JP2017520797A - リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 - Google Patents
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Abstract
Description
放射ビームPB(例えばUV放射)を調整する照明系(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持する、アイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばサポート構造)MTと、
基板(例えばレジストでコーティングされたウェーハ)Wを保持する、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするために第2位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAにより放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイからなる)目標部分Cに結像するよう構成された投影系(例えば屈折投影レンズ)PLと、を備える。
REMAレンズの上流の構成要素を置換することなく、例えばより高いスループットのために、既存のリソグラフィ装置を比較的容易に改良することができる。
Claims (24)
- 放射ビームを提供する照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを提供するパターニングデバイスを支持する、前記照明系の下流の支持構造と、放射ビームを第1倍率で前記パターニングデバイスに投影する第1レンズと、基板を保持する、前記支持構造の下流の基板テーブルと、パターン形成放射ビームを第2倍率で前記基板の目標部分に投影する第1投影系とを備え、前記第1レンズと前記第1投影系とが共同で第3倍率を提供するリソグラフィ装置を修正する方法であって、
レンズにより提供される第1倍率を第1係数分の1にして、放射ビームを投影する第2レンズに第4倍率を提供することと、
第2倍率を第1係数倍にして、パターン形成放射ビームを前記基板の目標部分に投影する第2投影系に第5倍率を提供することと、
を備える方法。 - 前記第1レンズは、1倍から4倍の倍率を提供するよう構成され、第1係数は、1より大きく且つ4以下である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1投影系は、0.25倍の倍率を提供するよう構成され、第1係数は、1より大きく且つ4以下である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1レンズは、1倍の倍率を提供するよう構成され、前記第1投影系は、0.25倍の倍率を提供するよう構成され、
前記第2レンズが0.5倍の倍率を提供するよう構成され、且つ前記第2投影系が0.5倍の倍率を提供するよう構成されるように、第1係数は2である、請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - 前記第1レンズおよび前記第1投影系は、共同して、パターン形成放射ビームを目標部分においてリソグラフィ装置の非走査方向で実質的に25mmから27mmのサイズにするよう構成され、前記第2レンズおよび前記第2投影系は、共同して、パターン形成放射ビームを目標部分においてリソグラフィ装置の非走査方向で実質的に25mmから34mmのサイズにするよう構成される、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ装置は、1つの走査動作中に基板の1つの目標領域を横切って放射ビームを走査するよう構成され、修正されたリソグラフィ装置は、1つの走査動作の間に基板の少なくとも2つの目標領域を横切って放射ビームを走査するよう構成される、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ装置は、第1速度でパターニングデバイスの表面を横切って放射ビームを走査し、且つ第2速度で基板の目標部分を横切ってパターン形成放射ビームを走査するよう構成され、第1速度を第1係数分の1にすることを備える、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 修正されたリソグラフィ装置は、1つの走査動作中にパターニングデバイスの少なくとも第1および第2のパターン形成領域を横切って放射ビームを走査するよう構成され、第1および第2のパターン形成領域は修正されたリソグラフィ装置の走査方向に互いに隣接して配置される、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 前記第2レンズおよび前記第2投影系は共同で第3倍率を提供する、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記第2レンズおよび前記第2投影系は共同で第3倍率よりも大きい第6倍率を提供する、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 第6倍率は、第3倍率よりも大きい約1.24倍である、請求項10に記載の方法。
- 放射ビームを提供する照明系と、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを提供するパターニングデバイスを支持する、前記照明系の下流の支持構造と、
放射ビームを0.5倍から2倍の倍率で前記パターニングデバイスに投影するレンズと、
基板を保持する、前記支持構造の下流の基板テーブルと、
パターン形成放射ビームを0.5倍の倍率で前記基板の目標部分に投影する投影系と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記レンズおよび前記投影系は、共同して、パターン形成放射ビームを目標部分においてリソグラフィ装置の非走査方向で実質的に25mmから34mmのサイズにするよう構成される、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 1つの走査動作中にパターニングデバイスの表面を横切って放射ビームを走査するよう構成され、且つ1つの走査動作の間に基板の少なくとも2つの目標領域を横切って放射ビームを走査するよう構成される、請求項12または13に記載のリソグラフィ装置。
- 第1速度でパターニングデバイスの表面を横切って放射ビームを走査し、且つ第2速度で基板の目標部分を横切ってパターン形成放射ビームを走査するよう構成される、請求項12から14のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 1つの走査動作中にパターニングデバイスの少なくとも第1および第2のパターン形成領域を横切って放射ビームを走査するよう構成され、第1および第2のパターン形成領域はリソグラフィ装置の走査方向に互いに隣接して配置される、請求項12から15のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 第1速度は第2速度の2倍以上である、請求項15または16に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームを0.5倍から2倍の倍率でリソグラフィ装置のパターニングデバイスに投影して、放射ビームの断面にパターンを付与することと、
パターン形成放射ビームを0.5倍の倍率で基板の目標部分に投影することと、
を備える方法。 - 1つの走査動作中にパターニングデバイスの表面を横切って放射ビームを走査することと、1つの走査動作の間に基板の少なくとも2つの目標領域を横切ってパターン形成放射ビームを走査することをさらに備える、請求項18に記載の方法。
- 第1速度でパターニングデバイスの表面を横切って放射ビームを走査することと、第2速度で基板を横切ってパターン形成放射ビームを走査することをさらに備える、請求項18または19に記載の方法。
- 第1パターン形成領域および第2パターン形成領域を備えるパターニングデバイスを提供することをさらに備え、第1および第2のパターン形成領域はリソグラフィ装置の走査方向に互いに隣接している、請求項18または19に記載の方法。
- 1つの走査動作中に第1パターン形成領域および第2パターン形成領域の両方を横切って放射ビームを走査することをさらに備える、請求項21に記載の方法。
- 第1速度は第2速度の2倍以上である、請求項19から22のいずれかに記載の方法。
- パターン形成放射ビームを、目標部分においてリソグラフィ装置の非走査方向で実質的に25mmから34mmのサイズにすることをさらに備える、請求項18から23のいずれかに記載の方法。
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