TWI734823B - 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置包含有用以吐出處理液之噴嘴、用以將該處理液供給至該噴嘴之處理液供給部、及控制器。該處理液供給部具有用以收容該處理液之液槽、用以將該處理液從該液槽引導至該噴嘴之第1管路、設於該第1管路之泵、及過濾器，該過濾器在該第1管路設於該液槽與該泵之間並具有該液槽側之第1空間、該泵側之第2空間、及分隔該第1空間與該第2空間之濾材。該控制器執行第1控制及第2控制，該第1控制將該處理液供給部控制成藉由該泵使該處理液從該第1空間側經由該濾材流至該第2空間側，該第2控制於該第1控制後，將該處理液供給部控制成藉由該泵使處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
本揭示係有關於基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體。
於專利文獻1揭示有一種液體處理裝置，該液體處理裝置包含有用以儲存處理液之處理液容器、用以吐出處理液之吐出噴嘴、連接處理液容器與吐出噴嘴之供給管路、設於供給管路之過濾器、設於過濾器之二次側的供給管路之泵、連接泵之吐出側與過濾器之一次側的回流管路。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報2014-140001號
[發明欲解決之課題] 本揭示之目的在於提供對抑制處理液之過濾器的阻塞有效之基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體。 [解決問題之手段]
本揭示之一形態的基板處理裝置包含有用以吐出處理液之噴嘴、用以將處理液供給至噴嘴之處理液供給部、及控制器；處理液供給部具有用以收容處理液之液槽、用以將處理液從液槽引導至噴嘴之第1管路、設於第1管路之泵、及過濾器，該過濾器在第1管路設於液槽與泵之間並具有液槽側之第1空間、泵側之第2空間、及分隔第1空間與第2空間之濾材，控制器執行第1控制及第2控制，該第1控制將處理液供給部控制成以泵使處理液從第1空間側經由濾材流至第2空間側，該第2控制於第1控制後，將處理液供給部控制成以泵使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側。
當控制器執行第1控制時，處理液中之粒子便被捕集至濾材之第1空間側。因此，當僅繼續執行第1控制時，粒子便會積存於濾材之第1空間側，而可能產生過濾器之阻塞。此外，過濾器之阻塞係指無法再容許因積存於濾材之粒子引起的流量之降低的狀態。對此，控制器執行第2控制。由於藉控制器執行第2控制，處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側，故積存於濾材之第1空間側的粒子之至少一部分離開濾材。藉此，可緩和粒子在濾材之第1空間側的積存。因而，對抑制過濾器之阻塞有效。
第2控制亦可具有下列步驟：因應過濾器之內壓增高，而將從第2空間經由濾材流入至第1空間之處理液排出。從第2空間經由濾材流入至第1空間之處理液包含離開濾材之粒子。藉排出此處理液，可抑制離開濾材之粒子再度積存於濾材。因而，對抑制過濾器之阻塞更有效。
控制器亦可因應第1空間之內壓與第2空間之內壓的差增大，而開始第2控制。第1空間之內壓與第2空間之內壓的差(差壓)因應積存於濾材之粒子(以下稱為「積存粒子」)增加而增大。因此，藉因應該差壓增大，而將第1控制切換為第2控制，可因應積存粒子增加，而將第1控制切換為第2控制。藉因應積存粒子增加，而開始第2控制，可提高使積存粒子離開濾材之效果。因而，對抑制過濾器之阻塞更有效。
處理液供給部亦可更具有用以將液槽內之處理液加壓至泵側之加壓部、及在不經由濾材下將第1空間與第2空間連接之第2管路；控制器亦可更執行第3控制，該第3控制在以第2控制使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側後，將處理液供給部控制成藉以第2管路將業經以加壓部加壓之處理液引導至第2空間，而使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側。此時，藉執行第3控制，在執行第2控制後，亦可使處理液繼續從第2空間側流至第1空間側而沖掉粒子。因而，對抑制過濾器之阻塞更有效。
第3控制亦可具有下列步驟：因應第2空間之內壓比液槽之內壓低，而將處理液供給部控制成開啟經由第2管路之處理液的流路。此時，在開始執行第3控制後，可迅速形成從第2空間側至第1空間側之處理液的流動。因而，對抑制過濾器之阻塞更有效。
控制器亦可更執行第4控制，該第4控制於第1控制前，將處理液供給部控制成以泵使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側。宜在剛更換濾材後等，於執行第1控制之前，執行使濾材充分浸漬處理液之製程。以下，將使濾材浸漬處理液稱為「浸濕過濾器」，將濾材浸濕至可用於基板處理之程度稱為「過濾器之起動」。在過濾器起動之際，有從濾材產生粒子之情形。根據上述第4控制，過濾器起動之際，藉使處理液從第2空間側流至第1空間側，可使粒子產生於第1空間側。藉此，可抑制粒子流出至噴嘴側。
控制器亦可因應第1空間之內壓與第2空間之內壓的差減小，而結束第4控制。第1空間之內壓與第2空間之內壓的差(差壓)因應過濾器之浸濕進展而縮小。因此，藉繼續第4控制至該差壓縮小為止，可使過濾器之浸濕充分進展。藉此，可提高第1控制之開始時間點的濾材之利用效率，亦可抑制從濾材產生氣泡。
控制器亦可更執行第5控制，該第5控制於第4控制後，第1控制前，將處理液供給部控制成以泵使處理液從第1空間側經由濾材流至第2空間側。此時，藉第4控制及第5控制之併用，可使過濾器之起動早點結束。
本揭示一形態之基板處理方法使用一種基板處理裝置，該基板處理裝置包含有用以吐出處理液之噴嘴、及用以將處理液供給至噴嘴之處理液供給部；處理液供給部具有用以收容處理液之液槽、用以將處理液從液槽引導至噴嘴之第1管路、設於第1管路之泵、及過濾器，該過濾器在第1管路設於液槽與泵之間，並具有液槽側之第1空間、泵側之第2空間、及分隔第1空間與第2空間之濾材；該基板處理方法包含有下列步驟：以泵使處理液從第1空間側經由濾材流至第2空間側；使處理液從第1空間側經由濾材流至第2空間側後，以泵使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側。
使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側之步驟亦可具有下列步驟：因應過濾器之內壓增高，而將從第2空間經由濾材流入至第1空間之處理液排出。
亦可因應第1空間之內壓與第2空間之內壓的差增大，而將執行內容從使處理液從第1空間側經由濾材流至第2空間側之步驟切換為使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側之步驟。
亦可使用一種基板處理裝置，該基板處理裝置之處理液供給部更具有用以將液槽內之處理液加壓至泵側的加壓部、及在不經由濾材下將第1空間與第2空間連接之第2管路，且亦可更包含有下列步驟：使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側後，藉以第2管路將業經以加壓部加壓之處理液引導至第2空間，而使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側。
藉以第2管路將業經以加壓部加壓之處理液引導至第2空間而使處理液從第2空間側經由濾材流至第1空間側之步驟亦可具有下列步驟：因應第2空間之內壓低於液槽之內壓，而開啟經由第2管路之處理液的流路。
本揭示之一形態的記錄媒體為電腦可讀取之記錄媒體，記錄有用以使裝置執行上述基板處理方法的程式。 [發明的功效]
根據本揭示，可提供對抑制處理液之過濾器的阻塞有效之基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體。
[用以實施發明之形態] 以下，就實施形態，一面參照圖式，一面詳細地說明。在說明中，對同一要件或具有同一功能之要件附上同一符號，而省略重複之說明。
[基板處理系統] 基板處理系統1係對基板施行感光性被膜之形成、該感光性被膜之曝光、及該感光性被膜之顯像的系統。處理對象之基板為例如半導體之晶圓W。感光性被膜為例如抗蝕膜。
基板處理系統1包含有塗佈顯像裝置2及曝光裝置3。曝光裝置3進行形成於晶圓W上之抗蝕膜的曝光處理。具體而言，以浸潤式曝光等方法對抗蝕膜之曝光對象部分照射能量線。塗佈顯像裝置2於曝光裝置3進行曝光處理前，進行於晶圓W之表面形成抗蝕膜之處理，於曝光處理後，進行抗蝕膜之顯像處理。
(塗佈顯像裝置) 以下，說明作為基板處理裝置之一例的塗佈顯像裝置2之結構。如圖1~圖3所示，塗佈顯像裝置2具有載具區塊4、處理區塊5、介面區塊6、控制器100。
載具區塊4進行晶圓W導入至塗佈顯像裝置2內及晶圓W從塗佈顯像裝置2導出。舉例而言，載具區塊4可支撐晶圓W用之複數的載具11，並於內部裝設有交接臂A1。載具11用以收容例如圓形之複數片晶圓W。交接臂A1用以從載具11取出晶圓W，將之遞交至處理區塊5，並從處理區塊5收取晶圓W，將之送回載具11內。
處理區塊5具有複數之處理模組14、15、16、17。如圖2及圖3所示，處理模組14、15、16、17內部裝設有複數之液體處理單元U1、複數之熱處理單元U2、將晶圓W搬送至該等單元之搬送臂A3。處理模組17內部更裝設有在不經由液體處理單元U1及熱處理單元U2下搬送晶圓W之直接搬送臂A6。液體處理單元U1用以將處理液塗佈於晶圓W之表面。熱處理單元U2內部裝設有例如熱板及冷卻板，而可以熱板將晶圓W加熱，以冷卻板將加熱後之晶圓W冷卻來進行熱處理。
處理模組14可以液體處理單元U1及熱處理單元U2於晶圓W之表面上形成下層膜。處理模組14之液體處理單元U1用以將下層膜形成用處理液塗佈於晶圓W上。處理模組14之熱處理單元U2用以進行下層膜之形成所具的各種熱處理。
處理模組15可以液體處理單元U1及熱處理單元U2於下層膜上形成抗蝕膜。處理模組15之液體處理單元U1用以將抗蝕膜形成用處理液塗佈於下層膜上。處理模組15之熱處理單元U2用以進行抗蝕膜之形成所具的各種熱處理。
處理模組16可以液體處理單元U1及熱處理單元U2於抗蝕膜上形成上層膜。處理模組16之液體處理單元U1用以將上層膜形成用處理液塗佈於抗蝕膜上。處理模組16之熱處理單元U2用以進行上層膜之形成所具的各種熱處理。
處理模組17可以液體處理單元U1及熱處理單元U2進行曝光後之抗蝕膜的顯像處理。處理模組17之液體處理單元U1將顯像用處理液(顯像液)塗佈於曝光完畢之晶圓W的表面上後，將此顯像用處理液以清洗用處理液(清洗液)沖掉，藉此，進行抗蝕膜之顯像處理。處理模組17之熱處理單元U2用以進行顯像處理所具的各種熱處理。熱處理之具體例可舉顯像處理前之加熱處理(PEB：Post Exposure Bake：曝光後烘烤)、顯像處理後之加熱處理(PB：Post Bake：後烘)等為例。
於處理區塊5內之載具區塊4側設有架單元U10。架單元U10被區劃成於上下方向排列之複數的格。於架單元U10之附近設有升降臂A7。升降臂A7用以使晶圓W在架單元U10的格彼此之間升降。於處理區塊5內之介面區塊6側設有架單元11。架單元11被區劃成於上下方向排列之複數的格。
介面區塊6用以與曝光裝置3之間進行晶圓W之交接。舉例而言，介面區塊6內部裝設有交接臂A8，並連接於曝光裝置3。交接臂A8用以將配置於架單元U11之晶圓W遞交至曝光裝置3，並從曝光裝置3收取晶圓W將之送回架單元U11。
控制器100將塗佈顯像裝置2控制成以例如以下之程序執行塗佈顯像處理。
首先，控制器100將交接臂A1控制成將載具11內之晶圓W搬送至架單元U10，並將升降臂A7控制成將此晶圓W配置於處理模組14用格。
其次，控制器100將搬送臂A3控制成將架單元U10之晶圓W搬送至處理模組14內之液體處理單元U1及熱處理單元U2，並將液體處理單元U1及熱處理單元U2控制成於此晶圓W之表面上形成下層膜。之後，控制器100將搬送臂A3控制成將形成了下層膜之晶圓W送回架單元U10，並將升降臂A7控制成將此晶圓W配置於處理模組15用格。
接著，控制器100將搬送臂A3控制成將架單元U10之晶圓W搬送至處理模組15內之液體處理單元U1及熱處理單元U2，並將液體處理單元U1及熱處理單元U2控制成於此晶圓W之下層膜上形成抗蝕膜。之後，控制器100將搬送臂A3控制成將晶圓W送回架單元U10，並將升降臂A7控制成將此晶圓W配置於處理模組16用格。
然後，控制器100將搬送臂A3控制成將架單元U10之晶圓W搬送至處理模組16內之液體處理單元U1與熱處理單元U2的各單元，並將液體處理單元U1及熱處理單元U2控制成於此晶圓W之抗蝕膜上形成上層膜。之後，控制器100將搬送臂A3控制成將晶圓W送回架單元U10，並將升降臂A7控制成將此晶圓W配置於處理模組17用格。
接著，控制器100將直接搬送臂A6控制成將架單元U10之晶圓W搬送至架單元U11，並將交接臂A8控制成將此晶圓W送出至曝光裝置3。之後，控制器100將交接臂A8控制成從曝光裝置3接收施行了曝光處理之晶圓W將之送回架單元U11。
然後，控制器100將搬送臂A3控制成將架單元U11之晶圓W搬送至處理模組17內之液體處理單元U1與熱處理單元U2的各單元，並將液體處理單元U1及熱處理單元U2控制成對此晶圓W之抗蝕膜施行顯像處理。之後，控制器100將搬送臂A3控制成將晶圓W送回架單元U10，並將升降臂A7及交接臂A1控制成將此晶圓W送回載具11內。塗佈顯像處理至此完畢。
此外，基板處理裝置之具體結構不限以上所例示之塗佈顯像裝置2的結構。基板處理裝置只要包含有被膜形成用液體處理單元U1(處理模組14、15、16之液體處理單元U1)、及可控制此液體處理單元之控制器100，不論為何種裝置皆可。
(液體處理單元) 接著，就處理模組15之液體處理單元U1詳細地說明。如圖4所示，處理模組15之液體處理單元U1具有旋轉保持機構21、噴嘴22及處理液供給部30。
旋轉保持機構21用以保持作為基板之一例的半導體晶圓W並使其旋轉。旋轉保持機構21具有例如保持部23及旋轉驅動部24。保持部23用以支撐表面Wa朝上並水平配置之晶圓W的中心部，以例如真空吸附等保持該晶圓W。旋轉驅動部24為以例如電動馬達等為動力源之致動器，可使保持部23及晶圓W繞鉛直之旋轉中心旋轉。
噴嘴22用以將處理液吐出至晶圓W之表面Wa。處理液係含有例如感光性抗蝕劑之抗蝕液。噴嘴22配置於晶圓W之上方，而可將處理液吐出至下方。
處理液供給部30將處理液供給至噴嘴22。如圖5所示，處理液供給部30具有液槽40、送液管L1、過濾器60、分離器70、泵50、送液管L2、L3、排液管L4、加壓部80、流路切換閥V21、V22、排液閥V31、吐出閥V33、壓力感測器PS1、PS2。
液槽40用以收容處理液。送液管L1(第1管路)用以將處理液從液槽40引導至噴嘴22。過濾器60、分離器70、及泵50設於送液管L1，並依序從液槽40側排列至噴嘴22側。即，過濾器60在送液管L1設於液槽40與泵50之間。分離器70在送液管L1設於過濾器60與泵50之間。以下，將送液管L1中液槽40與過濾器60之間稱為第1部分L11，將過濾器60與分離器70之間稱為第2部分L12，將分離器70與泵50之間稱為第3部分L13，將泵50與噴嘴22之間稱為第4部分L14。
過濾器60在送液管L1設於液槽40與泵50之間，以去除處理液中之粒子。過濾器60具有液槽40側之第1空間61、泵50側之第2空間62、分隔第1空間61與第2空間62之濾材63。第1空間61連接於送液管L1之第1部分L11，第2空間62連接於送液管L1之第2部分L12。於第1空間61除了第1部分外，還連接有排液管L4。排液管L4(第4管路)將第1空間61內之處理液排出。此外，排出係指將處理液排出至用以將處理液從液槽40側引導至泵50側或從泵50側引導至液槽40側之管路外。
分離器70用以將氣體從處理液分離。
泵50用以壓送處理液。舉例而言，泵50具有液體收容室51、膜片52、接收口53、送出口54、回流口55、接收閥V1、送出閥V2、回流閥V3。液體收容室51收容壓送對象之處理液。膜片52藉使液體收容室51之容積擴大，而將處理液吸入至液體處理室51內，並藉使液體收容室51之容積縮小，而將液體收容室51內之處理液送出至液體收容室51外。
接收口53用以從分離器70側將處理液接收至液體收容室51內。接收口53連接於送液管L1之第3部分L13，並於液體收容室51內開口。送出口54用以從液體收容室51內將處理液送出至噴嘴22側。送出口54連接於送液管L1之第4部分L14，於液體收容室51內開口。回流口55從液體收容室51內將處理液送出至分離器70側。回流口55藉由送液管L3連接於分離器70，並於液體收容室51內開口。送液管L3(第3管路)從溶液收容室51將處理液引導至分離器70。
接收閥V1用以開關從分離器70至泵50之處理液的流路。舉例而言，接收閥V1設於第3部分L13，而可開關第3部分L13內之流路。接收閥V1亦可設於第3部分L13與泵50之連接部，而開關接收口53。
送出閥V2用以開關從泵50至噴嘴22之處理液的流路。舉例而言，送出閥V2設於第4部分L14，而可開關第4部分L14內之流路。送出閥V2亦可設於第4部分L14與泵50之連接部，而開關送出口54。
回流閥V3用以開關從泵50至分離器70之處理液的流路。舉例而言，回流閥V3設於送液管L3，而可開關送液管L3內之流路。回流閥V3亦可設於送液管L3與泵50之連接部，而開關回流口55。
接收閥V1、送出閥V2及回流閥V3只要可開關流路，可為任何閥。具體例可舉氣動閥等為例。
加壓部80用以將液槽40內之處理液加壓至泵50側。舉例而言，加壓部80具有加壓管81、調壓閥V11、加壓閥V12。加壓管81連接加壓源(圖中未示)與液槽40。加壓源用以送出加壓用惰性氣體(例如氮氣)。
調壓閥V11及加壓閥V12設於加壓管81，從加壓源側依序排列至液槽40側。調壓閥V11藉調節從加壓源至液槽40之流路的開度，而調節液槽40之壓力。調壓閥V11只要可調節流路之開度，可為任何閥。具體例可舉電子閥等為例。加壓閥V12藉開關從加壓源至液槽40之流路，而切換以加壓部80加壓液槽40之狀態與不以加壓部80加壓液槽40之狀態。加壓閥V12只要可開關流路，可為任何閥。具體例可舉氣動閥等為例。
送液管L2(第2管路)在不經由過濾器60之濾材63下，連接過濾器60之第1空間61與第2空間62。舉例而言，送液管L2從送液管L1之第1部分L11分歧而連接於分離器70。換言之，送液管L2之一端部藉由第1部分L11連接於第1空間61，送液管L2之另一端部藉由分離器70及送液管L12連接於第2空間62。藉此，第1空間61與第2空間62在不經由濾材63下連接。以下將送液管L2從第1部分L11分歧之部分稱為分歧部J1。
流路切換閥V21在分歧部J1與過濾器60之間設於送液管L1，而可開關送液管L1內之流路。流路切換閥V22設於送液管L2，而可開關送液管L2內之流路。流路切換閥V21、V22只要可開關流路，可為任何閥。具體例可舉氣動閥等為例。
藉流路切換閥V21、V22可切換液槽40與分離器70之間的處理液之流路。舉例而言，藉開啟流路切換閥V21並關閉流路切換閥V22，可將處理液從液槽40經由過濾器60引導至分離器70。又，藉開啟流路切換閥22，並關閉流路切換閥V21，可在不經由過濾器60下，將處理液從液槽40引導至分離器70。再者，藉開啟流路切換閥V21、V22兩者，亦可將處理液從分離器70引導至過濾器60之第1空間61。
排液閥V31設於排液管L4，藉開關排液管L4內之流路，而切換可排出第1空間61內之處理液的狀態與無法排出第1空間61內之處理液的狀態。排液閥V31只要可開關流路，可為任何閥。具體例可舉氣動閥等為例。
吐出閥V33在泵50與噴嘴22之間設於送液管L1(即，設於第4部分L14)，藉開關送液管L1內之流路，而切換可從噴嘴22吐出處理液之狀態與無法從噴嘴22吐出處理液之狀態。
壓力感測器PS1檢測從液槽40側連至第1空間61之流路的內壓。連至第1空間61係指在不經由濾材63下連至第1空間61。舉例而言，壓力感測器PS1在流路切換閥V21與過濾器60之間，設於送液管L1，而檢測送液管L1內之壓力。
壓力感測器PS2檢測從分離器70側連至第2空間62之流路的內壓。此外，連至第2空間62係指在不經由濾材63下連至第2空間62。舉例而言，壓力感測器PS2在過濾器60與分離器70之間設於送液管L1(即，設於第2部分L12)，而檢測送液管L1內之壓力。
(控制器) 處理液供給部30以上述控制器100控制。以下，說明用以控制處理液供給部30之控制器100的結構。
控制器100執行第1控制及第2控制，第1控制係將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側，第2控制係於第1控制後，將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。第2控制亦可具有下列步驟：因應過濾器60之內壓增高，而排出從第2空間62經由濾材63流入至第1空間61之處理液。控制器100亦可因應第1空間61之內壓與第2空間62之內壓的差增大而開始第2控制。
控制器100亦可更執行第3控制，該第3控制在以第2控制使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側後，將處理液供給部30控制成藉以送液管L2將業經以加壓部80加壓之處理液引導至第2空間62，而使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。第3控制具有下列步驟：因應第2空間62之內壓比液槽40之內壓低，而將處理液供給部30控制成開放經由送液管L2之處理液的流路。
控制器100亦可更執行第4控制，該第4控制於第1控制前，將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。控制器100亦可因應第1空間61之內壓與第2空間62之內壓的差減小，而結束第4控制。
如圖6所例示，控制器100具有處理液供給控制部111、第1逆洗控制部112、第2逆流控制部113、起動控制部114作為功能上之模組(以下稱為「功能模組」。)。
處理液供給控制部111執行處理液供給控制。處理液供給控制部111於將處理液供給至晶圓W的表面Wa之際，執行處理液供給控制。處理液供給控制具有下列步驟：將處理液供給部30控制成以泵50將處理液從液槽40經由過濾器60供給至噴嘴22。處理液在通過過濾器60之過程中，從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側。即，處理液供給控制部111包含上述第1控制。
第1逆洗控制部112執行第1逆洗控制。第1逆洗控制部112於處理液供給控制執行中，判斷為需要清洗過濾器60時，便執行第1逆洗控制。第1逆洗控制具有下列步驟：將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。即，第1逆洗控制包含上述第2控制。
第2逆洗控制部113執行第2逆洗控制。第2逆洗控制部113於執行第1逆洗控制後，執行第2逆洗控制。第2逆洗控制具有下列步驟：將處理液供給部30控制成藉以送液管L2將業經以加壓部80加壓之處理液引導至第2空間62，而使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。即，第2逆洗控制包含上述第3控制。
起動控制部114執行起動控制。起動控制部114在更換過濾器60之濾材63後，執行初次之處理液供給控制前，執行起動控制。起動控制具有下列步驟：將處理液供給部30控制成使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。即，起動控制包含上述第4控制。
控制器100以1個或複數之控制用電腦構成。舉例而言，控制器100具有圖7所示之電路120。電路120具有1個或複數之處理器121、記憶體122、儲存器123、輸入輸出埠124、計時器125。輸入輸出埠124與泵50、流路切換閥V21、V22、排液閥V31、及加壓閥V12等之間進行電信號的輸入輸出。計時器125藉計算例如一定週期之基準脈衝，而測量經過時間。
儲存器123具有例如硬碟等可以電腦讀取之記錄媒體。記錄媒體記錄有用以使載具區塊4及處理區塊5執行後述基板處理程序之程式。記錄媒體亦可為非揮發性半導體記憶體、磁碟、及光碟等可取出之媒體。記憶體122暫時記錄從儲存器123之記錄媒體載入的程式及處理器121之運算結果。處理器121藉與記憶體122協作執行上述程式，而構成上述各功能模組。
此外，控制器100之硬體結構未必要限定在以程式構成各功能模組之結構。舉例而言，控制器100之各功能模組亦可以專用之邏輯電路或整合了此邏輯電路之ASIC(Application Specific Integrated Circuit：特定應用積體電路)構成。
[基板處理程序] 接著，說明處理液供給部30按控制器100之控制所執行的處理液供給程序、過濾器清洗程序及過濾器起動程序作為基板處理方法之一例。
(處理液供給程序) 如圖8所示，控制器100首先執行步驟S01。在步驟S01，處理液供給控制部111確認吐出開始指令之有無。吐出開始指令可以控制器100之其他功能模組自動生成，亦可由操作員輸入。舉例而言，吐出開始指令於將晶圓W搬入至液體處理單元U1內後自動生成。
在步驟S01，判斷為無吐出開始指令時，控制器100便將處理液供給部30控制成使處理液在液槽40與泵50之間循環。具體而言，控制器100執行步驟S02~S05。
在步驟S02，處理液供給控制部111將處理液供給部30控制成藉將處理液吸入至泵50之液體收容室51內，而開始使處理液從液槽40側經由過濾器60流至泵50側。舉例而言，處理液供給控制部111在流路切換閥V21開啟、流路切換閥V22關閉、排液閥V31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成開始將處理液吸入至液體收容室51內。藉此，處理液從液槽40側經由過濾器60流至泵50側。在過濾器60內，處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側。即，步驟S02包含上述第1控制。
在步驟S03，第1逆洗控制部112取得有關過濾器60之第1空間61的內壓與第2空間62之內壓的差之資料(以下稱為「差壓資料」。)。舉例而言，第1逆洗控制部112取得壓力感測器PS1之檢測值與壓力感測器PS2之檢測值的差。此差壓資料如後述，用於判定過濾器60之清洗與否。
在步驟S04，處理液供給控制部111將泵50控制成停止將處理液吸入至液體收容室51內。
在步驟S05，處理液供給控制部111將處理液供給部30控制成藉送出液體收容室51內之處理液，而使處理液從泵50側經由送液管L2流至液槽40側。舉例而言，處理液供給控制部111在流路切換閥V21關閉、流路切換閥V22開啟、接收閥V1及送出閥V2關閉、回流閥V3開啟之狀態下，將泵50控制成送出液體收容室51內之處理液。藉此，處理液可經由送液管L3、送液管L2、及送液管L1回流至液槽40。
接著，控制器100使處理前進至後述之步驟S12。
在步驟S01，判定為有吐出開始指令時，控制器100便執行步驟S06~S09。在步驟S06，處理液供給控制部111將處理液供給部30控制成藉將處理液吸入至泵50之液體收容室51內，而開始使處理液從液槽40側經由過濾器60流入至泵50側。舉例而言，處理液供給控制部111在流路切換閥V21開啟、流路切換閥V22關閉、排液閥31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成開始將處理液吸入至液體收容室51內。藉此，處理液從液槽40側經由過濾器60流至泵50側。在過濾器60內，處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側。即，步驟S06亦包含上述第1控制。
在步驟S07，第1逆洗控制部112與步驟S03同樣地，取得差壓資料。
在步驟S08，處理液供給控制部111將泵50控制成停止將處理液吸入至液體收容室51內。
在步驟S09，處理液供給部111將處理液供給部30控制成藉送出液體收容室51內之處理液，而將處理液供給至噴嘴22。舉例而言，處理液供給控制部111在接收閥V1及回流閥V3關閉、送出閥V2開啟、吐出閥V33開啟之狀態下，將泵50控制成送出液體收容室51內之處理液。藉此，處理液可經由送液管L1供給至噴嘴22。
接著，控制器100執行步驟S10。在步驟S10，處理液供給控制部111等待吐出停止指令。吐出停止指令可以控制器100之其他功能模組自動生成，亦可由操作員輸入。舉例而言，吐出停止指令於對晶圓W之處理液塗佈完畢的時間點抑或在此之前或之後自動生成。
接著，控制器100執行步驟S11。在步驟S11，處理液供給控制部111將處理液供給部30控制成停止將處理液供給至噴嘴22。舉例而言，處理液供給控制部111關閉吐出閥V33。藉此，停止將處理液供給至噴嘴22。之後，處理液供給控制部111將處理液供給部30控制成藉送出殘留於液體收容室51內之處理液，而使處理液從泵50側經由送液管L2流至液槽40側。舉例而言，處理液供給控制部111在流路切換閥V21關閉、流路切換閥V22開啟、接收閥V1及送出閥V2關閉、回流閥V3開啟之狀態下，將泵50控制成送出殘留於液體收容室51內之處理液。藉此，處理液可經由送液管L3、送液管L2及送液管L1回流至液槽40。
然後，控制器100執行步驟S12。在步驟S12，處理液供給控制部111確認1組晶圓W之液體處理是否已完畢。1組晶圓W可為1片晶圓W，亦可為複數片晶圓W。舉例而言，1組晶圓W可為同一批之複數片晶圓W，亦可為收容於1個載具11之複數片晶圓W。
在步驟S12，當判定為1組晶圓W之液體處理未完畢時，控制器100便使處理返回步驟S01。之後，在1組晶圓W之液體處理完畢前，皆無吐出開始指令時，便使處理液循環，而有吐出開始指令時，則反覆將處理液供給至噴嘴22。
在步驟S12，當判定為1組晶圓W之液體處理完畢時，控制器100便執行步驟S13。在步驟S13，第1逆洗控制部12確認在步驟S03或步驟S07所取得之差壓資料的值(以下將此稱為「差壓」。)是否為第1閾值以上。第1閾值依據濾材63之粒子的積存程度與差壓之關聯，預先設定。該關聯可以實驗或模擬等掌握。
在步驟S13，當判定為差壓非第1閾值以上時，控制器100便使處理前進至後述之步驟S15。
在步驟S13中，當判定差壓為第1閾值以上時，控制器100便執行步驟S14。在步驟S14，第1逆洗控制部112及第2逆洗控制部113執行過濾器60之清洗處理。其具體之程序後述。
接著，控制器100執行步驟S15。在步驟S15，處理液供給控制部111確認所有晶圓W之液體處理是否已完畢。在步驟S15，當判定為所有晶圓W之液體處理未完畢時，控制器100便使處理返回至步驟S01。在步驟S15，當判定為所有晶圓W之液體處理完畢時，控制器100則結束處理。
(過濾器清洗程序) 然後，就步驟S14之過濾器60的清洗程序詳述。如圖9所示，控制器100首先執行步驟S21。在步驟S21，處理液供給控制部111將處理液供給部30控制成藉將處理液吸入至泵50之液體收容室51內，而使處理液從液槽40側經由過濾器60流至泵50側。舉例而言，第1逆洗控制部112在流路切換閥V21開啟、流路切換閥V22關閉、排液閥V31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成將處理液吸入至液體收容室51內。藉此，處理液從液槽40側經由過濾器60流至泵50側。在過濾器60內，處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側。即，步驟S21亦包含上述第1控制。
接著，控制器100執行上述第1逆洗控制(第2控制)。舉例而言，控制器100執行步驟S22~S24。
在步驟S22，第1逆洗控制部112將處理液供給部30控制成藉送出液體收容室51內之處理液，而開始使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。舉例而言，第1逆洗控制部112在流路切換閥V21關閉、流路切換泵V22關閉、排液閥V31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成送出液體收容室51內之處理液。藉此，處理液經由送液管L1加壓過濾器60之第2空間62內，從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側，亦加壓第1空間61內。
在步驟S23，第1逆洗控制部112等待儲存有處理液的第1空間61之內壓達到第2閾值以上。就形成適合過濾器60之清洗的流動之觀點而言，可以事前之條件訂定或模擬適宜設定第2閾值。此外，在步驟S23，亦可等待儲存有處理液的第2空間62之內壓達到預定閾值以上。
在步驟S24，第1逆洗控制部112將處理液供給部30控制成排出從第2空間62經由濾材63流入至第1空間61之處理液。舉例而言，第1逆洗控制部112開啟排液閥V31，開始經由排液管L4之處理液的排出。藉此，處理液繼續從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。
接著，控制器100執行步驟S25。在步驟S25，第2逆洗控制部113將處理液供給部30控制成開始加壓部80所行之處理液的加壓。舉例而言，第2逆洗控制部113在流路切換閥V21、V22關閉之狀態下，開啟加壓閥V12。
然後，控制器100因應第2空間62之內壓比液槽40之內壓低，而將上述第1逆洗控制(第2控制)切換成上述第2逆洗控制(第3控制)。舉例而言，控制器100執行步驟S26~S28。
在步驟S26，第1逆洗控制部112將處理液供給部30控制成以泵50停止使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。舉例而言，第1逆洗控制部112將泵50控制成停止從液體收容室51內送出處理液，並關閉接收閥V1。
在步驟S27，第2逆洗控制部113等待第2空間62之內壓達到未滿液槽40之內壓。第2空間62之內壓是否達到未滿液槽40之內壓可依據例如壓力感測器PS2之檢測值是否達到未滿液槽40之內壓的設定值來確認。當判定為壓力感測器PS2之檢測值達到未滿液槽40之內壓的設定值時，控制器100便執行步驟S28，開始上述第2逆洗控制。
在步驟S28，第2逆洗控制部113將處理液供給部30控制成開啟經由送液管L2(第2管路)之流路。舉例而言，第2逆洗控制部113開啟流路切換閥V22。當流路切換閥V22開啟時，業經以加壓部80加壓之處理液便從液槽40側經由送液管L2流至分離器70側，經由分離器70流入至第2空間62內。藉此，處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。
接著，控制器100執行步驟S29。在步驟S29，第2逆洗控制部113等待預定時間經過。就充分洗淨過濾器60之觀點而言，可以事前之條件訂定或模擬適宜設定預定時間。
然後，控制器100執行步驟S30。在步驟S30，第2逆洗控制部113關閉經由送液管L2(第2管路)之流路，並將處理液供給部30控制成停止排出第1空間61內之處理液。舉例而言，第2逆洗控制部113關閉流路切換閥V22，並關閉排液閥V31。過濾器60之清洗程序至此完畢。
此外，以上之程序為一例，可適宜變更。舉例而言，只要在執行步驟S22後，且在執行步驟S27前，可在任一時間點，執行步驟S25。
(過濾器起動程序) 在更換過濾器60之濾材63後，執行初次之處理液供給程序前，處理液供給部30執行使濾材63浸漬處理液之處理。此外，使濾材63浸漬處理液係指「浸濕過濾器60」，將過濾器60浸濕至可用於基板處理之程度稱為「過濾器60之起動」。以下，說明過濾器60之起動程序。此程序在更換過濾器60之濾材63後，在初次執行上述步驟S01前執行。
如圖10所示，控制器100首先執行步驟S41。在步驟S41，起動控制部114藉將處理液吸入至泵50之液體收容室51內，使處理液從液槽40側經由送液管L2(不經由過濾器60)流至泵50側。舉例而言，起動控制部114在流路切換閥V21關閉、流路切換閥V22開啟、排液閥V31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成將處理液吸入至液體收容室51內。藉此，處理液從液槽40側經由送液管L2流至泵50側。
接著，控制器100執行步驟S42。在步驟S42，起動控制部114將處理液供給部30控制成藉送出液體收容室51內之處理液，而開始使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。舉例而言，起動控制部114在流路切換閥V21關閉、流路切換閥V22關閉、排液閥V31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成送出液體收容室51內之處理液。藉此，處理液經由送液管L1將過濾器60之第2空間62內加壓，從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側，亦將第1空間61內加壓。藉此，處理液從第2空間62側浸漬濾材63。
然後，控制器100執行步驟S43。在步驟S43，起動控制部114等待第1空間61側之處理液的內壓達到第3閾值以上。就形成適合過濾器60之起動的流動之觀點而言，可以事前之條件訂定或模擬適宜設定第3閾值。第3閾值亦可與第2閾值相同。
接著，控制器100執行步驟S44。在步驟S44，起動控制部114將處理液供給部30控制成排出從第2空間62經由濾材63流入至第1空間61之處理液。舉例而言，起動控制部114開啟排液閥V31，開始經由排液管L4之處理液的排出。藉此，處理液繼續從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。
之後，控制器100執行步驟S45。在步驟S45，起動控制部114與步驟S03同樣地取得差壓資料。
然後，控制器100執行步驟S46。在步驟S46，起動控制部114將處理液供給部30控制成以泵50停止使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。舉例而言，起動控制部114將泵50控制成停止從液體收容室51內送出處理液。
接著，控制器100執行步驟S47。在步驟S47，確認在步驟S45所取得之差壓資料的值(以下將此稱為「差壓」。)是否為第4閾值以下。第4閾值依過濾器60之浸濕的程度與差壓之關聯，預先設定。該關聯可以實驗或模擬等掌握。
在步驟S47，當判定為差壓大於第4閾值時，控制器100使處理返回至步驟S41。之後，在差壓達到第4閾值以下前，反覆進行使處理液從液槽40側經由送液管L2流至泵50側之步驟及使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側之步驟。
在步驟S47，當判定為差壓為第4閾值以下時，控制器100便結束過濾器60之起動程序。
此外，以上之程序為一例，可適宜變更。控制器100亦可更執行第5控制，該第5控制於第4控制後，第1控制前，將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側。即，上述起動控制亦可於第4控制後，更具有第5控制。舉例而言，起動控制部114亦可於步驟S41~S47之後，更執行下列步驟：將處理液控制部30控制成藉將處理液吸入至泵50之液體收容室51內，使處理液從液槽40側經由過濾器60流至泵50側。更具體而言，起動控制部114亦可於上述步驟S41~S47後，在流路切換閥V21開啟、流路切換閥V22關閉、排液閥V31關閉、送出閥V2及回流閥V3關閉、接收閥V1開啟之狀態下，將泵50控制成將處理液吸入至液體收容室51內。
[本實施形態之效果] 如以上所說明，塗佈顯像裝置2包含有用以吐出處理液之噴嘴22、用以將處理液供給至噴嘴22之處理液供給部30、及控制器100。處理液供給部30具有用以收容處理液之液槽40、用以將處理液從液槽40引導至噴嘴22之送液管L1、設於送液管L1之泵50、及過濾器60，該過濾器在送液管L1設於液槽40與泵50之間，並具有液槽40側之第1空間61、泵50側之第2空間62、及分隔第1空間61與第2空間62之濾材63。控制器100執行第1控制及第2控制，該第1控制將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側，該第2控制於該第1控制後，將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。
當控制器100執行第1控制時，處理液中之粒子便被捕集至濾材63之第1空間61側。因此，當僅繼續執行第1控制時，粒子便會積存於濾材63之第1空間61側，而可能產生過濾器60之阻塞。此外，過濾器60之阻塞係指無法再容許因積存於濾材63之粒子引起的流量之降低的狀態。對此，控制器100執行第2控制。由於藉控制器100執行第2控制，處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側，故積存於濾材63之第1空間61側的粒子之至少一部分離開濾材63。藉此，可緩和粒子在濾材63之第1空間61側的積存。因而，對抑制過濾器60之阻塞有效。
第2控制亦可具有下列步驟：因應過濾器60之內壓增高，而將從第2空間62經由濾材63流入至第1空間61之處理液排出。從第2空間62經由濾材63流入至第1空間61之處理液包含離開濾材63之粒子。藉排出此處理液，可抑制離開濾材63之粒子再度積存於濾材63。因而，對抑制過濾器60之阻塞更有效。
控制器100亦可因應第1空間61之內壓與第2空間62之內壓的差增大，而開始第2控制。第1空間61之內壓與第2空間62之內壓的差(以下將此稱為「差壓」。)因應積存於濾材63之粒子(以下將此稱為「積存粒子」。)增加而增大。因此，藉因應該差壓增大，而開始第2控制，可因應積存粒子增加，而將第1控制切換為第2控制。藉因應積存粒子增加，而將第1控制切換為第2控制，可提高使積存粒子離開濾材63之效果。因而，對抑制過濾器60之阻塞更有效。
處理液供給部30亦可更具有用以將液槽40內之處理液加壓至泵50側之加壓部80、及在不經由濾材63下將第1空間61與第2空間62連接之送液管L2。控制器100亦可更執行第3控制，該第3控制在以第2控制使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側後，將處理液供給部30控制成藉以送液管L2將業經以加壓部80加壓之處理液引導至第2空間62，而使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。此時，藉執行第3控制，在執行第2控制後，亦可使處理液繼續從第2空間62側流至第1空間61側而沖掉粒子。因而，對抑制過濾器60之阻塞更有效。
第3控制亦可具有下列步驟：因應第2空間62之內壓比液槽40之內壓低，而將處理液供給部30控制成開啟經由送液管L2之處理液的流路。此時，在開始執行第3控制後，可迅速形成處理液從第2空間62側至第1空間61側之流動。因而，對抑制過濾器之阻塞更有效。
控制器100亦可更執行第4控制，該第4控制於第1控制前，將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第2空間62側經由濾材63流至第1空間61側。在過濾器60起動之際，有從濾材63產生粒子之情形。根據上述第4控制，過濾器60起動之際，藉使處理液從第2空間62側流至第1空間61側，可使粒子產生於第1空間61側。藉此，可抑制粒子流出至噴嘴22側。
控制器100亦可因應第1空間61之內壓與第2空間62之內壓的差減小，而結束第4控制。第1空間61之內壓與第2空間62之內壓的差(差壓)因應過濾器60之浸濕進展而縮小。因此，藉繼續第4控制至該差壓縮小為止，可使過濾器60之浸濕充分進展。藉此，可提高第1控制之開始時間點的濾材63之利用效率，亦可抑制從濾材63產生氣泡。
控制器100亦可更執行第5控制，該第5控制於第4控制後，第1控制前，將處理液供給部30控制成以泵50使處理液從第1空間61側經由濾材63流至第2空間62側。此時，藉第4控制及第5控制之併用，可使過濾器60之起動早點結束。
此外，在本實施形態中，在複數之用途活用了壓力感測器PS1、PS2。具體而言，將壓力感測器PS1、PS2之檢測結果用於步驟S13之過濾器60清洗與否的判斷、步驟S23之處理液排出的開始時間點調整、步驟S27之第2逆洗控制(第3控制)之開始時間點調整、步驟S43之處理液排出的開始時間點調整及起動控制(第4控制)之完畢時間點調整。如此，當設可檢測與過濾器60之第1空間61側及第2空間62側至少一者的內壓相關之壓力的感測器時，可將該感測器之檢測資訊利用於各種條件判斷。再者，將共通之感測器活用於複數之用途有助於抑制裝置結構之複雜化並且謀求提高性能(過濾器60之阻塞抑制及過濾器60之起動時間的縮短)。
以上，就實施形態作了說明，本發明未必限於上述實施形態，可在不脫離其要旨之範圍進行各種變更。舉例而言，在實施形態中，顯示了將處理液供給程序、過濾器清洗程序、及過濾器起動程序應用於處理模組15的液體處理單元U1之例，亦可應用於處理模組14、16、17之液體處理單元U1。又，處理對象之基板不限半導體晶圓，亦可為例如玻璃基板、光罩基板、FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)等。
2‧‧‧塗佈顯像裝置(基板處理裝置)3‧‧‧曝光裝置4‧‧‧載具區塊5‧‧‧處理區塊6‧‧‧介面區塊11‧‧‧載具14‧‧‧處理模組15‧‧‧處理模組16‧‧‧處理模組17‧‧‧處理模組21‧‧‧旋轉保持機構22‧‧‧噴嘴23‧‧‧保持部24‧‧‧旋轉驅動部30‧‧‧處理液供給部40‧‧‧液槽50‧‧‧泵51‧‧‧液體收容室52‧‧‧膜片53‧‧‧接收口54‧‧‧送出口55‧‧‧回流口60‧‧‧過濾器61‧‧‧第1空間62‧‧‧第2空間63‧‧‧濾材70‧‧‧分離器80‧‧‧加壓部81‧‧‧加壓管100‧‧‧控制器111‧‧‧處理液供給控制部112‧‧‧第1逆洗控制部113‧‧‧第2逆洗控制部114‧‧‧起動控制部120‧‧‧電路121‧‧‧處理器122‧‧‧記憶體123‧‧‧儲存器124‧‧‧輸入輸出埠125‧‧‧計時器A1‧‧‧交接臂A3‧‧‧搬送臂A6‧‧‧直接搬送臂A7‧‧‧升降臂A8‧‧‧交接臂J1‧‧‧分歧部L1‧‧‧送液管(第1管路)L2‧‧‧送液管(第2管路)L3‧‧‧送液管L4‧‧‧排液管L11‧‧‧第1部分L12‧‧‧第2部分L13‧‧‧第3部分L14‧‧‧第4部分PS1‧‧‧壓力感測器PS2‧‧‧壓力感測器S01‧‧‧步驟S02‧‧‧步驟S03‧‧‧步驟S04‧‧‧步驟S05‧‧‧步驟S06‧‧‧步驟S07‧‧‧步驟S08‧‧‧步驟S09‧‧‧步驟S10‧‧‧步驟S11‧‧‧步驟S12‧‧‧步驟S13‧‧‧步驟S14‧‧‧步驟S15‧‧‧步驟S21‧‧‧步驟S22‧‧‧步驟S23‧‧‧步驟S24‧‧‧步驟S25‧‧‧步驟S26‧‧‧步驟S27‧‧‧步驟S28‧‧‧步驟S29‧‧‧步驟S30‧‧‧步驟S41‧‧‧步驟S42‧‧‧步驟S43‧‧‧步驟S44‧‧‧步驟S45‧‧‧步驟S46‧‧‧步驟S47‧‧‧步驟U1‧‧‧液體處理單元U2‧‧‧熱處理單元U10‧‧‧架單元U11‧‧‧架單元V1‧‧‧接收閥V2‧‧‧送出閥V3‧‧‧回流閥V11‧‧‧調壓閥V12‧‧‧加壓閥V21‧‧‧流路切換閥V22‧‧‧流路切換閥V31‧‧‧排液閥V33‧‧‧吐出閥W‧‧‧晶圓Wa‧‧‧表面
圖1係基板處理系統之立體圖。 圖2係沿著圖1中之II-II線的截面圖。 圖3係沿著圖2中之III-III線的截面圖。 圖4係塗佈單元之示意圖。 圖5係處理液供給部之示意圖。 圖6係顯示控制器之功能上的結構之方塊圖。 圖7係顯示控制器之硬體結構的方塊圖。 圖8係顯示處理液供給程序之流程圖。 圖9係顯示過濾器之清洗程序的流程圖。 圖10係顯示過濾器之起動程序的流程圖。
22‧‧‧噴嘴
30‧‧‧處理液供給部
40‧‧‧液槽
50‧‧‧泵
51‧‧‧液體收容室
52‧‧‧膜片
53‧‧‧接收口
54‧‧‧送出口
55‧‧‧回流口
60‧‧‧過濾器
61‧‧‧第1空間
62‧‧‧第2空間
63‧‧‧濾材
70‧‧‧分離器
80‧‧‧加壓部
81‧‧‧加壓管
J1‧‧‧分歧部
L1‧‧‧送液管(第1管路)
L2‧‧‧送液管(第2管路)
L3‧‧‧送液管
L4‧‧‧排液管
L11‧‧‧第1部分
L12‧‧‧第2部分
L13‧‧‧第3部分
L14‧‧‧第4部分
PS1‧‧‧壓力感測器
PS2‧‧‧壓力感測器
V1‧‧‧接收閥
V2‧‧‧送出閥
V3‧‧‧回流閥
V11‧‧‧調壓閥
V12‧‧‧加壓閥
V21‧‧‧流路切換閥
V22‧‧‧流路切換閥
V31‧‧‧排液閥
V33‧‧‧吐出閥

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，包含：噴嘴，用以吐出處理液；處理液供給部，用以將該處理液供給至該噴嘴；及控制器；該處理液供給部包含：液槽，用以收容該處理液；第1管路，用以將該處理液從該液槽引導至該噴嘴；泵，設於該第1管路；過濾器，其在該第1管路中設於該液槽與該泵之間，並具有該液槽側之第1空間、該泵側之第2空間、及分隔該第1空間與該第2空間之濾材；該控制器用來執行第1控制及第2控制，該第1控制將該處理液供給部控制成：藉由該泵使該處理液從該第1空間側經由該濾材流至該第2空間側，該第2控制於該第1控制後，將該處理液供給部控制成：藉由該泵使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側，並因應該過濾器之內壓增高，而將從該第2空間經由該濾材流入至該第1空間之該處理液排出。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制器因應該第1空間之內壓與該第2空間之內壓的差增大，而開始進行該第2控制。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該處理液供給部更具有：加壓部，用以將該液槽內之該處理液加壓至該泵側；及第2管路，不經由該濾材而連接該第1空間與該第2空間；該控制器更執行第3控制，該第3控制在以該第2控制使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側後，將該處理液供給部控制成：藉由將業經該加壓部加壓過之該處理液以該第2管路引導至該第2空間，而使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，該第3控制包含：因應該第2空間之內壓比該液槽之內壓低，而將該處理液供給部控制成：使經由該第2管路之該處理液的流路開啟。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制器更執行第4控制，該第4控制於該第1控制前，將該處理液供給部控制成：藉由該泵使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該控制器因應該第1空間之內壓與該第2空間之內壓的差減小，而結束該第4控制。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該控制器更執行第5控制，該第5控制於該第4控制後、該第1控制前，將該處理液供給部控制成：藉由該泵使該處理液從該第1空間側經由該濾材流至該第2空間側。
  8. 一種基板處理方法，其使用一種基板處理裝置，該基板處理裝置包含有：噴嘴，用以吐出處理液；及處理液供給部，用以將該處理液供給至該噴嘴；該處理液供給部具有：液槽，用以收容該處理液；第1管路，用以將該處理液從該液槽引導至該噴嘴；泵，設於該第1管路；及過濾器，在該第1管路中設於該液槽與該泵之間，並具有該液槽側之第1空間、該泵側之第2空間、及分隔該第1空間與該第2空間之濾材；該基板處理方法包含有下列步驟：藉由該泵使該處理液從該第1空間側經由該濾材流至該第2空間側；於使該處理液從該第1空間側經由該濾材流至該第2空間側後，藉由該泵使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側，並因應該過濾器之內壓增高，而將從該第2空間經由該濾材流入至該第1空間之該處理液排出。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中， 因應該第1空間之內壓與該第2空間之內壓的差增大，而將執行內容從使該處理液從該第1空間側經由該濾材流至該第2空間側之步驟切換為使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側之步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，使用一種基板處理裝置，該基板處理裝置之該處理液供給部更包含：用以將該液槽內之該處理液加壓至該泵側的加壓部、及不經由該濾材而將該第1空間與該第2空間連接之第2管路，該基板處理方法更包含有下列步驟：在使該處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側後，藉由以該第2管路將業經該加壓部加壓過之該處理液引導至該第2空間，而使該處理液經由該濾材從該第2空間側流至該第1空間側。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，藉由以該第2管路將業經該加壓部加壓過之該處理液引導至該第2空間而使處理液從該第2空間側經由該濾材流至該第1空間側之步驟包含下列步驟：因應該第2空間之內壓低於該液槽之內壓，而使經由該第2管路之該處理液的流路開啟。
  12. 一種電腦可讀取之記錄媒體，記錄有用以使裝置執行如申請專利範圍第8項之基板處理方法的程式。
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