KR20170077235A - 비평면 특징들을 가지는 유리 물품들 및 무알칼리 유리 요소들 - Google Patents

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Abstract

전자 디바이스 조립체는 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 및 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께를 가지는 백플레인을 포함한다. 상기 백플레인의 주요 표면들은 적어도 상기 최종 두께보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께로 이전의 재료 제거를 특징으로 한다. 상기 조립체는 또한 상기 백플레인의 상기 제1 주요 표면 상의 보호층; 및 상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상의 복수의 전자 구성요소들을 포함한다. 부가적으로, 상기 백플레인은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡으로 구성된다. 상기 전자 디바이스 조립체의 상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 (TFT) 요소 또는 유기 발광 다이오드 (OLED) 요소를 포함할 수 있다.

Description

비평면 특징들을 가지는 유리 물품들 및 무알칼리 유리 요소들{GLASS ARTICLES WITH NON-PLANAR FEATURES AND ALKALI-FREE GLASS ELEMENTS}
본 출원은 35 U.S.C.제119조 하에 2014년 11월 5일에 출원된 미국 가출원 제62/075,599호의 우선권을 주장하고, 상기 가출원의 내용은 본원에 참조로서 의존되고 병합된다.
상기 개시는 일반적으로 하나 이상의 고정, 비평면 특징들을 가지는 유리 물품들, 스택 조립체들 (stack assemblies) 및 전자 디바이스 조립체들, 및 그들을 만들기 위한 다양한 방법들에 관한 것이다. 특히, 상기 개시는 이들 물품들 및 무알칼리 유리 요소들을 함유하는 조립체들의 버전들, 이와 더불어 이들을 만들기 위한 방법들에 관한 것이다.
본질에서 전통적으로 견고하고 및/또는 평면인 가요성 및 만곡 버전들의 상품들 및 구성요소들은 새로운 응용들을 위해 개념화되고 있다. 예를 들면, 가요성 전자 디바이스들은 얇고, 경량이고 및 새로운 응용들 - 예를 들면 만곡 디스플레이들 및 웨어러블 디바이스들 (wearable devices) - 을 위한 기회들을 제공하는 가요성 속성들을 제공할 수 있다. 다수의 이 가요성 전자 디바이스들은 이 디바이스들의 전자 구성요소들을 유지하고 장착하기 위한 가요성 기판들을 요구한다. 중합 포일들 (Polymeric foils)은 피로 파괴 (fatigue failure)에의 저항을 포함하는 일부 이점들을 가지만, 한계 광학 투명도 (marginal optical transparency), 열적 안정성의 결여 및 제한된 기밀성 (hermeticity)을 겪는다. 중합 포일들이 전자 디바이스들을 위한 백플레인들 (backplanes) 또는 기판들로서 이용될 때, 그들의 제한된 온도 저항은 이 디바이스들에 이용된 전자 구성요소들의 가공 및 제조를 상당히 제한한다.
고정, 비평면 특징들을 가지는 이 전자 디바이스들 중 일부는 또한 가요성 디스플레이들을 이용할 수 있다. 예를 들면, 이 고정, 비평면 특징들은 경사진 에지들, 디스플레이를 하우징하는 디바이스의 길이 방향을 따른 곡률 (curvature), 디스플레이를 하우징하는 디바이스의 너비 방향을 따른 곡률 및 만곡, 굴곡 또는 비평면의 디스플레이 특징들의 다른 치환을 가지는 디스플레이들을 구성할 수 있다. 광학 투명도 및 열적 안정성은 종종 가요성 디스플레이 응용들을 위해 중요한 속성들이다. 부가적으로, 고정, 비평면 특징들을 가지는 가요성 디스플레이들은 높은 고정 피로 및 펑크 저항 (puncture resistance)을 가져야 하고, 특히 실질적인 만곡을 가지는 하나 이상의 표면들과 함께 터치 스크린 기능성을 가지는 가요성 디스플레이들을 위해 작은 굴곡 반경들에서 파괴에의 저항을 포함해야 한다.
종래의 가요성 유리 재료들은 하나 이상의 고정, 비평면 특징들을 가지는 기판 및/또는 디스플레이 응용들을 위한 다수의 요구된 속성들을 제공한다. 그러나, 이 응용을 위해 유리 재료들을 이용하려는 노력들은 대체로 현재까지 성공적이지 못했다. 일반적으로, 유리 기판들은 더 작고 더 작은 굴곡 반경을 달성하기 위해 매우 낮은 두께 레벨들 (< 25 ㎛)로 제조될 수 있다. 그러나, 이 "얇은" 유리 기판들은 제한된 펑크 저항을 겪는다. 동시에, 더 두꺼운 유리 기판들 (> 150 ㎛)은 더 나은 펑크 저항을 가지도록 제작될 수 있지만, 이 기판들은 적합한 고정 피로 저항 및 하나 이상의 고정, 비평면 형상들로 굽힐 때의 기계적 신뢰성이 결여된다. 부가적으로, 일부 종래의 유리 기판 조성물들은 상대적으로 고 알칼리 이온 레벨들을 함유하는 약점을 가진다. 이 조성물들로 만들어진 유리 기판들은 알칼리 이온 이동에 민감하여 상기 전자 디바이스들 및 이 기판들 상에 장착된 구성요소들의 성능을 저하시킬 수 있다.
이로써, 특히 비평면 형상의 전자 디바이스 응용들에 대해, 하나 이상의 고정, 비평면 특징들을 가지는 백플레인, 기판 및/또는 디스플레이 응용들에서 신뢰성 있게 사용되는 유리 재료들, 구성요소들 및 조립체들이 필요하다.
일 양태에 따르면, 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 및 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께를 가지는 백플레인을 포함하는 전자 디바이스 조립체가 제공된다. 상기 백플레인은 또한 제1 주요 표면, 및 제2 주요 표면을 가진다. 상기 주요 표면들은 적어도 상기 최종 두께보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께로 이전의 재료 제거를 특징으로 한다. 상기 조립체는 또한 상기 백플레인의 제1 주요 표면 상의 보호층; 및 상기 백플레인의 제2 주요 표면 상의 복수의 전자 구성요소들을 포함한다. 부가적으로, 상기 백플레인은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡으로 구성된다. 일부 구현예들에 따르면, 상기 전자 디바이스 조립체의 전자 구성요소들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 (TFT) 요소 또는 유기 발광 다이오드 (OLED) 요소를 포함한다.
상기 개시의 특정 양태들에서, 상기 전자 디바이스 조립체는 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 더 포함하고, 상기 덮개는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께를 가지고, 제1 주요 표면, 제2 주요 표면, 및 상기 백플레인의 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 더 포함한다. 상기 덮개는 또한 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층, 및 제1 주요 표면; 및 상기 제1 유리층의 제1 주요 표면으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역 (compressive stress region)을 포함하고, 상기 구역은 상기 제1 유리층의 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 상기 덮개는 상기 덮개의 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 (pressure-sensitive) 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 한다.
추가적인 양태에 따르면, 상기 전자 디바이스 조립체는 상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 더 포함하고, 상기 덮개는 유리 조성물, 및 상기 백플레인의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 가진다. 상기 덮개는 또한 적어도 90%의 광학 투과율; 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 (pressure-sensitive) 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및 8H 이상의 연필 경도를 특징으로 한다.
상기 개시의 상기 전자 디바이스 조립체의 특정 양태들에서, 상기 조립체는 또한 상기 덮개 아래에 위치하고 상기 백플레인에 결합된 봉합재를 포함하고, 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 구성된다. 상기 전자 디바이스 조립체의 일부 구현예들은 상기 덮개 아래에 있고 상기 백플레인에 결합된 봉합재를 포함하고, 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 구성된다. 부가적으로, 상기 봉합재는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께를 가지고 (a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제2 유리층; 및 (b) 상기 제2 유리층의 제1 주요 표면으로부터 상기 제2 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 더 포함하고, 상기 구역은 상기 제2 유리층의 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 상기 봉합재는 상기 백플레인의 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 더 특징으로 한다.
상기 개시의 추가 양태에서, 상기 전자 디바이스 조립체는 덮개의 아래에 위치하고 상기 백플레인에 결합된 봉합재 - 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 더 구성됨; 및 상기 봉합재의 제1 주요 표면 상에 보호층을 더 포함할 수 있다. 이 양태에서, 상기 봉합재는 실질적으로 알칼리 이온들이 없고 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 유리 조성물; 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수; 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께; 제1 주요 표면; 및 제2 주요 표면을 더 특징으로 하고, 상기 주요 표면들은 적어도 최종 두께보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께로 이전의 재료 제거를 특징으로 한다. 상기 봉합재는 적어도 하나의 만곡 특징 또는 상기 백플레인의 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 고정 굴곡을 더 특징으로 한다.
추가적인 양태에 따르면, 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 최종 두께보다 적어도 20 ㎛ 큰 최초 두께, 제1 주요 표면, 및 제2 주요 표면을 가지는 백플레인을 형성하는 단계; 및 상기 최종 두께를 규정하기 위해 상기 백플레인의 최초 두께로부터 재료를 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 최종 두께는 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛인 단계들을 포함하는 전자 디바이스 조립체를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 또한 상기 백플레인의 제1 주요 표면 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 백플레인의 제2 주요 표면 상에 복수의 전자 구성요소들을 배치하는 단계; 및 상기 백플레인의 제2 주요 표면 상에 상기 복수의 전자 구성요소들을 배치하는 단계 이후에 상기 백플레인에 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 고정 굴곡은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가진다.
상기 전자 디바이스 조립체를 형성하는 방법의 특정 양태들에서, 상기 방법은 상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 덮개는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면, 및 제2 주요 표면을 가진다. 상기 덮개는 또한 적어도 90%의 광학 투과율, 및 제1 주요 표면을 가지는 제1 유리층; 및 상기 제1 유리층의 제1 주요 표면으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 포함하고, 상기 구역은 상기 제1 유리층의 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 상기 덮개는 상기 덮개의 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 한다. 상기 방법은 또한 상기 백플레인에 상기 고정 굴곡의 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하기 위해 상기 덮개를 구부리는 단계를 포함한다.
상기 전자 디바이스 조립체를 형성하는 방법의 특정 양태들에서, 상기 방법은 봉합재로 상기 백플레인을 밀봉하는 단계; 및 상기 복수의 전자 구성요소들을 상기 봉합재로 봉합하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 봉합재는 약 25 ㎛ 내지 125 ㎛의 두께; 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제2 유리층, 제1 주요 표면; 및 제2 주요 표면을 포함한다. 상기 봉합재는 또한 상기 제2 유리층의 제1 주요 표면으로부터 상기 제2 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 포함하고, 상기 구역은 상기 제2 유리층의 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정되며; 및 상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 포함한다. 특정 양태들은 상기 백플레인에 상기 봉합재를 밀봉하는 단계 이전에 적어도 하나의 만곡 특징을 형성하기 위해 상기 봉합재를 구부리는 단계를 포함할 수 있다. 전술한 방법의 또 다른 양태에서, 상기 밀봉하는 단계는 상기 백플레인을 상기 봉합재로 프릿 밀봉하는 단계를 포함한다.
추가적인 특징들 및 이점들은 다음의 상세한 설명에서 기술될 것이고, 부분적으로는 상기 기술로부터 통상의 기술자들에게 자명하거나 다음의 상세한 설명, 청구항들뿐만 아니라 첨부 도면들을 포함하여 본원에 기술된 것과 같은 실시예들을 실시함으로써 인식될 수 있을 것이다.
전술한 일반적인 설명과 다음의 상세한 설명 둘 다 단지 예시적인 것이고, 청구항들의 본질 및 특성을 이해하기 위한 개요 또는 틀을 제공하기 위해 의도된 것으로 이해되어야 한다. 첨부 도면들은 더욱 이해를 제공하기 위해 포함되었고, 병합되어 본 명세서의 일부를 구성한다. 상기 도면들은 하나 이상의 실시예들을 도시하고, 상기 설명과 함께 다양한 실시예들의 원리들 및 동작들을 설명하는 역할을 한다. 본원에 사용된 것과 같은 방향 용어들 (directional terms) - 예를 들면, 위, 아래, 오른쪽, 왼쪽, 앞, 뒤, 상부, 바닥 - 은 오직 도시된 것과 같은 도면들에 참조로 만들어지고 절대적인 배향 (orientation)을 암시하기 위해 의도된 것은 아니다.
도 1은 에칭되고 톱니 모양의 주요 표면들을 가지는 한 그룹의 가요성 유리 샘플들 및 에칭된 주요 표면들을 가지는 또 다른 그룹의 유리 샘플들을 위한 파괴에서 파괴 확률 대 하중의 와이블 플롯 (Weibull plot)이다.
도 2는 본 개시의 양태에 따른 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 조성물을 가지는 무알칼리 유리 요소 및 보호층을 포함하는 구부릴 수 있는 스택 조립체의 사시도이다.
도 2a는 도 2에 도시된 상기 스택 조립체의 단면도이다.
도 2b는 상기 개시의 추가 양태에 따른 미리 정해진 반경을 가지는 고정 굴곡을 가지는 구성으로 상기 조립체가 구부러질 때, 도 2에 도시된 상기 스택 조립체의 단면도이다.
도 2c는 상기 개시의 양태에 따른 미리 정해진 반경들을 가지는 두 개의 고정 굴곡들을 가지는 구성으로 상기 조립체가 구부러질 때, 도 2에 도시된 상기 스택 조립체의 단면도이다.
도 3 및 도 3a는 상기 개시의 추가 양태들에 따른 이 조립체들에 이용된 특정한 최대 굴곡 반경들, 탄성 계수 및 무알칼리 유리 요소의 두께에 관한 구부릴 수 있는 스택 조립체들을 위한 디자인 구성들을 도시하는 개략도들이다.
도 4는 무알칼리 유리 조성물을 가지는 백플레인, 보호층, 상기 백플레인 상의 전자 디바이스들 및 압축 상태에서 상기 전자 디바이스들을 포함하는 표면이 놓인 상기 백플레인의 고정 굴곡을 포함하는 상기 개시의 추가적인 양태에 따른 전자 디바이스 조립체의 단면도이다.
도 4a는 무알칼리 유리 조성물을 가지는 백플레인, 보호층, 상기 백플레인 상의 전자 디바이스들 및 인장 상태에서 상기 전자 디바이스들을 포함하는 표면이 놓인 상기 백플레인의 두 개의 고정 굴곡들을 포함하는 상기 개시의 추가적인 양태에 따른 전자 디바이스 조립체의 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 상기 조립체의 백플레인의 고정 굴곡과 실질적으로 동등한 고정 굴곡을 소유하는 봉합재 및 덮개와 함께, 도 4에 도시된 상기 전자 디바이스 조립체를 통합하는 전자 디바이스 조립체의 단면도이다.
도 5a는 도 4에 도시된 상기 조립체의 백플레인의 고정 굴곡들과 실질적으로 동등한 고정 굴곡들을 소유하는 봉합재 및 덮개와 함께, 도 4a에 도시된 상기 전자 디바이스 조립체를 병합하는 전자 디바이스 조립체의 단면도이다.
첨부 도면들에 도시된 바람직한 실시예들, 예시들에 대한 참조들이 이제 자세히 만들어질 것이다. 가능할 때마다, 도면들 전체적으로 동일하거나 비슷한 부분들을 참조하기 위해 동일한 참조 부호들이 사용될 것이다. 범위들은 "약 (about)" 한 특정한 값에서, 및/또는 "약" 또 다른 특정한 값까지처럼 본원에 표현될 수 있다. 그러한 범위가 표현될 때, 또 다른 실시예는 상기 한 특정한 값에서 및/또는에서 상기 다른 특정한 값까지를 포함한다. 유사하게, 값들이 근사값들로 표현될 때, 선행사 "약"의 사용에 의해, 상기 특정 값이 또 다른 실시예를 형성하는 것으로 이해될 것이다. 각각의 범위들의 종점들이 다른 종점과의 관계에서, 및 다른 종점과 독립적으로 둘 다 중요한 것으로 더욱 이해될 것이다.
다른 특징들 및 이익들 중에서, 본 개시의 상기 스택 조립체들, 유리 요소들 및 유리 물품들 (및 그들을 만드는 방법들)은 작은 굴곡 반경들에서 기계적 신뢰성 (예를 들어, 고정 인장력 및 파괴에서)을 제공한다. 상기 작은 굴곡 반경들 및 알칼리 이온 이동에 감소된 민감성은 상기 스택 조립체, 유리 요소, 및/또는 유리 물품이 비평면 형상의 디스플레이 및/또는 하나 이상의 고정, 비평면 특징들을 가지는 디스플레이 내부에 기판 또는 백플레인 구성요소로서 사용될 때 특히 이익이 있다. 예를 들면, 상기 요소, 조립체 또는 물품은 디스플레이의 일부분이 고정, 경사진 에지들 또는 규정된 곡률을 가지는 다른 고정 특징들을 가지는 상기 디스플레이에서 이용될 수 있다. 본 개시에서 상기 물품들의 유연성은 비평면 형상에서 응용 환경 내의 그들의 기계적 온전함 및 신뢰성을 유지하면서, 이 물품들이 제조하는 동안 원하는 비평면 말단 형상들로 성형되는 것을 허용한다. 더 일반적으로, 상기 스택 조립체들, 유리 요소들 및/또는 유리 물품들은 펑크 저항이 특히 중요한 위치인 접혀지는 디스플레이의 사용자가 마주하는 부분 상의 덮개; 전자 구성요소들이 배치된 상기 디바이스 자체 내부에 내부적으로 배치된 기판; 또는 접혀지는 디스플레이 디바이스에서 다른 장소, 예를 들면, 봉합재층과 같은 다른 장소 중 하나 이상으로 사용될 수 있다. 대안적으로, 상기 스택 조립체, 유리 요소, 및 또는 유리 물품은 디스플레이를 가지지 않는 디바이스에서 사용될 수 있지만, 유리층은 그 이익 속성들에 대해 사용되고, 하나 이상의 고정, 비평면 특징들로 구성되되, 그러한 특징들로 기술된 전술한 디스플레이들에서와 같이 유사한 방식으로, 구성된다.
상기 개시의 양태에 따르면, 구부릴 수 있는 스택 조립체가 제공된다. 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 조성물을 가지는 유리 요소, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수 및 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께를 포함한다. 상기 조립체는 또한 하나 이상의 상기 유리 요소의 주요 표면들 위에 적어도 하나의 보호층을 포함한다. 상기 유리 요소의 최종 두께는 재료 제거 공정, 예를 들어, 상기 유리 요소의 각각의 표면으로부터 적어도 10 미크론을 제거하는 에칭 공정 이후의 상기 요소의 두께이다. 부가적으로, 상기 스택 조립체의 유리 요소는 미리 정해진 반경을 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들을 가진다.
무알칼리, 구부릴 수 있는 유리 물품이 고정 및/또는 순환 조건들 하에 파괴 없이 원하는 구성으로 굽힐 수 있는 능력은 적어도 부분적으로 상기 물품의 강도에 의한다. 상기 물품의 강도는 종종 상기 물품들에 가해진 응력장에 관하여 상기 물품들에서 결함의 크기 및 분포에 의한다. 제조하는 동안, 무알칼리 유리 기판들이 잘리고, 개별화 (singulated)되거나 또는 이와 달리 최종 또는 최종에 가까운 형상들로 절단된다. 이 공정들, 및 그것들과 연관된 조작은 종종 상기 물품들에 결함들을 가져오고, 상기 물품들의 강도 및 인성을 저하시킨다. 결과적으로, 무알칼리 유리 플레이트들은 종종 250 MPa 이하의 강도 레벨들을 보여준다. 약 0.8 MPa·m1/2의 파괴 인성 (fracture toughness) (KIC) 값은 무알칼리 유리 조성물들에서 전형적이다. 아래의 방정식 (1)을 이용함으로써, 조작 및 제조와 관련된 손상에 종속적인 그러한 물품들에 최대 결함 크기가 약 2.6 미크론임을 평가하는 것이 가능하다:
Figure pct00001
여기서 a는 최대 결합 크기이고 Y는 경험적으로 결정된 균열 형상 인자이며, 예를 들면, 디스플레이 디바이스들에 이용된 유리 요소들에 개별화 및 제조와 관련된 조작 손상과 전형적으로 연관된 표면 스크래치들에서 약 1.12×π1 /2이다.
개별화 이후에 수행되는 산성 에칭 과정들과 같은 재료 제거 공정들은 상기 결합들의 밀도 및 크기를 감소시킴으로써 무알칼리 유리 물품들 (및 다른 유리 조성물들)의 결함 분포들을 상당히 개선시킬 수 있다. 상기 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 이용된 다른 접근법들이 상기 유리로부터 재료를 제거하기 위해 이용될 수 있다 (예를 들어, 레이저 에칭). 상기 개시의 양태에 따르면, 이 재료 제거 공정들은 상기 무알칼리 유리 요소들의 강도를 1000 MPa 이상의 강도 레벨들로 강화시킬 수 있다. 방정식 (1)의 관점에서, 상기 재료 제거 공정은 상기 최대 결함 크기 a를 약 162 nm로 감소시킨다.
조작 및 개별화가 상기 물품들에 손상을 야기할 수 있으므로, 상기 재료 제거 공정들 이후에 무알칼리 유리 물품들 (및 다른 유리 조성물들을 가지는 물품들)의 최소 및 한층 세심한 조작이 또한 재료 제거 과정들을 통해 얻어진 상기 물품들의 강화된 강도를 상당히 감소시킬 수 있다는 것이 또한 예상된다. 도 1은 파괴 하중들 및 이 점을 보여주는 파괴 확률들의 와이블 플롯을 나타낸다. 특히, 재료 제거 공정 및 작은 큐브 코너 자국 (예를 들어, "B1 - 깊은 에칭" 그룹)에 종속된 한 그룹의 강화되지 않은, Corning Gorilla® 유리 물품들은 동일한 조성물 및 재료 제거 공정 조건들 (예를 들어, "A1 - 깊은 에칭" 그룹)을 가지는 한 그룹의 샘플들과 비교하여 상당히 낮은 강도 값들을 보여준다. 도 1에서, 테스트된 샘플들은 약 200 ㎛의 원래 두께를 가졌고 깊은 산성 에칭 과정에 의해 두께에서 75 마크론이 감소되었다. 상기 B1 그룹에서, 상기 샘플들은 약 10 그램의 힘 (gf)에서 큐브 코너 자국에 종속되었다.
도 1을 다시 참조하면, 상기 A1 그룹은 10% 이상의 파괴 확률들에서 1000 MPa를 초과하는 강도 값들을 보여주었다. 게다가, 1000 MPa보다 훨씬 낮은 강도 값들을 가지는 두 개의 데이터 점들은 테스팅과 관련된 조작 동안 부주의하게 손상된 이상치들로 간주되었다. 결과적으로, 상기 A1 그룹의 도 1에 도시된 상기 와이블 계수 (예를 들어, 파괴 확률의 기울기 대 파괴에서의 응력)는 그것이 또한 상기 두 개의 이상치들을 포함한다는 점에서 보수적이다. 만약 상기 이상치들이 상기 그룹에서 무시되면, 상기 결과로 초래된 와이블 계수는 1000 MPa를 초과하는 평가된 강도 값들이 2% 이상의 파괴 확률들과 비슷하다는 것을 가리킨다. 비교하면, 상기 B1 그룹의 샘플들은 모든 파괴 확률들에서 200 MPa 이하의 강도 값들을 보여주었다. 2%의 파괴 확률에서, 예상된 강도는 약 150 MPa이다. 상기 강화되지 않은 Corning Gorilla® 유리 샘플들과 연관된 도 1에서 생성된 데이터는 무알칼리 유리 샘플들과 생성된 강도 데이터에 필적할 것으로 예상된다. 무알칼리 유리 조성물 및 강화되지 않은 Corning Gorilla® 유리 조성물을 가지는 한 그룹의 샘플들 사이에 상기 강도 값들 및 와이블 계수들이 약간 다르면서, 도 1에 도시된 상기 큐브 코너 자국과 연관된 강도에서의 감소에서 관찰된 경향은 실질적으로 동등한 것으로 예상된다.
이 이해들의 관점에서, 상기 개시의 양태는 최종 응용 또는 상품 구성을 위해 고정 굴곡들 및/또는 만곡 특징들의 발생으로부터 인장 응력들에 종속된 상기 무알칼리 유리 요소의 하나 이상의 표면들에 보호층을 추가하는 것이다. 상기 보호층이 상기 무알칼리 유리 요소들에서 강화된 강도 레벨들이 전자 디바이스들 또는 다른 물품들에서 상기 유리 요소들의 설치 이전에, 추가적인 조작 및 제조를 통해 유지되는 것을 보장할 것이 예상된다. 예를 들면, 보호층은 그것의 최종 디자인의 부분으로서 제조되는 동안 상기 요소에서 가해지거나 발생된 영구 또는 반영구 굴곡 및/또는 곡률로부터의 인장력 하에 무알칼리 유리 요소의 주요 표면에 가해질 수 있다. 일부 양태들에서, 상기 보호층은 상기 무알칼리 유리 요소의 표면이 보호되기 위해 최소 접촉이 만들어지도록 가해진다. 100 미크론 이하의 두께에서 폴리메틸 메틸아크릴레이트 (PMMA)와 같은 재료들의 얇은, 중합 필름들이 100 미크론 이하의 두께에서 주요 표면을 보호해주기 위해 상기 무알칼리 유리 요소의 주요 표면에 접착제 층과 접착될 수 있다. 특정 실시예들에서, 상기 보호층은 약 5 미크론 내지 약 50 미크론의 두께에서 나노-실리카 미립자 및 에폭시 또는 우레탄 재료들의 혼합을 포함할 수 있다. 게다가, 그러한 보호층은 다음의 코팅 응용 기술들: 딥, 스프레이, 롤러, 슬롯 다이, 커튼, 잉크젯, 오프셋 프린팅, 그라비어, 오프셋 그라비어, 브러시 온, 이동 프린팅, 캐스팅 및 경화, 및 작동 기술분야에서 통상에 기술자들에 의해 이해될 수 있는 다른 적합한 공정들 중 하나 이상을 사용하여 가해질 수 있다. 그러한 혼합들은 최종 디자인 구성과 연관된 요소에서 고정 굴곡들로부터 인장 응력들을 겪게 될 것으로 예상되는 무알칼리 유리 요소들의 에지들을 보호하기 위해 또한 이용될 수 있다.
도 2 내지 도 2c를 참조하면, 상기 개시의 일 양태에 따른 구부릴 수 있는 스택 조립체들 (100, 100a)이 도시된다. 상기 조립체 (100)는 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 조성물을 가지는 유리 요소 (50), 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께 (52), 제1 주요 표면 (54) 및 제2 주요 표면 (56)을 포함한다. 도 2b에서, 고정 굴곡은 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100)에 가해져 상기 제1 주요 표면 (54)은 실질적으로 인장 상태에 있고 상기 제2 주요 표면 (56)은 실질적으로 압축 상태에 있다. 도 2c에서, 두 개의 고정 굴곡들은 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100a)에 가해져 상기 제1 주요 표면 (54)은 실질적으로 압축 상태에 있고 상기 제2 주요 표면 (56)은 실질적으로 인장 상태에 있다. 일부 양태들에서, 하나 이상의 고정 굴곡들은 하나 이상의 상기 주요 표면들 (54 및 56) 상의 스택 조립체들 (100, 100a)에 가해진다.
도 2 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 주요 표면들 (56, 56)은 적어도 상기 최종 두께 (52)보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께 (52)로 이전의 재료 제거를 특징으로 한다. 상기 유리 요소는 또한 상기 제1 주요 표면 (54) 상의 두께 (72)를 가지는 보호층 (70)을 포함한다. 일부 추가적인 양태들에서, 상기 보호층 (70)은 상기 제2 주요 표면 (56)에 또는 주요 표면들 (54, 56) 둘 다 상에 가해진다. 부가적으로, 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100)의 유리 요소 (50)는 상기 요소 (50)가 약 100 mm 이하, 75 mm 이하, 50 mm 이하, 25 mm 이하, 약 5 mm에 이르기까지의 굴곡 반경 (40)에서 고정 굴곡에 종속될 때 파괴의 부재를 특징으로 한다 (도 2b 참조). 유사하게, 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100a)의 유리 요소 (50)는 상기 요소 (50)가 약 100 mm 이하, 75 mm 이하, 50 mm 이하, 25 mm 이하, 및 약 5 mm에 이르기까지의 굴곡 반경 (40a)에서 고정 굴곡에 종속될 때 파괴의 부재를 특징으로 한다 (도 2c 참조). 일부 양태들에서, 다른 고려사항들 중에서, 인장 상태 하의 상기 요소의 구역들 내부의 상기 결함 분포들와 함께, 더 작은 굴곡 반경 (40, 40a)들도 상기 유리 요소 (50)의 두께 및 계수에 의하여 실현 가능하다.
일부 양태들에 따르면, 도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 유리 요소 (50)의 조성물은 0.5 mol% 미만의 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O 및 Cs2O 각각을 가진다. 특정 구현예들에서, 상기 유리 요소 (50)의 무알칼리 특성은 각각의 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O 및 Cs2O의 0.45 mol%, 0.40 mol%, 0.35 mol%, 0.30 mol%, 0.25 mol%, 0.20 mol%, 0.15 mol%, 0.10 mol% 또는 0.05 mol%보다 작은 것을 특징으로 한다.
일부 구현예들에서, 도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 유리 요소 (50)가 약 25℃ 및 약 50% 상대 습도에서 약 15 mm의 굴곡 반경 (40, 40a)에서 하나 이상의 고정 굴곡들을 포함할 때 파괴의 부재를 특징으로 하는 상기 유리 요소 (50)를 포함한다. 다른 양태들에서, 상기 요소 (50)는 상기 요소가 동일한 또는 유사한 테스트 조건들 하에서 5 mm의 굴곡 반경에서 하나 이상의 고정 굴곡들을 포함할 때 파괴의 부재를 특징으로 한다. 도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 스택 조립체들 (100, 100a)은 또한 예상되는 응용 환경 (예를 들어, 앞서 설명한 값들의 약 +/- 10% 내의 습도 및/또는 온도 레벨들)과 일치하는 다른 테스트 조건들 하에, 동일하거나 유사한 굽힘 반경들 (예를 들어, 앞서 설명한 굽힘 반경들의 약 +/- 10% 내)이 가능하다.
다시 도 2 내지 도 2c를 참조하면, 상기 유리 요소 (50)의 주요 표면 (54) 상의 (및/또는 일부 양태들에서 상기 제2 주요 표면 (56) 상의) 상기 구부릴 수 있는 스택가능한 조립체 (100, 100a)의 보호층 (70)은 다양한 재료들을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 보호층 (70)은 적어도 5 미크론의 두께 (72)를 가지는 중합 재료를 포함한다. 일부 양태들에서, 상기 보호층 (70)의 두께 (72)는, 상기 유리 요소 (50)의 두께에 의하여, 5 미크론에서 50 미크론의 범위일 수 있다. 더 얇은 유리 요소들이 가공과 연관된 상기 보호층의 수축으로부터 상기 요소의 뒤틀림을 피하기 위해 전술한 범위의 낮은 말단 상의 두께 (72)를 가지는 보호층 (70)을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 유리 요소의 두께가 증가함으로써, 일부 양태들에 따르면, 상기 보호층 (70)의 두께 (72) 또한 전술한 범위 내에서 증가할 수 있다. 부가적으로, 상기 보호층 (70)이 성형된 상태에서 인장 상태에 있을 상기 유리 요소 (50)의 표면 상에 있을 때, 상기 보호층 (70)은 상기 유리 요소 (50)에서 인장 응력들에 그것의 기여를 최소화하기 위해 만들어질 수 있다. 예를 들면, 상기 보호층 (70)의 두께 및/또는 계수는 상기 유리 요소 (50)의 두께 및/또는 계수보다 작도록 선택된다.
상기 보호층 (70)은 나노-실리카 미립자 및 에폭시 및 우레탄 재료들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층 (70)을 위한 이 조성물들, 및 다른 적합한 대안 조성물들 또한 2014년 10월 17일에 출원된 미국 출원 제14/516,685호에 개시된다. 하나의 바람직한 예시에서, 다음의 조성물을 가지는 우레탄이 상기 보호층 (70)을 위해 이용될 수 있다: 50% 올리고머 (Ebecryl® 8311: 40%의 지방족 우레탄 아크릴레이트에 분산된 20 nm 나노실리카), 43.8% 단량체 (Sartomer Arkema SR531: 사이클릭 트리메틸올프로판 포말 아크릴레이트 (cyclic trimethylolpropane formal acrylate)), 0.2% 광개시제 (MBF: 메틸 벤조일포르메이트), 3.0% 실란 접착 촉진제 (APTMS: 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란), 및 3.0% 접착 촉진제 (Sartomer Arkema CD9053: TMPEOTA에서 아크릴레이트 포스페이트 에스터). 또 다른 바람직한 예시에서, 다음의 조성물을 가지는 에폭시가 상기 보호층 (70)을 위해 이용될 수 있다: 70.69% Nanopox® C-620 (40 중량%의 20 nm 구형 나노실리카를 가지는 지환식 에폭시 수지), 23.56% Nanopox® C-680 (50 중량%의 20 nm 구형 나노실리카를 가지는 옥세탄 단량체), 3.0% Momentive™ CoatOSil® MP-200 (실란 접착 촉진제), 2.50% Dow Chemical Cyracure UVI-6976™ (양이온 광개시제), 및 0.25% Ciba™ Tinuvin® 292 (힌더드 아민 광 안정제). 상기 보호층 (70)은 또한 동일하거나 유사한 두께를 가지는 접착제층에 의해 상기 유리 요소 (50)의 표면에 접착된 중합층, 필름 또는 시트를 포함할 수 있다.
도 2 내지 도 2b에 도시된 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100)는 강화된 강도 값들을 가리키는 결함 분포를 가지는 유리 요소 (50)로 구성될 수 있다. 특정 구현예들에서, 상기 제1 주요 표면 (54)과 상기 최종 두께 (62)의 약 절반 사이의 상기 제1 주요 표면 (54) 및 구역 (60)은 약 200 nm 이하의 평균 가장 긴 단면 수치를 가지는 복수의 결함들을 특징으로 하는 결함 분포를 가지는 실질적으로 결함이 없는 구역을 규정한다. 일부 양태들에서, 상기 실질적으로 결함이 없는 구역 (60)은 상기 구역 (60) 내에 감소된 결함 크기들을 생성하는 데에 사용된 가공 조건들에 의하여, 상기 요소 (50) 내의 다양한 깊이들 (예를 들어, 상기 유리 요소 (50)의 두께 (52)의 1/3으로부터 2/3까지)에 미칠 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 실질적으로 결함이 없는 구역 (60)은 굴곡 반경 (40) (예를 들어, 제1 주요 표면 (54)을 인장 상태에 놓는 상기 제1 주요 표면 상의 고정 굴곡)에서 하나 이상의 고정 굴곡들과 연관된 인장 응력들에 종속된 상기 유리 요소 (50)의 구역들에 위치된다. 상기 구역 (60)에서 강화된 강도는 하나 이상의 고정 굴곡들의 포함과 연관된 구역에서 더 높은 인장 응력들을 오프셋 할 수 있다.
유사하게, 도 2c에 도시된 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100a)는 강화된 강도 값들을 가리키는 결함 분포를 가지는 유리 요소 (50)로 구성될 수 있다. 특정 구현예들에서, 상기 제2 주요 표면 (56)과 상기 최종 두께 (62a)의 약 절반 사이의 상기 제2 주요 표면 (56) 및 구역 (60a)은 약 200 nm 이하의 평균 가장 긴 단면 치수를 가지는 복수의 결함들을 특징으로 하는 결함 분포를 가지는 실질적으로 결함이 없는 구역을 규정한다. 일부 양태들에서, 상기 실질적으로 결함이 없는 구역 (60a)은 상기 구역 (60a) 내에 감소된 결함 크기들을 생성하는 데에 사용된 가공 조건들에 의하여, 상기 요소 (50) 내의 다양한 깊이들 (예를 들어, 상기 유리 요소 (50)의 두께 (52)의 1/3으로부터 2/3까지)에 미칠 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 실질적으로 결함이 없는 구역 (60a)은 굴곡 반경 (40a) (예를 들어, 제2 주요 표면 (56)을 인장 상태에 놓는 상기 제2 주요 표면 상의 고정 굴곡)에서 하나 이상의 고정 굴곡들과 연관된 인장 응력들에 종속된 상기 유리 요소 (50)의 구역들에 위치된다. 상기 구역 (60a)에서 강화된 강도는 하나 이상의 고정 굴곡들의 포함과 연관된 구역에서 더 높은 인장 응력들을 오프셋 할 수 있다.
상기 개시의 다른 양태들에 따르면, 도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 융합 공정으로 형성된 유리 요소 (50)를 포함할 수 있고 상기 요소의 탄성 계수는 약 40 GPa 내지 약 65 GPa에 있다. 이에 따라서, 상기 유리 요소 (50)는 융합 라인 (미도시)을 포함할 수 있다. 특정 양태들에서, 상기 유리 요소 (50)는 융합 공정을 사용하여 바람직하게 준비된, 약 1010 Pa·s의 점성에서 700℃ 내지 800℃의 가상의 온도인 것을 특징으로 할 수 있다. 이 가상의 온도는 일반적으로 대부분의 무알칼리 유리 조성물들의 가상의 온도보다 높고 플로트 공정들을 사용하여 준비되고 어닐링된 조성물들과 비교하여 더 낮은 탄성 계수 값들을 초래한다. 플로트 공정들에 의해 준비된 무알칼리 유리 조성물들은 덜 바람직한데, 그 이유는 상기 무알칼리 유리 조성물들이 종종 융합 공정을 사용하여 준비된 유리 요소들과 비교하여 더 높은 탄성 계수를 가지기 때문이다.
도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)의 또 다른 구현예에서, 상기 조립체는 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 조성물을 가지는 유리 요소 (50)를 포함하고, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 적어도 0.6 MPa·m1/2의 파괴 인성 KIC, 및 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 두께 (52)를 포함한다. 상기 조립체 (100)에 관하여, 상기 유리 요소 (50)는 또한 반경 (40)에서 고정 굴곡을 포함할 때 실질적으로 인장 상태에 있는 제1 주요 표면 (54) 및 실질적으로 압축 상태에 있는 제2 주요 표면 (56)을 포함한다 (도 2b 참조). 상기 조립체 (100a)에 관하여 (도 2c 참조), 상기 유리 요소 (50)는 또한 반경 (40a)에서 하나 이상의 고정 굴곡들을 포함할 때 실질적으로 인장 상태에 있는 제2 주요 표면 (56) 및 실질적으로 압축 상태에 있는 제1 주요 표면 (54)을 포함한다. 조립체 (100, 100a)의 상기 유리 요소 (50)는 또한 상기 제1 주요 표면 (54) 상에 보호층 (70)을 포함한다.
도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)의 특정 양태들에서, 상기 조립체는 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 조성물을 가지는 유리 요소 (50), 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께 (52), 및 2% 이상의 파괴 확률에서 적어도 1000 MPa의 굴곡 강도로 구성될 수 있다. 상기 유리 요소 (50)는 또한 주요 표면들 상의 굴곡 반경 (40, 40a)에서 하나 이상의 고정 굴곡들을 포함할 때 실질적으로 인장 상태 또는 압축 상태에 있는 제1 주요 표면 (54) 및 실질적으로 압축 상태 또는 인장 상태에 있는 제2 주요 표면 (56)을 포함한다. 이 구성에서, 상기 주요 표면들 (54, 56)은 적어도 상기 최종 두께보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께 (52)로 이전의 재료 제거를 특징으로 한다. 부가적으로, 상기 유리 요소는 상기 조립체 (100, 100a)가 10 gf에서 큐브 코너 자국에 의해 상기 제1 주요 표면 (54)에 적층된 상기 보호층 (70)의 일부분에서의 자국에 종속된 이후에, 상기 굴곡 강도의 적어도 90%의 유지된 강도를 특징으로 한다.
도 3에 의해 보여진 바와 같이, 다양한 두께들 및 탄성 계수들의 무알칼리 유리 요소들을 가지는 구부릴 수 있는 스택 조립체들 (100, 100a)은 상기 개시의 양태들에 따라 25 mm 이하의 굴곡 반경들 (40, 40a)을 달성하기 위해 이용될 수 있다. 1000 MPa 이상의 예상된 강도 레벨들과 함께, 평가된 10년 수명을 위한 피로 파괴 저항 (예를 들어, 순환 및/또는 고정 피로)은 최대 강도 값의 1/5 이하에서 인장 응력들을 유지함으로써 얻어질 수 있다. 이에 따라서, 200 MPa 이하의 응력 레벨들을 생산하는 고정 굴곡 반경들은 상기 무알칼리 유리 요소들에서 고정 피로에 관련한 파괴에 민감하지 않아야 한다. 더 구체적으로는, 상기 스택 조립체들 (100, 100a)에 이용된 상기 유리 요소를 위해 200 MPa의 최대 유도 인장 응력 σmax를 가정하여, 아래의 방정식 (2)가 도 3에 도시된 솔루션 공간을 형성하기 위해 사용되었다:
Figure pct00002
여기서 R은 피로와 관련된 파괴가 없는 상기 스택 조립체의 최대 굴곡 반경들, h는 상기 유리 요소의 두께, E는 상기 유리 요소의 탄성 계수 및 ν는 상기 무알칼리 유리에 대한 푸아송비 (0.2로 가정됨)이다.
도 3을 참조하면, 약 82 GPA의 탄성 계수를 가지는 유리 요소 (50) ("유리 C") 및 약 100 미크론의 두께로 구성된 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 약 22 mm의 최대 고정 굴곡 반경 (40, 40a)들이 가능하다는 것은 명백하다. 예를 들면, 20 미크론으로 두께를 감소시키는 것은 약 4 mm로 최대 굴곡 반경들을 개선한다 (예를 들어, 더 날카로운 굴곡이 실현 가능하다). 유사하게, 약 74 GPA의 탄성 계수를 가지는 유리 요소 (50) ("유리 B") 및 약 100 미크론의 두께로 구성된 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 약 18 mm의 최대 고정 굴곡 반경 (40, 40a)들이 가능하다. 예를 들면, 20 미크론으로 두께를 감소시키는 것은 약 4 mm 아래로 최대 굴곡 반경들을 개선한다. 게다가, 약 57 GPA의 탄성 계수를 가지는 유리 요소 (50) ("유리 A") 및 약 100 미크론의 두께로 구성된 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 약 15 mm의 최대 고정 굴곡 반경 (40, 40a)들이 가능하다. 예를 들면, 20 미크론으로 두께를 감소시키는 것은 약 3 mm로 최대 굴곡 반경들을 개선한다.
도 3a에 의해 보여진 바와 같이, 다양한 두께들 및 탄성 계수들의 무알칼리 유리 요소들을 가지는 구부릴 수 있는 스택 조립체들 (100, 100a)은 상기 개시의 양태들에 따라 25 mm 이하의 굴곡 반경들 (40, 40a)을 달성하기 위해 이용될 수 있다. 1000 MPa 이상의 예상된 강도 레벨들과 함께, 평가된 10년 수명을 위한 피로 파괴 저항 (예를 들어, 순환 및/또는 고정 피로)은 최대 강도 값의 1/3 이하에서 인장 응력들을 유지함으로써 얻어질 수 있다. 이에 따라서, 333 MPa 이하의 응력 레벨들을 생산하는 고정 굴곡 반경들은 상기 무알칼리 유리 요소들에서 고정 피로에 관련한 파괴에 민감하지 않아야 한다. 더 구체적으로는, 상기 스택 조립체들 (100, 100a)에 이용된 상기 유리 요소를 위해 333 MPa의 최대 유도 인장 응력 σmax를 가정하여, 아래의 방정식 (2)가 도 3a에 도시된 솔루션 공간을 형성하기 위해 사용되었다:
Figure pct00003
여기서 R은 피로와 관련된 파괴가 없는 상기 스택 조립체의 최대 굴곡 반경들, h는 상기 유리 요소의 두께, E는 상기 유리 요소의 탄성 계수 및 ν는 상기 무알칼리 유리에 대한 푸아송비 (0.2로 가정됨)이다.
도 3a를 참조하면, 약 82 GPA의 탄성 계수를 가지는 유리 요소 (50) ("유리 C") 및 약 100 미크론의 두께로 구성된 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 약 13 mm의 최대 고정 굴곡 반경 (40, 40a)들이 가능하다는 것은 명백하다. 예를 들면, 20 미크론으로 두께를 감소시키는 것은 약 2.5 mm로 최대 굴곡 반경들을 개선한다 (예를 들어, 더 날카로운 굴곡이 실현 가능하다). 유사하게, 약 74 GPA의 탄성 계수를 가지는 유리 요소 (50) ("유리 B") 및 약 100 미크론의 두께로 구성된 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 약 11.5 mm의 최대 고정 굴곡 반경 (40, 40a)들이 가능하다. 예를 들면, 20 미크론으로 두께를 감소시키는 것은 약 2.5 mm 아래로 최대 굴곡 반경들을 개선한다. 게다가, 약 57 GPA의 탄성 계수를 가지는 유리 요소 (50) ("유리 A") 및 약 100 미크론의 두께로 구성된 구부릴 수 있는 스택 조립체 (100, 100a)는 약 9 mm의 최대 고정 굴곡 반경 (40, 40a)들이 가능하다. 예를 들면, 20 미크론으로 두께를 감소시키는 것은 약 2 mm보다 작게 최대 굴곡 반경들을 개선한다.
도 4 내지 도 4a를 참조하면, 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가지는 백플레인 (150), 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 및 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께 (152)를 포함하는 전자 디바이스 조립체 (200, 200a)가 제공된다. 상기 백플레인 (150)은 제1 주요 표면 (154) 및 제2 주요 표면 (156)을 가진다. 게다가, 상기 주요 표면들 (154, 156)은 적어도 상기 최종 두께 (152)보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께 (152)로 이전의 재료 제거를 특징으로 한다. 상기 조립체 (200, 200a)는 또한 상기 백플레인 (150)의 상기 제1 주요 표면 (154) 상의 보호층 (170); 및 상기 백플레인 (150)의 상기 제2 주요 표면 (156) 상의 복수의 전자 구성요소들 (180)을 포함한다. 부가적으로, 조립체 (100)의 상기 백플레인 (150) (도 4 참조)은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경 (140)에서 적어도 하나의 고정 굴곡 또는 만곡 특징으로 구성된다. 유사하게, 상기 조립체 (100a)의 상기 백플레인 (150) (도 4a 참조)은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경 (140a)에서 적어도 하나의 고정 굴곡으로 구성된다. 조립체 (200, 200a)의 일부 양태들에서, 상기 백플레인 (150)은 약 15 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경 (140, 140a)에서 적어도 하나의 고정 굴곡 또는 만곡 특징으로 구성된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전자 디바이스 조립체 (200)는 굴곡 반경 (140)에서 고정 굴곡을 포함할 수 있어 상기 제1 주요 표면 (154)은 인장 상태에 놓이고 상기 전자 구성요소들 (180)을 포함하는 제2 주요 표면 (156)은 압축 상태에 놓인다. 결과적으로, 강도 감소 및, 궁극적으로, 주어진 굴곡 반경 (140)에 대한 고정 피로 수명 성능에서의 감소로 이어질 수 있는 조작과 관련된 결점들 (defects)이 그 표면에서 발생되지 않는 것을 보장하기 위해 상기 보호층 (170)은 인장 상태에 상기 주요 표면 (154) 위에 위치될 수 있다. 상기 디바이스 조립체 (200)의 일부 양태들에서, 깊이 (162)를 가지는 실질적으로 결함이 없는 구역 (160)은 상기 백플레인 (150) 내부에 구성된다. 상기 백플레인 (150)에서 결함이 없는 구역 (160)의 존재는 굴곡 반경 (140)에서 상기 고정 굴곡과 연관된 제1 주요 표면 (154)을 따라 상기 백플레인에서 인장 응력들에 대응할 수 있다 (예를 들어, 상기 백플레인 (150)의 증가하는 강도 및 파괴인성 덕분에). 상기 실질적으로 결함이 없는 구역 (160)은 상기 조립체 (100)와 연결하여 앞서 기술한 상기 결함이 없는 구역 (60)과 모든 면들에 필적한다 (도 2 내지 도2b 및 대응되는 기술 참조).
도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 디바이스 조립체 (200a)는 굴곡 반경 (140a)에서 고정 굴곡을 포함할 수 있어 상기 전자 구성요소들 (180)을 포함하는 상기 제2 주요 표면 (156)은 인장 상태에 있다. 그러나, 이 양태에서, 정상보다 이른 파괴로 이어질 수 있는 상기 요소 (150)의 그 측면 상의 조작과 관련된 결점들이 그 표면에서 발생되지 않는 것을 보장하기 위해 보호층 (170)은 상기 제1 주요 표면 (154) 위에 (압축 상태로) 놓일 수 있다. 일부 양태들에서 (미도시), 상기 보호층 (170)은 강도 감소 및, 궁극적으로, 주어진 굴곡 반경 (140a)에 대한 고정 피로 수명 성능에서의 감소로 이어질 수 있는 조작과 관련된 결점들이 그 표면에서 발생되지 않는 것을 보장하기 위해 제2 주요 표면 (156) (즉, 상기 전자 구성요소들 (180)을 포함하는 표면) 위에 인장 상태로 놓일 수 있다. 이 양태에서, 상기 보호층 (170)의 조성물은 그것이 발생과 연관된 제조 공정들을 견디고 및/또는 상기 전자 구성요소들 (180)을 상기 제2 주요 표면 (156)에 붙이기에 충분한 고온 능력을 가지는 것을 보장하기 위해 부분적으로 선택될 수 있다. 상기 디바이스 조립체 (200a)의 일부 양태들에서, 깊이 (162a)를 가지는 실질적으로 결함이 없는 구역 (160a)은 상기 백플레인 (150) 내부에 구성된다. 상기 백플레인 (150)에서 결함이 없는 구역 (160)의 존재는 굴곡 반경 (140a)에서 하나 이상의 고정 굴곡들과 연관된 제2 주요 표면 (156)을 따라 상기 백플레인에서 인장 응력들에 대응할 수 있다 (예를 들어, 상기 백플레인 (150)의 증가하는 강도 및 파괴인성 덕분에). 상기 실질적으로 결함이 없는 구역 (160a)은 조립체 (100a)와 연결하여 앞서 기술한 결함이 없는 구역 (60a)과 모든 면들에 필적한다 (도 2 내지 도2c 및 대응되는 기술 참조).
도 4 내지 도 4a에 도시된 상기 전자 디바이스 조립체 (200, 200a)에 관하여, 상기 전자 조립체의 백플레인 (150), 실질적으로 결함이 없는 구역 (160, 160a), 및 보호층 (170) 구성요소들은 각각 상기 유리 요소 (50), 실질적으로 결함이 없는 구역 (60, 60a), 및 보호층 (70)에 필적하고, 도 2 내지 도 2c에 도시된 스택 조립체 (100, 100a)에서 이용된다. 그러한 것으로, 이전에 기술된 스택 조립체 (100, 100a)의 변경들 또한 상기 전자 디바이스 조립체 (200, 200a)에 응용될 수 있다.
일부 양태들에서, 상기 전자 디바이스 조립체 (200, 200a)의 전자 구성요소들 (180)은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 (TFT) 요소 또는 적어도 하나의 유기 발광 다이오드 (OLED) 요소를 포함한다. 내온도성 보호층 (170) 조성물들이 상기 디바이스 조립체들 (200, 200a)에서 이용될 때, 상기 백플레인 (150) 상의 상기 전다 구성요소들 (180)의 고온 가공이 이용될 수 있다 (예를 들어, 중합체 백플레인을 가지는 시스템과 비교하여). 유리하게, 디바이스 조립체들 (200, 200a)의 증가된 온도 능력 (예를 들어, 오로지 가요성, 중합 구성요소들에 의존하는 종래의 시스템들과 비교하여)은 더 높은 제조 수율 및/또는 상기 백플레인을 하우징하는 디바이스에 더욱 높은 성능의 전자 디바이스 구성요소들을 통합하는 것을 실현하기 위해 사용될 수 있다.
도 5 내지 도 5a를 참조하면, 도 4 내지 도 4a에 도시된 조립체에 필적하는 디바이스 조립체 (200, 200a)를 이용하거나 이와 달리 상기 디바이스 조립체를 포함하는, 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)가 도시된다. 특히, 상기 조립체 (300, 300a)는 상기 복수의 전자 구성요소들 (180) 위의 덮개 (260)를 더 포함한다. 상기 덮개 (260)는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면 (264) 및 제2 주요 표면 (266), 및 상기 백플레인 (10)에 가해진 굴곡 반경 (140, 140a)과 실질적으로 동등한 반경 (265, 265a)을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 가질 수 있다. 상기 조립체 (300)에 관하여 (도 5 참조), 상기 덮개 (260)는 또한 (a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층 (260a), 제1 주요 표면 (264a) 및 제2 주요 표면 (266a); 및 (b) 상기 제1 유리층 (260a)의 제1 주요 표면 (264a)으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이 (268a)까지 연장되는 압축 응력 구역 (268)을 포함하고, 상기 구역 (268)은 상기 제1 유리층 (260a)의 제1 주요 표면 (264a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 상기 조립체 (300a)에 관하여 (도 5a 참조), 상기 제1 유리층 (260a)의 제2 주요 표면 (266a)으로부터 상기 제1 유리층 (260a)의 제1 깊이 (268c)까지 연장되는 압축 응력 구역 (268b)을 포함하고, 상기 구역 (268b)은 상기 제1 유리층의 제2 주요 표면 (266a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다.
부가적으로, 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)의 덮개 (260)는 또한 (a) 상기 덮개 (260)의 제1 주요 표면 (264)이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면 (266)은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및 (b) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 한다.
도 5 내지 도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)는 반경 (265, 265a)에서 상기 고정 굴곡과 연관된 인장 응력들에 종속된 것과 같은 덮개 (260)의 일부분에 위치된다. 그러나 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)은 또한 근본적으로 고강도 레벨들이 상기 덮개에 이익을 줄 수 있는 응용 환경 또는 다른 영역들에서 인장 응력들을 겪을 것이 예상되는 어떠한 구역들에서, 상기 덮개 (260)의 다른 위치들에 놓일 수 있다 (예를 들어, 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)를 포함하는 디바이스의 사용자들로부터 조작에 노출된 표면들)는 것으로 이해되어야 한다.
상기 전자 디바이스 조립체 (300)에서 이용된 상기 덮개 (260)의 특정 양태들에서, 상기 덮개 (260)의 두께는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛ 범위일 수 있다. 다른 양태들에서, 상기 덮개 (260)의 두께는 약 50 ㎛ 내지 약 100 ㎛ 범위일 수 있거나, 약 60 ㎛ 내지 약 80 ㎛ 범위일 수 있다. 다른 두께 값들이 상기 구부릴 수 있는 덮개 (260)의 두께를 위해 전술한 범위들 내에서 이용될 수 있다.
상기 덮개 (260)의 일부 실시예들에서, 상기 덮개는 상기 덮개 (260)의 두께에 필적하는 두께를 가지는 단일 유리층 (260a)을 포함한다. 다른 양태들에서, 상기 덮개 (260)는 두 개 이상의 유리층 (260a)들을 포함할 수 있다. 결과적으로, 각각의 유리층 (260a)의 두께는 약 1 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 유리 덮개 (260)는 하나 이상의 유리층 (260a)들에 부가하여 다른 비유리층들 (예를 들어, 유연, 중합층들)을 포함할 수 있다는 것 또한 이해되어야 한다.
상기 개시의 양태에 따르면, 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)는 도 4 내지 도 4a에 도시된 조립체에 필적하는 디바이스 조립체 (200, 200a)를 이용한다. 특히, 상기 조립체 (300, 300a)는 복수의 전자 구성요소들 (180) 위에 덮개 (260)를 더 포함한다. 상기 덮개 (260)는 유리 조성물, 및 상기 백플레인 (150)에 가해진 굴곡 반경 (140, 140a)과 실질적으로 동등한 반경 (265, 265a)을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 가질 수 있다. 상기 조립체 (300)에 관하여 (도 5 참조), 상기 덮개 (260)는 (a) 적어도 90%의 광학 투과율; (b) 상기 덮개 (260)의 제1 주요 표면 (264)이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개 (260)의 상기 제2 주요 표면 (266)은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및 (c) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 한다. 예를 들면, 이 구성에서, 상기 덮개 (260)는, 형성된 바와 같이, 하나 이상의 고정 굴곡들 및/또는 만곡 특징들을 이용할 수 있다.
상기 덮개 (260)의 유리층 (들) (260a)에 더 관하여, 각각의 유리층 (260a) (및 유리층 (260a)을 포함하지 않을 때의 덮개 (260))는 무알칼리 알루미노규산염 (aluminosilicate), 붕규산염 (borosilicate), 보로알루미노실리케이트 (boroaluminosilicate), 및 규산염 유리 조성물들 (silicate glass compositions)로 제작될 수 있다. 특정 양태들에서, 알칼리 토류 개질제들 (alkaline earth modifiers)이 상기 전술한 조성물들 중 어떤 것에 더해질 수 있다. 하나의 예시적인 양태에서, 다음에 따른 유리 조성물들은 상기 유리층 (260a)에 적합하다: SiO2 64 내지 69% (mol%로); Al2O3 5 내지 12%; B2O3 8 내지 23%; MgO 0.5 내지 2.5%; CaO 1 내지 9%; SrO 0 내지 5%; BaO 0 내지 5%; SnO2 0.1 내지 0.4%; ZrO2 0 내지 0.1%; 및 Na2O 0 내지 1%. 또 다른 예시적인 양태에서, 다음의 조성물은 상기 유리층 (50a)에 적합하다: SiO2 ~67.4% (mol%로); Al2O3 ~12.7%; B2O3 ~3.7%, MgO ~2.4%; CaO 0%; SrO 0%; SnO2 ~0.1%; 및 Na2O ~13.7%. 더욱 예시적인 양태에서, 다음의 조성물은 또한 상기 유리층 (260a)에 적합하다: SiO2 68.9% (mol%로); Al2O3 10.3%; Na2O 15.2%; MgO 5.4%; 및 SnO2 0.2%. 일부 양태들에서, 유리층 (260a)을 위한 조성물은 상대적으로 낮은 탄성 계수를 가지도록 선택된다 (다른 대안적인 유리들과 비교하여). 상기 유리층 (260a)에서 낮은 탄성 계수는 그 내부에 함유된 고정 굴곡 (들)의 발생과 연관된 상기 층 (260a)에서 인장 응력을 감소시킬 수 있다. 결함들의 병합을 최소화하면서 낮은 두께 레벨들로의 제조의 용이함, 굽힘 동안 생성되는 인장 응력들을 오프셋 하기 위한 압축 응력 구역의 발생의 용이함, 광학 투과성, 및 부식 저항을 포함하지만 이에 제한되지 않고 유리층 (260a)을 위한 조성물을 선택하기 위한 다른 기준들이 사용될 수 있다.
여전히 도 5 및 도 5a를 참조하면, 상기 전자 디바이스 조립체 (300)의 덮개 (260)는 상기 유리층 (260a)의 제1 주요 표면 (264a)에서 상기 유리층 (260a)에 제1 깊이 (268)까지 연장되는 압축 응력 구역 (268)을 더 포함한다. 게다가, 상기 전자 디바이스 조립체 (300a)의 덮개 (260)는 상기 유리층 (260a)의 제2 주요 표면 (266a)에서 상기 유리층 (260a)에 제1 깊이 (268c)까지 연장되는 압축 응력 구역 (268b)을 더 포함한다. 다른 이점들 중에, 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)은 특히 상기 주요 표면들 (264a, 266a) 근처에서 인장 응력들이 최대로 도달하는 하나 이상의 고정 굴곡들의 발생 중에 상기 유리층 (260a)에서 생성된 인장 응력들을 오프셋하기 위해 유리층 (260a) 내부에 이용될 수 있다. 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)은 상기 유리층 (260a)의 제1 주요 표면 (264a) 또는 제2 주요 표면 (266a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 상기 제1 주요 표면 (264a) 또는 제2 주요 표면 (266a)에서의 압축 응력은 약 600 MPa 내지 약 1000 MPa이다. 다른 양태들에서, 상기 압축 응력은 상기 유리층 (260a)에서 상기 압축 응력을 생산하기 위해 이용된 공정에 의하여, 최대 2000 MPa에서, 상기 제1 주요 표면 (264a) 또는 제2 주요 표면 (266a)에서 1000 MPa를 초과할 수 있다. 예를 들면, 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)은 이온 교환 공정 또는 다른 열 팽창 계수들을 가지는 재료들 (다른 유리 재료들을 포함하는)을 함께 적층함으로써 형성될 수 있다. 상기 압축 응력은 또한 본 개시의 다른 양태들에서 상기 제1 또는 제2 주요 표면 (264a, 266a)에서 약 100 MPa 내지 약 600 MPa 범위일 수 있다.
상기 압축 응력 구역 (268, 268b) 내에, 상기 압축 응력은 상기 제1 깊이 (268a, 268c) 아래로 상기 유리층 (264a, 266a)의 제1 또는 제2 주요 표면으로부터의 깊이의 함수로서 상기 유리층 (260a) 내에 일정하게 머무르거나, 감소하거나 또는 증가할 수 있다. 그런, 다양한 압축 응력 프로파일들은 압축 응력 구역 (268, 268b)에서 이용될 수 있다. 게다가, 상기 깊이 (268a, 268c)는 상기 유리층 (264a, 266a)의 제1 또는 제2 주요 표면으로부터 대략 15 ㎛ 이하로 설정될 수 있다. 다른 양태들에서, 상기 깊이 (268a, 268c)는 상기 유리층 (264a, 266a)의 제1 또는 제2 주요 표면으로부터 상기 유리층 (260a)의 두께의 대략 1/3 이하, 또는 상기 유리층 (260a)의 두께의 20% 이하이도록 설정될 수 있다.
도 5 및 도 5a를 참조하면, 상기 덮개 (260)는 약 25℃ 및 약 50% 상대 습도에서 약 5 mm 내지 약 25 mm의 굴곡 반경 (265, 265a)에서 하나 이상의 고정 굴곡들과 함께 파괴의 부재를 특징으로 한다. 일부 양태들에서, 상기 덮개 (260) 내부의 각각의 고정 굴곡의 굴곡 반경 (265, 265a)은 약 5 mm 내지 약 15 mm로 설정될 수 있다. 상기 응용의 요구들에 의하여, 각각의 고정 굴곡을 위한 굴곡 반경 (265, 265a)을 약 25 mm 내지 약 5 mm 이내의 값들로 설정하는 것 또한 실현 가능하다. 본원에 사용된 바와 같이, 상기 용어들 "파괴되다 (fail)", "파괴 (failure)" 등은 파손 (breakage)과, 부서짐 (destruction)과, 층간 박리 (delamination)와, 균열 전파 (crack propagation)와, 또는 본 개시의 스택 조립체들, 유리 물품들, 유리 요소들 및 디바이스 조립체들을 그들의 목적에 부적합하게 하는 다른 매커니즘들을 지칭한다. 상기 덮개 (260)가 이 조건들 (즉, 약 25℃ 및 50% 상대 습도에서) 하에 굴곡 반경 (265)을 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들을 함유할 때 (도 5 참조), 인장 응력들은 상기 덮개 (260)의 제1 주요 표면 (264)에 생성되고 압축 응력들은 제2 주요 표면 (266)에 생성된다. 유사하게, 상기 덮개 (260)가 이 조건들 하에 굴곡 반경 (265a)을 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들을 함유할 때 (도 5a 참조), 인장 응력들은 상기 덮개 (260)의 제2 주요 표면 (266)에 생성되고 압축 응력들은 제1 주요 표면 (264)에 생성된다. 굴곡 테스팅 결과들은 전술한 다른 온도 및/또는 습도 레벨들 테스팅 조건들 하에 변경될 수 있다는 것 또한 이해되어야 한다. 예를 들면, 더 작은 굴곡 반경들 (265) (예를 들어, < 5 mm)을 가지는 고정 굴곡을 가지는 덮개 (260)는 50% 상대 습도에 상당히 아래인 습도 레벨들에서 실시된 굴곡 테스팅에서 파괴의 부재를 특징으로 할 수 있다.
상기 덮개 (260)는 또한 상기 요소 (260)의 제1 주요 표면 (264)이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 ("PSA") 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층 ("PET")에 의해 지지되고, 상기 덮개 (260)의 상기 제2 주요 표면 (266)은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항을 특징으로 한다 (예를 들어, 상기 응용 환경에서 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)를 사용하는 동안 상기 덮개 (260)에의 충격을 시뮬레이션하기 위해). 전형적으로, 본 개시의 양태들에 따른 펑크 테스팅은 0.5 mm/분의 크로스헤드 속도에서 변위 제어 하에 수행된다. 특정 양태들에서, 상기 스테인리스 스틸 핀은 더 높은 탄성 계수 (예를 들어, 유리 덮개 (260))를 소유하는 재료들의 테스팅과 연관된 금속 핀의 변형이 원인일 수 있다는 편견을 피하기 위해 특정된 양의 테스트들 (예를 들어, 10 번의 테스트들) 이후에 새로운 핀으로 교체된다. 일부 양태들에서, 상기 덮개 (260)는 또한 와이블 플롯 내에서 5% 이상의 파괴 확률에서 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항을 특징으로 한다. 상기 덮개 (260)는 또한 와이블 특성 강도 (즉, 63.2% 이상)에서 약 3 kgf보다 큰 펑크 저항을 특징으로 할 수 있다. 특정 양태들에서, 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)의 덮개 (260)는 약 2 kgf 이상. 2.5 kgf 이상, 3 kgf 이상, 3.5 kgf 이상, 4 kgf 이상, 및 더 높은 범위들조차에서도의 펑크에 저항할 수 있다. 상기 덮개 (260)는 또한 8H 이상의 연필 경도를 특징으로 한다.
도 5 내지 도 5a를 참조하면, 도면들에 도시된 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)의 단면들은 상기 조립체가 상기 덮개 (260)에서 압축 응력 구역 (268, 268b)를 발생시키기 위한 이온 교환 공정에 의존하는 상기 개시의 양태를 보여준다. 상기 조립체 (300)의 일부 양태들에서, 상기 덮개 (260)의 압축 응력 구역 (268, 268b)은 아온 교환 공정을 통해 발생될 수 있다. 즉, 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)은 복수의 이온 교환가능한 금속 이온들 및 복수의 이온 교환된 금속 이온들을 포함할 수 있고, 상기 이온 교환된 금속 이온들은 상기 구역 (268, 268b)에서 압축 응력을 생산하기 위해 선택된다. 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)의 일부 양태들에서, 상기 이온 교환된 금속 이온들은 상기 이온 교환 가능한 금속 이온들의 원자 반경보다 큰 원자 반경을 가진다. 상기 이온 교환 가능한 이온들 (예를 들어, Na+ 이온들)은 상기 이온 교환 공정에 종속되기 전에 상기 덮개 (260) 및 상기 유리층 (260a)에 존재한다. 이온 교환되는 이온들 (예를 들어, K+ 이온들)은 상기 이온 교환 가능한 이온들 중 일부를 교체하면서 상기 덮개 (260) 및 하나 이상의 층 (260a)들에 병합될 수 있다. 상기 덮개 (260) 및 층 (들) (260a)로 이온 교환되는 이온들, 예를 들면, K+ 이온들의 병합은 이온 교환되는 이온들을 함유하는 용융 염욕 (molten salt bath) (예를 들어, 용융 KNO3 염)에서 상기 요소 또는 상기 층을 잠기게 함으로써 이루어질 수 있다. 이 예시에서, 상기 K+ 이온들은 상기 Na+ 이온들보다 큰 원자 반경을 가지며, 그리고 어디서나 존재하는 유리 내의 국부 압축 응력들을 생성하는 경향이 있다.
이용된 상기 이온 교환되는 공정 조건들에 의하여, 상기 이온 교환되는 이온들은 압축 응력 구역 (268, 268b)를 위한 이온 교환 층의 깊이 ("DOL")를 확보하면서, 제1 또는 제2 주요 표면 (264a, 266a)에서 제1 이온 교환 깊이 (268a, 268c)로 전해질 수 있다. 100 MPa를 훨씬 초과하는 DOL 내의 압축 응력 레벨들은, 최대 2000 MPa만큼 높게 그러한 이온 교환 공정들과 함께 달성될 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이, 상기 압축 응력 구역 (268, 268b)에서의 압축 응력 레벨들은 반경 (265, 265a)를 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들의 존재로부터 생성된 덮개 (260) 및 하나 이상의 유리층 (260a)들에서 인장 응력들을 오프셋 하는 역할을 할 수 있다.
본 개시에 따른 다른 가공과 관련된 정보 및 상기 덮개 (260) 요소들을 위한 대안적인 구성들은 각각 2014년 1월 29일 및 2014년 4월 3일에 출원된 미국 특허 가출원 제61/932,924호 및 제61/974,732호 (총괄하여, "'924 및 '732 출원들")에서 기술된 상기 스택 조립체들 및 관련된 물품들의 양태들로부터 얻을 수 있다. 예를 들면, 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)들은 상기 덮개 (260)가 직접 전자 구성요소들 (180)과 접촉하지 않기 때문에 상기 덮개 (260) 내부에 있는 알칼리를 함유하는 조성물들을 포함하는 다양한 유리 조성물들을 이용할 수 있다. 상기 디바이스 조립체 (300, 300a)들의 일부 다른 양태들에서, 상기 덮개 (260)는 상기 백플레인 (150) 위에 통합된 전자 구성요소들 (예를 들어, 터치 센서들) 및 상기 백플레인에 장착된 전자 구성요소들 (180)을 이용할 수 있다. 그러한 양태들에서, 상기 덮개 (260)는 바람직하게는 무알칼리 유리 조성물을 이용할 것이다.
도 5 내지 도 5a에 도시된 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)의 일부 양태들에서, 상기 조립체는 상기 덮개 (260) 아래에 있고 상기 백플레인 (150)에 결합된 봉합재 (250)를 더 포함한다. 상기 봉합재 (250)는 상기 전자 구성요소들 (180)을 봉합하도록 구성된다. 일부 양태들에서, 상기 봉합재는 광학적으로 투명한 중합 밀봉 재료로서 구성될 수 있다. 그러나, 상기 봉합재 (250)는 상기 조립체 (300, 300a)가 반경 (265, 265a)를 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들을 포함할 때 파괴되지 않고 봉합재로서 기능하기 위해 반드시 적합한 기계적 통합을 가져야 한다는 것이 이해되어야 한다.
다시 도 5 내지 도 5a를 참조하면, 상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)의 또 다른 양태는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께를 가지는 유리층의 형태에서 봉합재 (250)를 이용하고, 상기 봉합재는 (a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제2 유리층 (250a) 및 제2 주요 표면 (256a); 및 (b) 상기 제2 유리층 (250a)의 제1 주요 표면 (254a) 또는 제2 주요 표면 (256a) 각각으로부터 상기 제2 유리층 (250a)의 제1 깊이 (258a, 258c)까지 연장되는 압축 응력 구역 (258, 258b)을 더 포함하며, 상기 구역 (258, 258b)은 상기 제2 유리층의 각각 제1 또는 제2 주요 표면 (254a, 256a) 각각에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 상기 봉합재 (250)는 상기 봉합재가 약 25℃ 및 약 50% 상대 습도에서 상기 백플레인 (150)에 존재하는 상기 고정 굴곡들과 실질적으로 동등한 반경 (255, 255a)을 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들 및/또는 만곡 특징들을 포함할 때 파괴의 부재를 더 특징으로 한다. 그러한 것으로, 상기 봉합재 (250)는 전술한 부분들에서 기술된 상기 유리 덮개 (260)와 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다.
상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)들의 일부 양태들을 위해, 상기 덮개 (260)와 연결된 것으로 특정된 펑크 저항 및 연필 경도는 상기 봉합재 (250)에 관하여 제어되지 않는다. 즉, 상기 봉합재 (250)는 제조 인력 또는 디바이스 소유자들에 의한 직접 조작에 종속될 것 같지 않고, 이로써 높은 펑크 저항 및 연필 경도의 중요성을 감소시킨다. 상기 개시의 특정 다른 양태들에서, 상기 백플레인 (150)과 연결에서 위에 논의한 바와 같이, 상기 봉합재 (250)는 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 포함할 수 있다. 상기 조립체 (300, 300a)들의 이 양태들은 일반적으로 상기 봉합재 (250)와 하부 전자 구성요소들 (180) 사이에 가까운 접촉을 요구한다. 비록 도 5 및 도 5a에 특정적으로 도시되지 않았지만, 상기 봉합재 (250)는 상기 전자 구성요소들 (180)을 위한 밀폐된 환경을 생성하기 위해 실제적으로 상기 백플레인에 밀봉될 것이다. 상기 봉합재 (250)는 기술 분야에서 알려진 것과 같은 프릿 밀봉에 의해 상기 백플레인 (150)을 밀봉할 수 있다.
상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)들의 특정 구현예들에서, 상기 조립체는 400 미크론 이하, 375 미크론 이하, 350 미크론 이하, 325 미크론 이하, 300 미크론 이하, 275 미크론 이하, 250 미크론 이하, 225 미크론 이하, 또는 200 미크론 이하의 총 두께를 가진다. 상기 전자 디바이스 조립체의 총 두께는 일반적으로 상기 백플레인 (150), 봉합재 (250), 덮개 (260) 및 보호층 (170) 각각의 두께에 의한다. 중합 필름 및 접착제를 구성하는 보호층 (170)을 이용하는 상기 디바이스 조립체 (300, 300a)들의 양태들을 위해, 상기 총 두께는 약 600 미크론 이하일 수 있었다. 앞서 기술한 바와 같이, 상기 백플레인의 두께는 이전의 재료 제거와 연관된 가공 조건들의 정도에 의할 수 있다.
추가적인 양태에 따르면, 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 최종 두께 (152)보다 적어도 20 ㎛ 큰 최초 두께, 제1 주요 표면 (154), 및 제2 주요 표면 (156)을 가지는 백플레인 (150)을 형성하는 단계; 상기 최종 두께 (152)를 규정하기 위해 상기 백플레인 (150)의 최초 두께 (미도시)에서 재료를 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 최종 두께 (152)는 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛인 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)를 형성하는 방법 (도 5 내지 도 5a 참조)이 제공된다. 상기 방법은 또한 상기 백플레인 (150)의 제1 주요 표면 (154) 상에 보호층 (170)을 형성하는 단계; 상기 백플레인 (150)의 제2 주요 표면 (156) 상에 복수의 전자 구성요소들 (180)을 배치하는 단계; 및 상기 백플레인 (150)의 제2 주요 표면 (156) 상에 상기 복수의 전자 구성요소들 (180)을 배치하는 단계 이후에 상기 백플레인 (150)에서 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고정 굴곡은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경 (140)을 가진다.
상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)를 형성하는 방법의 특정 양태들에서, 상기 방법은 상기 복수의 전자 구성요소들 (180) 위에 덮개 (260)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 덮개 (260)는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면 (264), 제2 주요 표면 (266)을 가진다. 상기 덮개 (260)는 또한 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층 (260a); 제1 주요 표면 (264a); 및 제2 주요 표면 (266a)을 포함한다. 상기 조립체 (300)의 덮개 (260)는 또한 상기 제1 유리층 (260a)의 제1 주요 표면 (264a)으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이 (268a)까지 연장되는 압축 응력 구역 (268)을 포함하고, 상기 구역 (268)은 상기 제1 유리층 (260a)의 제1 주요 표면 (264a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 상기 조립체 (300a)의 덮개 (260)는 또한 상기 제1 유리층 (260a)의 제2 주요 표면 (266a)으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이 (268c)까지 연장되는 압축 응력 구역 (268b)을 포함하고, 상기 구역 (268b)은 상기 제1 유리층 (260a)의 제2 주요 표면 (266a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다.
전술한 방법에 따라 형성된 상기 조립체 (300, 300a)의 덮개 (260)는 또한 상기 덮개 (260)의 상기 제1 주요 표면 (264)이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개 (260)의 제2 주요 표면 (266)은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및 8H 이상의 연필 경도를 특징으로 한다. 상기 조립체 (300, 300a)를 형성하는 방법은 또한 상기 백플레인 (150)에서 하나 이상의 고정 굴곡들의 굴곡 반경 (140) 과 실질적으로 동등한 반경 (265)을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡 또는 만곡 특징을 형성하기 위해 상기 덮개 (260)를 구부리는 단계를 포함한다.
상기 전자 디바이스 조립체 (300, 300a)를 형성하는 방법의 특정 양태들에서, 상기 방법은 상기 백플레인 (150)을 봉합재 (250)로 밀봉하는 단계; 및 상기 복수의 전자 구성요소들 (180)을 상기 봉합재 (250)로 봉합하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 봉합재 (250)는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께; 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제2 유리층 (250a); 및 제1 주요 표면 (254)을 포함한다. 게다가, 전술한 방법에 따라 형성된 상기 조립체 (300)의 봉합재 (250)는 상기 제2 유리층 (250a)의 제1 주요 표면 (254a)으로부터 상기 제2 유리층의 제1 깊이 (258a)까지 연장되는 압축 응력 구역 (258)을 포함하고, 상기 구역 (258)은 상기 제2 유리층 (250a)의 제1 주요 표면 (254a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 유사하게, 전술한 방법에 따라 형성된 상기 조립체 (300a)의 봉합재 (250)는 상기 제2 유리층 (250a)의 제2 주요 표면 (256a)으로부터 상기 제2 유리층의 제1 깊이 (258c)까지 연장되는 압축 응력 구역 (258b)을 포함하고, 상기 구역 (258b)는 상기 제2 유리층 (250a)의 제2 주요 표면 (256a)에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정된다. 부가적으로, 상기 조립체 (300, 300a)의 봉합재 (250)는 또한 상기 백플레인 (150)의 굴곡 반경 (140)과 실질적으로 동등한 반경 (255, 255a)을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징 또는 고정 굴곡을 포함한다. 본 개시에서 기술된 상기 방법의 특정 양태들은 상기 백플레인 (150)에 상기 봉합재 (250)를 밀봉하는 단계 이전에 적어도 하나의 고정 굴곡 또는 만곡 특징을 형성하기 위해 상기 봉합재 (250)를 구부리는 단계를 요구한다. 상기 전술한 방법의 또 다른 양태에서, 상기 밀봉하는 단계는 상기 봉합재 (250)를 상기 백플레인 (150)에 프릿 밀봉하는 단계를 포함한다.
다양한 변형들 및 변경들이 상기 청구항들의 기술 사상 또는 권리범위를 벗어남 없이 만들어질 수 있다는 것은 통상의 기술자들에게 명백할 것이다. 예를 들면, 도 2 내지 도 2c에 도시된 상기 스택 조립체 (100, 100a)는 반경 (40, 40a)를 가지는 하나 이상의 고정 굴곡들의 존재로부터 인장 상태에 있을 것이 예상되는, 상기 주요 표면 (264) 상의 보호층 (70)을 포함한다. 하나 이상의 고정 굴곡들 및/또는 만곡 특징들의 존재로부터 인장 응력들을 겪는 것이 예상되는 상기 스택 조립체 (100, 100a)에서 이용된 상기 유리 요소 (50) (미도시)의 추가적인 표면들 및/또는 에지들 상에 보호층 (70)이 이용되는 아직 다른 변경들이 가능하다.
추가적인 예시의 방법으로, 상기 스택 조립체의 다양한 층들은 상기 스택으로 놓여질 때 원하는 비평면 형상으로 형성된 구부릴 수 있는 유리층들로 형성될 수 있거나, 또는 상기 스택으로 조립하기 이전에 원하는 비평면 형상으로 설정된 (예를 들어, 슬럼핑되거나 (slumped), 이와 달리 비평면 형상으로 형성되어 그것들이 일반적으로 그러한 비평면 구성에 있는) 유리층들로 형성될 수 있다. 스택은 특히 상기 봉합재층 및 덮개에 해당되어, 상기 스택으로 조립되기 이전에 평면 방식으로 가공될 필요가 없을 수 있다.
본 명세서에 기술된 다양한 양태들이 어떠한 및 모든 조합들에 조합될 수 있다. 예를 들면, 상기 양태들은 아래에 기술된 바와 같이 조합될 수 있다.
제1 양태에 따르면, 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 전자 디바이스 조립체는 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가지는 백플레인 - 상기 백플레인은 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께 , 제1 주요 표면, 및 제2 주요 표면을 가지고, 상기 주요 표면들은 적어도 상기 최종 두께보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께로 이전의 재료 제거를 특징으로 하고;
상기 백플레인의 상기 제1 주요 표면 상의 보호층; 및
상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상의 복수의 전자 구성요소들을 포함하며, 상기 백플레인은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡으로 구성된다.
제2 양태에 따르면, 제1 양태에 따른 상기 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 고정 굴곡은 약 15 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가진다.
제3 양태에 따르면, 제1 양태 또는 제2 양태에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 보호층은 나노-실리카 미립자, 및 에폭시 및 우레탄 재료들 중 적어도 하나를 포함한다.
제4 양태에 따르면, 제1 양태 내지 제3 양태 중 어느 하나에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 백플레인의 상기 조성물은 0.5 mol% 미만의 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O 및 Cs2O 각각을 가진다.
제5 양태에 따르면, 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 하나에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 요소를 포함한다.
제6 양태에 따르면, 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 하나에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 OLED 요소를 포함한다.
제7 양태에 따르면, 제1 양태 내지 제6 양태 중 어느 하나에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 더 포함하고, 상기 덮개는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면, 제2 주요 표면, 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 가지며, 및
상기 덮개는,
(a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층, 및 제1 주요 표면을 가지는 제1 유리층; 및
(b) 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면으로부터 상기 제1 유리의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역 - 상기 구역은 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정됨;을 더 포함하고,
상기 덮개는,
(a) 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및
(a) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 한다.
제8 양태에 따르면, 제7 양태에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 전자 디바이스 조립체는 250 ㎛ 이하의 두께를 가진다.
제9 양태에 따르면, 제1 양태 내지 제6 양태 중 어느 하나에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 더 포함하고, 상기 덮개는 유리 조성물, 및 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 가지고,
상기 덮개는,
(a) 적어도 90%의 광학 투과율;
(b) 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및
(c) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 한다.
제10 양태에 따르면, 제7 양태 또는 제9 양태에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 덮개 아래에 위치되고 상기 덮개에 결합된 봉합재를 더 포함하고, 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 구성된다.
제11 양태에 따르면, 제7 양태 또는 제9 양태에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 덮개 아래에 위치되고 상기 덮개에 결합된 봉합재를 더 포함하고, 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 구성되며, 상기 봉합재는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께를 가지고,
(a) 적어도 90%의 광학 투과율, 및 제1 주요 표면을 가지는 제2 유리층; 및
(b) 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 상기 제2 유리층에 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 더 포함하고, 상기 구역은 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정되며,
상기 봉합재는 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 더 특징으로 한다.
제12 양태에 따르면, 제11 양태에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 제2 유리층은 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가진다.
제13 양태에 따르면, 제11 양태 또는 제12 양태에 따른 전자 디바이스 조립체가 제공되고, 상기 전자 디바이스 조립체는 약 375 ㎛ 이하의 총 두께를 가진다.
제14 양태에 따르면, 전자 디바이스 조립체를 형성하는 방법이 제공되고, 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 최종 두께보다 적어도 20 ㎛ 큰 최초 두께, 제1 주요 표면, 및 제2 주요표면을 가지는 백플레인을 형성하는 단계;
상기 최종 두께를 규정하기 위해 상기 백플레인의 최초 두께로부터 재료를 제거하는 단계 - 상기 최종 두께는 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛임;
상기 백플레인의 상기 제1 주요 표면 상에 보호층을 형성하는 단계;
복수의 전자 구성요소들을 상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상에 배치하는 단계; 및
상기 복수의 전자 구성요소들을 상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상에 배치하는 단계 이후에 상기 백플레인에서 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 고정 굴곡은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가진다.
제15 양태에 따르면, 제14 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 고정 굴곡은 약 15 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가진다.
제16 양태에 따르면, 제14 양태 또는 제15 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 보호층은 나노-실리카 미립자, 및 에폭시 및 우레탄 재료들 중 적어도 하나를 포함한다.
제17 양태에 따르면, 제14 양태 내지 제16 양태 중 어느 하나에 따른 방법이 제공되고, 상기 백플레인의 상기 조성물은 0.5 mol% 미만의 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O 및 Cs2O 각각을 가진다.
제18 양태에 따르면, 제14 양태 내지 제17 양태 중 어느 하나에 따른 방법이 제공되고, 상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 요소를 포함한다.
제19 양태에 따르면, 제14 양태 내지 제18 양태 중 어느 하나에 따른 방법이 제공되고, 상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 OLED 요소를 포함한다.
제20 양태에 따르면, 제14 양태 내지 제19 양태 중 어느 하나에 따른 방법이 제공되고, 상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 덮개는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면, 제2 주요 표면, 상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 가지며,
상기 덮개는,
(a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층;
(b) 제1 주요 표면; 및
(c) 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 상기 제1 유리층에 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역 - 상기 구역은 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정됨;을 더 포함하고,
상기 덮개는,
(a) 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면이 (i) 약 1 GPa 보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa 보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및
(b) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 하며; 및
상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하기 위해 상기 덮개를 구부리는 단계;를 더 포함한다.
제21 양태에 따르면, 제20 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 전자 디바이스 조립체는 250 ㎛ 이하의 총 두께를 가진다.
제22 양태에 따르면, 제20 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 백플레인을 봉합재로 밀봉하는 단계; 및
상기 복수의 전자 구성요소들을 상기 봉합재로 봉합하는 단계;를 더 포함한다.
제23 양태에 따르면, 제22 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 봉합재는,
(a) 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께;
(b) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제2 유리층;
(c) 제1 주요 표면;
(d) 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면으로부터 상기 제2 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 포함하고, 상기 구역은 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정되며, 및
(e) 상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 포함한다.
제24 양태에 따르면, 제22 양태 또는 제23 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 제2 유리층은 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가진다.
제25 양태에 따르면, 제22 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 백플레인에 상기 봉합재를 밀봉하는 단계 이전에 상기 적어도 하나의 만곡 특징을 형성하기 위해 상기 봉합재를 구부리는 단계를 더 포함한다.
제26 양태에 따르면, 제22 양태에 따른 방법이 제공되고, 상기 전자 디바이스 조립체는 약 375 ㎛ 이하의 총 두께를 가진다.
제 27 양태에 따르면, 제23 양태 내지 제26 양태 중 어느 하나에 따른 방법이 제공되고, 상기 밀봉하는 단계는 상기 백플레인에 상기 봉합재를 프릿 밀봉하는 단계를 포함한다.

Claims (23)

  1. 전자 디바이스 조립체에 있어서,
    실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가지는 백플레인 (backplane) - 상기 백플레인은 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수 (elastic modulus), 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 최종 두께 , 제1 주요 표면, 및 제2 주요 표면을 가지고, 상기 주요 표면들은 적어도 상기 최종 두께보다 20 ㎛ 큰 최초 두께로부터 상기 최종 두께로 이전의 재료 제거를 특징으로 함;
    상기 백플레인의 상기 제1 주요 표면 상의 보호층; 및
    상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상의 복수의 전자 구성요소들을 포함하고, 상기 백플레인은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡으로 구성되는, 전자 디바이스 조립체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층은 나노-실리카 미립자, 및 에폭시 및 우레탄 재료들 중 적어도 하나를 포함하는, 전자 디바이스 조립체.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 백플레인의 상기 조성물은 0.5 mol% 미만의 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O 및 Cs2O 각각을 가지는, 전자 디바이스 조립체.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 요소 또는 적어도 하나의 OLED 요소를 포함하는, 전자 디바이스 조립체.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 더 포함하고, 상기 덮개는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면, 제2 주요 표면, 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 가지며, 및
    상기 덮개는,
    (a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층, 및 제1 주요 표면을 가지는 제1 유리층; 및
    (b) 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역 - 상기 구역은 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정됨;을 더 포함하고,
    상기 덮개는,
    (a) 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 (pressure-sensitive) 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항 (puncture resistance); 및
    (b) 8H 이상의 연필 경도를 특징으로 하는, 전자 디바이스 조립체.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 전자 디바이스 조립체는 250 ㎛ 이하의 두께를 가지는, 전자 디바이스 조립체.
  7. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 더 포함하고, 상기 덮개는 유리 조성물, 및 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 가지고,
    상기 덮개는,
    (a) 적어도 90%의 광학 투과율;
    (b) 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면이 (i) 약 1 GPa 보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa 보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및
    (c) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 하는, 전자 디바이스 조립체.
  8. 청구항 1, 5, 또는 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개 아래에 위치되고 상기 덮개에 결합된 봉합재 (encapsulant)를 더 포함하고, 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 구성되는, 전자 디바이스 조립체.
  9. 청구항 1, 5, 또는 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개 아래에 위치되고 상기 덮개에 결합된 봉합재를 더 포함하고, 상기 봉합재는 상기 복수의 전자 구성요소들을 봉합하도록 구성되며, 상기 봉합재는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께를 가지고,
    (a) 적어도 90%의 광학 투과율, 및 제1 주요 표면을 가지는 제2 유리층; 및
    (b) 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면으로부터 상기 제2 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 더 포함하고, 상기 구역은 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정되며,
    상기 봉합재는 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 더 특징으로 하는, 전자 디바이스 조립체.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제2 유리층은 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가지는, 전자 디바이스 조립체.
  11. 청구항 8 또는 9에 있어서,
    상기 전자 디바이스 조립체는 약 375 ㎛ 이하의 총 두께를 가지는, 전자 디바이스 조립체.
  12. 전자 디바이스 조립체를 형성하는 방법에 있어서,
    실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물, 약 40 GPa 내지 약 100 GPa의 탄성 계수, 최종 두께보다 적어도 20 ㎛ 큰 최초 두께, 제1 주요 표면, 및 제2 주요표면을 가지는 백플레인을 형성하는 단계;
    상기 최종 두께를 규정하기 위해 상기 백플레인의 최초 두께로부터 재료를 제거하는 단계 - 상기 최종 두께는 약 20 ㎛ 내지 약 100 ㎛임;
    상기 백플레인의 상기 제1 주요 표면 상에 보호층을 형성하는 단계;
    복수의 전자 구성요소들을 상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상에 배치하는 단계; 및
    상기 복수의 전자 구성요소들을 상기 백플레인의 상기 제2 주요 표면 상에 배치하는 단계 이후에 상기 백플레인에서 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 고정 굴곡은 약 25 mm 내지 약 5 mm의 굴곡 반경을 가지는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 보호층은 나노-실리카 미립자, 및 에폭시 및 우레탄 재료들 중 적어도 하나를 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  14. 청구항 12 또는 13에 있어서,
    상기 백플레인의 상기 조성물은 0.5 mol% 미만의 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O 및 Cs2O 각각을 가지는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  15. 청구항 12 내지 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 구성요소들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 요소 또는 적어도 하나의 OLED 요소를 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  16. 청구항 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 전자 구성요소들 위에 덮개를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 덮개는 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께, 제1 주요 표면, 제2 주요 표면, 상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 가지며,
    상기 덮개는,
    (a) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제1 유리층;
    (b) 제1 주요 표면; 및
    (c) 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면으로부터 상기 제1 유리층의 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역 - 상기 구역은 상기 제1 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정됨;을 더 포함하고,
    상기 덮개는,
    (a) 상기 덮개의 상기 제2 주요 표면이 (i) 약 1 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 25 ㎛ 두께의 감압성 접착제 및 (ii) 약 10 GPa보다 작은 탄성 계수를 가지는 대략 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트층에 의해 지지되고, 상기 덮개의 상기 제1 주요 표면은 200 ㎛ 직경의 편평한 바닥을 가지는 스테인리스 스틸 핀으로 채워질 때 약 1.5 kgf보다 큰 펑크 저항; 및
    (b) 8H 이상의 연필 경도를 더 특징으로 하며; 및
    상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 고정 굴곡을 형성하기 위해 상기 덮개를 구부리는 단계;를 더 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 전자 디바이스 조립체는 250 ㎛ 이하의 총 두께를 가지는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  18. 청구항 12 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 백플레인을 봉합재로 밀봉하는 단계; 및
    상기 복수의 전자 구성요소들을 상기 봉합재로 봉합하는 단계;를 더 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 봉합재는
    (a) 약 25 ㎛ 내지 약 125 ㎛의 두께;
    (b) 적어도 90%의 광학 투과율을 가지는 제2 유리층;
    (c) 제1 주요 표면;
    (d) 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 상기 제2 유리층에 제1 깊이까지 연장되는 압축 응력 구역을 포함하고, 상기 구역은 상기 제2 유리층의 상기 제1 주요 표면에서 적어도 약 100 MPa의 압축 응력에 의해 규정되며, 및
    (e) 상기 백플레인에서 상기 고정 굴곡의 상기 굴곡 반경과 실질적으로 동등한 반경을 가지는 적어도 하나의 만곡 특징을 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 제2 유리층은 실질적으로 알칼리 이온들이 없는 유리 조성물을 가지는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  21. 청구항 19에 있어서,
    상기 봉합재를 상기 백플레인으로 밀봉하는 단계 이전에 상기 적어도 하나의 만곡 특징을 형성하기 위해 상기 봉합재를 구부리는 단계를 더 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  22. 청구항 18 내지 21 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 디바이스 조립체는 약 375 ㎛ 이하의 총 두께를 가지는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
  23. 청구항 18 내지 22 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉하는 단계는 상기 백플레인에 상기 봉합재를 프릿 밀봉하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스 조립체 형성 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190094771A (ko) * 2018-02-06 2019-08-14 동우 화인켐 주식회사 적층체 및 이를 포함하는 화상표시장치
US10936012B2 (en) 2018-02-14 2021-03-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device including a cushion layer having members with different moduli

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511615B (zh) * 2013-03-08 2020-03-03 日本先锋公司 发光元件
WO2016073549A1 (en) * 2014-11-05 2016-05-12 Corning Incorporated Glass articles with non-planar features and alkali-free glass elements
KR102217784B1 (ko) 2016-03-04 2021-02-19 코닝 인코포레이티드 높은 표면 압축 응력을 가지는 이온 교환 가능 유리
KR20180121568A (ko) 2016-03-09 2018-11-07 코닝 인코포레이티드 복합적으로 굽은 유리 제품의 냉간 형성
CN109415247B (zh) 2016-06-28 2022-09-27 康宁公司 将薄强化玻璃层压到用于装饰和显示器盖应用的曲面成型塑料表面
JP7071294B2 (ja) 2016-07-05 2022-05-18 コーニング インコーポレイテッド 冷間成形ガラス物品及びその組立方法
KR20180012913A (ko) * 2016-07-27 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 윈도우 및 이를 포함하는 플렉서블 표시 장치
EP3532442A1 (en) 2016-10-25 2019-09-04 Corning Incorporated Cold-form glass lamination to a display
US11016590B2 (en) 2017-01-03 2021-05-25 Corning Incorporated Vehicle interior systems having a curved cover glass and display or touch panel and methods for forming the same
KR102077696B1 (ko) 2017-01-03 2020-02-14 코닝 인코포레이티드 만곡된 커버 유리 및 디스플레이 또는 터치 패널을 갖는 차량 인테리어 시스템 및 이를 형성시키는 방법
US10303218B2 (en) 2017-02-01 2019-05-28 Apple Inc. Foldable cover and display for an electronic device
TWI778019B (zh) * 2017-02-14 2022-09-21 美商康寧公司 併入積層基板的電子組件及其製造方法
JP7329448B2 (ja) * 2017-04-04 2023-08-18 コーニング インコーポレイテッド 多層構造およびその製造方法
US10856413B2 (en) * 2017-04-07 2020-12-01 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Segmented stretchable/conformable electronic and optoelectronic circuit on stretchable backplane
WO2018213267A1 (en) 2017-05-15 2018-11-22 Corning Incorporated Contoured glass articles and methods of making the same
MA48927A (fr) * 2017-05-24 2020-04-08 Saint Gobain Vitre en verre feuilleté courbée comprenant un affichage continu courbé encastré et procédé de fabrication de ladite vitre
KR20200030094A (ko) 2017-07-18 2020-03-19 코닝 인코포레이티드 복잡한 곡선 모양 유리 물품의 냉간 성형
US10353123B2 (en) * 2017-08-08 2019-07-16 Apple Inc. Electronic Devices with glass layer coatings
EP3681847A1 (en) 2017-09-12 2020-07-22 Corning Incorporated Tactile elements for deadfronted glass and methods of making the same
TW202340816A (zh) 2017-09-13 2023-10-16 美商康寧公司 用於顯示器的基於光導器的無電面板、相關的方法及載具內部系統
US11065960B2 (en) 2017-09-13 2021-07-20 Corning Incorporated Curved vehicle displays
TW201918462A (zh) 2017-10-10 2019-05-16 美商康寧公司 具有改善可靠性的彎曲的覆蓋玻璃的車輛內部系統及其形成方法
CN107871453A (zh) * 2017-10-31 2018-04-03 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示模组及其制备方法
WO2019103469A1 (en) 2017-11-21 2019-05-31 Corning Precision Materials Co., Ltd. Aspheric mirror for head-up display system and methods for forming the same
TWI789463B (zh) 2017-11-30 2023-01-11 美商康寧公司 用於形成曲面鏡的真空模具設備、系統及方法
CN111656254B (zh) 2017-11-30 2023-06-02 康宁公司 用于真空成形非球面镜的系统与方法
EP3765425B1 (en) 2018-03-13 2023-11-08 Corning Incorporated Vehicle interior systems having a crack resistant curved cover glass and methods for forming the same
EP4279461A1 (en) * 2018-06-08 2023-11-22 Corning Incorporated Fracture resistant stress profiles in glasses
JP2021531187A (ja) 2018-07-16 2021-11-18 コーニング インコーポレイテッド 冷間曲げガラス基板を有する乗物内装システムおよびその形成方法
CN108922982A (zh) * 2018-07-19 2018-11-30 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、设有其的显示装置及显示面板形成方法
JP2020066547A (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 双葉電子工業株式会社 ガラス成形品
KR102527666B1 (ko) 2018-11-20 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 보호 필름, 이를 포함하는 전자 장치, 및 보호 필름의 부착 방법
CN109377889B (zh) * 2018-12-19 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置
WO2020185021A1 (ko) 2019-03-12 2020-09-17 에스케이씨 주식회사 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
EP3916771A4 (en) 2019-03-12 2023-01-11 Absolics Inc. PACKAGING SUBSTRATE AND EQUIPPED SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SUBSTRATE
JP7087205B2 (ja) * 2019-03-29 2022-06-20 アブソリックス インコーポレイテッド 半導体用パッケージングガラス基板、半導体用パッケージング基板及び半導体装置
WO2020226939A1 (en) * 2019-05-03 2020-11-12 Corning Incorporated Glass article with a living hinge
CN110191604B (zh) * 2019-06-27 2021-03-09 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件及其制备方法、电子设备
CN110290657B (zh) * 2019-06-27 2021-08-13 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件及其制作方法和电子设备
KR20220016941A (ko) * 2019-07-05 2022-02-10 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 유기 el 표시 소자용 봉지제 및 유기 el 표시 장치
CN112585666A (zh) * 2019-07-30 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 背板支撑结构及其制备方法、显示装置
EP3771695A1 (en) 2019-07-31 2021-02-03 Corning Incorporated Method and system for cold-forming glass
KR20220089715A (ko) 2019-08-23 2022-06-28 앱솔릭스 인코포레이티드 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
US11772361B2 (en) 2020-04-02 2023-10-03 Corning Incorporated Curved glass constructions and methods for forming same
WO2022036665A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co., Ltd. Bendable element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011047977A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
KR20120073286A (ko) * 2009-10-23 2012-07-04 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 기판
US20130183454A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-18 Corning Incorporated Method for coating polymers on glass edges
WO2013183681A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 旭硝子株式会社 無アルカリガラスおよびこれを用いた無アルカリガラス板
KR20140047692A (ko) * 2011-07-07 2014-04-22 코닝 인코포레이티드 유리 물품을 강화하기 위한 표면 흠 변형

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173368A (en) * 1988-09-14 1992-12-22 Pilkington Visioncare Holdings, Inc. Solution-applied antireflective coatings
DE69818541T2 (de) * 1997-04-30 2004-08-05 Agfa-Gevaert Verfahren zur Herstellung von dünnem Glas auf einer Rolle
JP2000357477A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス成形品及びガラス容器
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
ATE369829T1 (de) * 2003-12-22 2007-09-15 3M Espe Ag Glasfüllmaterial und verfahren zur herstellung
CN101091251B (zh) * 2004-08-18 2011-03-16 康宁股份有限公司 包含高应变玻璃或玻璃陶瓷的绝缘体上半导体结构
US7201965B2 (en) * 2004-12-13 2007-04-10 Corning Incorporated Glass laminate substrate having enhanced impact and static loading resistance
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
US7463734B2 (en) * 2006-02-03 2008-12-09 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Display window cover assemblies and electronic devices and methods using the same
JP5125345B2 (ja) * 2007-09-19 2013-01-23 日立化成工業株式会社 液晶表示装置
KR100833738B1 (ko) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN101595513A (zh) * 2006-12-25 2009-12-02 琳得科株式会社 埋入像素控制元件用的显示基板
JP5224096B2 (ja) * 2007-01-29 2013-07-03 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ用ガラス基板の製造方法
JP5082480B2 (ja) * 2007-02-13 2012-11-28 住友化学株式会社 薄型偏光板及びそれを用いた画像表示装置
US9434642B2 (en) * 2007-05-21 2016-09-06 Corning Incorporated Mechanically flexible and durable substrates
JP2009117181A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US8025975B2 (en) * 2007-11-20 2011-09-27 Corning Incorporated Frit-containing pastes for producing sintered frit patterns on glass sheets
US8448468B2 (en) * 2008-06-11 2013-05-28 Corning Incorporated Mask and method for sealing a glass envelope
TWI384434B (zh) * 2008-08-28 2013-02-01 Au Optronics Corp 可撓式顯示面板及其製造方法、光電裝置及其製造方法
US8245536B2 (en) * 2008-11-24 2012-08-21 Corning Incorporated Laser assisted frit sealing of high CTE glasses and the resulting sealed glass package
GB0823397D0 (en) * 2008-12-23 2009-01-28 Eastman Kodak Co Multilayer devices on flexible supports
US8341976B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
JP2012527399A (ja) 2009-05-21 2012-11-08 コーニング インコーポレイテッド 機械的耐久性エッジを有する薄型基材
US8440479B2 (en) * 2009-05-28 2013-05-14 Corning Incorporated Method for forming an organic light emitting diode device
KR101723254B1 (ko) * 2009-09-08 2017-04-04 도요보 가부시키가이샤 유리/수지 적층체 및 그것을 사용한 전자 디바이스
EP2374766A4 (en) * 2009-10-09 2012-04-04 Micro Technology Co Ltd PROCESS FOR PRODUCING FLEXIBLE GLASS SUBSTRATE AND FLEXIBLE GLASS SUBSTRATE
US8246867B2 (en) * 2009-10-16 2012-08-21 Corning Incorporated Method for assembling an optoelectronic device
KR20130048287A (ko) * 2010-03-05 2013-05-09 케어스트림 헬스 인코포레이티드 투명 전도성 필름, 제품, 및 방법
US8563113B2 (en) * 2010-04-20 2013-10-22 Corning Incorporated Multi-laminate hermetic barriers and related structures and methods of hermetic sealing
US9302937B2 (en) 2010-05-14 2016-04-05 Corning Incorporated Damage-resistant glass articles and method
TWI457880B (zh) * 2010-09-30 2014-10-21 E Ink Holdings Inc 曲面顯示模組與顯示裝置
US10158057B2 (en) * 2010-10-28 2018-12-18 Corning Incorporated LED lighting devices
US8835007B2 (en) * 2011-01-19 2014-09-16 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Tempered glass and tempered glass sheet
US8398873B2 (en) * 2011-02-01 2013-03-19 Micro Technology Co., Ltd. Thin-sheet glass substrate laminate and method of manufacturing the same
US8776547B2 (en) * 2011-02-28 2014-07-15 Corning Incorporated Local strengthening of glass by ion exchange
US20120280368A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-08 Sean Matthew Garner Laminated structure for semiconductor devices
US20130114219A1 (en) * 2011-11-08 2013-05-09 Sean Matthew Garner Opto-electronic frontplane substrate
US20130196163A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-01 3M Innovative Properties Company Composite glass laminate and web processing apparatus
US8907871B2 (en) * 2012-03-15 2014-12-09 Corning Incorporated Touch screen assemblies for electronic devices
US9512029B2 (en) * 2012-05-31 2016-12-06 Corning Incorporated Cover glass article
KR101935552B1 (ko) * 2012-06-27 2019-04-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치
KR102086545B1 (ko) * 2012-07-19 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
EP2885253B1 (en) * 2012-08-17 2021-06-02 Corning Incorporated Ultra-thin strengthened glasses
JP6254164B2 (ja) * 2012-08-31 2017-12-27 コーニング インコーポレイテッド 強化された薄型ガラス−ポリマー積層体
US20140151721A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Corning Incorporated Phase transition cooling in led lighting devices
US10086584B2 (en) * 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9340443B2 (en) * 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
JP2014133683A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Central Glass Co Ltd 化学強化ガラス板の製造方法
CN108511615B (zh) * 2013-03-08 2020-03-03 日本先锋公司 发光元件
KR101825276B1 (ko) 2013-03-15 2018-02-02 쇼오트 글라스 테크놀로지스 (쑤저우) 코퍼레이션 리미티드. 화학 강인화 가요성 초박형 유리
JP6305515B2 (ja) 2013-04-10 2018-04-04 ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． フレキシブルガラス／金属箔複合物品およびそれらの製造方法
KR102062842B1 (ko) * 2013-06-03 2020-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101987763B1 (ko) 2013-06-26 2019-06-11 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
JP6365826B2 (ja) * 2013-07-11 2018-08-01 日本電気硝子株式会社 ガラス
CN105593184B (zh) * 2013-08-01 2019-07-02 康宁股份有限公司 提供具有弹性模量梯度的涂层的基材的方法和设备
KR20150021000A (ko) * 2013-08-19 2015-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN105829258A (zh) * 2013-10-18 2016-08-03 康宁股份有限公司 提供基材和基材上保护性涂层的方法和设备
KR102100767B1 (ko) * 2013-11-26 2020-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US9321677B2 (en) * 2014-01-29 2016-04-26 Corning Incorporated Bendable glass stack assemblies, articles and methods of making the same
US9724727B2 (en) * 2014-02-13 2017-08-08 Corning Incorporated Methods for printing on glass
US9240437B2 (en) * 2014-03-17 2016-01-19 Cbrite Inc. Flexible TFT backpanel by glass substrate removal
WO2015148779A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Polyera Corporation Optimal mounting of a flexible display
JP7126825B2 (ja) * 2014-08-19 2022-08-29 コーニング インコーポレイテッド 屈曲可能なガラススタックアセンブリおよびその製造方法
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
DE102014221245A1 (de) * 2014-10-20 2016-04-21 Tesa Se Dünnglasfolienverbundbahn mit Versteifungsstreifen
KR102566346B1 (ko) * 2014-11-04 2023-08-11 코닝 인코포레이티드 알칼리가 없는 유리 요소를 포함하는 구부릴 수 있는 유리 물품
WO2016073549A1 (en) * 2014-11-05 2016-05-12 Corning Incorporated Glass articles with non-planar features and alkali-free glass elements
KR102313361B1 (ko) * 2014-11-17 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102316211B1 (ko) * 2014-11-24 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10170711B2 (en) * 2015-05-05 2019-01-01 Apple Inc. Display with vias to access driver circuitry
US20170113967A1 (en) * 2015-10-21 2017-04-27 Corning Incorporated Strengthened, antimicrobial glass articles and methods for making the same
US10005264B2 (en) * 2015-12-15 2018-06-26 3M Innovative Properties Company Thin protective display film
KR102539196B1 (ko) * 2016-08-18 2023-06-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN106710449A (zh) * 2016-12-09 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示模组及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011047977A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
KR20120073286A (ko) * 2009-10-23 2012-07-04 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 기판
KR20140047692A (ko) * 2011-07-07 2014-04-22 코닝 인코포레이티드 유리 물품을 강화하기 위한 표면 흠 변형
US20130183454A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-18 Corning Incorporated Method for coating polymers on glass edges
WO2013183681A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 旭硝子株式会社 無アルカリガラスおよびこれを用いた無アルカリガラス板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190094771A (ko) * 2018-02-06 2019-08-14 동우 화인켐 주식회사 적층체 및 이를 포함하는 화상표시장치
US10936012B2 (en) 2018-02-14 2021-03-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device including a cushion layer having members with different moduli

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