JP2017517147A - 太陽電池内の相対的ドーパント濃度レベル - Google Patents
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Abstract
Description
[項目1]
太陽電池であって、
通常動作中には太陽放射を受光するために太陽に面する前側、及び上記前側とは反対側の裏側を含む、基板と、
上記基板の上記裏側の上で、P型拡散領域とN型拡散領域との間に形成された、突き合せPN接合と
を備え、
上記P型拡散領域は、第1のドーパント濃度レベルを有する、第1のドーパント源を含むP型ドープ領域から形成され、上記N型拡散領域は、上記第1のドーパント濃度レベルより高い第2のドーパント濃度レベルを有する、第2のドーパント源を含むN型ドープ領域から形成される、太陽電池。
[項目2]
上記基板の上記裏側の上に形成されたポリシリコンを更に備え、上記P型拡散領域及び上記N型拡散領域は、上記ポリシリコン内に形成される、
項目1に記載の太陽電池。
[項目3]
上記突き合せPN接合の境界領域に、パッシベーション領域を更に備える、
項目1に記載の太陽電池。
[項目4]
上記P型拡散領域は、約5E17/cm3より低いドーパント濃度レベルを有するホウ素を含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目5]
上記P型拡散領域は、結果的に得られるデバイス効率が20%超となる程度まで、上記突き合せPN接合での再結合を低減する、ドーパント濃度レベルでドープされる、項目4に記載の太陽電池。
[項目6]
上記N型拡散領域は、1E20/cm3の約10%より高いドーパント濃度レベルを有するリンを含む、項目4に記載の太陽電池。
[項目7]
上記基板の上記裏側上の上記P型ドープ領域から形成された上記P型拡散領域に結合される、第1の金属コンタクトフィンガと、
上記基板の上記裏側上の上記N型ドープ領域から形成された上記N型拡散領域に結合される、第2の金属コンタクトフィンガと、
を更に備える、項目1に記載の太陽電池。
[項目8]
上記P型ドープ領域及び上記N型ドープ領域は、上記基板の上の誘電体層の上に配置される、項目1に記載の太陽電池。
[項目9]
太陽電池を製造する方法であって、上記方法は、
基板の上に、第1のドーパント濃度レベルを有する、第1のドーパント源を含むP型ドープ領域から、P型拡散領域を形成する工程と、
上記基板の上に、かつ上記P型拡散領域に隣接して、上記第1のドーパント濃度レベルが第2のドーパント濃度レベルより低いような、上記第2のドーパント濃度レベルを有する、第2のドーパント源を含むN型ドープ領域から、N型拡散領域を形成することにより、上記P型拡散領域と上記N型拡散領域との間に突き合せPN接合を提供する工程と、
を備える、方法。
[項目10]
突き合せPN接合を形成する工程は、
通常動作中には太陽放射を受光するために太陽に面する前側を有する上記基板の、上記前側とは反対側の裏側の上に、ポリシリコンの層を形成する工程と、
上記ポリシリコンの層上に、上記P型ドープ領域を形成する工程と、
上記ポリシリコンの層上に、上記N型ドープ領域を形成する工程と、
を更に備える、項目9に記載の方法。
[項目11]
上記基板上に上記P型拡散領域を形成するために、上記P型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程と、
上記基板上に上記N型拡散領域を形成するために、上記N型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程と、
上記基板の外部かつ誘電体層の上に、上記P型拡散領域及び上記N型拡散領域を形成する工程と、
を更に備える、項目9に記載の方法。
[項目12]
水素を使用して、上記突き合せPN接合の境界領域をパッシベートする工程を更に備える、
項目9に記載の方法。
[項目13]
上記P型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程は、
P型ドーパント源として、1E17/cm3より低いドーパント濃度レベルで、ホウ素を使用する工程を更に備える、項目9に記載の方法。
[項目14]
上記N型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程は、
N型ドーパント源として、1E20/cm3より高いドーパント濃度レベルで、リンを使用する工程を更に備える、項目13に記載の方法。
[項目15]
印刷可能なインクを使用して、上記P型ドープ領域及び上記N型ドープ領域を印刷する工程を更に備える、
項目9に記載の方法。
[項目16]
上記基板の上記裏側上の上記P型拡散領域に、第1の金属コンタクトフィンガを電気的に結合する工程と、
上記基板の上記裏側上の上記N型拡散領域に、第2の金属コンタクトフィンガを電気的に結合する工程と、
を更に備える、項目10に記載の方法。
[項目17]
その場でドープされるP型ポリシリコンを堆積させて、上記P型拡散領域を形成する工程と、
マスク式N型拡散を使用して、上記第2のドーパント源からドーパントをカウンタードーピングすることによって、上記N型拡散領域を形成する工程と、
を更に備える、項目9に記載の方法。
[項目18]
太陽電池であって、
通常動作中には太陽放射を受光するために太陽に面する前側、及び上記前側とは反対側の裏側を含む、基板と、
上記基板の上記裏側の上に形成された、ポリシリコン層と、
上記ポリシリコン層内に形成された、P型拡散領域及びN型拡散領域と
を備え、
突き合せPN接合は、上記P型拡散領域と上記N型拡散領域との間に形成され、上記P型拡散領域は、第1のドーパント濃度レベルを有し、上記N型拡散領域は、上記第1のドーパント濃度レベルより高い第2のドーパント濃度レベルを有する、太陽電池。
[項目19]
上記P型拡散領域の上記第1のドーパント濃度レベルは、約5E17/cm3より低い、項目1に記載の太陽電池。
[項目20]
上記P型拡散領域を形成するために使用されるP型ドーパント源と、上記N型拡散領域を形成するために使用されるN型ドーパント源との濃度比は、約1:100である、項目1に記載の太陽電池。
Claims (20)
- 太陽電池であって、
通常動作中には太陽放射を受光するために太陽に面する前側、及び前記前側とは反対側の裏側を含む、基板と、
前記基板の前記裏側の上で、P型拡散領域とN型拡散領域との間に形成された、突き合せPN接合と
を備え、
前記P型拡散領域は、第1のドーパント濃度レベルを有する、第1のドーパント源を含むP型ドープ領域から形成され、前記N型拡散領域は、前記第1のドーパント濃度レベルより高い第2のドーパント濃度レベルを有する、第2のドーパント源を含むN型ドープ領域から形成される、太陽電池。 - 前記基板の前記裏側の上に形成されたポリシリコンを更に備え、前記P型拡散領域及び前記N型拡散領域は、前記ポリシリコン内に形成される、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記突き合せPN接合の境界領域に、パッシベーション領域を更に備える、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記P型拡散領域は、約5E17/cm3より低いドーパント濃度レベルを有するホウ素を含む、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記P型拡散領域は、結果的に得られるデバイス効率が20%超となる程度まで、前記突き合せPN接合での再結合を低減する、ドーパント濃度レベルでドープされる、請求項4に記載の太陽電池。
- 前記N型拡散領域は、1E20/cm3の約10%より高いドーパント濃度レベルを有するリンを含む、請求項4に記載の太陽電池。
- 前記基板の前記裏側上の前記P型ドープ領域から形成された前記P型拡散領域に結合される、第1の金属コンタクトフィンガと、
前記基板の前記裏側上の前記N型ドープ領域から形成された前記N型拡散領域に結合される、第2の金属コンタクトフィンガと、
を更に備える、請求項1に記載の太陽電池。 - 前記P型ドープ領域及び前記N型ドープ領域は、前記基板の上の誘電体層の上に配置される、請求項1に記載の太陽電池。
- 太陽電池を製造する方法であって、前記方法は、
基板の上に、第1のドーパント濃度レベルを有する、第1のドーパント源を含むP型ドープ領域から、P型拡散領域を形成する工程と、
前記基板の上に、かつ前記P型拡散領域に隣接して、前記第1のドーパント濃度レベルが第2のドーパント濃度レベルより低いような、前記第2のドーパント濃度レベルを有する、第2のドーパント源を含むN型ドープ領域から、N型拡散領域を形成することにより、前記P型拡散領域と前記N型拡散領域との間に突き合せPN接合を提供する工程と、
を備える、方法。 - 突き合せPN接合を形成する工程は、
通常動作中には太陽放射を受光するために太陽に面する前側を有する前記基板の、前記前側とは反対側の裏側の上に、ポリシリコンの層を形成する工程と、
前記ポリシリコンの層上に、前記P型ドープ領域を形成する工程と、
前記ポリシリコンの層上に、前記N型ドープ領域を形成する工程と、
を更に備える、請求項9に記載の方法。 - 前記基板上に前記P型拡散領域を形成するために、前記P型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程と、
前記基板上に前記N型拡散領域を形成するために、前記N型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程と、
前記基板の外部かつ誘電体層の上に、前記P型拡散領域及び前記N型拡散領域を形成する工程と、
を更に備える、請求項9に記載の方法。 - 水素を使用して、前記突き合せPN接合の境界領域をパッシベートする工程を更に備える、
請求項9に記載の方法。 - 前記P型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程は、
P型ドーパント源として、1E17/cm3より低いドーパント濃度レベルで、ホウ素を使用する工程を更に備える、請求項9に記載の方法。 - 前記N型ドープ領域からドーパントを拡散させる工程は、
N型ドーパント源として、1E20/cm3より高いドーパント濃度レベルで、リンを使用する工程を更に備える、請求項13に記載の方法。 - 印刷可能なインクを使用して、前記P型ドープ領域及び前記N型ドープ領域を印刷する工程を更に備える、
請求項9に記載の方法。 - 前記基板の前記裏側上の前記P型拡散領域に、第1の金属コンタクトフィンガを電気的に結合する工程と、
前記基板の前記裏側上の前記N型拡散領域に、第2の金属コンタクトフィンガを電気的に結合する工程と、
を更に備える、請求項10に記載の方法。 - その場でドープされるP型ポリシリコンを堆積させて、前記P型拡散領域を形成する工程と、
マスク式N型拡散を使用して、前記第2のドーパント源からドーパントをカウンタードーピングすることによって、前記N型拡散領域を形成する工程と、
を更に備える、請求項9に記載の方法。 - 太陽電池であって、
通常動作中には太陽放射を受光するために太陽に面する前側、及び前記前側とは反対側の裏側を含む、基板と、
前記基板の前記裏側の上に形成された、ポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層内に形成された、P型拡散領域及びN型拡散領域と
を備え、
突き合せPN接合は、前記P型拡散領域と前記N型拡散領域との間に形成され、前記P型拡散領域は、第1のドーパント濃度レベルを有し、前記N型拡散領域は、前記第1のドーパント濃度レベルより高い第2のドーパント濃度レベルを有する、太陽電池。 - 前記P型拡散領域の前記第1のドーパント濃度レベルは、約5E17/cm3より低い、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記P型拡散領域を形成するために使用されるP型ドーパント源と、前記N型拡散領域を形成するために使用されるN型ドーパント源との濃度比は、約1:100である、請求項1に記載の太陽電池。
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