドトラッキングサーボを行う磁気テープ装置においてサーボヘッドとしてTMRヘッドを使用すると、TMRヘッドにおいて抵抗値(電気抵抗)の顕著な低下が発生するという、従来まったく知られていなかった現象を見出した。TMRヘッドにおける抵抗値の低下とは、TMRヘッドに含まれるトンネル磁気抵抗効果型素子を構成する2つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下である。この抵抗値が顕著に低下する現象は、磁気ディスク装置におけるTMRヘッド使用時にも、磁気ディスク装置または磁気テープ装置におけるGMRヘッド等の他のMRヘッド使用時にも、見られない。即ち、TMRヘッド使用時にTMRヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することは、従来認識すらされていなかった。磁気ディスク装置と磁気テープ装置の記録再生方式の違い、詳しくは、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接触の有無が、磁気テープ装置において発生するTMRヘッドの抵抗値の顕著な低下が、磁気ディスク装置では見られない理由と考えられる。また、TMRヘッドが、磁気テープが搬送される方向に、絶縁層(トンネルバリア層)を挟んで2つの電極を有するという、現在実用化されている他のMRヘッドにはない特殊な構造を有することが、TMRヘッドにおいて発生する抵抗値の顕著な低下が他のMRヘッドでは見られない理由と考えられる。
これに対し、本発明者らは、上記現象を見出したうえで更なる鋭意検討を重ねた結果、更に以下の点を新たに見出した。
磁気テープ装置において磁気テープを低速で搬送することは、記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。しかし、磁気テープ装置において磁気テープを所定速度以下の低速で搬送すると(具体的には磁気テープ搬送速度を18m/秒以下とすると)、情報の記録および/または再生時にヘッドトラッキングサーボを行うためにサーボパターンを読み取るTMRヘッドの抵抗値の低下が特に著しく発生する。
ただし、かかる抵抗値の低下は、磁気テープとして以下に詳述する磁気テープを使用することによって抑制することができる。
以上の知見に基づき、本発明の一態様は完成された。
磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子(以下、「TMR素子」とも記載する。)を含む磁気ヘッド(以下、「TMRヘッド」とも記載する。)であり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、かつ
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθ(以下、単に「cosθ」とも記載する。)は、0.85以上0.95以下である、磁気テープ装置、
に関する。
磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、かつ
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθは、0.85以上0.95以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法、
に関する。
本発明の一態様は、
磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、
上記再サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、かつ
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθは、0.85以上0.95以下である、磁気テープ装置、
に関する。
以上の点は、本発明および本明細書における非磁性粉末等の各種粉末についても同様とする。
<<cosθ>>
(cosθの算出方法)
cosθは、走査透過型電子顕微鏡(STEM;Scanning Transmission Electron Microscope)を用いて行われる断面観察によって求められる。本発明および本明細書におけるcosθとは、以下の方法により測定し算出される値とする。また、本発明および本明細書において、磁気テープの「磁性層(の)表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
(2)作製した断面観察用試料をSTEM観察し、STEM像を撮像する。STEM像は、同一の断面観察用試料において、撮像する範囲が重複しないように選択する点以外は無作為に選択した位置において撮像し、合計10画像得る。上記STEM像は、加速電圧300kVおよび撮像倍率450000倍で撮像されるSTEM−HAADF(High−Angle Annular Dark Field)像であり、1画像に、磁性層の厚み方向の全領域が含まれるように撮像する。磁性層の厚み方向の全領域とは、断面観察用試料において観察される磁性層表面から磁性層と隣接する層または磁性層と隣接する非磁性支持体との界面までの領域である。上記の隣接する層とは、cosθを求める対象の磁気テープが磁性層と非磁性支持体との間に後述する非磁性層を有する場合には非磁性層である。一方、cosθを求める対象の磁気テープが非磁性支持体表面上に直接磁性層を有する場合には、上記界面とは磁性層と非磁性支持体との界面である。
(3)こうして得られた各STEM像において、磁性層表面を表す線分の両端を結ぶ直線を、基準線として定める。上記の線分の両端とは、例えば、STEM像を、断面観察用試料の磁性層側が画像の上方に位置し非磁性支持体側が下方に位置するように撮像した場合には、STEM像の画像(通常、形状は長方形または正方形)の左辺と上記線分との交点とSTEM像の右辺と上記線分との交点とを結ぶ直線である。
(4)上記STEM像において観察される六方晶フェライト粒子の中で、アスペクト比が.1.5〜6.0の範囲であり、かつ、長軸方向の長さが10nm以上である六方晶フェライト粒子(一次粒子)の長軸方向と上記基準線とがなす角度θを測定し、測定された角度θについて、cosθを、単位円に基づくcosθとして算出する。かかるcosθの算出を、各STEM像において、上記アスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の中から無作為に抽出した30個の粒子について行う。
(5)以上の測定および算出を、10画像それぞれにおいて行い、各画像の30個の六方晶フェライト粒子について、即ち10画像の合計で300個の六方晶フェライト粒子について求められたcosθの値を算術平均する。こうして求められる算術平均を、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる磁性層表面に対する強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθとする。
「長軸方向」とは、STEM像において観察される1個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部のうち、基準線との距離が近い方の端部から遠い方の端部を結んだときの方向を意味する。一方の端部と他方の端部を結んだ線分が基準線に対して平行である場合には、基準線と平行な方向が長軸方向となる。
「長軸方向の長さ」とは、STEM像において観察される1個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部を結んで作成される線分の長さを意味する。一方、「短軸方向の長さ」とは、上記粒子の像の外縁と上記長軸方向に対する垂線との2つの交点を結んだ線分の中で、最も長い線分の長さを意味する。
また、基準線と上記粒子の長軸方向の傾きとがなす角度θとは、長軸方向が基準線に対して平行な角度を0°とし、0°以上90°以下の範囲で定めるものとする。以下に、角度θについて、図面に基づき更に説明する。
TMRヘッドは、トンネル磁気抵抗効果を利用する磁気ヘッドであって、絶縁層(トンネルバリア層)を挟んで2つの電極を有する。2つの電極間に位置するトンネルバリア層は絶縁層であるため、2つの電極間に電圧を印加しても、通常は電極間に電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁界の向きによって、トンネル効果により電流(トンネル電流)が流れ、トンネル磁気抵抗効果によって、トンネル電流が流れる量の変化が抵抗値の変化として検出される。この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに形成されたサーボパターンを読み取る(サーボ信号を再生する)ことができる。
また、MRヘッドの構造としては、CIP(Current−In−Plane)構造とCPP(Current−Perpendicular−to−Plane)構造とがあり、TMRヘッドはCPP構造を有する磁気ヘッドである。CPP構造のMRヘッドでは、MR素子の膜面に垂直な方向、即ち磁気テープに形成されたサーボパターンを読み取る際に磁気テープが搬送される方向に電流が流れる。これに対し、他のMRヘッド、例えばGMRヘッドの中で近年広く用いられているスピンバルブ型GMRヘッドは、CIP構造を有する。CIP構造を有するMRヘッドでは、MR素子の膜面内方向、即ち磁気テープに形成されたサーボパターンを読み取る際に磁気テープが搬送される方向と直交する方向に電流が流れる。
以上のように、TMRヘッドは現在実用化されている他のMRヘッドにはない特殊な構造を有する。このため、2つの電極間に1箇所でも短絡(損傷によってできた迂回路)が発生すると抵抗値が顕著に低下してしまう。このように2つの電極間に1箇所でも短絡が発生すると抵抗値が顕著に低下することは、他のMRヘッドでは起こらない現象である。また、浮上型の記録再生方式を採用する磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁気ヘッドは接触しないため、短絡を引き起こす損傷は発生し難い。これに対し、摺動型の記録再生方式を採用する磁気テープ装置では、サーボヘッドによってサーボパターンを読み取る際には磁気テープとサーボヘッドとが接触し摺動する。そのため、何ら対策を施さない場合には、磁気テープとの摺動によって、TMRヘッドが衝撃を受けて損傷し短絡が起こりやすい。中でも、磁気テープの搬送速度が低速になると、TMRヘッドによってサーボパターンを読み取る際に、TMRヘッドの同一箇所が磁気テープと接触する時間はより長くなるため、損傷がより発生し易くなると考えられる。このことが、磁気テープ搬送速度が18m/秒以下の磁気テープ装置においてサーボヘッドとしてTMRヘッドを使用すると、TMRヘッドの抵抗値低下が特に著しく発生する理由と本発明者らは推察している。
これに対し、本発明者らは、磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末を構成する六方晶フェライト粒子の中で、先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを満たす六方晶フェライト粒子は、非磁性粉末を下支えすることができると考えている。そして、かかる六方晶フェライト粒子がcosθが0.85以上となる状態で磁性層に存在することにより、磁性層の表面近傍に存在する非磁性粉末の粒子が磁性層内部に押し込まれることを抑制することができ、磁気テープとTMRヘッドとの円滑な摺動がもたらされると考えられる。その結果、TMRヘッドの抵抗値低下を抑制することが可能になると、本発明者らは推察している。TMRヘッドの抵抗値低下をより一層抑制する観点からは、cosθは0.87以上であることが好ましく、0.90以上であることがより好ましい。また、本発明者らの検討の結果、cosθが0.95以下であることも、TMRヘッドの抵抗値低下の抑制に寄与することが判明した。ただし、その理由は明らかではない。1つの可能性として、先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを満たす六方晶フェライト粒子が、磁気テープに意図せず混入した微量の粗大異物を下支えしてしまう結果、この粗大異物によってTMRヘッドが衝撃を受けて損傷してしまうことを本発明者らは推察している。ただし推察に過ぎない。
なお、磁性層における強磁性六方晶フェライト粉末の存在状態(配向状態)の指標としては、角型比が知られている。しかし、本発明者らの検討によれば、角型比とTMRヘッドの抵抗値低下の抑制の程度との間には、相関関係は見られなかった。角型比とは、飽和磁化に対する残留磁化の比を表す値であって、強磁性六方晶フェライト粉末に含まれる六方晶フェライト粒子の形状およびサイズに関わらず、全ての六方晶フェライト粒子を対象として測定される。これに対し、cosθとは、先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子を選択して測定される値である。このようなcosθと角型比との違いに起因し、角型比との間には相関関係は見られないのに対し、cosθ制御によれば、TMRヘッドの抵抗値低下を抑制することが可能になるのではないかと本発明者らは考えている。
ただし、以上は本発明者らの推察であって、本発明を何ら限定するものではない。
なおcosθについては、特開2016−177851号公報に、特定範囲の活性化体積を有する強磁性六方晶フェライト粉末を含む磁性層を有する磁気テープにおいて、走行を繰り返すと磁性層表面の磨耗性が低下することを抑制するために、cosθを特定の範囲とすることが開示されている。しかし、先に詳述したように、磁気テープ装置においてサーボヘッドとしてTMRヘッドを使用することは、従来、提案すらされていない。しかも、サーボヘッドとしてTMRヘッドを搭載する磁気テープ装置では、特定の磁気テープ搬送速度(具体的には18m/秒以下)において、TMRヘッドの抵抗値低下が特に顕著に発生することは、従来まったく知られていなかった現象である。かかる現象に対してcosθが影響を及ぼすこと、およびcosθを0.85以上0.95以下に規定することにより上記現象の抑制が可能になることは、特開2016−177851号公報には何ら示唆はなく、本発明者らの鋭意検討の結果、初めて見出されたことである。
上記磁気テープは、非磁性支持体表面に、直接または他の層を介して磁性層形成用組成物を塗布する工程を経て作製することができる。そして、cosθの調整方法としては、磁性層形成用組成物における強磁性六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することが挙げられる。強磁性六方晶フェライト粉末の磁性層形成用組成物における分散性(以下、単に「強磁性六方晶フェライト粉末の分散性」または「分散性」とも記載する。)を高めるほど、この磁性層形成用組成物を用いて形成される磁性層において、先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子が、磁性層表面に対して、より平行に近い状態に配向し易くなると考えている。分散性を高めるための手段としては、以下の方法(1)および(2)のいずれか一方または両方が挙げられる。
(1)分散条件の調整
(2)分散剤の利用
また、分散性を高めるための手段としては、強磁性六方晶フェライト粉末と非磁性粉末の少なくとも一種とを別分散させることも挙げられる。非磁性粉末の一態様としては、詳細を後述するように研磨剤を挙げることができる。別分散とは、好ましくは、強磁性六方晶フェライト粉末と、結合剤と、溶媒と、を含む磁性液(ただし、研磨剤を実質的に含まない)を、研磨剤および溶媒を含む研磨剤液と混合する工程を経て磁性層形成用組成物を調製することを含む。このように研磨剤と強磁性六方晶フェライト粉末とを別分散した後に混合することによって、磁性層形成用組成物における強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めることができる。上記の「研磨剤を実質的に含まない」とは、上記磁性液の構成成分として添加しないことを意味するものであって、意図せず混入した不純物として微量の研磨剤が存在することは許容されるものとする。また、上記方法(1)および(2)のいずれか一方または両方を、上記の別分散と組み合わせることも好ましい。この場合、磁性液における強磁性六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することにより、磁性液を研磨剤液と混合する工程を経て得られる磁性層形成用組成物における強磁性六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することができる。
(強磁性粉末)
磁性層には、強磁性粉末として、強磁性六方晶フェライト粉末が含まれる。強磁性六方晶フェライト粉末の粒子サイズの指標としては、活性化体積を用いることができる。「活性化体積」とは、磁化反転の単位である。本発明および本明細書に記載の活性化体積は、振動試料型磁束計を用いて保磁力Hc測定部の磁場スイープ速度3分と30分とで雰囲気温度23℃±1℃の環境下で測定し、以下のHcと活性化体積Vとの関係式から求められる値である。
Hc=2Ku/Ms{1−[(kT/KuV)ln(At/0.693)]1/2}
[上記式中、Ku:異方性定数、Ms:飽和磁化、k:ボルツマン定数、T:絶対温度、V:活性化体積、A:スピン歳差周波数、t:磁界反転時間]
磁気テープには、近年の情報量の莫大な増大に伴い、記録密度を高めること(高密度記録化)が望まれている。高密度記録化を達成するための方法としては、磁性層に含まれる強磁性粉末の粒子サイズを小さくし、磁性層の強磁性粉末の充填率を高める方法が挙げられる。この点から、強磁性六方晶フェライト粉末の活性化体積は、2500nm3以下であることが好ましく、2300nm3以下であることがより好ましく、2000nm3以下であることが更に好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、活性化体積は、例えば800nm3以上であることが好ましく、1000nm3以上であることがより好ましく、1200nm3以上であることが更に好ましい。なおSTEM像において観察される全六方晶フェライト粒子の中で、先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、STEM像において観察される全六方晶フェライト粒子に対する粒子数基準の割合として、例えば50%以上であることができる。また、上記割合は、例えば95%以下であることができ、95%超であることもできる。その他の強磁性六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開2011−225417号公報の段落0012〜0030、特開2011−216149号公報の段落0134〜0136、特開2012−204726号公報の段落0013〜0030等を参照できる。
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に、強磁性粉末および非磁性粉末とともに結合剤を含む。結合剤としては、一種以上の樹脂を使用する。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、後述する非磁性層および/またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開2010−24113号公報の段落0028〜0031を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば10,000以上200,000以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。後述の実施例に示す重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
GPC装置:HLC−8120(東ソー社製)
カラム:TSK gel Multipore HXL−M(東ソー社製、7.8mmID(inner diameter(内径))×30.0cm)
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
磁性層には、一種または二種以上の非磁性粉末が含まれる。非磁性粉末の一態様としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末(以下、「研磨剤」と記載する。)を挙げることができる。また、非磁性粉末の一態様としては、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末(以下、「突起形成剤」と記載する。)を挙げることもできる。突起形成剤は、磁気テープの磁性層表面の摩擦特性制御に寄与し得る成分である。上記磁気テープの磁性層には、研磨剤および突起形成剤の少なくとも一方が含まれることが好ましく、両方が含まれることがより好ましい。
磁性層には、強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤が含まれ、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤、カーボンブラック等を挙げることができる。研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開2013−131285号公報の段落0012〜0022に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。研磨剤等の非磁性粉末の磁性層形成用組成物における分散性を向上させることは、磁性層表面において測定される中心線平均表面粗さRaを小さくするうえで好ましい。
磁気テープにおいて磁性層の表面平滑性を高めることは、電磁変換特性の向上につながる。磁性層の表面平滑性については、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さRaを指標とすることができる。本発明および本明細書において、磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さRaとは、原子間力顕微鏡(AFM;Atomic Force Microscope)により面積40μm×40μmの領域で測定される値とする。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す中心線平均表面粗さRaは、下記測定条件下での測定によって求めた値である。
AFM(Veeco社製Nanoscope4)により磁気テープの磁性層表面の面積40μm×40μmの領域を測定する。スキャン速度(探針移動速度)は40μm/秒、分解能は512pixel×512pixelとする。
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開2011−216149号公報の段落0146〜0150を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開2010−24113号公報の段落0040〜0041も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量(充填率)は、好ましくは50〜90質量%の範囲であり、より好ましくは60〜90質量%の範囲である。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体(以下、単に「支持体」とも記載する。)としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤および任意に含まれ得る各種添加剤については、磁性層および/または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することができる。
非磁性支持体の厚みは、好ましくは3.0〜6.0μmである。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは0.15μm以下であることが好ましく、0.1μm以下であることがより好ましい。磁性層の厚みは、更に好ましくは0.01〜0.1μmの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する2層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。2層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
(各層形成用組成物の調製)
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ2段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられるすべての原料は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を2つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。磁性層形成用組成物の調製においては、強磁性六方晶フェライト粉末と研磨剤とを別分散することが好ましい。また、磁気テープを製造するためには、公知の製造技術を用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平1−106338号公報および特開平1−79274号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるためには、分散メディアとして、ガラスビーズおよびその他の分散ビーズの一種以上を用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズのビーズ径と充填率は最適化して用いることができる。分散機は公知のものを使用することができる。また、cosθが0.85以上0.95以下の磁気テープを得るための手段の1つとして、分散条件を強化すること(例えば分散時間の長時間化、分散に用いる分散ビーズの小径化および/または高充填化、分散剤の利用等)も好ましい。その他の磁気テープの製造方法の詳細については、例えば特開2010−24113号公報の段落0051〜0057も参照できる。配向処理については、特開2010−24113号公報の段落0052を参照することができる。cosθが0.85以上0.95以下である磁気テープを得るための手段の1つとして、垂直配向処理を行うことが好ましい。
磁性層へのサーボパターンの形成は、サーボパターン記録ヘッド(「サーボライトヘッド(servo write head)」とも呼ばれる。)により、磁性層の特定の位置を磁化することにより行われる。ヘッドトラッキングサーボを可能とするためのサーボパターンの形状および磁性層における配置は公知である、上記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンについては、公知技術を適用することができる。例えば、ヘッドトラッキングサーボの方式としては、タイミングベースサーボ方式と振幅ベースサーボ方式が知られている。上記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンは、いずれの方式のヘッドトラッキングサーボを可能とするサーボパターンでもよい。また、タイミングベースサーボ方式でのヘッドトラッキングサーボを可能とするサーボパターンと振幅ベースサーボ方式でのヘッドトラッキングサーボを可能とするサーボパターンとが磁性層に形成されていてもよい。
上記磁気テープ装置は、サーボヘッドとして、TMRヘッドを含む。TMRヘッドは、トンネル磁気抵抗効果型素子(TMR素子)を含む磁気ヘッドである。TMR素子は、磁気テープの磁性層に形成されたサーボパターンを読み取るためのサーボパターン読み取り素子として、磁気テープからの漏れ磁界の変化を、トンネル磁気抵抗効果を利用して抵抗値(電気抵抗)の変化として検出する役割を果たすことができる。検出された抵抗値の変化が電圧の変化に変換されることによって、サーボパターンを読み取る(サーボ信号を再生する)ことができる。
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下である。磁気テープ搬送速度は、通常、磁気テープ装置の制御部において設定される。磁気テープ装置内で磁気テープを低速で搬送することは、記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。しかし、サーボヘッドとしてTMRヘッドを含む磁気テープ装置において磁気テープ搬送速度が18m/秒以下であると、サーボヘッドとして使用されるTMRヘッドの抵抗値低下が特に顕著に発生してしまう。かかる抵抗値低下は、本発明の一態様にかかる磁気テープ装置では、cosθが0.85以上0.95以下の磁気テープを用いることにより抑制することができる。磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、15m/秒以下または10m/秒以下であってもよい。また、磁気テープ搬送速度は、例えば1m/秒以上であることができる。
本発明の一態様は、
磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、かつ
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθは、0.85以上0.95以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法、
に関する。サーボパターンの読み取りは、磁気テープを搬送しながら(走行させながら)磁気テープとサーボヘッドとを接触させ摺動させることによって行われる。上記ヘッドトラッキングサーボ方法において用いられる磁気テープ、サーボヘッド等の詳細は、先に本発明の一態様にかかる磁気テープ装置について記載した通りである。
1.磁気テープの作製
(1)アルミナ分散物の調製
アルファ化率約65%、BET比表面積20m2/gのアルミナ粉末(住友化学社製HIT−80)100.0部に対し、3.0部の2,3−ジヒドロキシナフタレン(東京化成社製)、極性基としてSO3Na基を有するポリエステルポリウレタン樹脂(東洋紡社製UR−4800(極性基量:80meq/kg))の32%溶液(溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒)を31.3部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン1:1(質量比)の混合溶液570.0部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより5時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
(磁性液)
強磁性六方晶バリウムフェライト粉末 100.0部
活性化体積:1800nm3
SO3Na基含有ポリウレタン樹脂 14.0部
重量平均分子量:70,000、SO3Na基:0.2meq/g
分散剤 表1参照
種類:表1参照
シクロヘキサノン 150.0部
メチルエチルケトン 150.0部
(研磨剤液)
上記(1)で調製したアルミナ分散物 6.0部
(シリカゾル(突起形成剤液))
コロイダルシリカ 2.0部
平均粒子サイズ:表1参照
メチルエチルケトン 1.4部
(その他成分)
ステアリン酸 2.0部
ブチルステアレート 6.0部
ポリイソシアネート(日本ポリウレタン社製コロネート(登録商標))2.5部
(仕上げ添加溶媒)
シクロヘキサノン 200.0部
メチルエチルケトン 200.0部
活性化体積の測定用試料として、磁性層形成用組成物の調製に用いた強磁性六方晶バリウムフェライト粉末と同じ粉末ロット内の粉末を使用した。測定は、振動試料型磁束計(東英工業社製)を用いてHc測定部の磁場スイープ速度3分と30分とで行い、先に記載した関係式から活性化体積を算出した。測定は23℃±1℃の環境で行った。
非磁性無機粉末:α−酸化鉄 100.0部
平均粒子サイズ(平均長軸長):0.15μm
平均針状比:7
BET比表面積:52m2/g
カーボンブラック 20.0部
平均粒子サイズ:20nm
SO3Na基含有ポリウレタン樹脂 18.0部
(重量平均分子量:70,000、SO3Na基:0.2meq/g)
ステアリン酸 1.0部
シクロヘキサノン 300.0部
メチルエチルケトン 300.0部
非磁性無機粉末:α−酸化鉄 80.0部
平均粒子サイズ(平均長軸長):0.15μm
平均針状比:7
BET比表面積:52m2/g
カーボンブラック 20.0部
平均粒子サイズ:20nm
塩化ビニル共重合体 13.0部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂 6.0部
フェニルホスホン酸 3.0部
ステアリン酸 3.0部
ブチルステアレート 3.0部
ポリイソシアネート(日本ポリウレタン社製コロネートL) 5.0部
メチルエチルケトン 155.0部
シクロヘキサノン 355.0部
(i)磁性層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
バッチ式縦型サンドミルにおいて分散メディアとしてビーズを用いて上記の磁性液成分をビーズ分散することにより、磁性液を調製した。具体的には、各段階(1段階目または2段階目)のビーズ分散として、それぞれ表1に示すビーズ径を有するジルコニアビーズを用いて、表1に示す分散時間(分散機内の滞留時間)で分散処理を行った。ビーズ分散では、各段階終了後にそれぞれフィルタ(平均孔径5μm)を用いて得られた分散液を濾過した。各段階のビーズ分散において、分散メディアの充填率は、50〜80体積%程度とした。
こうして得られた磁性液を、上記の研磨剤液、シリカゾル、その他成分および仕上げ添加溶媒と混合し、上記サンドミルを用いて5分間ビーズ分散した後、更にバッチ型超音波装置(20kHz、300W)で0.5分間超音波分散を行った。次いで、得られた混合液をフィルタ(平均孔径0.5μm)を用いてろ過し、磁性層形成用組成物を調製した。
上記のビーズ分散時のサンドミルにおける先端周速は、7〜15m/秒の範囲とした。
(ii)非磁性層形成用組成物の調製
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、シクロヘキサノンおよびメチルエチルケトンを除いた各成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いてビーズ分散(分散メディア:ジルコニアビーズ(ビーズ径:0.1mm)、分散滞留時間:24時間)して分散液を得た。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。次いで、得られた分散液をフィルタ(平均孔径0.5μm)を用いてろ過し、非磁性層形成用組成物を調製した。
(iii)バックコート層形成用組成物の調製
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた各成分をオープンニーダにより混練および希釈した。その後、得られた混合液に対して、横型ビーズミルにより、ビーズ径1mmのジルコニアビーズを用いてビーズ充填率80体積%およびローター先端周速10m/秒で、1パスあたりの滞留時間を2分とし、12パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。次いで、得られた分散液をフィルタ(平均孔径1μm)を用いてろ過し、バックコート層形成用組成物を調製した。
厚み5.0μmのポリエチレンナフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが表1に示す厚みとなるように上記(5)(ii)で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥して非磁性層を形成した。次いで、非磁性層上に乾燥後の厚みが表1に示す厚みとなるように上記(5)(i)で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。表1に垂直配向「有」と記載した実施例および比較例については、磁性層形成用組成物の塗布層が未乾状態にあるうちに、磁場強度0.3Tの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加して垂直配向処理を行った後乾燥させ、磁性層を形成した。表1に垂直配向「無」と記載した比較例については、上記垂直配向処理を行わずに磁性層形成用組成物の塗布層を乾燥させ、磁性層を形成した。
その後、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対側の表面に、乾燥後の厚みが0.5μmとなるように上記(5)(iii)で調製したバックコート層形成用組成物を塗布および乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、速度100m/分、線圧294kN/m(300kg/cm)、および表1に示すカレンダ温度(カレンダロールの表面温度)にて、表面平滑化処理(カレンダ処理)を行った。
その後、雰囲気温度70℃の環境で36時間加熱処理を行った。加熱処理後1/2インチ(0.0127メートル)幅にスリットし、磁性層にサーボパターンを形成するための磁気テープを作製した。
作製した磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボ試験機に搭載されたサーボライトヘッドによって、LTO Ultriumフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを磁性層に形成した。これにより、磁性層に、LTO Ultriumフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にLTO Ultriumフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを有する磁気テープが作製された。なお上記サーボ試験機は、サーボライトヘッドおよびサーボヘッドを備えている。このサーボ試験機を後述する評価でも使用した。
作製した磁気テープの各層厚みを、以下の方法により求めた。形成した非磁性層および磁性層の厚みが表1に示す厚みであり、バックコート層および非磁性支持体の厚みが上記厚みであることが確認された。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行った。断面観察において厚み方向の2箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めた。
(1)磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さRa
原子間力顕微鏡(AFM、Veeco社製Nanoscope4)を用い、磁気テープの磁性層表面において測定面積40μm×40μmの範囲を測定し、中心線平均表面粗さRaを求めた。スキャン速度(探針移動速度)は40μm/秒、分解能は512pixel×512pixelとした。
作製した磁気テープから断面観察用試料を切り出し、この試料を用いて上述した方法でcosθを求めた。なお、実施例1ならびに後述する実施例2〜8および比較例1〜16の各磁気テープにおいて、STEM像で観察された全六方晶フェライト粒子に対して、cosθの測定対象とされる先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、粒子数基準で80〜95%程度であった。
以下の方法により、保護膜(カーボン膜と白金膜との積層膜)付試料を作製した。
cosθを求める対象の磁気テープから、磁気テープの幅方向10mm×長手方向10mmのサイズの試料を剃刀を用いて切り出した。試料について以下に記載する幅方向とは、切り出す前の磁気テープにおいて幅方向であった方向をいうものとする。長手方向についても同様である。
切り出した試料の磁性層表面に以下の方法によって保護膜を形成して保護膜付試料を得た。
上記試料の磁性層表面に、真空蒸着によりカーボン膜(厚み80nm)を形成し、形成したカーボン膜表面にスパッタリングにより白金(Pt)膜(厚み30nm)を形成した。カーボン膜の真空蒸着および白金膜のスパッタリングは、それぞれ下記条件で行った。
<カーボン膜の真空蒸着条件>
蒸着源:カーボン(直径0.5mmのシャープペンシルの芯)
真空蒸着装置のチャンバー内真空度:2×10−3Pa以下
電流値:16A
<白金膜のスパッタリング条件>
ターゲット:Pt
スパッタリング装置のチャンバー内真空度:7Pa以下
電流値:15mA
上記(i)で作製した保護膜付試料から、ガリウムイオン(Ga+)ビームを用いるFIB加工によって薄膜状の試料を切り出した。切り出しは、以下の2回のFIB加工により行った。FIB加工における加速電圧は30kVとした。
1回目のFIB加工では、保護膜表面から深さ約5μmの領域までを含む保護膜付試料の長手方向の一方の端部(即ち保護膜付試料の幅方向の一方の側面を含む部分)を切り出した。切り出された試料には、保護膜から非磁性支持体の一部までが含まれる。
次いで、切り出された試料の切り出し面側(即ち、切り出しにより露出した試料断面側)にマイクロプローブを取り付け、2回目のFIB加工を行った。2回目のFIB加工では、切り出し面側とは逆の面(即ち、上記の幅方向の一方の側面)側にガリウムイオンビームを当てて試料の切り出しを行った。2回目のFIB加工における切り出し面を、STEM観察用のメッシュの端面に貼り合わせて試料を固定した。固定後、マイクロプローブを除去した。
更に、メッシュに固定された試料からマイクロプローブを除去した面に、上記と同様の加速電圧でガリウムイオンビームを当ててFIB加工を行い、メッシュに固定された試料を更に薄膜化した。
こうして作製されたメッシュに固定された断面観察用試料を走査透過型電子顕微鏡により観察して、先に記載した方法によりcosθを求めた。こうして求められたcosθを、表1に示す。
作製した磁気テープの角型比を、振動試料型磁束計(東英工業社製)を用いて磁場強度1194kA/m(15kOe)で測定した。
上記サーボ試験機のサーボヘッドを、HDD用再生ヘッドとして市販されているTMRヘッド(素子幅70nm)と交換した。このサーボ試験機において上記1.で作製した磁気テープを、磁性層表面とサーボヘッドとを接触させ摺動させながら搬送した。磁気テープのテープ長は1000mであり、上記搬送時の磁気テープ搬送速度(磁気テープとサーボヘッドとの相対速度)を表1に示す値として、磁気テープの搬送(走行)を合計4,000パス行った。1パス毎にサーボヘッドを磁気テープの幅方向に2.5μmずつ移動させ、400パス搬送毎に再生ヘッドの抵抗値(電気抵抗)を測定し、初期値(0パスでの抵抗値)に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率(%)=[(初期値−400パス搬送後の抵抗値)/初期値]×100
抵抗値(電気抵抗)の測定は、TMRヘッドに含まれるTMR素子の2つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器(三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ(型番:DA−50C))を当てて行った。算出された抵抗値低下率が30%以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断してサーボヘッドを新品のヘッドに交換し、次の400パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が1回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。4,000パス走行において1回も抵抗値低下率が30%以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を0回とした。抵抗値低下回数0回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表1に示す。
1.磁気テープの作製
表1に示す各種条件を表1に示すように変更した点以外、実施例1と同様に磁気テープを作製した。
作製した磁気テープの各種物性を、実施例1と同様に評価した。
作製した磁気テープを使用して、実施例1と同様の方法によってサーボヘッドの抵抗値測定を行った。磁気テープ搬送速度は表1に示す値とした。実施例2〜8および比較例7〜16では、サーボヘッドとして、実施例1と同様のTMRヘッドを使用した。比較例1〜6では、サーボヘッドとして、市販のスピンバルブ型GMRヘッド(素子幅70nm)を使用した。このGMRヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、MR素子を挟んで2つの電極を有するCIP構造を有する磁気ヘッドであった。これら2つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例1と同様に抵抗値測定を行った。
これに対し、サーボヘッドとしてTMRヘッドを使用し、磁気テープ搬送速度が18m/秒以下であり、かつ磁気テープのcosθが0.85以上0.95以下の範囲内であった実施例1〜8では、サーボヘッドの抵抗値の顕著な低下を抑制することができた。
また、表1に示す結果から、TMRヘッドの抵抗値低下と角型比との間には相関関係が見られないことも確認できる。
Claims (12)
- 磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、
前記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層は、サーボパターンを有し、かつ
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる前記磁性層の表面に対する前記強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθは、0.85以上0.95以下である、磁気テープ装置。 - 前記cosθは、0.87以上0.95以下である、請求項1に記載の磁気テープ装置。
- 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは2.8nm以下である、請求項1または2に記載の磁気テープ装置。
- 前記中心線平均表面粗さRaは2.5nm以下である、請求項3に記載の磁気テープ装置。
- 前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有し、
前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは1.8μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気テープ装置。 - 前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは1.1μm以下である、請求項5に記載の磁気テープ装置。
- 磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は18m/秒以下であり、
前記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層は、サーボパターンを有し、かつ
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる前記磁性層の表面に対する前記強磁性六方晶フェライト粉末の傾きcosθは、0.85以上0.95以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法。 - 前記cosθは、0.87以上0.95以下である、請求項7に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
- 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは2.8nm以下である、請求項7または8に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
- 前記中心線平均表面粗さRaは2.5nm以下である、請求項9に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
- 前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有し、
前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは1.8μm以下である、請求項7〜10のいずれか1項に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。 - 前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは1.1μm以下である、請求項11に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
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