JP2018082053A - 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
実施の形態は、上述したチャネル層(p型エピタキシャル層)を結晶成長する構成を前提とする。
2,14 n-型SiC層
3,18 pベース領域(p+層)
4,20 p型炭化珪素結晶膜(反転後のチャネル層)
6 n型打ち返し層
7 n+型ソース層
8 p+型コンタクト層
9 ゲート電極
10 層間絶縁膜
11 ソース電極
12 ドレイン電極
15、16 マスク酸化膜
17 アクセプタイオン
20 p型炭化珪素結晶膜(反転後のn型チャネル層)
Claims (7)
- 0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた炭化珪素結晶基板上に、エピタキシャル成長法にて形成されたp型炭化珪素結晶膜を反転してn型チャネルとして使用される構造を持った炭化珪素結晶の半導体構造を有し、
前記p型炭化珪素結晶膜は、三角形状の表面欠陥密度が1cm-2以下であることを特徴とする炭化珪素半導体素子。 - 前記p型炭化珪素結晶膜のパーティクル起因の欠陥密度が1個/cm2以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体素子。
- 前記p型炭化珪素結晶膜中のp型不純物濃度が4.25×1015/cm3〜5.75×1015/cm3であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体素子。
- 前記p型炭化珪素結晶膜中の窒素濃度が2×1015cm-2以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体素子。
- 0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた炭化珪素結晶基板上に、エピタキシャル成長法によりp型炭化珪素結晶膜を形成する工程と、
前記p型炭化珪素結晶膜を反転してn型チャネルとする反転工程と、を含み、
前記p型炭化珪素結晶膜を形成する工程では、1650℃〜1700℃の温度で加熱することを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。 - 前記p型炭化珪素結晶膜を形成する工程では、加熱時の圧力を8000Pa以下としたことを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体素子の製造方法。
- 前記p型炭化珪素結晶膜を形成する工程では、成膜速度を10μm/h未満としたことを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体素子の製造方法。
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