JP2017532564A - 自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 - Google Patents
自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017532564A JP2017532564A JP2017521139A JP2017521139A JP2017532564A JP 2017532564 A JP2017532564 A JP 2017532564A JP 2017521139 A JP2017521139 A JP 2017521139A JP 2017521139 A JP2017521139 A JP 2017521139A JP 2017532564 A JP2017532564 A JP 2017532564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- site
- automated
- edx
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 247
- 238000012552 review Methods 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 78
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 36
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 claims description 26
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
- G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/079—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission incident electron beam and measuring excited X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2806—Secondary charged particle
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2807—X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
本特許出願は、2014年10月27日付けで出願された米国予備特許出願第62/069,048号の優先権を主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願はまた、2015年5月8日付けで出願された米国予備特許出願第62/159,180号の優先権も主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願はまた、2015年6月5日付けで出願された米国予備特許出願第62/171,698号の優先権も主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願はまた、2015年8月12日付けで出願された米国予備特許出願第62/204,325号の優先権も主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願は、2015年6月19日付けで出願されたインド特許出願第3080/CHE/2015号の優先権を主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。
上述された図は必ずしも縮尺があっておらず、描写的であって且つ特定の具現化に限定するものではないことが意図されている。特定の寸法、配置、及び磁気的対物レンズのレンズ電流は可変で且つ各具現化に依存する。
Claims (22)
- ターゲット基板上の欠陥性ダイにて検出された欠陥の自動化されたレビューのための方法であって、
前記欠陥の位置を含む結果ファイルを得るステップと、
前記欠陥の電子ビームイメージを得る様に、二次電子顕微鏡(SEM)を使用して前記欠陥の自動化されたレビューを実行するステップと、
前記電子ビームイメージから判定された前記欠陥の形態に基づいて、前記欠陥のタイプへの自動化された分類を実行するステップと、
自動化されたエネルギー分散型X線(EDX)レビューのために特定のタイプの欠陥を選択するステップと、
前記特定のタイプの欠陥に関する前記自動化されたEDXレビューを実行するステップと、
を包含する、方法。 - 前記自動化されたEDXレビューを実行するステップが、前記特定のタイプの各欠陥に対して、
欠陥サイトへの移動、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトルの獲得、
前記欠陥サイトから参照サイトへの移動、
前記参照サイトからのEDXスペクトルの獲得、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトル及び前記参照サイトからのEDXスペクトルからの相違スペクトルの生成、
を包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記欠陥サイトが反復するセルのアレイにあると示されており、前記欠陥サイトから参照サイトへの移動が、前記参照サイトが、隣接するセル内の前記欠陥サイトに対応する位置にあるように、一次電子ビームを一方向へセル寸法だけ偏向することによって実行される、請求項2に記載の方法。
- 前記欠陥サイトが非アレイパターン構造にあると示されており、
前記欠陥性ダイ上で前記欠陥サイトを取り囲むエリアの第1のイメージを得るための電子ビームイメージングステップと、
隣接するダイ上で前記参照サイトを取り囲むエリアの第2のイメージを得るための電子ビームイメージングステップと、
前記第2のイメージを前記第1のイメージと並べた後に、前記第2のイメージにおける前記参照サイトの位置を決定するステップと、
をさらに包含する、請求項2に記載の方法。 - 前記欠陥性ダイから前記参照ダイへの移動が、前記SEMの視野を前記欠陥性ダイ上の前記欠陥サイトから前記隣接するダイの前記参照サイトへ動かすように、前記ターゲット基板を保持しているステージの並進によって実行される、請求項4に記載の方法。
- 前記特定のタイプの各欠陥に対する前記相違スペクトルから元素情報を導出するステップをさらに包含する、請求項2に記載の方法。
- 形態的及び元素的情報を組み合わせる欠陥パレートを生成するステップをさらに包含する、請求項6に記載の方法。
- 前記欠陥パレートを生成するステップが、前記欠陥の形態に基づいて、前記特定のタイプの欠陥を、元素情報に依存する複数のタイプに区分するステップを包含する、請求項7に記載の方法。
- 前記欠陥パレートが、欠陥頻度対タイプの棒グラフを備える、請求項8に記載の方法。
- ターゲット基板上で検出された欠陥の自動化されたレビューのための装置であって、
一次電子ビームを生成し且つ前記一次電子ビームを前記ターゲット基板の表面にフォーカスするための電子ビームカラムと、
前記ターゲット基板を前記一次電子ビームの下に保持するための可動ステージと、
前記一次電子ビームを偏向させる偏向器と、
前記一次電子ビームによる衝撃のために前記ターゲット基板の表面から発せられた二次電子ビームを検出するための電子検出器と、
前記一次電子ビームによる衝撃のために前記ターゲット基板の表面から発せられたX線を検出するように構成されたX線検出器と、
コンピュータ読み取り可能なコード及びデータを記憶するための非遷移データストレジを備え且つ前記コンピュータ読み取り可能なコードを実行するためのプロセッサをさらに備える制御システムと、
を備えており、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
前記ターゲット基板上の欠陥性ダイにて検出された欠陥の位置を含む結果ファイルを得て、
前記欠陥の電子ビームイメージを得る様に、前記欠陥の自動化された二次電子顕微鏡(SEM)レビューを実行し、
前記電子ビームイメージから判定された前記欠陥の形態に基づいて、前記欠陥のタイプへの自動化された分類を実行し、
自動化されたエネルギー分散型X線(EDX)レビューのために特定のタイプの欠陥を選択し、
前記特定のタイプの欠陥に関する前記自動化されたEDXレビューを実行する、
指示を備える、装置。 - 前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、
欠陥サイトへ移動し、
前記欠陥サイトからEDXスペクトルを獲得し、
前記欠陥サイトから参照サイトへ移動し、
前記参照サイトからEDXスペクトルを獲得し、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトル及び前記参照サイトからのEDXスペクトルから相違スペクトルを生成する、
指示をさらに包含する、請求項10に記載の装置。 - 前記欠陥サイトが反復するセルのアレイにあると示されており、前記欠陥サイトから参照サイトへ移動する指示が、一次電子ビームを一方向へセル寸法だけ偏向する指示を包含する、請求項11に記載の装置。
- 前記欠陥サイトが非アレイパターン構造にあると示されており、前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、
前記欠陥性ダイ上で前記欠陥サイトを取り囲むエリアの第1のイメージを得るために電子ビームイメージングを使用し、
隣接するダイ上で前記参照サイトを取り囲むエリアの第2のイメージを得るために電子ビームイメージングを使用し、
前記第2のイメージを前記第1のイメージと並べた後に、前記第2のイメージにおける前記参照サイトの位置を決定する、
指示をさらに包含する、請求項11に記載の装置。 - 前記欠陥性ダイから前記参照ダイへ移動する指示が、SEMの視野を前記欠陥性ダイ上の前記欠陥サイトから前記隣接するダイの前記参照サイトへ動かすように、前記ターゲット基板を保持しているステージを並進させる指示を包含する、請求項13に記載の装置。
- 前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、前記特定のタイプの各欠陥に対する前記相違スペクトルから元素情報を導出する指示をさらに包含する、請求項11に記載の装置。
- 前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、形態的及び元素的情報を組み合わせる欠陥パレートを生成する指示をさらに包含する、請求項15に記載の装置。
- 前記欠陥パレートを生成する指示が、前記欠陥の形態に基づいて、前記特定のタイプの欠陥を、元素情報に依存する複数のタイプに区分する指示をさらに包含する、請求項16に記載の装置。
- 前記欠陥パレートが欠陥頻度対タイプの棒グラフを備える、請求項16に記載の装置。
- 欠陥性ダイにおける欠陥の自動化されたエネルギー分散型X線(EDX)レビューの方法であって、前記方法がコンピュータ読み取り可能な指示の制御の下で自動化されており、且つ、
欠陥サイトへ移動するステップと、
前記欠陥サイトからEDXスペクトルを獲得するステップと、
前記欠陥サイトから参照サイトへ移動するステップと、
前記参照サイトからEDXスペクトルを獲得するステップと、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトル及び前記参照サイトからのEDXスペクトルから相違スペクトルを生成するステップと、
を包含する、方法。 - 前記欠陥サイトが反復するセルのアレイにあると示されており、前記欠陥サイトから参照サイトへの移動が、前記参照サイトが、隣接するセル内の前記欠陥サイトに対応する位置にあるように、一次電子ビームを一方向へセル寸法だけ偏向することによって実行される、請求項19に記載の方法。
- 前記欠陥サイトが非アレイパターン構造にあると示されており、
前記欠陥性ダイ上で前記欠陥サイトを取り囲むエリアの第1のイメージを得るための電子ビームイメージングステップと、
隣接するダイ上で前記参照サイトを取り囲むエリアの第2のイメージを得るための電子ビームイメージングステップと、
前記第2のイメージを前記第1のイメージと並べた後に、前記第2のイメージにおける前記参照サイトの位置を決定するステップと、
をさらに包含する、請求項19に記載の方法。 - 前記欠陥性ダイから前記参照ダイへの移動が、走査型電子顕微鏡の視野を前記欠陥性ダイ上の前記欠陥サイトから前記隣接するダイの前記参照サイトへ動かすように、前記ターゲット基板を保持しているステージの並進によって実行される、請求項21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462069048P | 2014-10-27 | 2014-10-27 | |
US62/069,048 | 2014-10-27 | ||
US201562159180P | 2015-05-08 | 2015-05-08 | |
US62/159,180 | 2015-05-08 | ||
US201562171698P | 2015-06-05 | 2015-06-05 | |
US62/171,698 | 2015-06-05 | ||
IN3080CH2015 | 2015-06-19 | ||
IN3080/CHE/2015 | 2015-06-19 | ||
US201562204325P | 2015-08-12 | 2015-08-12 | |
US62/204,325 | 2015-08-12 | ||
US14/919,563 US9696268B2 (en) | 2014-10-27 | 2015-10-21 | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
US14/919,563 | 2015-10-21 | ||
PCT/US2015/057455 WO2016069523A1 (en) | 2014-10-27 | 2015-10-27 | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017532564A true JP2017532564A (ja) | 2017-11-02 |
JP6814733B2 JP6814733B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=55791780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017521139A Active JP6814733B2 (ja) | 2014-10-27 | 2015-10-27 | 自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9696268B2 (ja) |
JP (1) | JP6814733B2 (ja) |
KR (1) | KR102219788B1 (ja) |
CN (2) | CN111982953A (ja) |
DE (1) | DE112015004853T5 (ja) |
SG (1) | SG11201702727SA (ja) |
TW (1) | TWI656340B (ja) |
WO (1) | WO2016069523A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020066161A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社リガク | 測定装置、プログラム及び測定装置の制御方法 |
WO2021075170A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 株式会社日立ハイテク | 検査システム、及び非一時的コンピュータ可読媒体 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9778215B2 (en) * | 2012-10-26 | 2017-10-03 | Fei Company | Automated mineral classification |
US9696268B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
KR102409943B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
US10928336B1 (en) * | 2019-07-29 | 2021-02-23 | Applied Materials Israel Ltd. | X-ray based evaluation of a status of a structure of a substrate |
EP3995808B1 (de) * | 2020-11-09 | 2023-01-04 | Siltronic AG | Verfahren zum klassifizieren von unbekannten partikeln auf einer oberfläche einer halbleiterscheibe |
CN114723650A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-07-08 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 晶圆缺陷检测方法和装置、设备及存储介质 |
CN116130377B (zh) * | 2023-04-17 | 2023-09-29 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5649169A (en) * | 1995-06-20 | 1997-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for declustering semiconductor defect data |
JP2787924B2 (ja) * | 1989-06-29 | 1998-08-20 | 株式会社島津製作所 | 電子線マイクロアナライザー |
JPH11316201A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-11-16 | Rigaku Industrial Co | 試料表面の検査方法およびこれを使用するx線分析装置 |
JP2001153826A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Matsushita Electronics Industry Corp | X線光電子分光装置およびx線光電子分光方法 |
US20020072162A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-06-13 | Applied Materials, Inc. | Defect knowledge library |
JP2003107022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置及び検査方法 |
JP2004191187A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 欠陥組成分析方法及び装置 |
JP2005114384A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥の元素分析方法およびその装置 |
JP2007225531A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2015216285A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥分析方法 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2922940B2 (ja) | 1989-11-22 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | エネルギ分散形x線分析装置 |
US5263075A (en) | 1992-01-13 | 1993-11-16 | Ion Track Instruments, Inc. | High angular resolution x-ray collimator |
US5656812A (en) * | 1995-07-21 | 1997-08-12 | Jeol Ltd. | Electron probe microanalyzer and X-ray analysis using same |
US6259960B1 (en) * | 1996-11-01 | 2001-07-10 | Joel Ltd. | Part-inspecting system |
JP3500264B2 (ja) | 1997-01-29 | 2004-02-23 | 株式会社日立製作所 | 試料分析装置 |
US6442233B1 (en) | 1998-06-18 | 2002-08-27 | American Science And Engineering, Inc. | Coherent x-ray scatter inspection system with sidescatter and energy-resolved detection |
WO2000016077A1 (en) | 1998-09-17 | 2000-03-23 | Noran Instruments, Inc. | Application of x-ray optics to energy dispersive spectroscopy |
US6407386B1 (en) | 1999-02-23 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | System and method for automatic analysis of defect material on semiconductors |
JP4312910B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | レビューsem |
US6528818B1 (en) | 1999-12-14 | 2003-03-04 | Kla-Tencor | Test structures and methods for inspection of semiconductor integrated circuits |
US6787773B1 (en) | 2000-06-07 | 2004-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Film thickness measurement using electron-beam induced x-ray microanalysis |
JP3804757B2 (ja) | 2000-09-05 | 2006-08-02 | 株式会社日立製作所 | 微小部分析装置及び分析方法 |
JP4178741B2 (ja) | 2000-11-02 | 2008-11-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および試料作製装置 |
US6990086B1 (en) * | 2001-01-26 | 2006-01-24 | Cisco Technology, Inc. | Method and system for label edge routing in a wireless network |
US6423557B1 (en) | 2001-03-15 | 2002-07-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | ADC based in-situ destructive analysis selection and methodology therefor |
US6753261B1 (en) | 2002-01-17 | 2004-06-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | In-situ chemical composition monitor on wafer during plasma etching for defect control |
US7103505B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-05 | Fei Company | Defect analyzer |
JP3888980B2 (ja) | 2003-03-18 | 2007-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 物質同定システム |
US7132652B1 (en) | 2003-03-25 | 2006-11-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Automatic classification of defects using pattern recognition applied to X-ray spectra |
US6952653B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-10-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Single tool defect classification solution |
US7092485B2 (en) | 2003-05-27 | 2006-08-15 | Control Screening, Llc | X-ray inspection system for detecting explosives and other contraband |
US7365321B2 (en) | 2004-03-22 | 2008-04-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for measuring a characteristic of a substrate or preparing a substrate for analysis |
KR20070010472A (ko) * | 2005-07-19 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드형 편광자와, 이의 제조 방법 및 이를 갖는표시장치 |
WO2007015472A1 (ja) | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Sii Nanotechnology Inc. | X線分析装置及び方法 |
JP4533306B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2010-09-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置 |
JP4825021B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レポートフォーマット設定方法、レポートフォーマット設定装置、及び欠陥レビューシステム |
JP4307470B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2009-08-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 |
US7397556B2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-07-08 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and computer program product for optimizing inspection recipes using programmed defects |
US7904845B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
JP5164598B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レビュー方法、およびレビュー装置 |
JP2010078478A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
EP2284524B1 (en) | 2009-08-10 | 2014-01-15 | FEI Company | Microcalorimetry for X-ray spectroscopy |
US9518808B2 (en) * | 2010-02-16 | 2016-12-13 | Research Foundation Of State University Of New York | Ammunition and weapon type identification based on spectroscopic gunshot residue analysis |
WO2011151116A1 (en) | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Sms Gmbh | A method for determining the performance of a photolithographic mask |
JP2012242146A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及び試料作成方法 |
US8421007B2 (en) | 2011-05-18 | 2013-04-16 | Tohoku University | X-ray detection system |
EP2605005A1 (en) | 2011-12-14 | 2013-06-19 | FEI Company | Clustering of multi-modal data |
JP2013114854A (ja) | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料観察装置及びマーキング方法 |
JP6355318B2 (ja) | 2012-11-15 | 2018-07-11 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法及び装置 |
TW201430336A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-08-01 | Huang Tian Xing | 缺陷檢測方法、裝置及系統 |
JP5948262B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2016-07-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 |
KR102026936B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템 |
JP6328456B2 (ja) | 2014-03-20 | 2018-05-23 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | エネルギー分散型x線分析装置及びエネルギー分散型x線分析方法 |
US9218940B1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-22 | Fei Company | Method and apparatus for slice and view sample imaging |
US9696268B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
-
2015
- 2015-10-21 US US14/919,563 patent/US9696268B2/en active Active
- 2015-10-22 TW TW104134805A patent/TWI656340B/zh active
- 2015-10-27 WO PCT/US2015/057455 patent/WO2016069523A1/en active Application Filing
- 2015-10-27 CN CN202010883345.1A patent/CN111982953A/zh active Pending
- 2015-10-27 DE DE112015004853.7T patent/DE112015004853T5/de active Pending
- 2015-10-27 SG SG11201702727SA patent/SG11201702727SA/en unknown
- 2015-10-27 KR KR1020177014282A patent/KR102219788B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-27 CN CN201580055501.2A patent/CN106796188A/zh active Pending
- 2015-10-27 JP JP2017521139A patent/JP6814733B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2787924B2 (ja) * | 1989-06-29 | 1998-08-20 | 株式会社島津製作所 | 電子線マイクロアナライザー |
US5649169A (en) * | 1995-06-20 | 1997-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for declustering semiconductor defect data |
JPH11316201A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-11-16 | Rigaku Industrial Co | 試料表面の検査方法およびこれを使用するx線分析装置 |
JP2001153826A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Matsushita Electronics Industry Corp | X線光電子分光装置およびx線光電子分光方法 |
US20020072162A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-06-13 | Applied Materials, Inc. | Defect knowledge library |
JP2003107022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置及び検査方法 |
JP2004191187A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 欠陥組成分析方法及び装置 |
JP2005114384A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥の元素分析方法およびその装置 |
JP2007225531A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2015216285A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥分析方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020066161A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社リガク | 測定装置、プログラム及び測定装置の制御方法 |
US11125704B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-09-21 | Rigaku Corporation | Measurement system, program, and measurement system control method |
WO2021075170A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 株式会社日立ハイテク | 検査システム、及び非一時的コンピュータ可読媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016069523A1 (en) | 2016-05-06 |
JP6814733B2 (ja) | 2021-01-20 |
KR102219788B1 (ko) | 2021-02-23 |
US9696268B2 (en) | 2017-07-04 |
SG11201702727SA (en) | 2017-05-30 |
US20160116425A1 (en) | 2016-04-28 |
CN111982953A (zh) | 2020-11-24 |
TWI656340B (zh) | 2019-04-11 |
TW201627659A (zh) | 2016-08-01 |
DE112015004853T5 (de) | 2017-07-13 |
KR20170077184A (ko) | 2017-07-05 |
CN106796188A (zh) | 2017-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6814733B2 (ja) | 自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 | |
US7521678B2 (en) | Charged particle beam apparatus, charged particle beam focusing method, microstructure measuring method, microstructure inspecting method, semiconductor device manufacturing method, and program | |
KR101685274B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
US9046344B2 (en) | Multiple image metrology | |
WO2016092640A1 (ja) | 欠陥観察装置および欠陥観察方法 | |
US10732512B2 (en) | Image processor, method for generating pattern using self-organizing lithographic techniques and computer program | |
JP2024507152A (ja) | 透明な基板を有する高分解能x線分光表面材料分析 | |
US11626267B2 (en) | Back-scatter electrons (BSE) imaging with a SEM in tilted mode using cap bias voltage | |
US9269533B2 (en) | Analysis apparatus and analysis method | |
US8110799B2 (en) | Confocal secondary electron imaging | |
KR102001715B1 (ko) | 상대적 임계 치수의 측정을 위한 방법 및 장치 | |
WO2020157860A1 (ja) | 荷電粒子線システム及び荷電粒子線撮像方法 | |
JP2023539816A (ja) | アレイを設計するための走査電子顕微鏡画像アンカーリング | |
JP2011179819A (ja) | パターン測定方法及びコンピュータプログラム | |
CN111579890B (zh) | 聚焦离子束杂质鉴定 | |
EP4300087A1 (en) | Method of processing data derived from a sample | |
JP2007220317A (ja) | 電子ビーム検査方法および装置 | |
JP2022135215A (ja) | 学習器の学習方法、及び画像生成システム | |
WO2015064399A1 (ja) | 荷電粒子線装置およびプログラム記録媒体 | |
JP2015161578A (ja) | ウェーハの検査方法および荷電粒子線装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6814733 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |