JP2018046201A5 - - Google Patents

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  1. 第１導電形の第１半導体領域と、
    前記第１半導体領域の上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
    前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
    前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられ、第１方向に延びるゲート電極と、
    前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
    前記第１半導体領域中において前記ゲート電極と離間し、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２絶縁部と、
    前記第１方向に延びる第１絶縁部分を有し、前記第１絶縁部分が前記第２方向において前記ゲート電極と前記第２絶縁部との間に位置し、前記第１半導体領域中において前記ゲート電極および前記第２絶縁部と離間した第３絶縁部と、
    前記第２絶縁部および前記第３絶縁部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第２電極と、
    を備えた半導体装置。
  2. 前記ゲート電極は、前記第２方向において複数設けられ、
    前記第２絶縁部は、前記第１方向において複数設けられ、
    前記第１絶縁部分は、前記第２方向において、前記複数のゲート電極と前記複数の第２絶縁部との間に位置する請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記ゲート電極は、前記第２方向において複数設けられ、
    前記第２絶縁部は、前記第１方向において複数設けられ、
    前記第３絶縁部は、前記第２方向に延びる第２絶縁部分をさらに有し、
    前記第１絶縁部分は、前記第２方向において、前記複数のゲート電極の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置し、
    前記第２絶縁部分は、前記第１方向において、前記複数のゲート電極の他の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置する請求項１記載の半導体装置。
  4. 前記第２絶縁部中に設けられた第１導電部と、
    前記第３絶縁部中に設けられた第２導電部と、
    をさらに備え、
    前記第１導電部は、前記第２方向に延び、
    前記第２導電部は、前記第１絶縁部分中を前記第１方向に延びる第１導電部分を有し、
    前記第１導電部および前記第２導電部は、前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された請求項１記載の半導体装置。
  5. 第１導電形の第１半導体領域と、
    前記第１半導体領域の上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
    前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
    前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられ、第１方向に延びるゲート電極と、
    前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
    前記第１半導体領域中において前記ゲート電極と離間し、前記第１方向に延びる第２絶縁部と、
    前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２絶縁部分を有し、前記第２絶縁部分が前記第１方向において前記ゲート電極と前記第２絶縁部との間に位置し、前記第１半導体領域中において前記ゲート電極および前記第２絶縁部と離間した第３絶縁部と、
    前記第２絶縁部および前記第３絶縁部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第２電極と、
    を備えた半導体装置。
  6. 前記ゲート電極は、前記第２方向において複数設けられ、
    前記第２絶縁部は、前記第２方向において複数設けられ、
    前記第３絶縁部は、前記第１方向に延びる第１絶縁部分をさらに有し、
    前記第１絶縁部分は、前記第２方向において、前記複数のゲート電極の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置し、
    前記第２絶縁部分は、前記第１方向において、前記複数のゲート電極の他の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置する請求項５記載の半導体装置。
  7. 第１導電形の第１半導体領域と、
    前記第１半導体領域の上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
    前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
    前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられたゲート電極と、
    前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
    前記第１半導体領域中において前記ゲート電極と離間し、前記第１半導体領域の一部を囲む環状の第２絶縁部と、
    前記第２絶縁部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第２電極と、
    を備えた半導体装置。
  8. 前記第２絶縁部と離間して前記第１半導体領域中に設けられ、前記第２絶縁部の内側に位置し、前記第１半導体領域の一部を囲む環状の第３絶縁部をさらに備えた請求項７記載の半導体装置。
  9. 前記第２絶縁部中に設けられた環状の第１導電部と、
    前記第３絶縁部中に設けられた環状の第２導電部と、
    をさらに備え、
    前記第１導電部および前記第２導電部は、前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された請求項７または８に記載の半導体装置。
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