JP2017216403A - エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法 - Google Patents

エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法 Download PDF

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Abstract

【課題】拡張装置からの取り外しが容易なエキスパンドシートを提供する。
【解決手段】板状の被加工物(11)が貼着され、第1方向(D1)で被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第1挟持手段(4)及び第2挟持手段(6)と第1方向に垂直な第2方向(D2)で被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第3挟持手段(8)及び第4挟持手段(10)とで被加工物の周りの被挟持領域(A)が挟持されて拡張されるエキスパンドシート(1)であって、基材(3)と、基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層(5)と、を備え、被挟持領域の糊層の粘着力は、他の領域(B)の糊層の粘着力よりも低い。
【選択図】図1

Description

本発明は、板状の被加工物に貼り付けた状態で拡張されるエキスパンドシート、このエキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法に関する。
半導体ウェーハに代表される板状の被加工物を複数のチップへと分割するために、被加工物の内部にレーザービームを集光して分割の起点となる改質層(改質領域)を形成し、その後、分割に必要な力を加える加工方法が実用化されている(例えば、特許文献1参照)。この加工方法では、例えば、被加工物に貼り付けたエキスパンドシートを拡張することで、被加工物に力を加えて複数のチップへと分割する。
また、被加工物を研削又は研磨する際に加わる力を利用して、改質層が形成された被加工物を複数のチップへと分割する加工方法も知られている(例えば、特許文献2参照)。この加工方法で被加工物を複数のチップへと分割した後には、被加工物に貼り付けたエキスパンドシートを拡張して隣接するチップの間隔を拡げる。これにより、後にチップを取り扱う際のチップ同士の接触等に起因する破損を防止できる。
近年では、エキスパンドシートを所望の向きに拡張できる拡張装置が実用化されている(例えば、特許文献3参照)。この拡張装置は、エキスパンドシートに概ね平行な第1方向で被加工物を挟むように配置される第1挟持ユニット(第1挟持手段)及び第2挟持ユニット(第2挟持手段)と、第1方向に垂直な第2方向で被加工物を挟むように配置される第3挟持ユニット(第3挟持手段)及び第4挟持ユニット(第4挟持手段)と、を備えている。
第1挟持ユニットと第2挟持ユニットとは、互いに離れる向きに移動できるように構成され、第3挟持ユニットと第4挟持ユニットとは、互いに離れる向きに移動できるように構成される。各挟持ユニットでエキスパンドシートの4つの領域を保持した上で、第1挟持ユニットと第2挟持ユニットとを互いに離れる向きに移動させ、第3挟持ユニットと第4挟持ユニットとを互いに離れる向きに移動させれば、エキスパンドシートを第1方向及び第2方向に拡張できる。
特開2002−192370号公報 国際公開第2003/77295号 特開2014−22382号公報
ところで、上述したエキスパンドシートの上面(又は下面)には、粘着力(接着力)を持つ糊層(接着層)が設けられている。そのため、各挟持ユニットで糊層を含むエキスパンドシートを上下に挟持すると、後に各挟持ユニットからエキスパンドシートを取り外せなくなることがあった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、拡張装置からの取り外しが容易なエキスパンドシート、このエキスパンドシートの製造方法及びエキスパンドシートの拡張方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、板状の被加工物が貼着され、第1方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第1挟持手段及び第2挟持手段と該第1方向に垂直な第2方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第3挟持手段及び第4挟持手段とで該被加工物の周りの被挟持領域が挟持されて拡張されるエキスパンドシートであって、基材と、該基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層と、を備え、該被挟持領域の該糊層の粘着力は、他の領域の該糊層の粘着力よりも低いエキスパンドシートが提供される。
また、本発明の一態様によれば、ロール状に巻回されてシートロールを構成する上述のエキスパンドシートであって、該シートロールの巻回される方向を該第1方向、該第1方向に垂直な方向を該第2方向として、該シートロールの該第1方向に所定の間隔で配置され該第2方向の一端から他端に至る複数の第1低粘着領域と、該シートロールの該第2方向の該一端側と該他端側とにおいてそれぞれ該第1方向に伸長する第2低粘着領域と、を該被挟持領域として有するエキスパンドシートが提供される。
また、本発明の一態様によれば、板状の被加工物が貼着され、第1方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第1挟持手段及び第2挟持手段と該第1方向に垂直な第2方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第3挟持手段及び第4挟持手段とで該被加工物の周りの被挟持領域が挟持されて拡張されるエキスパンドシートの製造方法であって、基材と、該基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層と、を備えるエキスパンドシートを準備する準備ステップと、該被挟持領域の該糊層に対して選択的に紫外線を照射することで、該被挟持領域の該糊層の粘着力を、他の領域の該糊層の粘着力よりも低下させる紫外線照射ステップと、を備えるエキスパンドシートの製造方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、基材と、該基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層と、を備えるエキスパンドシートを板状の被加工物に貼着する第1貼着ステップと、該第1貼着ステップを実施する前又は実施した後に、第1方向で該被加工物を挟んで対面する第1挟持手段と第2挟持手段とで該エキスパンドシートを挟持するとともに、該第1方向に垂直な第2方向で該被加工物を挟んで対面する第3挟持手段と第4挟持手段とで該エキスパンドシートを挟持する挟持ステップと、該貼着ステップと該挟持ステップとを実施した後、該第1挟持手段と該第2挟持手段とを該第1方向で互いに離れる向きに移動させるとともに、該第3挟持手段と該第4挟持手段とを該第2方向で互いに離れる向きに移動させる拡張ステップと、該拡張ステップを実施した後、該被加工物を収容できる開口を備えた環状のフレームを該エキスパンドシートの該被加工物を囲む領域に貼着する第2貼着ステップと、該第2貼着ステップを実施した後、該エキスパンドシートを該フレームに沿って切断する切断ステップと、該挟持ステップを実施する前に、該第1挟持手段と該第2挟持手段と該第3挟持手段と該第4挟持手段とで挟持される被挟持領域の該糊層に対して選択的に紫外線を照射することで、該被挟持領域の該糊層の粘着力を他の領域の該糊層の粘着力よりも低下させる紫外線照射ステップと、を備えるエキスパンドシートの拡張方法が提供される。
本発明の一態様に係るエキスパンドシートでは、第1挟持手段、第2挟持手段、第3挟持手段及び第4挟持手段で挟持される被挟持領域の糊層の粘着力が、他の領域の糊層の粘着力よりも低くなっているので、各挟持手段からエキスパンドシートを容易に取り外すことができる。
また、本発明の一態様に係るエキスパンドシートの製造方法では、第1挟持手段、第2挟持手段、第3挟持手段及び第4挟持手段で挟持される被挟持領域の糊層に対して選択的に紫外線を照射することで、被挟持領域の糊層の粘着力を、他の領域の糊層の粘着力よりも低下させるので、上述したエキスパンドシートを簡単に製造できる。
また、本発明の一態様に係るエキスパンドシートの拡張方法では、第1挟持手段、第2挟持手段、第3挟持手段及び第4挟持手段で挟持される被挟持領域の糊層に対して選択的に紫外線を照射することで、被挟持領域の糊層の粘着力を、他の領域の糊層の粘着力よりも低下させるので、エキスパンドシートを拡張した後に、各挟持手段からエキスパンドシートを容易に取り外すことができる。
図1(A)は、エキスパンドシートの構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、エキスパンドシートの構成例を模式的に示す断面図である。 図2(A)及び図2(B)は、エキスパンドシートの製造方法の例を模式的に示す断面図である。 エキスパンドシートが拡張装置によって挟持された様子を模式的に示す斜視図である。 エキスパンドシートに被加工物が貼り付けられた様子を模式的に示す斜視図である。 エキスパンドシートが拡張装置によって拡張された様子を模式的に示す斜視図である。 エキスパンドシートに環状のフレームが貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。 環状のフレームに沿ってエキスパンドシートが切断された状態を模式的に示す斜視図である。 エキスパンドシートに紫外線が照射される様子を模式的に示す斜視図である。 エキスパンドシートからチップが取り外される様子を模式的に示す断面図である。 変形例に係るエキスパンドシートの構成例を模式的に示す斜視図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1(A)は、本実施形態に係るエキスパンドシートの構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、エキスパンドシートの構成例を模式的に示す断面図である。図1(A)及び図1(B)に示すように、本実施形態のエキスパンドシート1は、シート状の基材3と、基材3の第1面(上面)3a側に形成された粘着力(接着力)のある糊層(接着層)5と、を含む。
基材3は、例えば、ポリオレフィンや塩化ビニル等の樹脂を用いて平面視で矩形状に形成される。ただし、後述する拡張装置を用いて適切に拡張できるのであれば、基材3の形状、材質等に制限はない。一方で、糊層5は、例えば、紫外線(紫外光)で硬化する紫外線硬化型の樹脂等を用いて、拡張装置に挟持される被挟持領域の粘着力が、他の領域の粘着力よりも低く(弱く)なるように形成される。紫外線硬化型の樹脂としては、例えば、アクリル系やゴム系の樹脂が用いられる。
すなわち、拡張装置によって挟持されるエキスパンドシート1の被挟持領域は、糊層5の粘着力が低い低粘着領域Aである。一方で、低粘着領域Aに囲まれる中央の領域は、糊層5の粘着力が高い(強い)高粘着領域Bである。例えば、糊層5を構成する紫外線硬化型の樹脂に紫外線を照射すると、樹脂が硬化又は半硬化して粘着力も低下する。よって、この現象を利用することで、低粘着領域Aと高粘着領域Bとを有するエキスパンドシート1を製造できる。なお、糊層5の粘着力は、低粘着領域Aで完全に失われていても良い。
図2(A)及び図2(B)は、エキスパンドシート1の製造方法の例を模式的に示す断面図である。本実施形態に係るエキスパンドシート1を製造する際には、まず、図2(A)に示すように、基材3の第1面3a側に糊層5を備えたエキスパンドシート(加工前のエキスパンドシート)を準備する準備ステップを実施する。なお、この段階では、エキスパンドシートの全体で糊層5の粘着力が概ね等しくなっている。
準備ステップの後には、後の低粘着領域Aの糊層5に対して選択的に紫外線を照射する紫外線照射ステップを実施する。紫外線照射ステップでは、まず、紫外線を遮断するマスク7を、後の高粘着領域Bに配置する。本実施形態では、図2(B)に示すように、マスク7を基材3の第2面3bに配置している。よって、マスク7が糊層5に貼り付いて除去し難くなることはない。
マスク7を配置した後には、基材3の第2面3b側の光源9から糊層5に向けて紫外線を照射する。本実施形態では、上述のように、後の高粘着領域Bにマスク7を配置している。また、基材3は、紫外線を透過できるように構成されている。よって、光源9から放射される紫外線は、後の低粘着領域A(マスク7の配置されていない領域)の糊層5に対して選択的に照射される。
紫外線によって糊層5を硬化又は半硬化した後には、基材3からマスク7を除去する。これにより、糊層5の粘着力が低下した低粘着領域Aと、糊層5の粘着力が低下していない高粘着領域Bとを備えるエキスパンドシート1が完成する。なお、基材3が紫外線を透過しない場合には、基材3の第1面3a側(糊層5側)にマスク7を配置し、第1面3a側の光源から糊層5に向けて紫外線を照射しても良い。この場合には、糊層5にマスク7が貼り付かないように、マスク7の表面をフッ素樹脂等で処理しておくと良い。
次に、上述したエキスパンドシート1の製造方法を一部に含むエキスパンドシートの拡張方法について説明する。まず、上述したエキスパンドシート1の製造方法に従って、準備ステップ及び紫外線照射ステップを実施する。これにより、被挟持領域(低粘着領域A)の粘着力が他の領域(高粘着領域B)の粘着力よりも低い糊層5を備えるエキスパンドシート1が完成する。
紫外線照射ステップの後には、エキスパンドシート1を拡張装置で挟持する挟持ステップを実施する。図3は、エキスパンドシート1が拡張装置によって挟持された様子を模式的に示す斜視図である。なお、図3では、後に板状の被加工物11(図4参照)が貼り付けられる領域Cを併せて示している。
図3に示すように、拡張装置2は、エキスパンドシート1に概ね平行な第1方向D1で領域C(すなわち、被加工物11)を挟むように配置される第1挟持ユニット(第1挟持手段)4と第2挟持ユニット(第2挟持手段)6とを備えている。また、拡張装置2は、エキスパンドシート1に概ね平行且つ第1方向D1に垂直な第2方向D2で領域Cを挟むように配置される第3挟持ユニット(第3挟持手段)8と第4挟持ユニット(第4挟持手段)10とを備えている。
第1挟持ユニット4と第2挟持ユニット6とは、それぞれ、水平移動機構(不図示)によって支持されており、互いに離れる向きに移動できる。同様に、第3挟持ユニット8と第4挟持ユニット10とは、それぞれ、水平移動機構(不図示)によって支持されており、互いに離れる向きに移動できる。
第1挟持ユニット4、第2挟持ユニット6、第3挟持ユニット8、及び第4挟持ユニット10は、それぞれ、エキスパンドシート1の上方(糊層5側)に配置される上側支持部材12と、エキスパンドシート1の下方(基材3の第2面(下面)3b側)に配置される下側支持部材14と、を含む。上側支持部材12及び下側支持部材14は、いずれも所定の方向に伸長する棒状に形成されている。上側支持部材12及び下側支持部材14の伸長方向の長さは、いずれも領域Cの直径より長くなっている。
第1挟持ユニット4及び第2挟持ユニット6が備える上側支持部材12及び下側支持部材14は、第2方向D2に伸長している。一方で、第3挟持ユニット8及び第4挟持ユニット10が備える上側支持部材12及び下側支持部材14は、第1方向D1に伸長している。
各上側支持部材12の下方側、及び各下側支持部材14の上方側には、複数の接触部材16が取り付けられている。複数の接触部材16は、いずれも円柱状に形成されており、エキスパンドシート1に接触した状態で回転できる。第1挟持ユニット4及び第2挟持ユニット6が備える複数の接触部材16の回転軸は、いずれも第1方向D1に平行であり、第3挟持ユニット8及び第4挟持ユニット10が備える複数の接触部材16の回転軸は、いずれも第2方向D2に平行である。
エキスパンドシート1を保持する際には、図3に示すように、各挟持ユニットの上側支持部材12と下側支持部材14とで、エキスパンドシート1の低粘着領域Aを上下に挟み込む。すなわち、エキスパンドシート1の高粘着領域Bの周りの低粘着領域Aを、第1挟持ユニット4、第2挟持ユニット6、第3挟持ユニット8、及び第4挟持ユニット10で挟持し、このエキスパンドシート1の低粘着領域Aに複数の接触部材16を接触させる。
挟持ステップの後には、エキスパンドシート1に板状の被加工物11を貼り付ける第1貼着ステップを実施する。図4は、エキスパンドシート1に被加工物11が貼り付けられた様子を模式的に示す斜視図である。
被加工物11は、例えば、シリコン等の半導体でなる円形のウェーハであり、その第1面(表面)11a側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン(ストリート)で更に複数の領域に区画されており、各領域には、IC、LSI等のデバイス13が形成されている。
被加工物11の内部には、例えば、分割の起点となる改質層(不図示)が分割予定ラインに沿って形成されている。この改質層は、被加工物11に吸収され難い波長のレーザービームを、分割予定ラインに沿って集光する方法で形成できる。なお、改質層の代わりに、切削やレーザーアブレーション等の方法で形成される溝等を分割の起点として用いることもできる。
第1貼着ステップでは、例えば、この被加工物11の第2面(裏面)11bをエキスパンドシート1の領域Cに合わせて糊層5に密着させる。なお、本実施形態では、シリコン等の半導体でなる円形のウェーハを被加工物11として用いるが、被加工物11の材質、形状、構造等に制限はない。
例えば、セラミック、樹脂、金属等の材料でなる基板を被加工物11として用いることもできる。また、複数のチップに分割された後のウェーハや基板等を被加工物11として用いても良い。この場合には、エキスパンドシート1を拡張することによって、被加工物11内で隣接するチップ間の間隔を拡げる加工が施される。
第1貼着ステップの後には、エキスパンドシート1を拡張する拡張ステップを実施する。図5は、エキスパンドシート1が拡張装置2によって拡張された様子を模式的に示す斜視図である。エキスパンドシート1を拡張する際には、第1挟持ユニット4及び第2挟持ユニット6を支持する水平移動機構を作動させて、第1挟持ユニット4と第2挟持ユニット6とを互いに離れる向きに移動させる。
また、第3挟持ユニット8及び第4挟持ユニット10を支持する水平移動機構を作動させて、第3挟持ユニット8と第4挟持ユニット10とを互いに離れる向きに移動させる。これにより、図5に示すように、エキスパンドシート1を第1方向D1及び第2方向D2に拡張させて、第1方向D1及び第2方向D2に沿う向きの力を被加工物11に付与できる。
上述のように、第1方向D1で互いに離れる向きに移動する第1挟持ユニット4及び第2挟持ユニット6には、第1方向D1に平行な回転軸の周りに回転する複数の接触部材16が設けられている。また、第2方向D2で互いに離れる向きに移動する第3挟持ユニット8及び第4挟持ユニット10には、第2方向D2に平行な回転軸の周りに回転する複数の接触部材16が設けられている。
そのため、エキスパンドシート1は、第1挟持ユニット4及び第2挟持ユニット6によって、第2方向D2に移動できるように保持され、第3挟持ユニット8及び第4挟持ユニット10によって、第1方向D1に移動できるように保持される。すなわち、第1挟持ユニット4と第2挟持ユニット6とで保持される領域を、第2方向D2において適切に拡張でき、第3挟持ユニット8と第4挟持ユニット10とで保持される領域を、第1方向D1において適切に拡張できる。
エキスパンドシート1の拡張によって、第1方向D1及び第2方向D2に沿う向きの力が被加工物11に付与されると、被加工物11は、改質層が形成された分割予定ラインに沿って複数のチップへと分割され、更に、隣接するチップ同士の間隔が拡げられる。なお、被加工物11を適切に分割し、チップ同士の間隔を十分に拡げるためには、各分割予定ラインの配列する方向(各分割予定ラインに垂直な方向)を第1方向D1又は第2方向D2に一致させて、拡張によって発生する力を効率良く利用することが望ましい。
拡張ステップの後には、エキスパンドシート1に環状のフレーム21を貼り付けて固定する第2貼着ステップを実施する。図6は、エキスパンドシート1に環状のフレーム21が貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。第2貼着ステップでは、例えば、図6に示すように、被加工物11を収容できる開口を備えた環状のフレーム21を、エキスパンドシート1の領域Cを囲む領域に合わせて糊層5に密着させる。
これにより、環状のフレーム21をエキスパンドシート1に貼り付けて固定できる。本実施形態では、エキスパンドシート1を拡張した状態で、被加工物11を囲むように環状のフレーム21を固定するので、エキスパンドシート1の拡張を解除した後にも、チップ同士の間隔は拡がった状態に保たれる。
第2貼着ステップの後には、環状のフレーム21に沿ってエキスパンドシート1を切断する切断ステップを実施する。図7は、環状のフレーム21に沿ってエキスパンドシート1が切断された状態を模式的に示す斜視図である。エキスパンドシート1は、例えば、基材3の第2面3b側からフレーム21に沿って切断される。これにより、被加工物11、フレーム21、及び切断されたエキスパンドシート23からなるフレームユニットが完成する。
なお、フレームユニットを完成させた後には、拡張装置2からエキスパンドシート1が取り外される。本実施形態では、被加工物11やフレーム21を貼り付ける高粘着領域Bに比べて糊層5の粘着力が低い低粘着領域Aを各挟持ユニットで挟持しているので、エキスパンドシート1を拡張装置2から容易に取り外せる。
切断ステップの後には、フレームユニットを構成するエキスパンドシート23に紫外線を照射して、糊層5の粘着力を低下させる粘着力低下ステップを実施する。図8は、エキスパンドシート23に紫外線が照射される様子を模式的に示す斜視図である。この粘着力低下ステップでは、図8に示すように、例えば、エキスパンドシート23の基材3(第2面3b)側の光源9から紫外線を照射する。
上述のように、基材3は、紫外線を透過できるように構成されている。よって、光源9から放射される紫外線は、基材3を通じて糊層5に照射される。これにより、エキスパンドシート23の全体で糊層5の粘着力を低下させて、エキスパンドシート23からチップを容易に取り外せるようになる。
粘着力低下ステップの後には、エキスパンドシート23からチップを取り外す(ピックアップする)取り外しステップを実施する。図9は、エキスパンドシートからチップが取り外される様子を模式的に示す断面図である。本実施形態では、上述した粘着力低下ステップで糊層5の粘着力を低下させている。よって、図9に示すように、エキスパンドシート23からチップ15を容易に取り外すことができる。エキスパンドシート23から取り外されたチップ15は、例えば、任意の回路基板等に実装して使用される。
以上のように、本実施形態に係るエキスパンドシートでは、第1挟持ユニット(第1挟持手段)4、第2挟持ユニット(第2挟持手段)6、第3挟持ユニット(第3挟持手段)8、及び第4挟持ユニット(第4挟持手段)10で挟持される被挟持領域(低粘着領域A)の糊層5の粘着力が、他の領域(高粘着領域B)の糊層5の粘着力よりも低くなっているので、各挟持ユニットからエキスパンドシートを容易に取り外すことができる。
また、本実施形態に係るエキスパンドシートの製造方法では、第1挟持ユニット4、第2挟持ユニット6、第3挟持ユニット8、及び第4挟持ユニット10で挟持される被挟持領域の糊層5に対して選択的に紫外線を照射することで、被挟持領域の糊層5の粘着力を、他の領域の糊層5の粘着力よりも低下させるので、上述したエキスパンドシートを簡単に製造できる。
また、本実施形態に係るエキスパンドシートの拡張方法では、第1挟持ユニット4、第2挟持ユニット6、第3挟持ユニット8、及び第4挟持ユニット10で挟持される被挟持領域の糊層5に対して選択的に紫外線を照射することで、被挟持領域の糊層5の粘着力を、他の領域の糊層5の粘着力よりも低下させるので、エキスパンドシートを拡張した後に、各挟持ユニットから容易に取り外すことができる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態に係るエキスパンドシートの拡張方法では、挟持ステップの後に貼着ステップを実施しているが、貼着ステップの後に挟持ステップを実施しても良い。また、この場合には、貼着ステップと挟持ステップとの間に紫外線照射ステップを実施することもできる。
また、上記実施形態に係るエキスパンドシート1では、平面視で矩形状に形成された基材3を用いているが、本発明のエキスパンドシートに用いられる基材3の形状に制限はない。図10は、変形例に係るエキスパンドシートの構成例を模式的に示す斜視図である。
図10に示すように、変形例に係るエキスパンドシート31は、糊層5側に離型紙等でなるセパレータフィルム33が貼り付けられた状態でロール状に巻回され、シートロール35を構成する。エキスパンドシート31の基本的な構成は、上記実施形態に係るエキスパンドシート1と同じであるから、共通の構成要素には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
すなわち、エキスパンドシート31は、シート状の基材3と、基材3の第1面3a側に形成された粘着力のある糊層5と、を含んでいる。ただし、エキスパンドシート31を構成する基材3は、シートロール35の巻回される第1方向D1において、エキスパンドシート1を構成する基材3よりも長くなっている。一方で、エキスパンドシート31を構成する基材3の第2方向D2の長さは、エキスパンドシート1を構成する基材3の第2方向D2の長さと同じで良い。
糊層5は、拡張装置2に挟持される被挟持領域の粘着力が、他の領域の粘着力よりも低く(弱く)なるように形成される。具体的には、第2方向D2の一端から他端に伸長し、高粘着領域Bに比べて糊層5の粘着力が低い第1低粘着領域A1が、第1方向D1において所定の間隔で配置されている。
また、第1方向D1に伸長し、高粘着領域Bに比べて糊層5の粘着力が低い第2低粘着領域A2が、第2方向D2の一端側と他端側とに配置されている。なお、このエキスパンドシート31を使用する際には、エキスパンドシート31をシートロール35から繰り出した後に、セパレータフィルム33を剥離する。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 エキスパンドシート
3 基材
3a 第1面(上面)
3b 第2面(下面)
5 糊層(接着層)
7 マスク
9 光源
11 被加工物
11a 第1面(表面)
11b 第2面(裏面)
13 デバイス
15 チップ
21 フレーム
23 エキスパンドシート
31 エキスパンドシート
33 セパレータフィルム
35 シートロール
2 拡張装置
4 第1挟持ユニット(第1挟持手段)
6 第2挟持ユニット(第2挟持手段)
8 第3挟持ユニット(第3挟持手段)
10 第4挟持ユニット(第4挟持手段)
12 上側支持部材
14 下側支持部材
16 接触部材
A 低粘着領域(被挟持領域)
A1 第1低粘着領域(被挟持領域)
A2 第2低粘着領域(被挟持領域)
B 高粘着領域(他の領域)
D1 第1方向
D2 第2方向

Claims (4)

  1. 板状の被加工物が貼着され、第1方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第1挟持手段及び第2挟持手段と該第1方向に垂直な第2方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第3挟持手段及び第4挟持手段とで該被加工物の周りの被挟持領域が挟持されて拡張されるエキスパンドシートであって、
    基材と、該基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層と、を備え、
    該被挟持領域の該糊層の粘着力は、他の領域の該糊層の粘着力よりも低いことを特徴とするエキスパンドシート。
  2. ロール状に巻回されてシートロールを構成する請求項1に記載のエキスパンドシートであって、
    該シートロールの巻回される方向を該第1方向、該第1方向に垂直な方向を該第2方向として、該シートロールの該第1方向に所定の間隔で配置され該第2方向の一端から他端に至る複数の第1低粘着領域と、該シートロールの該第2方向の該一端側と該他端側とにおいてそれぞれ該第1方向に伸長する第2低粘着領域と、を該被挟持領域として有することを特徴とするエキスパンドシート。
  3. 板状の被加工物が貼着され、第1方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第1挟持手段及び第2挟持手段と該第1方向に垂直な第2方向で該被加工物を挟んで対面し且つ互いに離れる向きに移動可能な第3挟持手段及び第4挟持手段とで該被加工物の周りの被挟持領域が挟持されて拡張されるエキスパンドシートの製造方法であって、
    基材と、該基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層と、を備えるエキスパンドシートを準備する準備ステップと、
    該被挟持領域の該糊層に対して選択的に紫外線を照射することで、該被挟持領域の該糊層の粘着力を、他の領域の該糊層の粘着力よりも低下させる紫外線照射ステップと、を備えることを特徴とするエキスパンドシートの製造方法。
  4. 基材と、該基材上に形成され、紫外線を照射されることで粘着力が低下する糊層と、を備えるエキスパンドシートを板状の被加工物に貼着する第1貼着ステップと、
    該第1貼着ステップを実施する前又は実施した後に、第1方向で該被加工物を挟んで対面する第1挟持手段と第2挟持手段とで該エキスパンドシートを挟持するとともに、該第1方向に垂直な第2方向で該被加工物を挟んで対面する第3挟持手段と第4挟持手段とで該エキスパンドシートを挟持する挟持ステップと、
    該貼着ステップと該挟持ステップとを実施した後、該第1挟持手段と該第2挟持手段とを該第1方向で互いに離れる向きに移動させるとともに、該第3挟持手段と該第4挟持手段とを該第2方向で互いに離れる向きに移動させる拡張ステップと、
    該拡張ステップを実施した後、該被加工物を収容できる開口を備えた環状のフレームを該エキスパンドシートの該被加工物を囲む領域に貼着する第2貼着ステップと、
    該第2貼着ステップを実施した後、該エキスパンドシートを該フレームに沿って切断する切断ステップと、
    該挟持ステップを実施する前に、該第1挟持手段と該第2挟持手段と該第3挟持手段と該第4挟持手段とで挟持される被挟持領域の該糊層に対して選択的に紫外線を照射することで、該被挟持領域の該糊層の粘着力を他の領域の該糊層の粘着力よりも低下させる紫外線照射ステップと、を備えることを特徴とするエキスパンドシートの拡張方法。
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TW106114483A TWI728103B (zh) 2016-06-01 2017-05-02 擴展片、擴展片的製造方法、及擴展片的擴張方法
SG10201704118WA SG10201704118WA (en) 2016-06-01 2017-05-19 Expansion sheet, expansion sheet manufacturing method, and expansion sheet expanding method
MYPI2017701817A MY177238A (en) 2016-06-01 2017-05-19 Expansion sheet, expansion sheet manufacturing method, and expansion sheet expanding method
KR1020170065425A KR102181999B1 (ko) 2016-06-01 2017-05-26 확장 시트, 확장 시트의 제조 방법 및 확장 시트의 확장 방법
US15/608,477 US10103055B2 (en) 2016-06-01 2017-05-30 Expansion sheet, expansion sheet manufacturing method, and expansion sheet expanding method
DE102017209185.1A DE102017209185A1 (de) 2016-06-01 2017-05-31 Ausdehnungsfolie, Herstellungsverfahren für eine Ausdehnungsfolie und Verfahren zum Ausdehnen einer Ausdehnungsfolie

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021022606A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法及びウェーハの分割に用いるテープ

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6941022B2 (ja) * 2017-10-06 2021-09-29 株式会社ディスコ 拡張方法及び拡張装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245103A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008028131A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Lintec Corp シート剥離装置およびシート剥離方法
JP2014063812A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2014232843A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2016092207A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 株式会社ディスコ フレームユニットの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6759121B2 (en) * 2000-07-13 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4278318B2 (ja) 2001-09-03 2009-06-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
ATE534142T1 (de) 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
DE602007011013D1 (de) * 2006-09-27 2011-01-20 Fujifilm Corp Etikettendrucker und Verfahren zur Etikettenerzeugung
UA117730C2 (uk) 2011-02-22 2018-09-25 Агрідженетікс, Інк. Олія та борошно з темного насіння каноли зі збільшеною харчовою цінністю
JP5370414B2 (ja) * 2011-06-06 2013-12-18 日立化成株式会社 接着シートの製造方法
JP5980600B2 (ja) * 2012-07-12 2016-08-31 株式会社ディスコ テープ拡張装置
KR102017086B1 (ko) * 2012-07-27 2019-09-03 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP6190671B2 (ja) * 2013-09-05 2017-08-30 古河電気工業株式会社 ダイシング用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2015082563A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法、シート状樹脂組成物及びダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物
CN105899631A (zh) * 2014-01-08 2016-08-24 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
JP6705163B2 (ja) * 2015-12-18 2020-06-03 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245103A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008028131A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Lintec Corp シート剥離装置およびシート剥離方法
JP2014063812A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2014232843A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2016092207A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 株式会社ディスコ フレームユニットの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021022606A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法及びウェーハの分割に用いるテープ

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Publication number Publication date
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