JP2017536574A - 非平面状の構造的特徴および無アルカリガラス要素を有するガラス物品 - Google Patents

Abstract

電子デバイスアセンブリは、実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さとを有する背面板を含む。当該背面板の主要面は、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さへの事前の材料除去によって特徴付けられる。当該アセンブリはさらに、当該背面板の第一主要面上における保護層、および当該背面板の第二主要面上における複数の電子部品も含む。さらに、当該背面板は、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する少なくとも一つの静的屈曲で構成される。当該電子デバイスアセンブリの電子部品は、少なくとも一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子を含むことができる。

Description

関連出願の相互参照

本出願は、米国特許法第１１９条の下、２０１４年１１月５日に出願された米国特許仮出願第６２／０７５，５９９号明細書に対する優先権の恩典を主張するものであり、なお、本出願は当該仮出願の内容に依拠し、ならびに当該仮出願の全体は参照により本明細書に組み入れられる。

本開示は、概して、一つまたは複数の静的な非平面状の構造的特徴を有する、ガラス物品、スタックアセンブリ、および電子デバイスアセンブリ、ならびにそれらを製造する様々な方法に関する。より詳しくは、本開示は、無アルカリガラス要素を含むこれらの物品およびアセンブリの変更例、ならびにそれらを製造する方法に関する。

従来的は本質的に剛性および／または平坦である製品および構成要素の可撓性で湾曲した変更例が、新しい用途のために概念化されている。例えば、可撓性電子デバイスは、薄く軽量で可撓性の特性を提供することができ、それらは、新しい用途、例えば、湾曲したディスプレイおよびウエラブルデバイスなどのための機会を提供する。これらの可撓性の電子デバイスの多くが、これらのデバイスの電子部品の保持および取り付けのために、可撓性の基材を必要としている。ポリマー箔は、疲労破損に対する耐性を含むいくつかの利点を有するが、周辺部光透過性、熱安定性の不足、および限られた気密性という弱点を抱えている。ポリマー箔が電子デバイスの背面板または基板として用いられる場合、それらにおける限られた耐熱性により、これらのデバイスに用いられる電子部品の処理および製造が著しく制限される。

静的な非平面状の構造的特徴を有するこれらの電子デバイスのいくつかも、可撓性ディスプレイを利用することができる。例えば、これらの静的な非平面状の構造的特徴は、斜角を付けた端部、当該ディスプレイを収容するデバイスの長さ方向における湾曲、当該ディスプレイを収容するデバイスの幅方向における湾曲、ならびに湾曲した、屈曲した、または非平面状のディスプレイの構造的特徴の他の変化を有するディスプレイを構成することができる。光透過性および熱安定性は、多くの場合、可撓性ディスプレイ用途にとって重要な特性である。さらに、静的な非平面状の構造的特徴を有する可撓性ディスプレイは、特に、実質的な湾曲を有する一つまたは複数の表面を伴う、タッチスクリーン機能を有する可撓性ディスプレイの場合、小さい曲げ半径での破損に対する抵抗性を含む、高い静的疲労抵抗性および貫入抵抗性を有していなければならない。

従来の可撓性ガラス材料は、一つまたは複数の静的な非平面状の構造的特徴を有する基板および／またはティスプレイ用途にとって必要とされる特性の多くを提供する。しかしながら、これらの用途にガラス材料を利用する努力は、これまで、ほとんど成功していない。一般的に、ガラス基板は、非常に低い厚さレベル（＜２５μｍ）に製造することにより、さらに小さい曲げ半径を達成することができる。しかしながら、これらの「薄い」ガラス基板は、限られた貫入抵抗性という欠点を抱えている。同時に、より厚いガラス基板（＞１５０μｍ）は、より良好な貫入抵抗性を有するように製造することができるが、これらの基板は、一つまたは複数の静的な非平面形状への屈曲の際の好適な静的疲労抵抗性および機械的信頼性を欠いている。さらに、いくつかの従来のガラス基板組成物は、比較的高いアルカリイオンレベルを有するという欠点を有する。これらの組成物で作製されたガラス基板は、これらの基板上に取り付けられた電子デバイスおよび電子部品の性能を低下させ得るアルカリイオンの移動に影響を受けやすい。

したがって、特に非平面形状の電子デバイス用途のための、一つまたは複数の静的な非平面状の構造的特徴を有する、背面板、基板、および／またはディスプレイ用途における信頼性の高い使用のための、ガラス材料、部品、およびアセンブリが必要とされている。

ある態様により、実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さとを有する背面板を含む、電子デバイスアセンブリが提供される。当該背面板はさらに、第一主要面および第二主要面を有する。当該主要面は、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さへの事前の材料除去によって特徴付けられる。当該アセンブリはさらに、当該背面板の第一主要面上における保護層、および当該背面板の第二主要面上の複数の電子部品を含む。さらに、当該背面板は、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する少なくとも一つの静的屈曲で構成される。いくつかの場合において、当該背面板の曲げ半径は、約１５ｍｍから約５ｍｍの間に設定することができる。いくつかの実践形態により、当該電子デバイスアセンブリの電子部品は、少なくとも一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子、または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子を含む。

本開示のある特定の態様において、当該電子デバイスアセンブリはさらに、複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さと、第一主要面と、第二主要面と、背面板の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲とを有するカバーも含む。当該カバーはさらに、少なくとも９０％の光透過率および第一主要面を有する第一ガラス層、ならびに当該第一ガラス層の当該第一主要面から当該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第一ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域も含む。当該カバーはさらに、当該カバーの第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性と、８Ｈ以上の鉛筆硬度とによって特徴付けられる。

追加の態様により、当該電子デバイスアセンブリはさらに、複数の電子部品を覆うカバーであって、あるガラス組成、および背面板の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴を有するカバーも含む。当該カバーは、少なくとも９０％の光透過率と、当該カバーの第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性と、８Ｈ以上の鉛筆硬度とによっても特徴付けられる。

本開示の電子デバイスアセンブリのある特定の態様において、当該アセンブリはさらに、カバーの下方に位置されかつ背面板に接合された封入材であって複数の電子部品を封入するように構成された封入材も含む。当該電子デバイスアセンブリのいくつかの実践形態は、カバーの下方にありかつ背面板に接合された封入材であって複数の電子部品を封入するように構成された封入材を含む。さらに、当該封入材は、約２５μｍから約１２５μｍの厚さを有し、さらに、（ａ）少なくとも９０％の光透過率および第一主要面を有する第二ガラス層と、（ｂ）第二ガラス層の第一主要面から第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第二ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域とを含む。当該封入材はさらに、背面板の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴によって特徴付けられる。

本開示のさらなる態様において、当該電子デバイスアセンブリはさらに、カバーの下方に位置されかつ背面板に接合された封入材であって、さらに複数の電子部品を封入するように構成された封入材と、当該封入材の第一主要面上の保護層とを含むことができる。この態様において、当該封入材はさらに、実質的にアルカリイオンを含有せず、少なくとも９０％の光透過率を有するガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さと、第一主要面と、第二主要面とによって特徴付けられ、この場合、当該主要面は、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから該最終厚さへの事前の材料除去によって特徴付けられる。当該封入材はさらに、背面板の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する、少なくとも一つの湾曲した構造的特徴または静的屈曲によって特徴付けられる。

追加の態様により、実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さ、第一主要面、および第二主要面を有する背面板を形成するステップと、当該背面板の初期厚さから材料を除去することによって最終厚さを画定するステップであって、当該最終厚さが約２０μｍから約１００μｍであるステップとを含む、電子デバイスアセンブリを形成する方法が提供される。当該方法はさらに、当該背面板の第一主要面上に保護層を形成するステップと、当該背面板の第二主要面上に複数の電子部品を配設するステップと、当該背面板の第二主要面上に複数の電子部品を配設するステップの後に当該背面板において少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップであって、当該静的屈曲が約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有するステップも含む。

電子デバイスアセンブリを形成する方法のある特定の態様において、当該方法はさらに、複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さと、第一主要面と、第二主要面とを有するカバーを形成するステップを含むことができる。当該カバーはさらに、少なくとも９０％の光透過率および第一主要面を有する第一ガラス層と、当該第一ガラス層の当該第一主要面から当該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第一ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域とを含む。当該カバーはさらに、当該カバーの第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性と、ならびに８Ｈ以上の鉛筆硬度とによっても特徴付けられる。当該方法はさらに、当該カバーを屈曲させて、背面板における静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップも含む。

電子デバイスアセンブリを形成する方法のある特定の態様において、当該方法は、封入材を背面板に密封接着するステップ、および当該封入材によって複数の電子部品を封入するステップを含む。いくつかの実施形態により、当該封入材は、約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、少なくとも９０％の光透過率を有する第二ガラス層、第一主要面、および第二主要面を含む。当該封入材はさらに、当該第二ガラス層の第一主要面から当該第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第二ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域と、背面板における静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴とを含む。ある特定の態様は、当該背面板に当該封入材を密封接着するステップの前に、当該封入材を屈曲させて少なくとも一つの湾曲した構造的特徴を形成するステップを含み得る。先述の方法の別の態様において、当該密封接着するステップは、当該背面板に当該封入材をフリットシーリングするステップを含む。

さらなる特徴および利点は以下の詳細な説明において述べられ、ある程度は、当業者にはその説明から容易に明らかとなるであろうし、あるいは、以下の詳細な説明、特許請求の範囲および添付図面も含む、本明細書において説明されるような実施形態を実施することによって認められるであろう。

上述の全般的説明および以下の詳細な説明の両方は、単なる例示であり、特許請求の範囲の本質および特質を理解するための概要または枠組みを提供することを意図していることは理解されたい。添付の図面は、さらなる理解を提供するために含められており、本明細書に組み込まれて本明細書の一部を成すものである。当該図面は、一つまたは複数の実施形態を例示するものであり、説明と共に、様々な実施形態の原理および作用を説明するのに役に立つ。本明細書において使用される方向を示す用語、例えば、上、下、右、左、前、後ろ、上部、下部などは、描かれたままの図に対する単なる言及であって、絶対的方向性を示すことを意図するものではない。

エッチングされ刻み目を入れた主要面を有する可撓性ガラス試料の群と、エッチングされた主要面を有する可撓性ガラス試料の別の群における、破損確率対破損時の負荷のワイブルプロットである。 本開示の態様による、実質的にアルカリイオンを含有しない組成を有する無アルカリガラス要素と保護層とを含む屈曲可能なスタックアセンブリの斜視図である。 図２に示されたスタックアセンブリの断面図である。 本開示のさらなる態様による、規定された半径の静的屈曲を有する構成へのアセンブリの屈曲時における、図２に示されたスタックアセンブリの断面図である。 本開示の態様による、規定された半径の二つの静的屈曲を有する構成へのアセンブリの屈曲時における、図２に示されたスタックアセンブリの断面図である。 本開示のさらなる態様によるこれらのアセンブリにおいて用いられる無アルカリガラス要素の最大曲げ半径、弾性率、および厚さに特に関する、屈曲可能なスタックアセンブリの設計構成を示す概略図である。 本開示のさらなる態様によるこれらのアセンブリにおいて用いられる無アルカリガラス要素の最大曲げ半径、弾性率、および厚さに特に関する、屈曲可能なスタックアセンブリの設計構成を示す概略図である。 無アルカリガラス組成を有する背面板、保護層、当該背面板上の電子デバイス、および電子デバイスを有する表面を圧縮された状態にする背面板の静的屈曲を含む、本開示の追加の態様による電子デバイスアセンブリの断面図である。 無アルカリガラス組成を有する背面板、保護層、当該背面板上の電子デバイス、および電子デバイスを有する表面を伸張された状態にする背面板の二つの静的屈曲を含む、本開示の態様による電子デバイスアセンブリの断面図である。 図４に示された電子デバイスアセンブリ、ならびに図４に示されたアセンブリの背面板の静的屈曲に実質的に等しい静的屈曲を有する、封入材およびカバーを組み入れた、電子デバイスアセンブリの断面図である。 図４Ａに示された電子デバイスアセンブリ、ならびに図４に示されたアセンブリの背面板の静的屈曲に実質的に等しい複数の静的屈曲を有する、封入材およびカバーを組み入れた、電子デバイスアセンブリの断面図である。

その実施例が添付の図面に例示されている好ましい本実施形態について詳細に説明する。可能な限り、図面全体を通じて、同じもしくは類似の部分を指すために、同じ参照番号が使用される。範囲は、本明細書において、「約」一つの特定の値から、および／または、「約」別の特定値まで、と表現することができる。そのような範囲が表現されるとき、他の態様は、一方の特定値から、および／または他方の特定値までを含む。同様に、値が近似値で表される場合、「約」という用語を前に用いることで、この特定値が、別の態様を形成することが理解されるであろう。さらに、各範囲の終点は、他方の終点との関連において、および他方の終点とは無関係に、双方とも有意であることが理解されるであろう。

他の特徴および利点の中でも特に、本開示のスタックアセンブリ、ガラス要素、およびガラス物品（ならびにそれらの製造方法）は、小さい曲げ半径での機械的信頼性（例えば、静的伸張および疲労における）を提供する。当該スタックアセンブリ、ガラス要素、および／またはガラス物品が、非平面形状のディスプレイおよび／または一つまたは複数の静的な非平面状の構造的特徴を有するディスプレイ内の基板または背面板部品として使用される場合、小さい曲げ半径ならびにアルカリイオン移動に対する感応性の低減は、特に有益である。例えば、当該要素、アセンブリ、または物品は、その一部において静的な斜角を付けた端部または定義された湾曲を有する他の静的な構造的特徴を有するようなディスプレイにおいて用いることができる。本開示における物品の可撓性は、製造の際に、適用環境内でのこれらの物品のその非平面形状での機械的完全性および信頼性を維持しつつ、これらの物品を所望の非平面状端部形状へと成形することを可能にする。より一般的には、当該スタックアセンブリ、ガラス要素、および／またはガラス物品は、折り畳み可能なディスプレイの、使用者に面する部分であって貫入抵抗性が特に重要な場所のカバー、その上に電子部品が配設される、デバイス自体の中に内部的に配設された基板、または、例えば封入材層などの、折り畳み可能なディスプレイデバイスにおける他の場所のうちの、一つまたは複数として使用され得る。あるいは、当該スタックアセンブリ、ガラス要素、および／またはガラス物品は、ディスプレイを有さないデバイスであるが、ガラス層がその有益な特性のために使用され、ならびに一つまたは複数の静的な非平面状の構造的特徴によって、そのような構造的特徴によって説明される先述のディスプレイと同じ方式で構成されるデバイスにおいて使用することもできる。

本開示の一態様により、実質的にアルカリイオンを含有しない組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さとを有するガラス要素を含む、屈曲可能なスタックアセンブリが提供される。当該アセンブリはさらに、当該ガラス要素の一つまたは複数の主要面を覆う少なくとも一つの保護層も含む。当該ガラス要素の最終厚さは、例えば、当該ガラス要素の各面から少なくとも１０マイクロメートルを除去するエッチングプロセスなどの材料除去プロセス後の当該要素の厚さである。さらに、当該スタックアセンブリのガラス要素は、規定された半径を有する一つまたは複数の静的屈曲を有する。

静的条件下および／またはサイクル条件下において破損することなく所望の構成へと曲げることができる無アルカリの屈曲可能なガラス物品の能力は、少なくとも部分的に当該物品の強度に依存する。当該物品の強度は、多くの場合、当該物品に適用された応力場に対する当該物品における欠陥径および欠陥分布に依存する。製造の際、無アルカリガラス基板は、切断され、分離されるか、さもなければ最終形状またはほぼ最終形状へと分割される。これらのプロセス、およびそれらに関連するハンドリングは、多くの場合、当該物品に欠陥を生じさせ、それらは、当該物品の強度および靱性を低下させる。結果として、無アルカリガラス板は、多くの場合、２５０ＭＰａ以下の強度レベルを示す。約０．８ＭＰａ・ｍ^１／２の破壊靱性（Ｋ_ＩＣ）値は、無アルカリガラス組成物において典型的である。下記の式（１）を用いることにより、ハンドリングおよび製造関連のダメージを受けたそのような物品に対して、約２．６マイクロメートルの最大欠陥径を見積もることが可能である：
Ｋ_ＩＣ＝Ｙ^＊σ^＊ａ^１／２ （１）
式中、ａは最大欠陥径であり、Ｙは、経験的に決定された亀裂形状因子であり、例えばディスプレイデバイスに用いられるガラス要素への、単体化および製造関連のハンドリングダメージに典型的に関連する表面スクラッチの場合、約１．１２^＊π^１／２である。

材料除去プロセス、例えば、単体化の後に実施される酸エッチング手順などは、欠陥の密度およびサイズを減少させることにより、無アルカリガラス物品（および他のガラス組成物）内の欠陥の分布を著しく改善することができる。ガラスから材料を除去するために、当業者によって用いられる他のアプローチ（例えば、レーザーエッチングなど）を用いることもできる。本開示の態様により、これらの材料除去プロセスは、無アルカリガラス要素の強度を１０００ＭＰａ以上の強度レベルまで高めることができる。式（１）を考慮すると、当該材料除去プロセスは、最大欠陥径であるａを１６２ｎｍまで減少させる。

さらに、ハンドリングおよび単体化は、当該物品にダメージを生じさせ得るので、材料除去プロセスの後での無アルカリガラス物品（または他のガラス組成物を有する物品）の最小限の注意深いハンドリングでさえ、材料除去手順によって得られた物品における高められた強度を著しく低下させ得ることが予想される。図１は、この点を実証する破損負荷および破損確率のワイブルプロットを表している。特に、材料除去プロセスおよび小さいキューブコーナー圧入を施された、非強化のＣｏｒｎｉｎｇ Ｇｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラス物品の群（すなわち、「Ｂ１−ディープエッチング」群）は、同じ組成および材料除去プロセス条件を有する試料の群（すなわち、「Ａ１−ディープエッチング」群）と比較して、著しく低い強度値を示した。図１において、試験した試料は、元々は約２００マイクロメートルの厚さを有しており、これらは、ディープ酸エッチング手順によって厚さが７５マイクロメートルまで減少した。Ｂ１群では、当該試料に、約１０グラムの力（ｇｆ）（約９８ｍＮ）においてキューブコーナー圧入を施した。

再び図１を参照すると、Ａ１群は、１０％以上の破損確率において１０００ＭＰａを超える強度値を示した。さらに、１０００ＭＰａよりかなり低い強度値を有する二つのデータ点は、試験関連のハンドリングの際に不注意によりダメージを受けた異常値であると考えられる。結果として、Ａ１群において図１に示されるワイブル係数（すなわち、破損確率対破損時の応力の傾き）は、二つの異常値も含むという意味において、控え目な値である。当該異常値を群から無視する場合、結果として得られるワイブル係数は、おそらく２％以上の破損確率において、１０００ＭＰａを超える強度値が見積もられることを示している。それに対して、試料のＢ１群は、全ての破損確率において２００ＭＰａ以下の強度値を示した。２％の破損確率では、予想される強度は、約１５０ＭＰａである。非強化Ｃｏｒｎｉｎｇ 「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス試料に関連して図１において生じるデータは、無アルカリガラス試料によって生じる強度データに相当するであろうことが予想される。強度値およびワイブル係数は、無アルカリガラス組成を有する試料の群と非強化Ｃｏｒｎｉｎｇ 「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス組成を有する試料の群との間においてわずかに異なり得るが、その一方で、図１に示されるキューブコーナー圧入に関連する強度の低下において観察される傾向は、実質的に同等であることが予想される。

これらの見解を考慮して、本開示の態様は、最終的な用途または製品構成のための、静的屈曲および／または湾曲した構造的特徴の発達による引張応力に晒される無アルカリガラス要素の一つまたは複数の表面に保護層を加えることである。当該保護層は、電子デバイスまたは他の物品に当該ガラス要素を取り付ける前に、無アルカリガラス要素における高められた強度レベルが、追加のハンドリングおよび製造の際に維持されることを保証するであろうことが予想される。例えば、保護層は、その最終的な設計の一部として、製造の際に当該要素に適用されるかまたは当該要素において発達した永久的または半永久的屈曲および／または湾曲による伸張状態にある無アルカリガラス要素の主要面に適用することができる。いくつかの態様において、当該保護層は、保護される無アルカリガラス要素の表面への接触を最小限に抑えるために適用される。１００マイクロメートル以下の厚さのポリメチルメチルアクリレート（ＰＭＭＡ）などの材料の薄いポリマーフィルムを、１００マイクロメートル以下の厚さの接着層によって無アルカリガラス要素の主要面に接着することによって、それらを保護することができる。ある特定の実施形態において、当該保護層は、約５マイクロメートルから約５０マイクロメートルの厚さにおいて、ナノシリカ粒子と、エポキシまたはウレタン材料とによる混合物を含み得る。さらに、そのような保護層は、以下のコーティング適用技術、すなわち、ディップ、スプレー、ローラー、スロットダイ、カーテン、インクジェット、オフセット印刷、グラビア、オフセットグラビア、刷毛塗り、転写印刷、キャストおよび硬化、ならびに当業者によって理解される他の好適なプロセスのうちの任意の一つまたは複数を用いて適用することができる。そのような混合物は、その最終的な設計構成に関連する、当該要素における静的屈曲からの引張応力を受けることが予想される無アルカリガラス要素の端部を保護するためにも用いることができる。

図２から図２Ｃを参照すると、本開示の一態様による屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａが示されている。当該アセンブリ１００は、実質的にアルカリイオンを含有しない組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さ５２と、第一主要面５４と、第二主要面５６とを有するガラス要素５０を含む。図２Ｂでは、静的屈曲が当該屈曲可能なスタックアセンブリ１００に適用されており、それにより、第一主要面５４が、実質的に伸張され、第二主要面５６が、実質的に圧縮されている。図２Ｃでは、二つの静的屈曲が当該屈曲可能なスタックアセンブリ１００ａに適用されており、それにより、第一主要面５４が、実質的に圧縮され、第二主要面５６が、実質的に伸張されている。いくつかの態様において、スタックアセンブリ１００、１００ａに対し、一つまたは複数の静的屈曲が、主要面５４および５６のうちの一つまたは複数に適用される。

図２から図２Ｃに示されているように、主要面５４、５６は、最終厚さ５２を少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さ５２への事前の材料除去によって特徴付けられる。当該ガラス要素は、第一主要面５４上にある、厚さ７２を有する保護層７０も含む。いくつかの追加の態様において、保護層７０は、第二主要面５６、または主要面５４、５６の両方に適用される。さらに、屈曲可能なスタックアセンブリ１００のガラス要素５０は、当該要素５０が約１００ｍｍ以下、７５ｍｍ以下、５０ｍｍ以下、２５ｍ以下から約５ｍｍまでの曲げ半径４０での静的屈曲に晒される場合に破損がないことによって特徴付けられる（図２Ｂを参照されたい）。同様に、屈曲可能なスタックアセンブリ１００ａのガラス要素５０は、当該要素５０が約１００ｍｍ以下、７５ｍｍ以下、５０ｍｍ以下、２５ｍ以下から約５ｍｍまでの曲げ半径４０ａでの一つまたは複数の静的屈曲に晒される場合に破損がないことによって特徴付けられる（図２Ｃを参照されたい）。いくつかの態様において、ガラス要素５０の厚さおよび弾性率と、他の考慮事項の中でも特に、伸張下における当該要素の領域内の欠陥分布とに応じて、より小さい曲げ半径４０、４０ａさえも実現可能である。

いくつかの態様により、図２から図２Ｃに示されるガラス要素５０の組成は、０．５モル％未満のＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれを有する。ある特定の実践形態において、ガラス要素５０の無アルカリの性質は、０．４５モル％、０．４０モル％、０．３５モル％、０．３０モル％、０．２５モル％、０．２０モル％、０．１５モル％、０．１０モル％、または０．０５モル％未満の、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれによって特徴付けられる。

いくつかの実践形態において、図２から図２Ｃに示される屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、当該要素５０が約２５℃および約５０％の相対湿度において約１５ｍｍの曲げ半径４０、４０ａにおける一つまたは複数の静的屈曲を含む場合に破損がないことによって特徴付けられるガラス要素５０を含む。他の態様において、当該ガラス要素５０は、当該要素が同一または同様の試験条件下において５ｍｍの曲げ半径における一つまたは複数の静的屈曲を含む場合に破損がないことによって特徴付けられる。図２から図２Ｃに表されるスタックアセンブリ１００、１００ａは、予想される適用環境に一致する他の試験条件下（例えば、前に述べた値の約±１０％以内の湿度および／または温度レベル）においても、同一または同様の曲げ半径（例えば、前に述べた曲げ半径の約±１０％以内）が可能である。

再び図２から図２Ｃを参照すると、ガラス要素５０の主要面５４上（および／またはいくつかの態様では第二主要面５６上）における屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａの保護層７０は、様々な材料を含むことができる。好ましくは、当該保護層７０は、少なくとも５マイクロメートルの厚さ７２を有するポリマー材料を含む。いくつかの態様において、保護層７０の厚さ７２は、ガラス要素５０の厚さに応じて、５マイクロメートルから５０マイクロメートルの範囲であり得る。より薄いガラス要素に対しては、その処理に関連する保護層の収縮によって当該要素が歪むのを防ぐために、先述の範囲の下限端の厚さ７２を有する保護層７０を用いることが好ましい。いくつかの態様により、当該ガラス要素の厚さが増加するのに伴って、保護層７０の厚さ７２も先述の範囲内において増加することができる。さらに、保護層７０が、その形状化された状態において伸張されるであろうガラス要素５０の表面上にある場合、当該保護層７０は、ガラス要素５０における引張張力へのその寄与を最小化するように作製され得る。例えば、当該保護層７０の厚さおよび／または弾性率は、ガラス要素５０のそれらより小さくなるように選択される。

当該保護層７０が、ナノシリカ粒子と、エポキシ材料およびウレタン材料のうちの少なくとも一方とを含むことができる。保護層７０のためのこれらの組成物、および他の好適な代替の組成物は、２０１４年１０月１７日に出願された米国特許出願第１４／５１６，６８５号明細書においても開示されている。好ましい一例において、以下の組成を有するウレタンを、保護層７０に用いることができる。組成は、５０％のオリゴマー（Ｅｂｅｃｒｙｌ（登録商標） ８３１１：脂肪族ウレタンアクリレートに分散させた４０％の２０ｎｍナノシリカ）、４３．８％のモノマー（Ｓａｒｔｏｍｅｒ（登録商標） Ａｒｋｅｍａ ＳＲ５３１：環状トリメチロールプロパンホルマールアクリレート）、０．２％の光開始剤（ＭＢＦ：ベンゾイルぎ酸メチル）、３．０％のシラン接着促進剤（ＡＰＴＭＳ：３−アクリルオキシプロピトリメトキシシラン）、および３．０％の接着促進剤（「Ｓａｒｔｏｍｅｒ」 Ａｒｋｅｍａ ＣＤ９０５３：ＴＭＰＥＯＴＡ中におけるアクリレートリン酸エステル）である。別の好ましい例において、以下の組成を有するエポキシを保護層７０に用いることができる。組成は、７０．６９％のＮａｎｏｐｏｘ（登録商標） Ｃ−６２０（４０重量％の２０ｎｍの球状ナノシリカを含む脂環式エポキシ樹脂）、２３．５６％の「Ｎａｎｏｐｏｘ」 Ｃ−６８０（５０重量％の２０ｎｍ球状ナノシリカを含むオキセタンモノマー）、３．００％のＭｏｍｅｎｔｉｖｅ（商標） ＣｏａｔＯＳｉｌ（登録商標） ＭＰ−２００（シラン接着促進剤）、２．５０％のＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｙｒａｃｕｒｅ ＵＶＩ−６９７６（商標）（カチオン性光開始剤）、および０．２５％のＣｉｂａ（商標） Ｔｉｎｕｖｉｎ（登録商標） ２９２（ヒンダードアミン光安定剤）である。保護層７０は、同一または同様の厚さを有する接着層によってガラス要素５０の表面に接着されたポリマー層、ポリマーフィルム、またはポリマーシートも含み得る。

図２から図２Ｂに示される屈曲可能なスタックアセンブリ１００は、高められた強度値を示す欠陥分布を有するガラス要素５０によって構成することができる。ある特定の実践形態において、第一主要面５４ならびに当該第一主要面５４と最終厚さのおよそ半分６２との間の領域６０は、約２００ｎｍ以下の平均最長断面寸法を有する複数の欠陥によって特徴付けられる欠陥分布を有する、実質的に欠陥を含まない領域を画定する。いくつかの態様において、当該実質的に欠陥を含まない領域６０は、領域６０内の欠陥径を減じるために使用される処理条件に応じて、当該要素５０内の様々な深さ（例えば、ガラス要素５０の厚さ５２の１／３から２／３）に広がり得る。いくつかの実施形態により、当該実質的に欠陥を含まない領域６０は、曲げ半径４０における一つまたは複数の静的屈曲（例えば、第一主要面５４を伸張状態にする当該主要面上の静的屈曲）に関連する引張張力に晒されるガラス要素５０の領域に位置される。領域６０における高められた強度は、一つまたは複数の静的屈曲の組み込みに関連する、当該領域におけるより高い引張張力を相殺することができる。

同様に、図２Ｃに示される屈曲可能なスタックアセンブリ１００ａは、高められた強度値を示す欠陥分布を有するガラス要素５０によって構成することができる。ある特定の実践形態において、第二主要面５６ならびに当該第二主要面５６と最終厚さのおよそ半分６２ａとの間の領域６０ａは、約２００ｎｍ以下の平均最長断面寸法を有する複数の欠陥によって特徴付けられる欠陥分布を有する、実質的に欠陥を含まない領域を画定する。いくつかの態様において、当該実質的に欠陥を含まない領域６０ａは、領域６０ａ内の欠陥径を減じるために用いた処理条件に応じて、当該要素５０内の様々な深さ（例えば、ガラス要素５０の厚さ５２の１／３から２／３）に広がり得る。いくつかの実施形態により、当該実質的に欠陥を含まない領域６０ａは、曲げ半径４０ａにおける一つまたは複数の静的屈曲（例えば、第二主要面５６を伸張状態にする当該主要面上の静的屈曲）に関連する引張張力に晒されるガラス要素５０の領域に位置される。領域６０ａにおける高められた強度は、一つまたは複数の静的屈曲の組み込みに関連する、当該領域におけるより高い引張張力を相殺することができる。

本開示の他の態様により、図２から図２Ｃに示される屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、融合プロセスによって形成されたガラス要素５０を含み得、ならびに当該要素の弾性率は、約４０ＧＰａから約６５ＧＰａの間である。したがって、当該ガラス要素５０は、融合線（図示されず）を含み得る。ある特定の態様において、当該ガラス要素５０は、約１０^１０Ｐａ・ｓの粘度における７００℃から８００℃の間の仮想温度によって特徴付けることができ、好ましくは融合プロセスを用いて調製される。これらの仮想温度は、一般的に、ほとんどの無アルカリガラス組成物の仮想温度より高く、結果として、フロート法を用いて調製されかつアニール処理された組成物と比較して、より低い弾性率値を生じる。フロート法によって調製された無アルカリガラス組成物は、多くの場合、融合プロセスを用いて調製されたガラス要素と比べてより高い弾性率を有するため、当該組成物はあまり望ましくない。

図２から図２Ｃに示される屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａの別の実践形態において、当該アセンブリは、実質的にアルカリイオンを含有しない組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、少なくとも０．６ＭＰａ・ｍ^１／２のＫ_ＩＣ破壊靱性と、約２０μｍから約１００μｍの厚さ５２とを有するガラス要素５０を含む。アセンブリ１００に関して、当該ガラス要素５０は、ある半径４０での静的屈曲の組み込みの際に、実質的に伸張される第一主要面５４および実質的に圧縮される第二主要面５６も含む（図２Ｂを参照されたい）。アセンブリ１００ａに関して（図２Ｃを参照されたい）、当該ガラス要素５０は、ある半径４０ａでの一つまたは複数の静的屈曲の組み込みの際に、実質的に伸張される第二主要面５６および実質的に圧縮される第一主要面５４も含む。アセンブリ１００、１００ａのガラス要素５０は、第一主要面５４上に保護層７０も含む。

図２から図２Ｃに示される屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａのある特定の態様において、当該アセンブリは、実質的にアルカリイオンを含有しない組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さ５２と、２％以上の破損確率での少なくとも１０００ＭＰａの曲げ強度とを有するガラス要素５０で構成することができる。当該ガラス要素５０はさらに、これらの主要面への、ある曲げ半径４０、４０ａでの一つまたは複数の静的屈曲の組み込みの際に、実質的に伸張または圧縮される第一主要面５４および実質的に圧縮または伸張される第二主要面５６も含む。この構成において、主要面５４、５６は、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さ５２への事前の材料除去によって特徴付けられる。当該ガラス要素５０はさらに、第一主要面５４上に保護層７０も含む。さらに、当該ガラス要素は、当該アセンブリ１００、１００ａに対して、第一主要面５４に積層された保護層７０の一部に１０ｇｆ（約９８ｍＮ）においてキューブコーナー圧子による圧入を施した後での、曲げ強度の少なくとも９０％の残留強度によって特徴付けられる。

図３によって実証されるように、様々な厚さおよび弾性率の無アルカリガラス要素を有する屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａを用いることにより、本開示の態様による２５ｍｍ以下の曲げ半径４０、４０ａを達成することができる。１０００ＭＰａ以上の予想される強度レベルにより、最大強度値の１／５以下に引張応力を維持することによって、推定１０年の寿命のための疲労破損抵抗性（例えば、サイクル疲労および／または静的疲労）を得ることができる。したがって、２００ＭＰａ以下の応力レベルを生じる静的な曲げ半径は、当該無アルカリガラス要素における静的疲労関連の破損に影響されにくい。より詳細には、図３に表される解空間を生成するために、スタックアセンブリ１００、１００ａに用いられたガラス要素に対して、２００ＭＰａの最大誘起引張応力σ_ｍａｘを仮定し、下記の式（２）を使用した：
Ｒ＝（Ｅ^＊ｈ）／（１−ｖ^２）^＊２σ_ｍａｘ （２）
式中、Ｒは疲労関連の破損の無いスタックアセンブリの最大曲げ半径であり、ｈはガラス要素の厚さであり、Ｅはガラス要素の弾性率であり、ｖは無アルカリガラスに対するポアソン比である（０．２であると仮定した）。

図３を参照すると、約８２ＧＰａの弾性率（「ガラスＣ」）および約１００マイクロメートルの厚さを有するガラス要素５０で構成された屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、約２２ｍｍの最大静的曲げ半径４０、４０ａが可能であることは明白である。例えば、厚さを２０マイクロメートルまで減少させると、最大曲げ半径は約４ｍｍまで向上する（すなわち、より鋭い屈曲が実現可能である）。同様に、より低い約７４ＧＰａの弾性率（「ガラスＢ」）および約１００マイクロメートルの厚さを有するガラス要素５０で構成された屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、約１８ｍｍの最大曲げ半径４０、４０ａが可能である。例えば、当該厚さを２０マイクロメートルまで減少させると、最大曲げ半径は４ｍｍ未満まで向上する。さらに、約５７ＧＰａの弾性率（「ガラスＡ」）および約１００マイクロメートルの厚さを有するガラス要素５０で構成された屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、約１５ｍｍの最大曲げ半径４０、４０ａが可能である。例えば、当該厚さを２０マイクロメートルまで減少させると、最大曲げ半径は約３ｍｍまで向上する。

図３Ａによって実証されるように、様々な厚さおよび弾性率の無アルカリガラス要素を有する屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａを用いることにより、本開示の態様による２５ｍｍ以下の曲げ半径４０、４０ａを達成することができる。１０００ＭＰａ以上の予想される強度レベルにより、最大強度値の１／３以下に引張応力を維持することによって、推定１０年の寿命のための疲労破損抵抗性（例えば、サイクル疲労および／または静的疲労）を得ることができる。したがって、３３３ＭＰａ以下の応力レベルを生じる静的な曲げ半径は、当該無アルカリガラス要素における静的疲労関連の破損に影響されにくい。より詳細には、図３Ａに表される解空間を生成するために、スタックアセンブリ１００、１００ａに用いられたガラス要素に対して、３３３ＭＰａの最大誘起引張応力σ_ｍａｘを仮定し、下記の式（２）を使用した：
Ｒ＝（Ｅ^＊ｈ）／（１−ｖ^２）^＊２σ_ｍａｘ （２）
式中、Ｒは疲労関連の破損の無いスタックアセンブリの最大曲げ半径であり、ｈはガラス要素の厚さであり、Ｅはガラス要素の弾性率であり、ｖは無アルカリガラスに対するポアソン比である（０．２であると仮定した）。

図３Ａを参照すると、約８２ＧＰａの弾性率（「ガラスＣ」）および約１００マイクロメートルの厚さを有するガラス要素５０で構成された屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、約１３ｍｍの最大静的曲げ半径４０、４０ａが可能であることは明白である。例えば、厚さを２０マイクロメートルまで減少させると、最大曲げ半径は約２．５ｍｍまで向上する（すなわち、より鋭い屈曲が実現可能である）。同様に、より低い約７４ＧＰａの弾性率（「ガラスＢ」）および約１００マイクロメートルの厚さを有するガラス要素５０で構成された屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、約１１．５ｍｍの最大曲げ半径４０、４０ａが可能である。例えば、当該厚さを２０マイクロメートルまで減少させると、最大曲げ半径は２．５ｍｍ未満まで向上する。さらに、約５７ＧＰａの弾性率（「ガラスＡ」）および約１００マイクロメートルの厚さを有するガラス要素５０で構成された屈曲可能なスタックアセンブリ１００、１００ａは、約９ｍｍの最大曲げ半径４０、４０ａが可能である。例えば、当該厚さを２０マイクロメートルまで減少させると、最大曲げ半径は２ｍｍ未満まで向上する。

図４から図４Ａを参照すると、実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、約２０μｍから約１００μｍの最終厚さ１５２とを有する背面板１５０を含む電子デバイスアセンブリ２００、２００ａが提供されている。当該背面板１５０はさらに、第一主要面１５４および第二主要面１５６も有する。さらに、当該主要面１５４、１５６は、最終厚さ１５２を少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さ１５２への事前の材料除去によって特徴付けられる。当該アセンブリ２００、２００ａはさらに、当該背面板１５０の第一主要面１５４上にある保護層１７０、および当該背面板１５０の第二主要面１５６上にある複数の電子部品１８０も含む。さらに、アセンブリ１００の背面板１５０（図４を参照されたい）は、約２５ｍｍから約５ｍｍの曲げ半径１４０における少なくとも一つの静的屈曲または湾曲した構造的特徴で構成される。同様に、アセンブリ１００ａの背面板１５０（図４Ａを参照されたい）は、約２５ｍｍから約５ｍｍの曲げ半径１４０ａにおける少なくとも一つの静的屈曲で構成される。アセンブリ２００、２００ａのいくつかの態様において、背面板１５０は、約１５ｍｍから約５ｍｍの曲げ半径１４０、１４０ａにおける少なくとも一つの静的屈曲または湾曲した構造的特徴で構成される。

図４に示されるように、電子デバイスアセンブリ２００は、曲げ半径１４０における静的屈曲を含むことができ、それにより、第一主要面１５４は伸張下に置かれ、および電子部品１８０を含む第二主要面１５６は圧縮される。結果として、強度低下および最終的に所定の曲げ半径１４０に対する静的疲労寿命性能の低下を生じ得る、ハンドリング関連の欠陥が、その表面上において発達しないことを保証するために、保護層１７０が、伸張される主要面１５４を覆うように位置され得る。当該デバイスアセンブリ２００のいくつかの態様において、深さ１６２を有する実質的に欠陥を含まない領域１６０が、背面板１５０内に構成される。背面板１５０における欠陥を含まない領域１６０の存在は、背面板における、曲げ半径１４０での静的屈曲に関連する、第一主要面１５４に沿った引張応力に、（例えば背面板１５０の強度および破損靱性を増加させることによって）抵抗することができる。実質的に欠陥を含まない領域１６０は、アセンブリ１００に関連して前に概説された欠陥を含まない領域６０（図２から図２Ｂ、および対応する説明を参照されたい）に全ての点において相当する。

図４Ａに示されるように、電子デバイスアセンブリ２００ａは、曲げ半径１４０ａにおける静的屈曲を含むことができ、それにより、電子部品１８０を含む第二主要面１５６は伸張される。しかしながら、この態様において、初期破損の原因となり得る、当該要素１５０のその側部におけるハンドリング関連の欠陥がその表面において発達しないことを保証するために、保護層１７０が、（圧縮されている）第一主要面１５４を覆うように位置され得る。いくつかの態様において（図示されず）、強度低下および最終的に所定の曲げ半径１４０ａに対する静的疲労寿命性能の低下を生じ得る、ハンドリング関連の欠陥がその表面において発達しないことを保証するために、保護層１７０が、伸張される第二主要面１５６（すなわち、電子部品１８０を含む表面）を覆うように位置され得る。この態様において、保護層１７０の組成は、一部においては、展開および／または第二主要面１５６への電子部品１８０の取り付けに関連する製造プロセスに耐えるのに十分な高温能力をその組成が有すること保証するように、選択され得る。デバイスアセンブリ２００ａのいくつかの態様において、深さ１６２ａを有する実質的に欠陥を含まない領域１６０ａが、背面板１５０内に構成される。背面板１５０における当該欠陥を含まない領域１６０ａの存在は、背面板における、曲げ半径１４０ａでの一つまたは複数の静的屈曲に関連する、第二主要面１５６に沿った引張応力に、（例えば背面板１５０の強度および破損靱性を増加させることによって）抵抗することができる。当該実質的に欠陥を含まない領域１６０ａは、アセンブリ１００ａに関連して前に概説された欠陥を含まない領域６０ａ（図２から図２Ｃ、および対応する説明を参照されたい）に全ての点において相当する。

図４〜４Ａに示された電子デバイスアセンブリ２００、２００ａに関して、当該電子アセンブリの構成要素である、背面板１５０、実質的に欠陥を有さない領域１６０、１６０ａ、および保護層１７０は、図２から図２Ｃに示されるスタックアセンブリ１００、１００ａに用いられた、それぞれ、ガラス要素５０、実質的に欠陥を有さない領域６０、６０ａ、および保護層７０に相当する。そのため、スタックアセンブリ１００、１００ａの、上記において説明した変更例は、当該電子デバイスアセンブリ２００、２００ａにも適用可能である。

いくつかの態様において、電子デバイスアセンブリ２００、２００ａの電子部品１８０は、少なくとも一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子、または少なくとも一つの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子を含む。耐熱性保護層１７０の組成物が、当該デバイスアセンブリ２００、２００ａにおいて用いられる場合、背面板１５０上の電子部品１８０に対して、高温での処理（例えば、ポリマー背面板を有するシステムと比べて）を用いることができる。有利なことに、デバイスアセンブリ２００、２００ａにおける（例えば、可撓性のポリマー製部品のみに頼る従来のシステムと比べて）増加した温度能力を使用することにより、より高い製造歩留まり、および／または背面板を収容するデバイスへのより高性能な電子デバイス部品の統合を実現することができる。

図５から図５Ａを参照すると、図４から図４Ａに示されるアセンブリに相当するデバイスアセンブリ２００、２００ａを用いるか、またはそうでなければそれらを含む、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａが示されている。特に、アセンブリ３００、３００ａはさらに、複数の電子部品１８０を覆うカバー２６０も含む。当該カバー２６０は、約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、第一主要面２６４および第二主要面２６６、ならびに背面板１５０に適用された曲げ半径１４０、１４０ａに実質的に等しい半径２６５、２６５ａを有する少なくとも一つの静的屈曲を有することができる。アセンブリ３００に関して（図５を参照されたい）、当該カバー２６０は、（ａ）少なくとも９０％の光透過率、第一主要面２６４ａ、および第二主要面２６６ａを有する第一ガラス層２６０、ならびに（ｂ）第一ガラス層２６０ａの第一主要面２６４ａから当該第一ガラス層の第一深さ２６８ａまで広がる圧縮応力領域２６８であって、当該第一ガラス層２６０ａの第一主要面２６４ａにおける少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域２６８も含む。アセンブリ３００ａに関して（図５Ａを参照されたい）、当該圧縮応力領域２６８ｂは、第一ガラス層２６０ａの第二主要面２６６ａから第一深さ２６８ｃまで広がり、この場合、当該領域２６８ｂは、第二主要面２６６ａにおける少なくとも１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される。

さらに、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａのカバー２６０は、（ａ）当該カバー２６０の第一主要面２６４が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバー２６０の第二主要面２６６が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性と、（ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度と、によっても特徴付けられる。

図５から図５Ａに示されるように、圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、半径２６５、２６５ａにおける静的屈曲に関連する引張応力におそらく晒されるであろうカバー２６０の一部に位置される。しかし、圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、カバー２６０の他の場所、本質的に適用環境において引張応力を受けることが予想される任意の領域、または高い強度レベルがカバーにとって有益であり得る他の領域（例えば、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａを収容するデバイスの使用者によるハンドリングに晒される表面など）にも位置することができることは理解されるべきである。

電子デバイスアセンブリ３００、３００ａに用いられるカバー２６０のある特定の態様において、当該カバー２６０の厚さは、約２５μｍから約１２５μｍの範囲であり得る。他の態様において、カバー２６０の当該厚さは、約５０μｍから約１００μｍ、または約６０μｍから約８０μｍの範囲であり得る。他の厚さ値も、屈曲可能な当該カバー２６０の厚さに対する先述の範囲内において用いることができる。

カバー２６０のいくつかの実施形態において、当該カバー２６０は、当該カバー２６０の厚さに匹敵する厚さを有する単一のガラス層２６０ａを含む。他の態様において、カバー２６０は、二つ以上のガラス層２６０ａを含むことができる。その結果として、各ガラス層２６０ａの厚さは、約１μｍから約１２５μｍの範囲であり得る。当該ガラスカバー２６０は、一つまたは複数のガラス層２６０ａに加えて、他の非ガラス層（例えば、伸展性のポリマー層など）を含むことができることも理解されるべきである。

本開示の態様により、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａは、図４から図４Ａに示されるアセンブリに相当するデバイスアセンブリ２００、２００ａを用いる。特に、アセンブリ３００、３００ａはさらに、複数の電子部品１８０を覆うカバー２６０も含む。当該カバー２６０は、あるガラス組成と、および背面板１５０に適用された曲げ半径１４０、１４０ａに実質的に等しい半径２６５、２６５ａを有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴と、を有することができる。アセンブリ３００に関して（図５を参照されたい）、当該カバー２６０は、（ａ）少なくとも９０％の光透過率と、（ｂ）当該カバー２６０の第一主要面２６４が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバー２６０の第二主要面２６６が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性と、（ｃ）８Ｈ以上の鉛筆硬度と、によっても特徴付けられる。例えば、この構成において、当該カバー２６０は、形成されたままの、一つまたは複数の静的屈曲および／または湾曲した構造的特徴を有するガラス要素を用いることができる。

さらにカバー２６０のガラス層２６０ａに関して、各ガラス層２６０ａ（ガラス層２６０ａを含まない場合にはカバー２６０）は、アルカリ不含のアルミノケイ酸ガラス組成物、ホウケイ酸ガラス組成物、アルミノホウケイ酸ガラス組成物、およびケイ酸ガラス組成物から作製することができる。各ガラス層２６０ａは、アルカリを含有するアルミノケイ酸ガラス組成物、ホウケイ酸ガラス組成物、アルミノホウケイ酸ガラス組成物、およびケイ酸ガラス組成物からも作製することができる。ある特定の態様において、アルカリ土類調整剤を、先述の組成物のいずれにも加えることができる。一つの例示的態様において、下記のガラス組成は、ガラス層２６０ａにとって好適である。すなわち、６４〜６９％（モル％ベース）のＳｉＯ_２；５〜１２％のＡｌ_２Ｏ_３；８〜２３％のＢ_２Ｏ_３；０．５〜２．５％のＭｇＯ；１〜９％のＣａＯ；０〜５％のＳｒＯ；０〜５％のＢａＯ；０．１〜０．４％のＳｎＯ_２；０〜０．１％のＺｒＯ_２；および０〜１％のＮａ_２Ｏである。別の例示的態様において、下記の組成は、ガラス層２６０ａにとって好適である。すなわち、約６７．４％（モル％ベース）のＳｉＯ_２；約１２．７％のＡｌ_２Ｏ_３；約３．７％のＢ_２Ｏ_３；約２．４％のＭｇＯ；０％のＣａＯ；０％のＳｒＯ；約０．１％のＳｎＯ_２；および約１３．７％のＮａ_２Ｏである。さらなる例示的態様において、下記の組成も、ガラス層２６０ａにとって好適である。すなわち、６８．９％（モル％ベース）のＳｉＯ_２；１０．３％のＡｌ_２Ｏ_３；１５．２％のＮａ_２Ｏ；５．４％のＭｇＯ；および０．２％のＳｎＯ_２である。いくつかの態様において、ガラス層２６０ａの組成は、（他の代替のガラスと比較して）比較的低い弾性率を有するように選択される。ガラス層２６０ａにおけるより低い弾性率は、当該ガラス層がその内に有する、静的屈曲の発達に関連する層２６０ａにおける引張応力を減少させることができる。ガラス層２６０ａのための組成を選択するために、他の基準、例えば、これらに限定されるわけではないが、欠陥の発生を最小限に抑えつつ低い厚さレベルの製造の容易さ、屈曲の際に生じる引張応力を相殺する圧縮応力領域の発達の容易さ、光透過性、および耐腐食性など、も使用することができる。

図５および図５Ａをさらに参照すると、電子デバイスアセンブリ３００のカバー２６０はさらに、ガラス層２６０ａの第一主要面２６４ａから当該ガラス層２６０ａの第一深さ２６８ａまで広がる圧縮応力領域２６８も含む。さらに、電子デバイスアセンブリ３００ａのカバー２６０はさらに、ガラス層２６０ａの第二主要面２６６ａから当該ガラス層２６０ａの第一深さ２６８ｃまで広がる圧縮応力領域２６８ｂも含む。他の利点のなかでも特に、当該圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、一つまたは複数の静的屈曲の発達の際にガラス層２６０ａに生じる引張応力、特に、主要面２６４ａ、２６６ａ付近において最大に達する引張応力を相殺するために、ガラス層２６０ａ内に用いることができる。圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、ガラス層２６０ａの第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａにおいて少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力を含むことができる。いくつかの態様において、第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａにおける圧縮応力は、約６００ＭＰａから約１０００ＭＰａである。他の態様において、当該圧縮応力は、ガラス層２６０ａに圧縮応力を生じさせるために用いたプロセスに応じて、第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａにおいて１０００ＭＰａを超え得る（最高２０００ＭＰａまで）。例えば、当該圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、イオン交換プロセスによって、または異なる熱膨張率を有する材料（異なるガラス材料を含む）を一緒に積層することによって形成され得る。当該圧縮応力は、本開示の他の態様において、第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａにおいて約１００ＭＰａから約６００ＭＰａの範囲でもあり得る。

圧縮応力領域２６８、２６８ｂ内において、圧縮応力は、ガラス層の第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａから第一深さ２６８ａ、２６８ｃまでの深さの関数として、当該ガラス層２６０ａ内において一定のままであるか、減少または増加し得る。そのため、圧縮応力領域２６８、２６８ｂにおいて、様々な圧縮応力プロファイルを用いることができる。さらに、当該深さ２６８ａ、２６８ｃは、ガラス層の第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａからおよそ１５μｍ以下に設定することができる。他の態様において、当該深さ２６８ａ、２６８ｃは、ガラス層の第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａから、ガラス層２６０ａの厚さのおよそ１／３以下、またはガラス層２６０ａの厚さの２０％以下であるように設定することができる。

図５および図５Ａを参照すると、カバー２６０は、約２５℃、および約５０％の相対湿度での約５ｍｍから約２５ｍｍまでの曲げ半径２６５、２６５ａにおける一つまたは複数の静的屈曲による破損がないことによって特徴付けられる。いくつかの態様において、カバー２６０内のそれぞれの静的屈曲の曲げ半径２６５、２６５ａは、約５ｍｍから約１５ｍｍの間に設定することができる。用途における必要性に応じて、それぞれの静的屈曲の対する曲げ半径２６５、２６５ａを、約２５ｍｍから約５ｍｍ以内の値に設定することも実現可能である。本明細書において使用される場合、「故障」、「破損」などの用語は、折損、破壊、剥離、亀裂伝播、あるいは本開示のスタックアセンブリ、ガラス物品、ガラス要素、およびデバイスアセンブリを、それらの意図される目的にとって好適ではない状態にする他のメカニズムを意味する。カバー２６０が、これらの条件下（すなわち、約２５℃および約５０％の相対湿度）において曲げ半径２６５を有する一つまたは複数の静的屈曲を有する場合（図５を参照されたい）、カバー２６０の第一主要面２６４に引張応力が生じ、ならびに第二主要面２６６に圧縮応力が生じる。同様に、カバー２６０が、これらの条件下において曲げ半径２６５ａを有する一つまたは複数の静的屈曲を含む場合（図５Ａを参照されたい）、カバー２６０の第二主要面２６６に引張応力が生じ、ならびに第一主要面２６４に圧縮応力が生じる。曲げ試験の結果は、先述とは異なる温度および／または湿度レベルの試験条件下において変わり得ることも理解されるべきである。例えば、より小さな曲げ半径２６５（例えば、＜５ｍｍ）の静的屈曲を有するカバー２６０は、５０％相対湿度よりかなり低い湿度レベルで実施される曲げ試験で破損がないことによって特徴付けることもできる。

当該カバー２６０は、要素２６０の第一主要面２６４が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤（「ＰＳＡ」）、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層（「ＰＥＴ」）によって支持され、かつ当該カバー２６０の第二主要面２６６が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合（例えば、適用環境において電子デバイスアセンブリ３００、３００ａの使用の際の、カバー２６０への影響をシミュレートするために）の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性によっても特徴付けられる。典型的には、本開示の態様による貫入試験は、０．５ｍｍ／分のクロスヘッド速度での変位制御下において実施される。ある特定の態様において、より高い弾性率を有する材料（例えば、ガラスカバー２６０）の試験に関連する金属ピンの変形によって生じ得るバイアスを避けるために、当該ステンレス鋼ピンは、特定の試験量（例えば、１０回の試験）の後に新しいピンに交換される。いくつかの態様において、当該カバー２６０は、ワイブルプロット内での５％以上の破損確率における約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性によって特徴付けられる。当該カバー２６０は、特徴的ワイブル強度（すなわち、６３．２％以上）での約３ｋｇｆ（約２９．４Ｎ）を超える貫入抵抗性によっても特徴付けることができる。ある特定の態様において、当該電子デバイスアセンブリ３００、３００ａのカバー２６０は、約２ｋｇｆ（約１９．６Ｎ）以上、２．５ｋｇｆ（約２４．５Ｎ）以上、３ｋｇｆ（約２９．４Ｎ）以上、３．５ｋｇｆ（約３４．３Ｎ）以上、４ｋｇｆ（約３９．２Ｎ）以上、およびさらにより高い範囲での貫入に耐えることができる。当該カバー２６０は、８Ｈ以上の鉛筆硬度によっても特徴付けられる。

図５から図５Ａを参照すると、当該図に示される電子デバイスアセンブリ３００、３００ａの断面図は、当該アセンブリが、カバー２６０において圧縮応力領域２６８、２６８ｂを発達させるためにイオン交換プロセスに依拠するという、本開示の態様を実証している。当該アセンブリ３００のいくつかの態様において、カバー２６０の圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、イオン交換プロセスによって発達させることができる。すなわち、圧縮応力領域２６８、２６８ｂは、複数のイオン交換可能な金属イオンおよび複数のイオン交換された金属イオンを含み得、当該イオン交換された金属イオンは、領域２６８、２６８ｂに圧縮応力を生じるように選択される。当該電子デバイスアセンブリ３００、３００ａのいくつかの態様において、当該イオン交換された金属イオンは、イオン交換可能な金属イオンの原子半径より大きい原子半径を有する。当該イオン交換可能なイオン（例えば、Ｎａ^＋イオン）は、イオン交換プロセスを施される前に、当該カバー２６０およびガラス層２６０ａに存在する。イオン交換性イオン（例えば、Ｋ^＋イオン）は、カバー２６０、および一つまたは複数の層２６０ａに取り込まれ得、いくつかのイオン交換可能なイオンと置き換わる。カバー２６０および層２６０ａ中へのイオン交換性イオン、例えば、Ｋ^＋イオンなど、の取り込みは、当該要素または当該層を、イオン交換性イオンを含有する溶融塩浴（例えば、溶融ＫＮＯ_３塩）に浸漬することによって実施することができる。この例において、Ｋ^＋イオンは、Ｎａ^＋イオンより大きな原子半径を有し、それが存在するガラスに局所的圧縮応力を生じさせる傾向がある。

用いられるイオン交換プロセス条件に応じて、イオン交換性イオンを、第一主要面２６４ａまたは第二主要面２６６ａから第一イオン交換深さ２６８ａ、２６８ｃまで与えることができ、これが、圧縮応力領域２６８、２６８ｂのためのイオン交換圧縮応力深さ（「ＤＯＬ」）を確立する。そのようなイオン交換プロセスによって、１００ＭＰａを大きく上回る（２０００ＭＰａの高さまで）、ＤＯＬ内の圧縮応力レベルを達成することができる。前に述べたように、圧縮応力領域２６８、２６８ｂにおける圧縮応力レベルは、半径２６５、２６５ａを有する一つまたは複数の静的屈曲の存在によって生じた、カバー２６０、および一つまたは複数のガラス層２６０ａにおける引張応力を相殺するために役立ち得る。

本開示によるカバー要素２６０のための、他の処理関連の情報ならびに代替の構成は、２０１４年１月２９日および２０１４年４月３日にそれぞれ出願された、米国特許仮出願第６１／９３２，９２４号明細書および米国特許仮出願第６１／９７４，７３２号明細書（集合的に、「’９２４および‘７３２出願」）において教示されるスタックアセンブリおよび関連する物品の態様から得ることができる。例えば、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａは、カバー２６０内において、アルカリ含有組成物を含む様々なガラス組成物を用いることができるが、これは、カバー２６０が、電子部品１８０に直接には接触しないためである。デバイスアセンブリ３００、３００ａのいくつかの他の態様において、カバー２６０は、背面板１５０の上方における統合された電子部品（例えば、タッチセンサーなど）ならびに当該背面板に取り付けられた電子部品１８０を用いることができる。そのような態様において、カバー２６０は、好ましくは、無アルカリガラス組成を用いるであろう。

図５〜５Ａに示される電子デバイスアセンブリ３００、３００ａのいくつかの態様において、当該アセンブリはさらに、カバー２６０の下の、背面板１５０に接合された封入材２５０も含む。当該封入材２５０は、電子部品１８０を封入するように構成される。当該封入材は、いくつかの態様において、光学的に透明なポリマーシーリング材として構成することができる。しかしながら、当該封入材２５０は、当該アセンブリ３００、３００ａが、半径２６５、２６５ａを有する一つまたは複数の静的屈曲を含む場合に、破損せずに封入材として機能するためには、好適な機械的完全性を有しなければならないことは理解されるべきである。したがって、当該封入材は、カバー２６０の半径２６５、２６５ａに実質的に等しい半径２５５、２５５ａを有する一つまたは複数の静的屈曲を有することができる。

再び図５から図５Ａを参照すると、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａの別の態様は、（ａ）少なくとも９０％の光透過率、第一主要面２５４ａ、および第二主要面２５６ａを有する第二ガラス層２５０ａと、（ｂ）第二ガラス層２５０ａの第一主要面２５４ａまたは第二主要面２５６ａから、それぞれ、第二ガラス層２５０ａの第一深さ２５８ａ、２５８ｃまで広がる圧縮応力領域２５８、２５８ｂであって、当該第二ガラス層の第一主要面２５４ａまたは第二主要面２５６ａのそれぞれにおける、少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域２５８、２５８ｂと、をさらに含む、約２５μｍから約１２５μｍの厚さを有するガラス層の形態の封入材２５０を用いている。封入材２５０はさらに、当該封入材が、約２５℃、および約５０％の相対湿度において、背面板１５０に存在する静的屈曲に実質的に等しい半径２５５、２５５ａを有する一つまたは複数の静的屈曲および／または湾曲した構造的特徴を含む場合に破損がないことによって特徴付けられる。そのため、当該封入材２５０は、先述のセクションにおいて説明したガラスカバー２６０と同一または同様に構成することができる。

電子デバイスアセンブリ３００、３００ａのいくつかの態様の場合、カバー２６０に対して指定される貫入抵抗性および鉛筆硬度要件は、封入材２５０に関しては制御していない。すなわち、封入材２５０は、おそらく製造人員またはデバイス所有者による直接的なハンドリングを受けないと思われ、これは、高い貫入抵抗性および鉛筆硬度の重要性を低下させる。本開示のある特定の他の態様において、封入材２５０は、背面板１５０に関して上記において説明されるように、実質的にアルカリイオンを含有しないガラス組成を含むことができる。アセンブリ３００、３００ａのこれらの態様は、概して、封入材２５０とその下の電子部品１８０との間の近接を必要とする。図５および図５Ａには詳細には示されていないが、封入材２５０は、実際には、電子部品１８０に対して密閉環境を作り出すように背面板に密封接着される。封入材２５０は、当技術分野において既知であるように、フリットシーリングによって背面板１５０に密封接着され得る。

電子デバイスアセンブリ３００、３００ａのある特定の実践形態において、当該アセンブリは、４００マイクロメートル以下、３７５マイクロメートル以下、３５０マイクロメートル以下、３２５マイクロメートル以下、３００マイクロメートル以下、２７５マイクロメートル以下、２５０マイクロメートル以下、２２５マイクロメートル以下、または２００マイクロメートル以下の総厚さを有する。当該電子デバイスアセンブリの総厚さは、概して、背面板１５０、封入材２５０、カバー２６０、および保護層１７０のそれぞれの厚さに依存する。ポリマーフィルムを構成する保護層１７０と接着剤とを用いるデバイスアセンブリ３００、３００ａの態様では、当該総厚さは、約６００マイクロメートル以下であり得る。前に概説したように、当該背面板の厚さは、事前の材料除去に関連する処理条件の程度に依存し得る。

追加の態様により、実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、最終厚さ１５２を少なくとも２０μｍ上回る初期厚さと、第一主要面１５４と、第二主要面１５６とを有する背面板１５０を形成するステップと、当該背面板１５０の初期厚さ（図示されず）から材料を除去することによって最終厚さ１５２を画定するステップであって、当該最終厚さ１５２が約２０μｍから約１００μｍであるステップと、を含む、電子デバイスアセンブリ３００、３００ａ（図５から図５Ａを参照されたい）を形成する方法が提供される。当該方法はさらに、当該背面板１５０の第一主要面１５４上に保護層１７０を形成するステップと、当該背面板１５０の第二主要面１５６上に複数の電子部品１８０を配設するステップと、および、当該背面板１５０の第二主要面１５６上に複数の電子部品１８０を配設するステップの後に当該背面板１５０において少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップであって、当該静的屈曲が、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径１４０を有するステップとを含む。

電子デバイスアセンブリ３００、３００ａを形成する方法のある特定の態様において、当該方法はさらに、複数の電子部品１８０を覆うカバー２６０であって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さと、第一主要面２６４と、第二主要面２６６とを有するカバー２６０を形成するステップを含むことができる。当該カバー２６０はさらに、少なくとも９０％の光透過率を有する第一ガラス層２６０ａ、第一主要面２６４ａ、および第二主要面２６６ａも含む。アセンブリ３００のカバー２６０はさらに、第一ガラス層２６０ａの第一主要面２６４ａから当該第一ガラス層の第一深さ２６８ａまで広がる圧縮応力領域２６８であって、当該第一ガラス層２６０ａの第一主要面２６４ａにおける少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域２６８も含む。アセンブリ３００ａのカバー２６０はさらに、第一ガラス層２６０ａの第二主要面２６６ａから当該第一ガラス層の第一深さ２６８ｃまで広がる圧縮応力領域２６８ｂであって、当該第一ガラス層２６０ａの第二主要面２６６ａにおける少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域２６８ｂも含む。

先述の方法により形成されるアセンブリ３００、３００ａのカバー２６０はまた、カバー２６０の第一主要面２６４が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバー２６０の第二主要面２６６が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性と、８Ｈ以上の鉛筆硬度と、によっても特徴付けられる。アセンブリ３００、３００ａを形成する当該方法はまた、当該カバー２６０を屈曲させて、背面板１５０における一つまたは複数の静的屈曲の曲げ半径１４０に実質的に等しい半径２６５を有する少なくとも一つの静的屈曲または湾曲した構造的特徴を形成するステップも含む。

電子デバイスアセンブリ３００、３００ａを形成する方法のある特定の態様において、当該方法は、封入材２５０を背面板１５０に密封接着するステップと、当該封入材２５０によって複数の電子部品１８０を封入するステップと、を含む。いくつかの実施形態により、当該封入材２５０は、約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、少なくとも９０％の光透過率を有する第二ガラス層２５０ａ、および第一主要面２５４を含む。さらに、先述の方法により形成されるアセンブリ３００の封入材２５０は、第二ガラス層２５０ａの第一主要面２５４ａから当該第二ガラス層の第一深さ２５８ａまで広がる圧縮応力領域２５８であって、当該第二ガラス層２５０ａの第一主要面２５４ａにおける少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域２５８を含む。同様に、先述の方法によって形成されるアセンブリ３００ａの封入材２５０は、第二ガラス層２５０ａの第二主要面２５６ａから当該第二ガラス層の第一深さ２５８ｃまで広がる圧縮応力領域２５８ｂであって、当該第二ガラス層２５０ａの第二主要面２５６ａにおける少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域２５８ｂを含む。さらに、アセンブリ３００、３００ａの封入材２５０は、背面板１５０の曲げ半径１４０に実質的に等しい半径２５５、２５５ａを有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴または静的屈曲も含む。本開示において概説される方法のある特定の態様は、当該背面板１５０に当該封入材２５０を密封接着するステップの前に、当該封入材２５０を屈曲させて当該少なくとも一つの静的屈曲または湾曲した構造的特徴を形成するステップを必要とする。先述の方法の別の態様において、当該密封接着するステップは、当該背面板１５０に当該封入材２５０をフリットシーリングするステップを含む。

特許請求の範囲の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を為すことができることは、当業者には明白であろう。例えば、図２から図２Ｃに示されるスタックアセンブリ１００、１００ａは、半径４０、４０ａを有する一つまたは複数の静的屈曲の存在によって伸張されることが予想される、主要面２５４上の保護層７０を含む。一つまたは複数の静的屈曲および／または湾曲した構造的特徴の存在により引張応力を受けることが予想されるスタックアセンブリ１００、１００ａに用いられたガラス要素５０における追加の表面および／または端部（図示されず）に保護層７０が用いられるような、さらなる他の変更例も可能である。

追加の一例により、当該スタックアセンブリの様々な層は、スタック中に位置されたときに所望の非平面形状へと形成される屈曲可能なガラス層、またはスタックへの組み立てに先立って、所望の非平面形状に設置された（例えば、通常状態においてそのような非平面状の構成であるように、非平面形状へと曲げられたか、またはそうではなければ非平面形状へと形成された）ガラス層から形成され得る。後者は、特に、スタックへと組み立てられる前に平面形状に加工する必要が無いであろう封入材層およびカバーに当てはまる。

本明細書において説明される様々な態様は、あらゆる組み合わせにおいて組み合わせることができる。例えば、当該態様は、以下において詳細に説明されるように組み合わせることができる。

第一態様により、
実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成、
約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率、
約２０μｍから約１００μｍの最終厚さ、
第一主要面および、
第二主要面、
を有する背面板であって、当該主要面が、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さへの事前の材料除去によって特徴付けられる、背面板と、
当該背面板の第一主要面上の保護層と、
当該背面板の第二主要面上における複数の電子部品と、
を含み、当該背面板が、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する少なくとも一つの静的屈曲で構成される、電子デバイスアセンブリが提供される。

第二態様により、上記静的屈曲が、約１５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する、第一態様による電子デバイスアセンブリが提供される。

第三態様により、上記保護層が、ナノシリカ粒子と、エポキシ材料およびウレタン材料のうちの少なくとも一方とを含む、第一態様または第二態様による電子デバイスアセンブリが提供される。

第四態様により、上記背面板の組成が、０．５モル％未満のＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれを有する、第一態様〜第三態様のいずれか一つによる電子デバイスアセンブリが提供される。

第五態様により、上記電子部品が、少なくとも一つの薄膜トランジスタ素子を含む、第一態様〜第四態様のいずれか一つによる電子デバイスアセンブリが提供される。

第六態様により、上記電子部品が、少なくとも一つのＯＬＥＤ素子を含む、第一態様〜第四態様のいずれか一つによる電子デバイスアセンブリが提供される。

第七態様により、
複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さと、第一主要面と、第二主要面と、上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲とを有し、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率および第一主要面を有する第一ガラス層と、
（ｂ）当該第一ガラス層の当該第一主要面から当該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第一ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域と、
をさらに含むカバーをさらに含む、第一態様〜第六態様のいずれか一つによる電子デバイスアセンブリであって、
当該カバーが、
（ａ）当該カバーの第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、および
（ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度
によって特徴付けられる、電子デバイスアセンブリが提供される。

第八態様により、２５０μｍ以下の総厚さを有する、第七態様による電子デバイスアセンブリが提供される。

第九態様により、第一態様〜第六態様のいずれか一つによる電子デバイスアセンブリであって、
複数の電子部品を覆うカバーであって、あるガラス組成と、上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴とを有するカバーを含み、
当該カバーが、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率、
（ｂ）当該カバーの第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、および
（ｃ）８Ｈ以上の鉛筆硬度
によってさらに特徴付けられる、電子デバイスアセンブリが提供される。

第十態様により、上記カバーの下方に位置されかつ上記背面板に接合された封入材であって、上記複数の電子部品を封入するように構成される封入材をさらに含む、第七態様または第九態様による電子デバイスアセンブリが提供される。

第十一態様により、第七態様または第九態様による電子デバイスアセンブリであって、
上記カバーの下方に位置されかつ上記背面板に接合された封入材であって、上記複数の電子部品を封入するように構成され、約２５μｍから約１２５μｍの厚さを有し、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率および第一主要面を有する第二ガラス層、ならびに
（ｂ）第二ガラス層の第一主要面から第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第二ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域
をさらに含む封入材をさらに含み、
当該封入材が、上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴よってさらに特徴付けられる、電子デバイスアセンブリが提供される。

第十二態様により、上記第二ガラス層が、実質的にアルカリイオンを含有しないガラス組成を有する、第十一態様による電子デバイスアセンブリが提供される。

第十三態様により、約３７５μｍ以下の総厚さを有する、第十一態様または第十二態様による電子デバイスアセンブリが提供される。

第十四態様により、電子デバイスアセンブリを形成する方法であって、
実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さと、第一主要面と、第二主要面とを有する背面板を形成するステップと、
当該背面板の初期厚さから材料を除去することによって最終厚さを画定するステップであって、当該最終厚さが約２０μｍから約１００μｍであるステップと、
当該背面板の上記第一主要面上に保護層を形成するステップと、
当該背面板の上記第二主要面上に複数の電子部品を配設するステップと、
当該背面板の上記第二主要面上に複数の電子部品を配設するステップの後に当該背面板において少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップであって、当該静的屈曲が、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有するステップと、
を含む方法が提供される。

第十五態様により、上記静的屈曲が、約１５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する、第十四態様による方法が提供される。

第十六態様により、上記保護層が、ナノシリカ粒子と、エポキシ材料およびウレタン材料のうちの少なくとも一方とを含む、第十四態様または第十五態様による方法が提供される。

第十七態様により、上記背面板の組成が、０．５モル％未満のＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれを有する、第十四態様〜第十六態様のいずれか一つによる方法が提供される。

第十八態様により、上記電子部品が、少なくとも一つの薄膜トランジスタ素子を含む、第十四態様〜第十七態様のいずれか一つによる方法が提供される。

第十九態様により、上記電子部品が、少なくとも一つのＯＬＥＤ素子を含む、第十四態様〜第十八態様のいずれか一つによる方法が提供される。

第二十態様により、第十四態様〜第十九態様のいずれか一つによる方法であって、
複数の電子部品を覆うカバーを形成するステップであって、当該カバーが約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、第一主要面、第二主要面、上記背面板における上記静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を有し、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率を有する第一ガラス層、
（ｂ）第一主要面、および
（ｃ）当該第一ガラス層の当該第一主要面から当該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第一ガラス層の第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、
をさらに含み、ならびに当該カバーが、
（ａ）当該カバーの第二主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第一主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、ならびに
（ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度、
によって特徴付けられる、ステップと、
当該カバーを屈曲させて、当該背面板における静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップと、
をさらに含む方法が提供される。

第二十一態様により、上記電子デバイスアセンブリが、２５０μｍ以下の総厚さを有する、態様２０による方法が提供される。

第二十二態様により、
封入材を上記背面板に密封接着するステップと、
当該封入材によって上記複数の電子部品を封入するステップと、
を含む、第二十態様による方法が提供される。

第二十三態様により、上記封入材が、
（ａ）約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、
（ｂ）少なくとも９０％の光透過率を有する第二ガラス層、
（ｃ）第一主要面、
（ｄ）当該第二ガラス層の当該第一主要面から当該第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第二ガラス層の当該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、および
（ｅ）上記背面板における上記静的屈曲の上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴
を含む、第二十二態様による方法が提供される。

第二十四態様により、上記第二ガラス層が、実質的にアルカリイオンを含有しないガラス組成を有する、第二十二態様または第二十三態様による方法が提供される。

第二十五態様により、
上記背面板に上記封入材を密封接着するステップの前に、当該封入材を屈曲させて少なくとも一つの湾曲した構造的特徴を形成するステップ
をさらに含む、第二十二態様による方法が提供される。

第二十六態様により、上記電子デバイスアセンブリが、約３７５μｍ以下の総厚さを有する、態様２２による方法が提供される。

第二十七態様により、上記密封接着するステップが、上記封入材を上記背面板にフリットシーリングするステップを含む、第二十三態様〜第二十六態様のいずれか一つによる方法が提供される。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
電子デバイスアセンブリにおいて、
背面板であって、
実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成、
約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率、
約２０μｍから約１００μｍの最終厚さ、
第一主要面、および
第二主要面、
を有し、当該主要面が、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから当該最終厚さへの事前の材料除去によって特徴付けられる、背面板と、
当該背面板の当該第一主要面上における保護層と、
当該背面板の当該第二主要面上における複数の電子部品と、
を含み、当該背面板が、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する少なくとも一つの静的屈曲で構成される、電子デバイスアセンブリ。

実施形態２
上記保護層が、ナノシリカ粒子と、エポキシ材料およびウレタン材料のうちの少なくとも一方とを含む、実施形態１に記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態３
上記背面板の組成が、０．５モル％未満のＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれを有する、実施形態１または実施形態２に記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態４
上記電子部品が、少なくとも一つの薄膜トランジスタ素子、または少なくとも一つのＯＬＥＤ素子を含む、実施形態１〜３のいずれか一つに記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態５
上記複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さと、第一主要面と、第二主要面と、上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲とを有し、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率、および第一主要面を有する第一ガラス層、ならびに
（ｂ）当該第一ガラス層の当該第一主要面から当該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第一ガラス層の当該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、
をさらに含むカバーをさらに含み、
当該カバーが、
（ａ）当該カバーの当該第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、ならびに
（ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度、
によって特徴付けられる、実施形態１〜４のいずれか一つに記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態６
上記電子デバイスアセンブリが、２５０μｍ以下の総厚さを有する、実施形態５に記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態７
複数の電子部品を覆うカバーであって、あるガラス組成、および上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴を有するカバーを含み、
当該カバーが、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率、
（ｂ）当該カバーの当該第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、ならびに
（ｃ）８Ｈ以上の鉛筆硬度
によってさらに特徴付けられる、実施形態１〜４のいずれか一つに記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態８
上記カバーの下方に位置され、かつ上記背面板に接合された封入材であって、複数の電子部品を封入するように構成される封入材、
をさらに含む、実施形態１、５、または７のいずれか一つに記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態９
上記カバーの下方に位置され、かつ上記背面板に接合された封入材であって、複数の電子部品を封入するように構成され、約２５μｍから約１２５μｍの厚さを有し、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率、および第一主要面を有する第二ガラス層、ならびに
（ｂ）当該第二ガラス層の当該第一主要面から当該第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第二ガラス層の当該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、
をさらに含む封入材をさらに含み、当該封入材が、上記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴よってさらに特徴付けられる、実施形態１、５、または７のいずれか一つに記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態１０
上記第二ガラス層が、実質的にアルカリイオンを含有しないガラス組成を有する、実施形態９に記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態１１
約３７５μｍ以下の総厚さを有する、実施形態８または実施形態９に記載の電子デバイスアセンブリ。

実施形態１２
電子デバイスアセンブリを形成する方法であって、
実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さと、第一主要面と、第二主要面とを有する背面板を形成するステップと、
当該背面板の当該初期厚さから材料を除去することによって当該最終厚さを画定するステップであって、当該最終厚さが約２０μｍから約１００μｍであるステップと、
当該背面板の当該第一主要面上に保護層を形成するステップと、
当該背面板の当該第二主要面上に複数の電子部品を配設するステップと、
当該背面板の当該第二主要面上に当該複数の電子部品を配設するステップの後に当該背面板において少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップであって、当該静的屈曲が約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有するステップと、
を含む、方法。

実施形態１３
上記保護層が、ナノシリカ粒子と、エポキシ材料およびウレタン材料のうちの少なくとも一方とを含む、実施形態１２に記載の方法。

実施形態１４
上記背面板の上記組成が、０．５モル％未満のＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれを有する、実施形態１２または実施形態１３に記載の方法。

実施形態１５
上記電子部品が、少なくとも一つの薄膜トランジスタ素子または少なくとも一つのＯＬＥＤ素子を含む、実施形態１２〜１４のいずれか一つに記載の方法。

実施形態１６
複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さと、第一主要面と、第二主要面と、上記背面板における上記静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲とを有し、
（ａ）少なくとも９０％の光透過率を有する第一ガラス層、
（ｂ）第一主要面、および
（ｃ）当該第一ガラス層の当該第一主要面から当該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第一ガラス層の当該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域
をさらに含むカバーを形成するステップであって、
当該カバーが、
（ａ）当該カバーの当該第二主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ当該カバーの当該第一主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、ならびに
（ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度
によって特徴付けられるステップと、
当該カバーを屈曲させて、当該背面板における当該静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップと
をさらに含む、実施形態１２〜１５のいずれか一つに記載の方法。

実施形態１７
上記電子デバイスアセンブリが、２５０μｍ以下の総厚さを有する、実施形態１６に記載の方法。

実施形態１８
封入材を上記背面板に密封接着するステップと、
当該封入材によって上記複数の電子部品を封入するステップと
をさらに含む、実施形態１２〜１６のいずれか一つに記載の方法。

実施形態１９
上記封入材が、
（ａ）約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、
（ｂ）少なくとも９０％の光透過率を有する第二ガラス層、
（ｃ）第一主要面、
（ｄ）当該第二ガラス層の当該第一主要面から当該第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、当該第二ガラス層の当該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、および
（ｅ）上記背面板における上記静的屈曲の曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴
を含む、実施形態１８に記載の方法。

実施形態２０
上記第二ガラス層が、実質的にアルカリイオンを含有しないガラス組成を有する、実施形態１９に記載の方法。

実施形態２１
上記背面板に上記封入材を密封接着する上記ステップの前に、当該封入材を屈曲させて少なくとも一つの湾曲した構造的特徴を形成するステップ
をさらに含む、実施形態１９に記載の方法。

実施形態２２
上記電子デバイスアセンブリが約３７５μｍ以下の総厚さを有する、実施形態１８〜２１のいずれか一つに記載の方法。

実施形態２３
上記密封接着するステップが、上記封入材を上記背面板にフリットシーリングするステップを含む、実施形態１８〜２２のいずれか一つに記載の方法。

４０、４０ａ、１４０、１４０ａ 曲げ半径
５０ ガラス要素
５２、１５２ 最終厚さ
６２、６２ａ、 最終厚さのおよそ半分
７２ 厚さ
５４、１５４、２５４、２５４ａ、２６４、２６４ａ 第一主要面
５６、１５６、２５６ａ、２６６、２６６ａ 第二主要面
６０、６０ａ、１６０、１６０ａ 欠陥を含まない領域
７０、１７０ 保護層
１００、１００ａ スタックアセンブリ
１５０ 背面板
１６２、１６２ａ 深さ
１８０ 電子部品
２００、２００ａ、３００、３００ａ 電子デバイスアセンブリ
２６０ カバー
２５０ａ、２６０ａ ガラス層
２５５、２５５ａ、２６５、２６５ａ 半径
２５８、２５８ａ、２６８、２６８ｂ 圧縮応力領域
２６８ａ、２６８ｃ 第一深さ

Claims (10)

1. 電子デバイスアセンブリにおいて、
   背面板であって、
   実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成、
   約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率、
   約２０μｍから約１００μｍの最終厚さ、
   第一主要面、および
   第二主要面、
   を有し、該主要面が、該最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さから該最終厚さへの事前の材料除去によって特徴付けられる、背面板と、
   該背面板の該第一主要面上の保護層と、
   該背面板の該第二主要面上における複数の電子部品と、
   を含み、
   該背面板が、約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有する少なくとも一つの静的屈曲で構成される、電子デバイスアセンブリ。
2. 前記保護層が、ナノシリカ粒子と、エポキシ材料およびウレタン材料のうちの少なくとも一方とを含む、請求項１に記載の電子デバイスアセンブリ。
3. 前記背面板の前記組成が、０．５モル％未満のＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、およびＣｓ_２Ｏのそれぞれを有する、請求項１または２に記載の電子デバイスアセンブリ。
4. 前記電子部品が、少なくとも一つの薄膜トランジスタ素子、または少なくとも一つのＯＬＥＤ素子を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスアセンブリ。
5. 前記複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、第一主要面、第二主要面、前記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を有し、
   （ａ）少なくとも９０％の光透過率、および第一主要面を有する第一ガラス層、ならびに
   （ｂ）該第一ガラス層の該第一主要面から該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、該第一ガラス層の該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、
   をさらに含むカバーをさらに含み、
   該カバーが、
   （ａ）該カバーの該第一主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ該カバーの該第二主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、ならびに
   （ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度
   によって特徴付けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイスアセンブリ。
6. 電子デバイスアセンブリを形成する方法であって、
   実質的にアルカリイオンを含まないガラス組成と、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａの弾性率と、最終厚さを少なくとも２０μｍ上回る初期厚さと、第一主要面と、第二主要面とを有する背面板を形成するステップと、
   該背面板の該初期厚さから材料を除去することによって該最終厚さを画定するステップであって、該最終厚さが約２０μｍから約１００μｍである、ステップと、
   該背面板の該第一主要面上に保護層を形成するステップと、
   該背面板の該第二主要面上に複数の電子部品を配設するステップと、
   該背面板の該第二主要面上に該複数の電子部品を配設する該ステップの後に、該背面板において少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップであって、該静的屈曲が約２５ｍｍから約５ｍｍの間の曲げ半径を有するステップと、
   を含む、方法。
7. 前記複数の電子部品を覆うカバーであって、約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、第一主要面、第二主要面、前記背面板における前記静的屈曲の前記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を有し、
   （ａ）少なくとも９０％の光透過率を有する第一ガラス層、
   （ｂ）第一主要面、および
   （ｃ）該第一ガラス層の該第一主要面から該第一ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、該第一ガラス層の該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、
   をさらに含み、
   （ａ）該カバーの該第二主要面が、（ｉ）約１ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ２５μｍの厚さの感圧性接着剤、および（ｉｉ）約１０ＧＰａ未満の弾性率を有するおよそ５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート層によって支持され、かつ該カバーの該第一主要面が、２００μｍ直径の平坦な底面を有するステンレス鋼ピンによって負荷される場合の、約１．５ｋｇｆ（約１４．７Ｎ）を超える貫入抵抗性、ならびに
   （ｂ）８Ｈ以上の鉛筆硬度
   によって特徴付けられる、カバーを形成するステップと、
   該カバーを屈曲させて、該背面板における該静的屈曲の該曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの静的屈曲を形成するステップと
   をさらに含む、請求項６に記載の方法。
8. 封入材を前記背面板に密封接着するステップと、
   該封入材によって前記複数の電子部品を封入するステップと、
   をさらに含む、請求項６または７に記載の方法。
9. 前記封入材が、
   （ａ）約２５μｍから約１２５μｍの厚さ、
   （ｂ）少なくとも９０％の光透過率を有する第二ガラス層、
   （ｃ）第一主要面、
   （ｄ）該第二ガラス層の該第一主要面から該第二ガラス層の第一深さまで広がる圧縮応力領域であって、該第二ガラス層の該第一主要面における少なくとも約１００ＭＰａの圧縮応力によって定義される、圧縮応力領域、および
   前記背面板における前記静的屈曲の前記曲げ半径に実質的に等しい半径を有する少なくとも一つの湾曲した構造的特徴
   を含み、
   さらに、
   （ａ）該背面板に前記封入材を密封接着する前記ステップの前に、該封入材を屈曲させて該少なくとも一つの湾曲した構造的特徴を形成するステップ
   を含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記密封接着するステップが、前記封入材を前記背面板にフリットシーリングするステップを含む、請求項８または９に記載の方法。

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