JP2010528421A - 機械的可撓性および耐久性基板と製造方法 - Google Patents
機械的可撓性および耐久性基板と製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010528421A JP2010528421A JP2010509350A JP2010509350A JP2010528421A JP 2010528421 A JP2010528421 A JP 2010528421A JP 2010509350 A JP2010509350 A JP 2010509350A JP 2010509350 A JP2010509350 A JP 2010509350A JP 2010528421 A JP2010528421 A JP 2010528421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- less
- fracture toughness
- thickness
- mpa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 191
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 49
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007657 chevron notch test Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000005359 alkaline earth aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000036314 physical performance Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007652 sheet-forming process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003283 slot draw process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
破壊靭性は、本明細書において用いられるとき、クラックまたは他の欠点を有する材料が破壊に耐える能力を指す。KIcとして示される破壊靭性は典型的にMPa・(m)1/2の単位で表される。破壊靭性は、クラックが存在するときの脆性破壊に対する材料の耐性の定量的表現である。本発明の基板は、少なくとも約0.75MPa・(m)1/2の破壊靭性、例えば、約0.75、0.77、0.80、0.83、0.85、0.87、0.9、0.95、0.99、1.0、1.5、または1.1MPa・(m)1/2、好ましくは少なくとも約0.85MPa・(m)1/2、例えば、約0.85、0.87、0.9、0.95、0.99、1.0、1.5、または1.1MPa・(m)1/2、より好ましくは少なくとも約1.0MPa・(m)1/2、例えば、約1.0、1.05、1.1、1.15、または2MPa・(m)1/2、または最も好ましくは少なくとも約1.1MPa・(m)1/2、例えば、約1.1、1.12、1.14、1.16、1.18、1.2、または1.3MPa・(m)1/2の破壊靭性を有することができる。1つの態様において、基板は少なくとも約0.75MPa・(m)1/2〜約10MPa・(m)1/2の破壊靭性を有する。別の態様において、本発明の基板は約0.86MPa・(m)1/2の破壊靭性を有する。別の態様において、本発明の基板は約0.95MPa・(m)1/2の破壊靭性を有する。
脆性率は、本明細書において用いられるとき、特定材料の硬度の、破壊靭性に対する比を指す。脆性率は典型的に、H/KIcとして表すことができ、(μm)−1/2の単位を有する。機械耐久性の可撓性基板は、低い硬度および高い破壊靭性を示し、従って低い脆性率をもたらす。本発明の基板は約9.5(μm)−1/2未満の脆性率、例えば、約9.5、9.3、9.1、8.8、8.5、8.3、8.1、7.9、7.75、7.5、7.25、7.0、6.75、6.5、6.25、6、または5.5(μm)−1/2未満、好ましくは約8.0(μm)−1/2未満、例えば、約8.0、7.9、7.75、7.5、7.25、7.0、6.75、6.5、6.25、6、または5.5(μm)−1/2未満、より好ましくは約6.5(μm)−1/2未満、例えば、約6.5、6.25、6、5.5、5.または4.5(μm)−1/2未満、または最も好ましくは約5.5(μm)−1/2未満、例えば、約5.5、5.25、5、4.75、または4.5(μm)−1/2未満を有することができる。1つの態様において、基板は約0.1(μm)−1/2〜約9.5(μm)−1/2未満の脆性率を有する。別の態様において、基板は約6.46(μm)−1/2の脆性率を有する。別の態様において、基板は約5.5(μm)−1/2の脆性率を有する。
曲げの間に基板材料が受ける応力レベルは、基板材料の弾性率(E)および応力フリー中立軸からの距離に比例し得る。特定の基板の応力フリー中立軸の位置は、基板組成物によって変化し得る。また、応力フリー中立軸の位置は、製造されたデバイスの基板またはコーティング材料を含む基板など、単一〜多層基板の間で変化することができる。典型的な態様において、可撓性基板はロールツーロール処理システムを通して引っ張られ、そこで引張応力(σt)は断面積に反比例し、従って基板の厚さに反比例する。この典型的な態様において、基板上の全応力は、ローラー装置中を移動する間に受ける曲げ応力と上に記載された引張応力との合計である。
可撓性基板において、破壊メカニクスは典型的に、基板材料に存在する傷に当てはまる。特に、応力拡大係数、KIは、式
KI=Yσa(πa)1/2
(Yは基板材料に存在する傷の幾何学的因子である)によって表面引張応力σa、および傷の深さaに関連づけられる。KIが材料の破壊靭性に達するとき(KI=KIC)、破損が生じる。さらに、クラック速度と応力強さとの間の関係は、式
V=AKI n
(Aおよびnの両方がクラック生長パラメータである)によって表すことができる。クラック生長パラメータnは、臨界未満クラック生長に対する基板材料の感受性の指標を提供することができる。ガラスセラミック、およびガラスセラミック材料については、nは典型的に動的疲れ強さを用いて測定され、そこで材料の強度σfは、応力速度σrの関数として、例えば式
(σf1/σf2)n+1=(σr1/σr2)
(下付き文字1および2は応力の異なる速度の測定強度を表す)で測定される。nの値は、対数強度対対数応力速度の単純な回帰によって測定することができ、そこで傾きは1/(n+1)に等しい。動的疲れ法によって得られるようなガラス材料の典型的な疲れ強さ値は以下の表1に記載される。
可撓性基板の曲げ半径は、基板が破壊せずに屈曲され得る最小半径である。屈曲基板の許容曲げ半径は典型的に、許容適用曲げ応力に反比例する。従って、より高いn値を有する材料は、可撓性基板がより小さい半径まで曲がることを可能にする。本発明の基板は約30cm未満、例えば、約30、28、26、24、22、20、18、16、14、12、10、8、6、4、2、1、または0.5cm未満、好ましくは約10cm未満、例えば、約10、8、6、4、2、または1cm未満、またはより好ましくは約2cm未満、例えば、約2、1.6、1.2、1、0.8、0.6、0.4、または0.3cm未満の曲げ半径を有することができる。約30cm未満の曲げ半径は本発明の基板に必要ではないが、改良された可撓性および性能を提供することができる。1つの態様において、基板は約26cmの曲げ半径を有する。別の態様において、基板は約8cmの曲げ半径を有する。さらに別の態様において、基板は約1.2cmの曲げ半径を有する。
本発明の基板は少なくとも1つの非晶質無機組成物を含む。本明細書において用いられるとき、「非晶質」は長距離秩序がない非結晶材料を指す。基板が上に記載されたような脆性率および破壊靭性の内の少なくとも一方を有することを条件として、非晶質無機組成物は例えば、電子デバイスなどの対象となる用途において用いるために適したいずれの無機組成物であってもよい。非晶質無機組成物はガラス、ガラスセラミック、またはそれらの組合せを含むことができる。典型的なガラス材料は、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、リン酸塩ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス、シリカガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ土類アルミノケイ酸塩ガラス、希土類アルミノケイ酸塩ガラス、またはそれらの組合せを含むことができる。1つの態様において、基板はガラスを含む。特定の態様において、基板はアルミノホウケイ酸ガラスを含む。
本発明の基板は場合により、少なくとも1つの基板表面の少なくとも一部の上にコーティングを含むことができる。コーティングは、基板表面を保護し、基板に機械的支持を与え、および/または基板に他の性質を提供することができる。コーティングは、存在する場合、いずれの材料も含むことができ、電子デバイスに用いるために適した任意の厚さで存在することができる。コーティングは、単一層または複数、例えば、2、3、4、5以上の層として存在することができる。複数の層は、存在する場合、同一または異なった組成物のどちらかを含むことができる。全ての層が同じ組成物を含む必要はない。1つの態様において、基板は、1つの基板表面上に単一層コーティングを含む。別の態様において、基板は、2つの対向した基板表面上に単一層コーティングを含む。様々な典型的な態様において、コーティング材料は、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリアリレート、ポリオレフィン、環状オレフィンコポリマー、ポリアリールアミン、ポリアミド、ポリイミド、またはそれらの組合せを含む。1つの態様において、基板はポリアリレートコーティングを含む。別の態様において、基板はポリエーテルスルホンコーティングを含む。コーティングは、存在する場合、対象となる用途のために適したいずれの厚さであってもよい。任意のコーティングは約1μm未満〜約200μm、またはそれ以上、例えば、約0.3、1、2、4、7、10、14、20、30、50、70、100、120、140、160、190、200、または220μmであってもよい。1つの態様において、基板は1μmの厚さを有するコーティングを含む。別の態様において、基板は30μmの厚さを有するコーティングを含む。さらに別の態様において、基板は150μmの厚さを有するコーティングを含む。さらなる態様において、基板は、基板の2つの対向した表面上に2層コーティングを含む。コーティングおよびコーティング材料は市販されており、当業者は、デバイスの製造方法および/または対象となる用途に基づいて基板に適切なコーティングを容易に選択および適用することができる。
本発明の基板は、例えば、発光ディスプレイデバイスなどの様々な電子デバイスにおいて利用され得る。デバイスの設計は、対象となる用途および要求条件に応じて変化することができる。デバイスは可撓性であってもよく、または基板の少なくとも一部が可撓性であることを必要とすることがある。1つの態様において、電子デバイスは、例えば、有機発光ディスプレイデバイスなどの発光デバイスである。別の態様において、デバイスは、約30cm未満の曲げ半径を可能とする可撓性基板を有する。
本発明は、約250μm未満の厚さと、a)約9.5(μm)−1/2未満の脆性率、およびb)少なくとも約0.75MPa・(m)1/2の破壊靭性の内の少なくとも一方とを有する基板を形成し得る無機材料を選択する工程と、次に、少なくとも選択された非晶質無機材料から基板を形成する工程とを含む、可撓性基板を製造するための方法をさらに含む。形成プロセスは、焼結プロセス、圧密プロセス、圧伸成形プロセス、無機溶融体を必要とするプロセス、スロットドロープロセス、溶融ドロープロセス、アップドロープロセス、オーバーフロープロセス、ダウンドロープロセス、リドロープロセス、ブローイングプロセス、フロートプロセス、結晶化プロセス、アニールプロセス、スート堆積プロセス、ロール形成プロセス、約250μm未満の厚さを形成し得る他のプロセス、既に形成された無機シートまたは物品の固有性質(例えば、破壊靭性、弾性率、脆性率、耐疲労性)に影響を与えることができる他のプロセス、またはそれらの組合せを含むことができる。1つの態様において、形成プロセスは溶融プロセスを含む。別の態様において、形成プロセスは焼結プロセスを含む。さらに別の態様において、形成プロセスはダウンドロープロセスを含む。様々な形成プロセスが公知であり、当業者は、本発明によって基板組成物の製造に用いるために適切な形成プロセスを容易に選択することができる。
第1の実施例において、以下の表2に記載されたようなセラミック、ガラスセラミック、シリカガラス、リン酸塩ガラス、および他の組成物などの様々な材料について弾性率、硬度、破壊靭性、および脆性率を決定した。表2に確認される材料の全てがガラスを容易に形成することができるわけではないが、本発明によって基板に用いるために適している物理的性質を説明するために様々な材料が含有される。弾性率の値は、ナノインデンテーション測定を指す。硬度値は、ナノインデンテーション、ヌープ、および/またはビッカース測定を指し、そこで例えば、角錐形ダイヤモンドによってインデンテーションが基板に作られる。破壊靭性値は、インデンテーションおよび/またはシェブロンノッチ測定を指す。脆性率値は、上に記載されたように硬度および破壊靭性の測定を指す。ナノインデンテーション、ヌープ硬度、ビッカース硬度、およびシェブロンノッチ測定は公知であり、当業者は、特定の材料の弾性率、硬度、破壊靭性、および/または脆性率を決定するために適切な試験手順を容易に選択することができる。
第2の実施例において、実施例1に記載された材料のいくつかについて加傷強度値を決定した。物理的性質間の関係を示すために、実験材料は非常に異なる組成物のファミリーから選択された。選択された材料の試料を切り分け、約1インチ×1インチ(2.54cm×2.54cm)片、厚さ約1mmに磨いた。引き続いて、試料の片面を150Jサンドペーパーで加傷し、その後、加傷された試料面に引張応力を加え、リング・オン・リング(ring−on−ring)二軸方向強さを試験した。この強度試験に関し、負荷リングの直径は典型的に0.25インチ(約0.63cm)であり、および支持リングの直径は典型的に0.50(約1.27cm)インチであった。試験速度は典型的に0.05インチ(約1.27mm)/分であった。
Claims (10)
- 基板が約250μm未満の厚さと、
a)約9.5(μm)−1/2未満の脆性率、および
b)少なくとも約0.75MPa・(m)1/2の破壊靭性
の内の少なくとも一方と、
を有することを特徴とする、非晶質無機組成物を含む基板。 - a)約0.1(μm)−1/2〜約9.5(μm)−1/2未満の脆性率、および
b)約0.75MPa・(m)1/2〜約10MPa・(m)1/2の破壊靭性
の内の少なくとも一方を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板。 - 前記基板が弾性率と厚さとを有し、前記基板の弾性率と前記基板の厚さとの積が約2.0GPa・cm未満であることを特徴とする、請求項1に記載の基板。
- 前記基板の弾性率と前記基板の厚さとの積が約1.0GPa・cm未満であることを特徴とする、請求項3に記載の基板。
- 約9.5(μm)−1/2未満の脆性率と少なくとも約0.75MPa・(m)1/2の破壊靭性との両方を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板。
- 前記基板が約9.5(μm)−1/2未満の脆性率と少なくとも約0.75MPa・(m)1/2の破壊靭性との両方を有し、前記基板が弾性率と厚さとを有し、前記基板の弾性率と前記基板の厚さとの積が約2GPa・cm未満であることを特徴とする、請求項1に記載の基板。
- 前記基板が約8.0(μm)−1/2未満の脆性率と少なくとも約0.9MPa・(m)1/2の破壊靭性との両方を有し、基板が弾性率と厚さとを有し、前記基板の弾性率と前記基板の厚さとの積が約2GPa・cm未満であることを特徴とする、請求項1に記載の基板。
- 約29より大きい疲労値nを有することを特徴とする、請求項1に記載の基板。
- 基板が約250μm未満の厚さと、
a)約9.5(μm)−1/2未満の脆性率、および
b)少なくとも約0.75MPa・(m)1/2の破壊靭性
の内の少なくとも一方とを有することを特徴とする、非晶質無機組成物を含む可撓性基板を含む電子デバイス。 - 前記基板が弾性率と厚さとを有し、前記基板の弾性率と前記基板の厚さとの積が約2.0GPa・cm未満であることを特徴とする、請求項9に記載の電子デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/804,865 US9434642B2 (en) | 2007-05-21 | 2007-05-21 | Mechanically flexible and durable substrates |
PCT/US2008/006329 WO2008153672A1 (en) | 2007-05-21 | 2008-05-16 | Mechanically flexible and durable substrates and method of making |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010528421A true JP2010528421A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=39713979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010509350A Pending JP2010528421A (ja) | 2007-05-21 | 2008-05-16 | 機械的可撓性および耐久性基板と製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9434642B2 (ja) |
EP (2) | EP3156380A1 (ja) |
JP (1) | JP2010528421A (ja) |
KR (3) | KR20170053746A (ja) |
CN (2) | CN104701456A (ja) |
TW (3) | TWI633075B (ja) |
WO (1) | WO2008153672A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012518892A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | チップレットを備えるフレキシブルoledディスプレイ |
JP2017536574A (ja) * | 2014-11-05 | 2017-12-07 | コーニング インコーポレイテッド | 非平面状の構造的特徴および無アルカリガラス要素を有するガラス物品 |
JP2019175909A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 積水化学工業株式会社 | フレキシブル太陽電池及びフレキシブル太陽電池の製造方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8017220B2 (en) * | 2006-10-04 | 2011-09-13 | Corning Incorporated | Electronic device and method of making |
US9434642B2 (en) | 2007-05-21 | 2016-09-06 | Corning Incorporated | Mechanically flexible and durable substrates |
WO2010021746A1 (en) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | Corning Incorporated | Durable glass housings/enclosures for electronic devices |
US20100200063A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-12 | Derek Djeu | Thin film solar cell |
JP2011098935A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Shiseido Co Ltd | スティック状化粧料及びその製造方法 |
US20120044445A1 (en) | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid Crystal Device and Manufacturing Method Thereof |
US8490882B2 (en) | 2010-09-20 | 2013-07-23 | Etiflex Corp. | Apparatus and process including radio frequency identification devices |
US9262710B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-02-16 | Etiflex Corporation | Product identification tag and associated methods |
US9701580B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Aluminosilicate glasses for ion exchange |
DE102012104594B4 (de) * | 2012-05-29 | 2017-10-05 | Schott Ag | Verfahren zur Spezifikation der Bruchstabilität von mechanisch belasteten Glas- oder Glaskeramikbauteilen |
TWI554756B (zh) | 2012-09-06 | 2016-10-21 | 財團法人工業技術研究院 | 張應力檢測裝置及其操作方法 |
US9321677B2 (en) * | 2014-01-29 | 2016-04-26 | Corning Incorporated | Bendable glass stack assemblies, articles and methods of making the same |
US9828285B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-28 | Corning Incorporated | Transfer of monolayer graphene onto flexible glass substrates |
KR101727851B1 (ko) * | 2016-01-04 | 2017-04-17 | 경희대학교 산학협력단 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
KR102088678B1 (ko) * | 2016-10-07 | 2020-03-13 | 주식회사 엘지화학 | 곡면 접합 유리 및 곡면 접합 유리의 제조 방법 |
WO2018117692A1 (ko) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 주식회사 엘지화학 | 곡면 접합 유리의 제조 방법 및 곡면 접합 유리 |
KR101911621B1 (ko) * | 2017-02-27 | 2018-10-24 | 주식회사 엘지화학 | 접합 유리 및 접합 유리의 제조 방법 |
CN111201486A (zh) * | 2017-11-23 | 2020-05-26 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 显示面板的扇出结构及其制备方法和应用 |
WO2020092683A1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | Avery Dennison Retail Information Services, Llc | Wafer-scale integration with wafers that can be folded into three-dimensional packages |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04231342A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-08-20 | Rolls Royce Plc | アルミナホウケイ酸ガラスとその製造方法及び繊維強化ガラスマトリックス複合体の製造方法 |
JP2000500108A (ja) * | 1995-11-09 | 2000-01-11 | デイヴィッド サーノフ リサーチ センター,インコーポレイテッド | 電界利用シーリング |
JP2001318219A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JP2005019082A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Totoku Electric Co Ltd | フレキシブル表示素子 |
JP2005096108A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止ガスバリア性基板 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2457785A (en) * | 1944-08-18 | 1948-12-28 | Owens Corning Fiberglass Corp | Apparatus for making glass film |
US3089801A (en) | 1957-05-27 | 1963-05-14 | Minnesota Mining & Mfg | Ultra-thin glass sheet |
US3186813A (en) * | 1961-08-17 | 1965-06-01 | Owens Illinois Glass Co | Forming thin glass foil |
US3247428A (en) | 1961-09-29 | 1966-04-19 | Ibm | Coated objects and methods of providing the protective coverings therefor |
US3574030A (en) * | 1962-04-10 | 1971-04-06 | Corning Glass Works | Method of making flexible glass laminates |
US3391053A (en) * | 1964-10-29 | 1968-07-02 | Corning Glass Works | Flexible glass-plastic laminate |
BE758410A (fr) | 1969-11-06 | 1971-05-03 | Kalle Ag | Complexe, compose de verre et de matiere plastique |
JPS5730122A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Base film for magnetic recording medium |
US4881410A (en) * | 1987-06-01 | 1989-11-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultraminiature pressure sensor and method of making same |
US4888061A (en) * | 1988-09-01 | 1989-12-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thin-film solar cells resistant to damage during flexion |
US5479070A (en) * | 1990-05-18 | 1995-12-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light-emitting element device |
EP0499950B1 (en) | 1991-02-14 | 1999-10-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Laminated glass structure |
US5665454A (en) * | 1991-03-22 | 1997-09-09 | Teijin Limited | Biaxially oriented polyethylene-2,6-naphthalate film and magnetic tape formed therefrom |
EP0535861B1 (en) | 1991-09-30 | 1998-02-18 | AT&T Corp. | Method for making planar optical waveguides |
US5318853A (en) * | 1992-07-22 | 1994-06-07 | Resikast Corporation | Adhesive polyester prepolymer which does not etch polycarbonate sheets, and method of preparing same |
TW239238B (en) | 1994-05-12 | 1995-01-21 | Ind Tech Res Inst | Field emission display |
EP0716339B1 (en) | 1994-12-05 | 2001-09-12 | Agfa-Gevaert N.V. | A silver halide photographic material and a dry imaging material comprising a glass support |
EP0808722A1 (en) | 1996-05-21 | 1997-11-26 | Agfa-Gevaert N.V. | A material for producing a lithographic printing plate comprising a glass support |
US5824127A (en) | 1996-07-19 | 1998-10-20 | Corning Incorporated | Arsenic-free glasses |
WO1998020389A1 (en) | 1996-11-08 | 1998-05-14 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Coated flexible glass films for visual display units |
US5888643A (en) * | 1997-05-23 | 1999-03-30 | Eastman Kodak Company | Controlling bending stiffness in photographic paper |
CA2304576C (en) * | 1997-10-24 | 2007-07-31 | Agfa-Gevaert Naamloze Vennootschap | A laminate comprising a thin borosilicate glass substrate as a constituting layer |
US6287674B1 (en) * | 1997-10-24 | 2001-09-11 | Agfa-Gevaert | Laminate comprising a thin borosilicate glass substrate as a constituting layer |
GB2335884A (en) * | 1998-04-02 | 1999-10-06 | Cambridge Display Tech Ltd | Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices |
JP2000050108A (ja) | 1998-06-26 | 2000-02-18 | Newwave Technol Inc | ビデオ信号から生成される画像の識別明瞭性を改善する装置 |
US6089801A (en) * | 1998-07-01 | 2000-07-18 | Thermwood Corporation | Machine tool with improved workpiece holddown system |
EP1037862B1 (en) * | 1998-07-20 | 2005-07-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flexible substrate |
JP3432770B2 (ja) | 1998-09-29 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器の製造方法 |
EP1048628A1 (de) * | 1999-04-30 | 2000-11-02 | Schott Glas | Polymerbeschichtete Dünnglasfoliensubstrate |
JP2001240800A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 所定表面形状を有する物品の製造方法 |
CA2406993A1 (en) | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Micromet Ag | Multifunctional polypeptides comprising a binding site to an epitope of the nkg2d receptor complex |
DE10138772A1 (de) | 2000-09-07 | 2002-03-28 | Heidelberger Druckmasch Ag | Wiederbeschreibbare Druckform zum Drucken mit schmelzbarer Druckfarbe |
JP2002308643A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-10-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無アルカリガラス及びディスプレイ用ガラス基板 |
JP4103421B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2008-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス及び電子機器 |
US7105252B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-09-12 | Firefly Energy, Inc. | Carbon coated battery electrodes |
CA2391745C (en) * | 2002-06-25 | 2012-08-14 | Albert Mark David | Touch screen display using ultra-thin glass laminate |
US20050136625A1 (en) * | 2002-07-17 | 2005-06-23 | Debora Henseler | Ultra-thin glass devices |
JP2006503322A (ja) | 2002-10-16 | 2006-01-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 可撓性フラット・パネル表示装置用の係数が小さい基板 |
US6880405B2 (en) * | 2002-12-30 | 2005-04-19 | Pti Technologies, Inc. | Electrical/visual differential pressure indicator with solid state sensor |
JP4063082B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2008-03-19 | 日本電気株式会社 | フレキシブル電子デバイスとその製造方法 |
US7075593B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-07-11 | Video Display Corporation | Electron-beam-addressed active-matrix spatial light modulator |
JP2004348971A (ja) | 2003-03-27 | 2004-12-09 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
US7514149B2 (en) * | 2003-04-04 | 2009-04-07 | Corning Incorporated | High-strength laminated sheet for optical applications |
JP4222506B2 (ja) | 2003-06-13 | 2009-02-12 | 宝酒造株式会社 | パン用のドレッシング類又はソース類 |
JP4231342B2 (ja) | 2003-06-23 | 2009-02-25 | 株式会社ニチリン | ゴムホースの製造方法 |
US7037306B2 (en) | 2003-06-30 | 2006-05-02 | Ethicon, Inc. | System for creating linear lesions for the treatment of atrial fibrillation |
US7037640B2 (en) * | 2003-07-04 | 2006-05-02 | Agfa-Gevaert | Image storage phosphor or scintillator panels coated onto flexible supports |
DE10346197B4 (de) * | 2003-09-30 | 2006-02-16 | Schott Ag | Glaskeramik, Verfahren zur Herstellung einer solchen und Verwendung |
JP2005297498A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス |
US7491645B2 (en) * | 2004-10-21 | 2009-02-17 | Genesis Photonics Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JP2006131482A (ja) | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Central Glass Co Ltd | ディスプレイ装置用基板ガラス |
JP2006210538A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Asahi Glass Co Ltd | 有機el素子、その製造方法及び有機el表示装置 |
KR100616274B1 (ko) | 2005-03-18 | 2006-08-31 | 김재성 | 개거 시공용 조립 구조물 및 개거 시공방법 |
KR100705758B1 (ko) | 2005-04-19 | 2007-04-10 | 한국과학기술원 | 유기―무기 혼성물질을 이용한 플렉서블 필름 광도파로 및그 제조방법 |
KR100638823B1 (ko) | 2005-05-19 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 발광소자 및 제조방법 |
KR100750990B1 (ko) | 2005-06-22 | 2007-08-22 | 주식회사 케이씨씨 | 기판용 고 변형점 유리 조성물 |
US7851394B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-12-14 | Corning Incorporated | Fining of boroalumino silicate glasses |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
KR20070047114A (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-04 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판을 구비한 소자의 제조방법 및 이에 의해제조된 플렉서블 기판을 구비한 소자 |
US7691730B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-04-06 | Corning Incorporated | Large area semiconductor on glass insulator |
US9434642B2 (en) * | 2007-05-21 | 2016-09-06 | Corning Incorporated | Mechanically flexible and durable substrates |
-
2007
- 2007-05-21 US US11/804,865 patent/US9434642B2/en active Active
-
2008
- 2008-05-16 KR KR1020177012286A patent/KR20170053746A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-16 EP EP16196666.8A patent/EP3156380A1/en not_active Withdrawn
- 2008-05-16 JP JP2010509350A patent/JP2010528421A/ja active Pending
- 2008-05-16 CN CN201510067936.0A patent/CN104701456A/zh active Pending
- 2008-05-16 KR KR1020167016657A patent/KR20160079905A/ko active Search and Examination
- 2008-05-16 WO PCT/US2008/006329 patent/WO2008153672A1/en active Application Filing
- 2008-05-16 KR KR1020097026205A patent/KR20100017824A/ko active Application Filing
- 2008-05-16 EP EP08754520A patent/EP2066593A1/en not_active Ceased
- 2008-05-16 CN CN200880023240A patent/CN101687694A/zh active Pending
- 2008-05-19 TW TW105101132A patent/TWI633075B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-05-19 TW TW097118440A patent/TWI532699B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-05-19 TW TW104119575A patent/TWI564264B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-08-09 US US15/232,401 patent/US10276811B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-13 US US15/840,888 patent/US10312462B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-07 US US16/405,224 patent/US10636988B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04231342A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-08-20 | Rolls Royce Plc | アルミナホウケイ酸ガラスとその製造方法及び繊維強化ガラスマトリックス複合体の製造方法 |
JP2000500108A (ja) * | 1995-11-09 | 2000-01-11 | デイヴィッド サーノフ リサーチ センター,インコーポレイテッド | 電界利用シーリング |
JP2001318219A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JP2005019082A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Totoku Electric Co Ltd | フレキシブル表示素子 |
JP2005096108A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止ガスバリア性基板 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012518892A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | チップレットを備えるフレキシブルoledディスプレイ |
JP2017536574A (ja) * | 2014-11-05 | 2017-12-07 | コーニング インコーポレイテッド | 非平面状の構造的特徴および無アルカリガラス要素を有するガラス物品 |
JP2019175909A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 積水化学工業株式会社 | フレキシブル太陽電池及びフレキシブル太陽電池の製造方法 |
JP7112225B2 (ja) | 2018-03-27 | 2022-08-03 | 積水化学工業株式会社 | フレキシブル太陽電池及びフレキシブル太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160079905A (ko) | 2016-07-06 |
TWI532699B (zh) | 2016-05-11 |
KR20170053746A (ko) | 2017-05-16 |
US10312462B2 (en) | 2019-06-04 |
US20180102490A1 (en) | 2018-04-12 |
WO2008153672A1 (en) | 2008-12-18 |
US9434642B2 (en) | 2016-09-06 |
TWI564264B (zh) | 2017-01-01 |
CN104701456A (zh) | 2015-06-10 |
CN101687694A (zh) | 2010-03-31 |
EP3156380A1 (en) | 2017-04-19 |
TWI633075B (zh) | 2018-08-21 |
EP2066593A1 (en) | 2009-06-10 |
US10276811B2 (en) | 2019-04-30 |
US10636988B2 (en) | 2020-04-28 |
US20160351837A1 (en) | 2016-12-01 |
TW201615583A (zh) | 2016-05-01 |
US20190259969A1 (en) | 2019-08-22 |
US20080292856A1 (en) | 2008-11-27 |
TW200911720A (en) | 2009-03-16 |
KR20100017824A (ko) | 2010-02-16 |
TW201536713A (zh) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10636988B2 (en) | Mechanically flexible and durable substrates and method of making | |
US20220075097A1 (en) | Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film | |
JP6815356B2 (ja) | 耐破壊性を有する多層基体、および耐破壊性を有する多層基体を含む物品 | |
CN112051630B (zh) | 具有多层光学膜的浅色耐划痕制品 | |
KR101238214B1 (ko) | 화학강화유리를 이용한 플렉시블 디스플레이 기판 | |
CN106604900B (zh) | 用于减轻涂覆玻璃中的强度和/或应变损失的方法和设备 | |
JP2016526003A (ja) | 制御された破断強度を有するガラス−被膜積層体 | |
KR20130129999A (ko) | 터치스크린 기판으로 사용하기 위한 유리 제품/물질 | |
KR102496516B1 (ko) | 경도 및 인성(toughness)을 갖는 보호 코팅을 갖는 유리, 유리-세라믹 및 세라믹 제품 | |
KR101156191B1 (ko) | 화학강화유리를 이용한 플렉시블 디스플레이 기판 | |
TW202031615A (zh) | 有硬度及韌度的保護塗層的玻璃、玻璃陶瓷、及陶瓷製品 | |
CN110914212B (zh) | 用于保持制品强度和耐刮擦性的具有硬膜和裂纹减缓复合结构的基于玻璃的制品 | |
TW202043036A (zh) | 具有確定的應力分佈曲線的玻璃疊層物及其製作方法 | |
KR20180111818A (ko) | 적층 필름 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120816 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120920 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130604 |