JP2018032688A - 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】塗布・現像装置は、処理液を吐出するノズル22と、ノズル22に処理液を供給する処理液供給部30と、コントローラと、を備える。処理液供給部30は、タンク40からノズル22に処理液を導く送液管L1と、送液管L1に設けられたポンプ50と、送液管L1においてタンク40とポンプ50との間に設けられ、タンク40側の第一空間61、ポンプ50側の第二空間62、及び濾材63を含むフィルタ60と、を有する。コントローラ100は、ポンプ50により、濾材63を経て第一空間61側から第二空間62側に処理液を流すように処理液供給部30を制御する第一制御と、第一制御の後、ポンプ50により、濾材63を経て第二空間62側から第一空間61側に処理液を流すように処理液供給部30を制御する第二制御と、を実行するように構成されている。
【選択図】図5
Description
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
続いて、処理モジュール15の液処理ユニットU1について詳細に説明する。図4に示すように、処理モジュール15の液処理ユニットU1は、回転保持機構21と、ノズル22と、処理液供給部30とを備える。
処理液供給部30は、上述のコントローラ100により制御される。以下、処理液供給部30を制御するためのコントローラ100の構成を説明する。
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ100の制御に応じて処理液供給部30が実行する処理液供給手順、フィルタ洗浄手順及びフィルタ立上手順を説明する。
図8に示すように、コントローラ100は、まずステップS01を実行する。ステップS01では、処理液供給制御部111が、吐出開始指令の有無を確認する。吐出開始指令は、コントローラ100の他の機能モジュールにより自動生成されてもよいし、オペレータにより入力されてもよい。例えば吐出開始指令は、液処理ユニットU1内にウェハWが搬入された後に自動生成される。
続いて、ステップS14におけるフィルタ60の洗浄手順について詳述する。図9に示すように、コントローラ100は、まずステップS21を実行する。ステップS21では、処理液供給制御部111が、ポンプ50の液収容室51内に処理液を吸入することで、フィルタ60を経てタンク40側からポンプ50側に処理液を流すように処理液供給部30を制御する。例えば第一逆洗制御部112は、流路切替バルブV21を開き、流路切替バルブV22を閉じ、排液バルブV31を閉じ、送出バルブV2及び還流バルブV3を閉じ、受入バルブV1を開いた状態にて、液収容室51内に処理液を吸入するようにポンプ50を制御する。これにより、フィルタ60を経て、タンク40側からポンプ50側に処理液が流れる。フィルタ60内においては、濾材63を経て、第一空間61側から第二空間62側に処理液が流れる。すなわち、ステップS21も上記第一制御を含む。
フィルタ60の濾材63が交換された後において、最初の処理液供給制御が実行される前に、処理液供給部30は、濾材63に処理液を含浸させる処理を実行する。なお、濾材63に処理液を含浸させることを「フィルタ60を濡らす」といい、基板処理に使用可能なレベルまでフィルタ60を濡らすことを「フィルタ60の立上げ」という。以下、フィルタ60の立上手順を説明する。この手順は、フィルタ60の濾材63が交換された後において、上記ステップS01を最初に実行する前に実行される。
以上に説明したように、塗布・現像装置2は、処理液を吐出するノズル22と、ノズル22に処理液を供給する処理液供給部30と、コントローラ100と、を備える。処理液供給部30は、処理液を収容するタンク40と、タンク40からノズル22に処理液を導く送液管L1と、送液管L1に設けられたポンプ50と、送液管L1においてタンク40とポンプ50との間に設けられ、タンク40側の第一空間61、ポンプ50側の第二空間62、及び第一空間61と第二空間62とを仕切る濾材63を含むフィルタ60と、を有する。コントローラ100は、ポンプ50により、濾材63を経て第一空間61側から第二空間62側に処理液を流すように処理液供給部30を制御する第一制御と、第一制御の後、ポンプ50により、濾材63を経て第二空間62側から第一空間61側に処理液を流すように処理液供給部30を制御する第二制御と、を実行するように構成されている。
Claims (14)
- 処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部と、
コントローラと、を備え、
前記処理液供給部は、
前記処理液を収容するタンクと、
前記タンクから前記ノズルに前記処理液を導く第一管路と、
前記第一管路に設けられたポンプと、
前記第一管路において前記タンクと前記ポンプとの間に設けられ、前記タンク側の第一空間、前記ポンプ側の第二空間、及び前記第一空間と前記第二空間とを仕切る濾材を含むフィルタと、を有し、
前記コントローラは、
前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第一制御と、
前記第一制御の後、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第二制御と、を実行するように構成されている、基板処理装置。 - 前記第二制御は、前記濾材を経て前記第二空間から前記第一空間に流入した前記処理液を、前記フィルタの内圧が高まるのに応じて排出することを含む、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記コントローラは、前記第一空間の内圧と前記第二空間の内圧との差が大きくなるのに応じて前記第二制御を開始するように構成されている、請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給部は、
前記タンク内の前記処理液を前記ポンプ側に加圧する加圧部と、
前記濾材を経ずに前記第一空間と前記第二空間とを接続する第二管路と、を更に有し、
前記コントローラは、
前記第二制御により前記処理液が前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に流れた後に、前記加圧部により加圧された前記処理液を前記第二管路により前記第二空間に導くことで、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第三制御を更に実行するように構成されている、請求項1〜3のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記第三制御は、前記第二空間の内圧が前記タンクの内圧に比較して低くなるのに応じて、前記第二管路を経る前記処理液の流路を開くように前記処理液供給部を制御することを含む、請求項4記載の基板処理装置。
- 前記コントローラは、前記第一制御の前に、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第四制御を更に実行するように構成されている、請求項1〜5のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記コントローラは、前記第一空間の内圧と前記第二空間の内圧との差が小さくなるのに応じて前記第四制御を完了するように構成されている、請求項6記載の基板処理装置。
- 前記コントローラは、前記第四制御の後、前記第一制御の前に、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第五制御を更に実行するように構成されている、請求項6又は7記載の基板処理装置。
- 処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部と、を備え、前記処理液供給部は、前記処理液を収容するタンクと、前記タンクから前記ノズルに前記処理液を導く第一管路と、前記第一管路に設けられたポンプと、前記第一管路において前記タンクと前記ポンプとの間に設けられ、前記タンク側の第一空間、前記ポンプ側の第二空間、及び前記第一空間と前記第二空間とを仕切る濾材を含むフィルタと、を有する基板処理装置を用い、
前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すことと、
前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流した後に、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すことと、を含む基板処理方法。 - 前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すことは、前記濾材を経て前記第二空間から前記第一空間に流入した前記処理液を、前記フィルタの内圧が高まるのに応じて排出することを含む、請求項9記載の基板処理方法。
- 前記第一空間の内圧と前記第二空間の内圧との差が大きくなるのに応じて、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すことから、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すことに実行内容を切り替える、請求項9又は10記載の基板処理方法。
- 前記処理液供給部が、前記タンク内の前記処理液を前記ポンプ側に加圧する加圧部と、
前記濾材を経ずに前記第一空間と前記第二空間とを接続する第二管路と、を更に有する基板処理装置を用い、
前記処理液が前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に流れた後に、前記加圧部により加圧された前記処理液を前記第二管路により前記第二空間に導くことで、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に処理液を流すことを更に含む、請求項9〜11のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記加圧部により加圧された前記処理液を前記第二管路により前記第二空間に導くことで、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に処理液を流すことは、前記第二空間の内圧が前記タンクの内圧に比較して低くなるのに応じて、前記第二管路を経る前記処理液の流路を開くことを含む、請求項12記載の基板処理方法。
- 請求項9〜13のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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