JP4278318B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、外部から内部電源電位の調整が可能な内部電位発生回路を備えた半導体集積回路装置の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体集積回路装置には、外部電源電位よりも低い、あるいは外部電源電位よりも高い内部電源電位を生成して内部回路に与えるための内部電源電位発生回路が設けられている。内部電源電位発生回路の出力電位は、製造プロセスの変動などによってばらつくので、内部電源電位発生回路の出力電位は、外部から調整可能な構成となっていることが一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は、この内部電源電位発生回路の出力電位は、外部のテスタでモニタしながら調整を行なっていたため、その調整を行なうことは容易ではなかった。
【0004】
さらに、近年、システムLSIなどにおいては、異なる機能を有する内部回路に対して、異なる内部電源電位を供給するための内部電源電位発生回路が設けられる場合がある。この場合は、複数の内部電源電位発生回路の各々に対して、その出力電位レベルをテスタでモニタし、かつその調整を行なうことが必要となり、その調整の困難さはさらに増大することになる。
【0005】
したがって、この発明の主たる目的は、複数の内部電源発生回路の生成する内部電源電位の調整を容易に行なうことが可能な半導体集積回路装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の半導体集積回路装置は、半導体集積回路装置の外部から与えられたデータおよび相互に授受するデータの少なくともいずれかに基づいて、所定の処理を行なうための複数の内部回路と、複数の内部回路の少なくとも1つに対応して設けられ、内部電位のレベルを示す情報を含むレベル設定信号を受けて、レベル設定信号に応じたレベルの内部電位を生成する内部電位発生回路と、内部電位発生回路の出力電位のレベルのテスト処理を制御し、テスト動作において、複数のレベル設定信号を内部電位発生回路に順次与え、互いに異なるレベルの複数の内部電位を順次発生させるテスト制御回路と、テスト動作時に、内部電位発生回路で生成された各内部電位と基準電位とを比較し、比較結果に応じたレベルの信号を生成する測定回路とを備え、測定回路は、比較結果を示す情報を保持するための記憶回路を含み、記憶回路に格納された比較結果をテスト制御回路に伝達するための伝達回路をさらに備える。
【0007】
請求項2記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数個の内部電位発生回路が、複数の内部回路のうちの複数個に対応してそれぞれ設けられ、複数の測定回路が、複数の内部電位発生回路にそれぞれ対応して設けられ、テスト制御回路は、複数の内部電位発生回路の出力電位のレベルのテスト処理を制御し、テスト動作において、複数の基準電位を同時に生成し、複数の内部電位発生回路のテストを並列して行なう。
【0008】
請求項3記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、測定回路は、複数のレベル設定信号のうち、内部電位が基準電位に相当することを検知した時点でのレベル設定信号を、記憶回路に対して選択的に格納するための格納制御手段をさらに含む。
【0009】
請求項4記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、通常動作において、内部電位発生回路の各々に与えるべきレベル設定信号を記憶するためのプログラム回路をさらに備え、各内部電位発生回路は、プログラム回路からのレベル設定信号とテスト制御回路からのレベル設定信号とを、動作モードに応じて選択する手段を含む。
【0010】
請求項5記載の半導体集積回路装置は、請求項2記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数の測定回路の各々は、内部電位発生回路で生成された各内部電位と基準電位とを第1および第2の入力ノードに受けて、比較結果を出力する比較回路と、第1および第2の入力ノードに与えられる電位を、テスト制御回路に制御されて、内部電位と基準電位とで入換えることが可能なスイッチ手段とを含む。
【0011】
請求項6記載の半導体集積回路装置は、請求項5記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数の測定回路の各々は、入換えられた各々の場合における比較回路の出力を保持するための保持回路と、保持回路の保持データに基づいて、入換えられた各々の場合における比較回路の出力を比較するための第1の論理回路とをさらに含む。
【0012】
請求項7記載の半導体集積回路装置は、請求項6記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数の測定回路の各々は、入換えられた各々の場合における比較回路の出力が互いに相違する複数のレベル設定信号の中間値を検出する第2の論理回路をさらに含む。
【0013】
請求項8記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、各内部回路は、複数の回路ブロックに分割され、複数の測定回路の各々は、複数の回路ブロックに共通に設けられ、内部電位発生回路から複数の回路ブロックに供給される内部電位と基準電位との比較結果を出力する比較回路と、テスト制御回路に制御されて、複数の回路ブロックに供給される内部電位を選択的に比較回路に与えるためのスイッチ手段とを含む。
【0014】
請求項9記載の半導体集積回路装置は、請求項8記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、記憶回路は、内部回路の複数の回路ブロックごとに、複数のレベル設定信号と関連づけて、比較結果を格納する。
【0015】
請求項10記載の半導体集積回路装置は、請求項9記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、記憶回路は、内部回路の複数の回路ブロックごとの比較結果と複数のレベル設定信号とに対する統計演算を行うための論理回路をさらに含む。
【0016】
請求項11記載の半導体集積回路装置は、請求項10記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、論理回路は、複数の回路ブロックについて、比較結果の平均値を導出する。
【0017】
請求項12記載の半導体集積回路装置は、請求項10記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、論理回路は、複数のレベル設定信号のうち、複数の回路ブロックごとの比較結果のいずれか一つが所定のレベルとなるレベル設定信号を導出する。
【0018】
請求項13記載の半導体集積回路装置は、請求項10記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、論理回路は、複数のレベル設定信号のうち、複数の回路ブロックごとの比較結果が全て所定のレベルとなるレベル設定信号を導出する。
【0019】
請求項14記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、内部回路は、複数の回路ブロックに分割され、測定回路は、複数の回路ブロックごとに設けられ、内部電位発生回路から複数の回路ブロックに供給される内部電位と基準電位とを比較し、比較結果を保持する複数の比較回路と、テスト制御回路に制御されて、複数の比較回路に保持された比較結果を記憶回路に伝達するための内部伝達回路とをさらに含む。
【0020】
請求項15記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、測定回路は、内部電位発生回路から内部回路に供給される内部電位と基準電位とを比較し、比較結果を保持する比較回路をさらに含み、比較回路は、内部電位発生回路から内部回路に供給される内部電位と基準電位とを比較を所定の時間内に複数回行ない、記憶回路は、比較回路の複数回の比較ごとに、複数のレベル設定信号と関連づけて、比較結果を格納する。
【0021】
請求項16記載の半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数の測定回路の各々は、内部電位発生回路から内部回路に供給される内部電位と基準電位とを比較した結果を所定の時間にわたって積算する。
【0022】
請求項17記載の半導体集積回路装置は、請求項16記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数の測定回路の各々は、内部電位発生回路から内部回路に供給される内部電位と基準電位とを比較するための比較回路と、比較回路の比較結果に応じて、内部ノードを充放電するチャージポンプ回路と、チャージポンプ回路の内部ノードの電位レベルを比較結果として出力するための電位検出手段とを含む。
【0023】
請求項18記載の半導体集積回路装置は、請求項16記載の半導体集積回路装置の構成に加えて、複数の測定回路の各々は、内部電位発生回路から内部回路に供給される内部電位と基準電位とを第1および第2の入力ノードに受けて、比較するための比較回路と、比較回路の比較結果に応じて、第1および第2の内部ノードを互いに相補に充放電するチャージポンプ回路と、第1および第2の内部ノードの電位レベルを、内部電位と基準電位の代わりに比較回路に与えるためのスイッチ回路とを含み、比較回路は、第1および第2の内部ノードの電位レベルの比較を行なって、比較結果として出力する。
【0024】
【発明の実施の形態】
[実施の形態1]
以下、この発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
【0025】
図1は、この発明の実施の形態1の半導体集積回路装置1000の回路構成を示す概略ブロック図である。
【0026】
図1を参照して、半導体集積回路装置1000は、外部からの制御信号を受取るための制御信号入力群10と、外部との間でデータの授受を行なうためのデータ入出力端子群12と、外部から外部電源電位ext.Vccを受取るための電源端子14と、外部から接地電位Vssを受けるための接地端子16と、外部制御信号入力端子群10からの信号に基づいて、半導体集積回路装置1000の動作を制御するためのコントロール部20と、データ入出力端子群12を介して、外部との間でデータの授受を行なうためのデータ入出力部30と、コントロール部20により制御され、データ入出力部30との間でのデータ授受や相互間でのデータ授受を行なって、それぞれ所定のデータ処理を行なうための内部回路100.1〜100.4と、電源端子14から内部回路100.1〜100.4に対して、外部電源電位ext.Vccを伝達するための電源配線VCLと、接地端子16から接地電位Vssを内部回路100.1〜100.4に伝達するための接地配線VSLとを備える。なお、図1では内部回路の個数は、説明の簡単のために4個としているが、この個数は、4個より多くても、あるいは少なくてもよい。
【0027】
半導体集積回路装置1000は、さらに、内部回路100.1〜100.4のそれぞれと電源配線VCLとの間に設けられ、外部電源電位ext.Vccを降圧または昇圧して、対応する内部回路100.1〜100.4に供給するための内部電源電位発生回路200.1〜200.4と、内部電源電位発生回路200.1〜200.4からの内部電源電位を内部回路100.1〜100.4の各々に伝達するための内部電源配線LV1〜LV4と、内部回路100.1〜100.4のそれぞれに対応して設けられ、コントロール部20から出力される測定基準電位VMR1〜VMR4をそれぞれ受けて、対応する内部回路における内部電源配線LV1〜LV4の電位レベルを測定して、その測定結果を出力するための測定回路300.1〜300.4とを備える。ここで、内部電源電位発生回路200.1〜200.4の生成する電位レベルは、それぞれ互いに異なっていてもよいし、一部の内部電源電位発生回路または全部の内部電源電位発生回路については、共通のレベルであってもよい。
【0028】
コントロール部20は、内部回路100.1〜100.4の動作を制御するために、内部制御信号int.Cmdを生成して、対応する内部回路100.1〜100.4に対して出力する。
【0029】
半導体集積回路装置1000は、さらに、セルフテスト期間中において、内部回路100.1〜100.4の各々に対して与えるテスト信号を、コントロール部20から順次シリアルに伝達し、かつ、内部回路100.1〜100.4からテスト動作の結果出力される信号や、内部回路100.1〜100.4の相互間で授受されるデータを受取って、コントロール部20に対してシリアルに伝達するためのスキャンパスSCPを備える。スキャンパスSCPは、その途中経路において、内部回路100.1〜100.4に与えるデータを伝達し、かつ内部回路100.1〜100.4から出力されたデータを受取って、シリアルに伝達するためのシフトレジスタSR1〜SR8を含む。
【0030】
図2は、図1に示したコントロール部20およびデータ入出力部30の構成の一部を抜き出して示す概略ブロック図である。
【0031】
コントロール部20は、制御信号入力端子群10から与えられる信号に応じて、通常動作においては、内部回路100.1〜100.4の動作を制御するための信号を出力し、テスト動作においては、ビルトインセルフテストの開始および終了を制御するための信号を出力する制御回路40と、制御回路40からの信号に応じて、ビルトインセルフテストを開始し、内部回路100.1〜100.4との間でスキャンパスSCPを介してデータの授受を行なうことにより、自己試験処理(以下、「ビルトインセルフテスト」と呼ぶ)を行なうためのビルトインセルフテスト回路42と、ビルトインセルフテスト回路42により制御されて、測定回路300.1〜300.4に与える基準電圧VMR1〜VMR4を発生するための基準電圧生成部44と、通常動作において、内部電源電位発生回路200.1〜200.4の生成する内部電源電位をチューニングするための情報を不揮発的に格納し、対応する内部電源電位発生回路200.1〜200.4に対して、チューニング情報に対応するプログラムデータを与えるためのプログラム部46とを備える。
【0032】
後に説明するように、ビルトインセルフテスト期間中は、ビルトインセルフテスト回路42から与えられるビルトインセルフテスト回路出力信号(以下、「BIST回路出力信号」と呼ぶ)が、プログラム部46から出力されるプログラム部出力信号の代わりに、内部電源電位発生回路200.1〜200.4の出力電位を制御する。
【0033】
また、プログラム部46には、外部からのレーザ照射処理などによって、チューニングするための情報を不揮発的に格納するためのヒューズ素子等が設けられているものとする。あるいは、プログラム部46には、電気的な信号SPRGによりチューニングするための情報を不揮発的に格納するための不揮発性記憶素子が設けられており、ビルトインセルフテスト回路42からの指示により、チューニング情報が格納される構成が設けられていてもよい。
【0034】
内部電源電位発生回路200.1〜200.4の動作電圧の測定が終了すると、ビルトインセルフテスト回路42は、各測定回路300.1〜300.4からの測定結果のデータを、スキャンパスSCPを介して受け取る。この後、ビルトインセルフテスト回路42からの指示に従って、データ入出力部30中の出力制御回路34は、ビルトインセルフテスト回路42が受け取った測定結果のデータを、入出力バッファ32を介して外部に出力する。
【0035】
入出力バッファ32は、通常動作においては、データ入出力端子群12を介して、内部回路100.1〜100.4からのデータを外部に出力し、あるいは外部から与えられたデータを内部回路100.1〜100.4に対して出力する。
【0036】
図3は、図2に示した基準電圧生成部44の構成を説明するための回路図である。
【0037】
基準電圧発生回路44は、電源電位Vccと接地電位Vssとの間に直列に接続される、PチャネルMOSトランジスタTP1と抵抗体R11〜R14とを備える。トランジスタTP11のゲートは、ビルトインセルフテスト回路42からの制御信号SCRVを受けて、ビルトインセルフテスト期間中はトランジスタTP1は導通状態となる。
【0038】
トランジスタTP1と抵抗体R11との接続ノードから基準電圧VMR1が出力され、抵抗体R11とR12の接続ノードが基準電位VMR2が出力され、抵抗体R12と抵抗体R13の接続ノードから基準電圧VMR3が出力され、抵抗体R13と抵抗体R14の接続ノードから基準電圧VMR4がそれぞれ出力される。
【0039】
抵抗体R11〜R14の値およびそれらの抵抗比は、予め設定されているため、基準電圧VMR1〜VMR4は、それぞれ予めその値が既知の電圧レベルである。
【0040】
図4は、図1に示した内部電源電位発生回路200.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【0041】
なお、他の内部電源電位発生回路200.2〜200.4の構成も、基本的には内部電源電位発生回路200.1の構成と同様である。
【0042】
図4を参照して、内部電源電位発生回路200.1は、プログラム部46からのプログラム部出力信号と、ビルトインセルフテスト回路42からのBIST回路出力信号とを受けて、ビルトインセルフテスト回路(以下、「BIST回路」と呼ぶ)42からの制御信号に応じて、いずれか一方を選択的にチューニング情報を示す信号P0〜P3として出力するための切換回路202と、切換回路202の出力を受けて、その出力に応じた基準電位を発生する基準電位発生回路204aおよび基準電位発生回路204aの出力電圧VRIに応じて、内部電源線LV1の電位レベルを駆動するためのドライバ回路204bを含む。
【0043】
基準電位発生回路204aは、定電流源220、抵抗素子221〜25、トランスファーゲート226〜229およびインバータ230〜233を含む。
【0044】
定電流源220は、外部電源電位ext.Vccの供給配線VCLと出力ノードN20との間に接続され、予め定められた一定の電流IをノードN20に与える。
【0045】
抵抗素子221〜225は、出力ノードN20と接地電位Vssの供給配線VSLとの間に直列接続される。抵抗素子221〜225は、それぞれ所定の抵抗値R1,R2,R4,R8,RBを有する。ここで、R1:R2:R4:R8=1:2:4:8となっている。
【0046】
抵抗素子221〜224とトランスファーゲート226〜229とは、それぞれ並列接続される。BIST回路42から、あるいはプログラム部46から与えられる信号P0〜P2は、それぞれトランスファーゲート226〜228のPチャネルMOSトランジスタのゲートに直接入力されるとともに、それぞれインバータ230〜232を介して、トランスファーゲート226〜228のNチャネルMOSトランジスタのゲートに入力される。BIST回路42またはプログラム部46からの信号P3は、トランスファーゲート229のNチャネルMOSトランジスタのゲートに直接入力されるとともに、インバータ233を介して、トランスファーゲート229のPチャネルMOSトランジスタのゲートに入力される。
【0047】
出力ノードN20と接地電位Vssの供給配線VSLとの間の抵抗値Rは、信号P0〜P3の論理レベルの組合せにより、16段階で変更可能となっている。たとえば、信号P0〜P3がともに“L”レベルの場合は、トランスファーゲート226〜228が導通するとともに、トランスファーゲート229が非導通になり、抵抗値Rは、R=(R8+RB)となる。この抵抗値(R8+RB)は、設計値によって予め設定されている。出力ノードN20の電位VRIは、VRI=R×Iとなる。
【0048】
ドライバ回路204bは、PチャネルMOSトランジスタ234および差動増幅器235を含む。PチャネルMOSトランジスタ234は、外部電源電位ext.Vccの供給配線VSLと内部電源電位int.Vccの供給配線LV1との間に接続される。差動増幅器235は、通常動作においてはコントロール部20中の制御回路40から与えられ、また、テスト動作においてはコントロール部20中のビルトインセルフテスト回路42から与えられる信号φA1によって制御され、その反転入力ノードは、基準電位発生回路204aの出力電位VRIを受け、その非反転入力ノードは内部電源電位int.Vccの供給配線LV1に接続され、その出力信号はPチャネルMOSトランジスタ234のゲートに入力される。
【0049】
信号φA1が非活性化レベルの“L”レベルの場合は、差動増幅器235の出力信号は“H”レベルに固定され、PチャネルMOSトランジスタ234は非導通状態となる。
【0050】
信号φA1が活性化レベルの“H”レベルの場合は、差動増幅器235は、内部電源電位int.Vccが基準電位VRIに一致するようにPチャネルMOSトランジスタ234のゲート電位を制御する。したがって、内部電源電位int.Vccは、基準電位VRIと同じレベルになる。
【0051】
したがって、たとえば、図4においては、内部回路100.1は、外部電源電圧ext.Vccを降圧した内部電源電位int.Vccおよび接地電位Vssによって駆動される。
【0052】
図5は、図1に示した測定回路300.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【0053】
なお、他の測定回路300.2〜300.4の構成も基本的には測定回路300.1の構成と同様である。
【0054】
測定回路300.1は、対応する内部回路100.1の内部電源線LV1の電位レベルと、基準電圧生成部44からの測定基準電位VMR1とを受けて、BIST回路42からの制御に従って、これらの電位レベルを通過させるスイッチ回路302と、ビルトインセルフテスト回路42からの信号φA2により活性化されて、スイッチ回路302からの内部電源線LV1の電位レベルと測定基準電位VMR1とを比較する比較器310とを備える。
【0055】
ここで、BIST回路42は、テスト動作において、後に説明するように、内部電源電位発生回路200.1に与えるBIST回路出力信号のレベルを段階的に変化させる。測定回路300.1も、このBIST回路出力信号をビルトインセルフテスト回路42から受け取る。測定回路300.1は、さらに、テスト動作において、比較器310からの出力に基づいて、このBIST回路出力信号が所定レベルとなり内部電源線LV1の電位レベルが基準電圧生成部44からの測定基準電位VMR1と一致した時点を検出して、BIST回路出力信号を、選択的に通過させるための判定回路320を備える。
【0056】
ここで、判定回路320は、インタリーブ回路324と、ラッチ回路326および328と、排他的論理和ゲート回路330と、ラッチ回路332と、ゲート回路334とを含む。
【0057】
インタリーブ回路324は、最初はラッチ回路326に“L”レベルを与え、その後は、比較回路310からの出力レベルをラッチ回路328と326に交互に与える。最終的には、インタリーブ回路324は、ラッチ回路328に“H”レベルの信号を与える。ラッチ回路326および328は、インタリーブ回路324から与えられた信号レベルをラッチして、排他的論理和ゲート回路330に与える。
【0058】
排他的論理和ゲート回路330は、ラッチ回路326および328の出力レベルが一致している場合は“L”レベルの信号を出力し、一致していない場合は“H”レベルの信号を出力する。
【0059】
たとえば、BIST回路出力信号のレベルが複数ステップにわたって変化し、あるステップにおいて、比較器310からの出力信号が“L”レベルから“H”レベルに変化したステップにおいては、排他的論理和ゲート回路330の出力レベルは“H”レベルになる。他のステップにおいては、排他的論理和ゲート回路330の出力は“L”レベルになる。
【0060】
ラッチ回路332は、BIST回路出力信号の変化する各ステップにおいて、そのレベルを保持し、ゲート回路334は、排他的論理和ゲート330の出力信号の立上がりエッジに応答して、BIST回路出力信号PT0〜PT3を判定回路320から出力させる。
【0061】
判定回路320から出力されたBIST回路出力信号は、メモリ回路340中の書込制御回路342に与えられる。書込制御回路342は、BIST回路42により制御されており、判定回路320から与えられたBIST回路出力信号を、記憶回路344に書込む。
【0062】
また、BIST回路42は、測定動作が終了した後は、読出制御回路346を制御して、記憶回路344に格納されたBIST回路出力信号を記憶回路344から読出して、スキャンパスSCP上のシフトレジスタ回路SR1中のレジスタSRCKTに格納させる。
【0063】
以上説明したセルフテストの動作をまとめると、以下のとおりである。
すなわち、通常動作においては、内部電源電位発生回路200.1から出力される内部電源電位int.Vccを生成するための基準電圧VRIのレベルを変化させるには、プログラム部46からのプログラム出力信号が用いられる。これに対して、セルフテスト期間中においては、基準電圧VRIのレベルを変化させるために、上記プログラム出力信号の代わりに、BIST回路42からのBIST回路出力信号が用いられる。
【0064】
これにより、セルフテスト期間中は、BIST回路42の制御で基準電位レベルVRIを変更し、内部電源電位int.Vccのレベルが変化させられる。他の内部電源電位発生回路200.2〜200.4においても同様である。
【0065】
このBIST回路42により変化された内部電源電位int.Vccは、基準電圧生成部44からの基準電位VMR1〜VMR4と比較され、その結果に応じて、内部電源電位int.Vccが基準電位に相当するレベルとなった時点のBIST回路出力信号が書込制御回路342により、チップ上の記憶回路344に蓄積される。
【0066】
このようにして、測定が繰返され、判定に応じて記憶回路344に蓄積されたBIST回路出力信号は、ビルトインセルフテスト回路42からの制御に従って、スキャンパスSCPをシリアルに伝送されて、ビルトインセルフテスト回路42中に取込まれる。
【0067】
図6は、プログラム部46またはBIST回路42から出力されるチューニング情報を示す信号P0〜P3と、内部基準電位VRIの相対値VRI′および比較回路310の出力信号φ310を例示する図である。
【0068】
図6において、このチューニングモードでは16のステップが行なわれる。信号P3〜P0は、16のステップにおいて1000,1001,…,1111,0000,0001,…,0111と変化する。
【0069】
信号P3〜P0=”0000”のときの内部基準電位VRIを0とすると、内部基準電位VRIの相対値VRI′は、16のステップにおいて−8,−7,…,−1,0,1,…,+7と変化する。
【0070】
比較回路310の出力信号φ310は、たとえば、ステップ1〜6では「L」レベルとなり、ステップ7〜16では「H」レベルとなる。これは、ステップ1〜6では内部電源電位int.Vccが外部基準電位VRよりも低く、ステップ7〜16では内部電源電位int.Vccが外部基準電位VRよりも高いことを示している。
【0071】
図7は、図6のように信号P0〜P3が変化する場合において、判定回路320の行なう処理を説明するための概念図である。
【0072】
図7を参照して、ゲート回路334は、判定回路320内の排他的論理和ゲート330の出力信号φ330の立上がりエッジに応答して、信号P0〜P3をメモリ回路340に与える。
【0073】
図6に示した場合では、ステップ6の信号(P3,P2,P1,P0)=(1101)がメモリ回路340に与えられる。
【0074】
メモリ回路340は、ゲート回路334からの信号P0〜P3=”1101”を記憶し、BIST回路42からの制御信号に応じて信号P3〜P0=”1101”を読出し、読出した信号P3〜P0を1つずつ順次スキャンパスSCPに出力する。
【0075】
図8は、半導体集積回路装置1000のセルフテストの動作を示すタイミングチャートである。
【0076】
図8において、ある時刻t0に外部制御信号によってビルトインセルフテストへのエントリーが設定されると、ビルトインセルフテスト回路42中のパルス発生回路(図示せず)によってカウンタ制御のための信号φ1がパルス的に「H」レベルに立上げられる。
【0077】
信号φ1が「H」レベルに立上げられると、BIST回路出力信号P3〜P1が初期値(たとえば、1000)に設定されるとともに、BIST回路42からの信号φA1が「H」レベルに立上げられて、差動増幅器235が活性状態となり、内部電源電位int.Vccが内部基準電位VRIと一致するようにPチャネルMOSトランジスタ234のゲート電位が制御される。これにより時刻t1において内部電源電圧の発生が活性状態となる。ここで、ビルトインセルフテスト時は、BIST回路42からの信号が、切換回路202を介して信号P0〜P3として内部電源電位発生回路204に与えられる。図4の内部電源電位発生回路204では、信号P3〜P0=”1000”に応答して、トランスファーゲート226〜229がともに導通し、内部基準電位VRIは最低レベル(I×RB)になる。
【0078】
また、信号φ1が「H」レベルに立上げられると、BIST回路42内のカウンタ(図示せず)がカウントを開始し、時刻t0から所定時間経過後の時刻t2に信号φ2を「H」レベルにパルス的に立上げる。この時刻t0〜時刻t2の間に内部電源電位int.Vccが安定化される。
【0079】
信号φ2が「H」レベルに立上げられると、信号φA2が「H」レベルに立上げられ、図5の比較回路310が活性化される。比較回路310は、基準電位VMR1と内部電源電位int.Vccとを比較し、比較結果に応じたレベルの信号をインターリーブ回路324に出力する。
【0080】
また、信号φ2が「H」レベルに立上げられると、BIST回路42内のカウンタ(図示せず)が改めてカウントを開始し、時刻t2から所定時間経過後に信号φ3を「H」レベルにパルス的に立上げる。この信号φ3は、時刻t3に立ち下がる。この時刻t2〜時刻t3に基準電位VMR1と内部電源電位int.Vccの比較が行なわれる。
【0081】
信号φ3の立下がりエッジに応答して、信号φA1,φA2が「L」レベルになる。これにより、差動増幅器235および比較回路310が非活性化される。
【0082】
たとえば、図6に示したとおり信号が変化するとすると、この信号P3〜P0=”1000”に対応したステップ1では、排他的論理和演算ゲート330の出力が活性化することがないため、ゲート回路334および書込制御回路342を介して、記憶回路344にデータが書込まれることはない。
【0083】
この後、ステップ2〜ステップ6においても、排他的論理和演算ゲート330の出力が活性化することがないため、ゲート回路334および書込制御回路342を介して、記憶回路344にデータが書込まれることはない。
【0084】
また、ステップ7においては、信号φ3の立下がりエッジに応答して、インターリーブ回路324を比較回路310の比較結果のデータが通過すると、排他的論理和ゲート330の出力が活性状態となる。これに応答して、ゲート回路334および書込み制御回路342を介して記憶回路344にBIST回路出力信号が与えられる。
【0085】
以後、並列してテストされている他の内部電源発生回路200.2〜200.4においても、排他的論理和ゲート330がラッチ回路326とラッチ回路328に格納されたデータが異なることを検知するために、ステップ16までテストが継続される。このとき、排他的論理和ゲート330の出力とは関わりなく、最後のステップ、この例では、ステップ16まで、必ずテスト動作を継続することとしても良いし、全ての内部電源発生回路200.2〜200.4において、排他的論理和ゲート330の出力が活性化した時点で、セルフテストを終了することとしてもよい。
【0086】
以上説明したとおり、半導体集積回路装置1000の構成によれば、内部電源電位int.Vccを基準電位VMR1等に略等しくするための信号P0〜P3の値が、内部電源発生回路200.1〜200.4の各々について、半導体集積回路装置1000の内部で求められて外部に出力される。したがって、ビルトインセルフテストにおいて、信号P0〜P3の最適値を容易に求めることができ、内部電源電位int.Vccを容易に調整することができる。
【0087】
上述したとおり、このようなビルトインセルフテストの終了後に、プログラム部46の出力信号PG0〜PG3が、ビルトインセルフテストで求められた信号P0〜P3の最適値になるように、プログラム部46内のヒューズのブロー処理または、不揮発性記憶素子へのデータの書込み処理が行なわれる。
【0088】
通常動作時は、プログラム部46の出力信号PG0〜PG3が切換回路202を介して内部電源電位発生回路204に与えられる。たとえば、内部回路100.1に対応する内部電源電位発生回路204は、基準電位VMR1に略等しいレベルの内部電源電位int.Vccを出力する。
【0089】
なお、この実施の形態1では、ビルトインセルフテストにおける16のステップにおいて内部電源電位int.Vccを順次増加させたが、本発明は、これに限るものではなく、内部電源電位int.Vccを順次減少させてもよいし、内部電源電位int.Vccを基準レベル(図6のVRI′=0に対応するレベル)から最高レベル(VRI′=+7に対応するレベル)まで順次増加させた後に基準レベルから最低レベル(VRI′=−7に対応するレベル)まで順次減少させてもよい。
【0090】
また、メモリ回路340は、以上の説明では、測定回路300.1〜300.4の内部に設けられるものとしたが、たとえば、内部回路100.1〜100.4のうちのいずれか、たとえば、内部回路100.4が、データを記憶する機能を有するメモリ回路である場合、メモリ回路340として、このような内部回路100.4を用いることも可能である。
【0091】
[実施の形態2]
図9は、本発明の実施の形態2の半導体集積回路装置1000における測定回路302.1の構成を説明するための概略ブロック図であり、実施の形態1の図5と対比される図である。実施の形態2の半導体集積回路装置においては、実施の形態1の測定回路300.1〜300.4の代わりに、測定回路302.1〜302.4が設けられているものとする。
【0092】
実施の形態2の半導体集積回路装置の測定回路302.1〜302.4以外の構成は、基本的に実施の形態1の半導体集積回路装置1000の構成と同様であるので、その説明は繰返さない。
【0093】
また、図9においても、図5と同一部分には同一符号を付してその説明は繰返さないこととする。
【0094】
実施の形態2の測定回路302.1が、実施の形態1の測定回路300.1の構成と異なる点は、以下のとおりである。
【0095】
すなわち、まず、基準電圧生成部44からの基準電位VMR1と、内部回路100.1に対応した内部電源配線LV1の電位を受けて、両者を比較する比較回路が、後に説明するような比較回路312となっている点である。
【0096】
また、ラッチ回路332は、BIST回路出力信号ではなく、排他的論理和演算回路330の出力を受けてラッチし、ゲート回路334は、BIST回路42からの指示に従って、ラッチ回路332中のデータを、メモリ回路340の書込制御回路342に与える構成となっている。
【0097】
したがって、記憶回路344には、後に説明するように、測定中のステップ1〜16の各々に対応した比較器312からの出力が記憶されることになる。
【0098】
また、読出制御回路346の代わりに設けられる読出制御回路348は、記憶回路344中に保持された比較器312の出力データに対して、所定の演算を行なった結果を、スキャンパスSCPに対して出力する。
【0099】
図10は、図9に示した比較器312の構成を説明するための回路図である。
比較器312は、内部電源配線LV1の電位レベルと、基準電位VMR1とを受けて、BIST回路42により制御されて、いずれか一方を選択的に出力するスイッチ回路SW1と、内部電源配線LV1の電位と、基準電位VMR1とを受けて、BIST回路42に制御されて、いずれか一方を選択的に出力するスイッチ回路SW2と、内部ノードn11とを接地電位VSSとの間に設けられる定電流源CCS1と、外部電源電位ext.Vccと内部ノードn11との間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタTP11およびTN11と、外部電源電位ext.Vccと内部ノードn11との間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタTP12およびTN12とを備える。
【0100】
トランジスタTN11のゲートは、スイッチ回路SW1の出力を受け、トランジスタTN12のゲートは、スイッチ回路SW2の出力を受ける。
【0101】
また、トランジスタTP11およびTP12は、所定の基準電位CVRを受けて動作する。
【0102】
トランジスタTP11とトランジスタTN11の接続ノードをノードn21とし、トランジスタTP12とトランジスタTN12の接続ノードをノードn22とする。ノードn21とラッチ回路LT1との間にNチャネルMOSトランジスタTN21が設けられ、ノードn22とラッチ回路LT1との間にNチャネルMOSトランジスタTN22が設けられる。トランジスタTN21およびトランジスタTN22のゲートは、BIST回路42からのラッチ回路取込信号STLTにより制御される。
【0103】
ラッチ回路LT1は、BIST回路42により制御されて、トランジスタTN21を介して与えられるノードn21の電位レベルおよびトランジスタTN22を介して与えられるノードn22の電位レベルを受けて、ノードn21とノードn22との電位差レベルに相当するデータを格納するためのラッチ回路LT11と、BIST回路42に制御されて、トランジスタTN22を介して与えられるノードn22の電位レベルとトランジスタTN21を介して与えられるノードn21の電位レベルとの電位差に対応するデータを保持するためのラッチ回路LT12とを含む。
【0104】
たとえば、スイッチ回路SW1が、内部電源配線LV1の電位レベルを選択する状態であり、かつスイッチ回路SW2が基準電位VMR1を選択する状態において、ノードn21およびノードn22の間に現れる電位差を「入力が正転状態での比較結果」と呼び、一方スイッチ回路SW1が基準電位VMR1を選択し、スイッチ回路SW2が、内部電源配線LV1の電位レベルを選択する状態において、内部ノードn21と内部ノードn22との間に現れる電位差を「入力が反転状態における比較結果」と呼ぶことにする。
【0105】
このとき、ラッチ回路LT11は、入力が正転状態における比較器312の比較結果を格納し、ラッチ回路LT12は、入力が反転状態での比較器312の比較結果を格納するものとする。
【0106】
比較器312は、さらに、ラッチ回路LT11およびLT12に格納されたデータを受けて、排他的論理和演算の結果を、インタリーブ回路324に対して出力するための排他的論理和演算回路EOR1を備える。
【0107】
図10に示した比較器312において、スイッチ回路SW1およびスイッチ回路SW2により、比較対象となる内部電源配線LV1と基準電位VMR1が入力されるトランジスタを入れ替える処理を行なう理由は、比較器312を構成するトランジスタの特性ばらつきなどのために生じる比較器312の比較特性のオフセットにより、十分な精度の比較が行なわれなくなることを防ぐためである。
【0108】
図11は、図9および図10で説明した実施の形態2の測定回路302.1の動作を説明するための概念図である。
【0109】
上述したとおり、セルフテストモードにおいて、BIST回路42から内部電源電位発生回路200.1に与えられる信号P0〜P3のレベルが、たとえば16ステップで変化する場合、各ステップ毎に、入力が正転状態での比較結果と入力が反転状態での比較結果が、ラッチ回路LT11およびLT12に格納される。各ステップにおいて、このラッチ回路LT11およびLT12に格納されたデータの排他的論理和演算の結果が、比較器312から出力される。
【0110】
図11に示した例においては、ステップ9からステップ12において、入力が正転の場合と入力が反転の場合とで比較結果が逆転している。これに応じて、比較器312の出力も、ステップ9からステップ12において、“1”となっている。
【0111】
比較器312から出力されたこのような比較結果は、判定回路320中の排他的論理和ゲート330によって、排他的論理和演算が行なわれ、比較器312の出力レベルが変化する時点、すなわち、ステップ8からステップ9へ移行した時点と、ステップ12からステップ13へ移行した時点において、排他的論理和ゲート30の出力が“1”レベルとなる。
【0112】
このような排他的論理和ゲート330の出力が、ゲート回路334を介して、記憶回路344に格納される。
【0113】
このようにして、記憶回路344に格納されたデータから、読出動作において読出制御回路348は、排他的論理和ゲート330の出力レベルが変化した2つのステップの遷移点の中点を抽出する。さらに、読出制御回路348は、この中点において論理レベルが“0”から“1”へと変化するように、エンコードしたデータを、スキャンパスSCPに対して与える。
【0114】
このような処理を行なうことで、比較器312の比較特性にオフセット値が存在する場合であっても、正確な測定結果をセルフテストによって測定することが可能となる。
【0115】
[実施の形態3]
図12は、本発明の実施の形態3の測定回路304.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【0116】
また、実施の形態3においては、図1に示した実施の形態1の半導体集積回路装置1000の構成において、内部回路100.1が、たとえば4つの内部回路ブロックBA,BB,BCおよびBDに分割されており、この各ブロックに対して、内部電源電位発生回路200.1から内部電源電位が供給されているものとする。
【0117】
実施の形態3においては、このように内部回路が複数に分割されている場合において、各ブロック毎に、内部電源電位int.Vcc電位レベルを測定し、その測定結果を外部に出力することを可能とするものである。
【0118】
このように、内部電源電位に外部回路中の場所依存性が存在する場合には、以下に説明するように、このような場所依存性を考慮して、内部電源電位発生回路200.1に対して与えるプログラム信号PG0〜PG3の値を設定する。
【0119】
なお、他の内部回路100.2〜100.4についても、図10に示した内部回路100.1と同様に、複数の内部回路のブロックに分割されているものとする。
【0120】
図12を参照して、内部回路ブロックBA〜BDの各々に対応して、内部電源電位発生回路200.1から内部電源電位が供給される内部電源配線LV11〜LV14が設けられているものとする。
【0121】
測定回路304.1は、対応する内部回路ブロックBA〜BGの内部電源配線LV11〜LV14の電位レベルと、基準電圧生成部44からの測定基準電位VMR1とを受けて、BIST回路42からの制御に従って、これらの電位レベルを通過させるスイッチ回路302と、ビルトインセルフテスト回路42により制御されて、スイッチ回路302からの内部電源線LV11〜LV14の電位レベルと、測定基準電位VMR1とを比較する比較器314と、比較器314の出力を受けて、BIST回路42に制御されるタイミングにおいて、比較器314の出力を、書込制御回路342に与えて、記憶回路344に格納させるためのゲート回路336とを備える。
【0122】
さらに、測定回路304.1は、記憶回路344中に格納されたデータを、記憶制御回路346により読出したデータに対して、後に説明するような所定の演算を行なった上で、スキャンパスSCPに対して出力するための論理演算回路348を備える。
【0123】
その他の構成は、図5に示した実施の形態1の測定回路300.1の構成と同様であるので、同一部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【0124】
図13は、図12に示した比較回路314の構成を説明するための回路図である。
【0125】
図13に示した比較回路314が、図10に示した比較回路312と異なる点は、以下のとおりである。
【0126】
すなわち、まずトランジスタTN12のゲートには、常時、測定基準電位VMR1が与えられる構成となっている。
【0127】
一方、トランジスタTN11のゲートには、BIST回路42の制御に従って、内部電源配線LV11〜LV14の電位レベルが選択的に与えられる構成となっている。
【0128】
また、ラッチ回路LT1の代わりに設けられるラッチ回路LT2は、トランジスタTN21およびトランジスタTN22をそれぞれ介して与えられる内部ノードn21およびn22の電位レベルの電位差に相当するデータを格納し、そのデータをBIST回路42からの制御に従ったタイミングで、ゲート回路336に対して与える。
【0129】
その他の構成は、図10に示した比較器312の構成と同様であるので、同一部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【0130】
図14は、図12および図13において説明した実施の形態3の測定回路304.1の動作を説明するための概念図である。
【0131】
ステップ1〜16の各々において、比較回路314からは、内部回路ブロックBA〜BDの各々に対する比較結果が出力される。これらの比較結果が、記憶回路344に格納されている。
【0132】
たとえば、ステップ8においては、内部回路ブロックBCについてのみ、比較結果が“1”であり、他の内部回路ブロックBA,BBおよびBDについては、比較結果は“0”である。
【0133】
ステップ9からステップ12にかけて、順次比較結果が“1”となる内部回路ブロックの個数が増加していき、ステップ13において、すべての内部回路ブロックに対する比較結果が“1”となっている。
【0134】
論理演算回路348は、このステップ8からステップ12までの期間についての、各内部回路ブロックBA〜BDについての比較結果の平均値を抽出するとともに、プログラム信号PG0〜PG3としてプログラム部46に格納するべきデータの最大値および最小値の抽出も行なう。
【0135】
すなわち、論理演算回路348は、BIST回路42からの要求に従って、平均値の出力が指示されている場合は、平均値をスキャンパスSCPに対して出力する。一方、論理演算回路348は、BIST回路42からの要求に従って、最大値を出力することが指示されている場合は、信号P0〜P3の最大値のレベルに対応するステップ13以降は“1”となり、それより前は“0”である一連のシリアルデータをスキャンパスSCPに対して出力する。
【0136】
一方、論理演算回路348は、BIST回路42からの要求に従って、最小値の抽出が要求されている場合には、ステップ1からステップ6に対応するデータは“0”とし、最小値に対応するステップ8以降は“1”となる一連のシリアルデータをスキャンパスSCPに対して出力する。
【0137】
以上のような構成により、内部回路が複数のブロックに分割されており、各ブロックにおいて、内部電源電位int.Vccのレベルに分布が存在する場合においても、その制御のためのプログラム信号に対応する平均値や最大値あるいは最小値に対応したデータをビルトインセルフテストによって抽出することが可能となる。
【0138】
[実施の形態4]
図15は、実施の形態4の測定回路304.1の構成を説明するための概略ブロック図である。測定回路304.1は、内部回路が、実施の形態3におけるのよりもさらに多くの内部回路ブロックに分割されている場合において、各内部回路ブロックの比較結果を抽出して、内部電源電位の場所依存性を検出することが可能である。
【0139】
内部回路100.1は、図15においては、内部回路ブロックB11〜B48の内部回路ブロックに分割されているものとする。
【0140】
内部回路ブロックB11〜B48の各々に対応しては、比較回路316が設けられており、比較回路316の比較結果は、各比較回路316内のラッチ回路LT3に格納される。内部回路ブロックB11〜B48のラッチ回路LT3は、シリアルに接続されており、BIST回路42の制御に従って、内部スキャンパスISCPが、比較結果をシリアルに伝達する。内部スキャンパスISCPにより伝送された比較結果は、書込制御回路342を介して、記憶回路344に格納される。
【0141】
BIST回路42からは、内部回路100.1に対して測定基準電圧VMR1が与えられる。
【0142】
図16は、図15に示した比較回路316の構成を説明するための回路図である。
【0143】
図13に示した実施の形態3の比較回路の構成と異なる点は、スイッチ回路SW1が省略され、比較回路316中のトランジスタTN11のゲートは、対応する内部回路ブロックの内部電源配線の電位レベルだけを受取る構成となっていることである。ラッチ回路LT3は、このようにして比較された結果をラッチし、内部スキャンパスISCPを介して、書込制御回路342に対して与える。
【0144】
図17は、図15および図16に示した測定回路304.1の動作を説明するための概念図である。
【0145】
ステップ1〜16の各々において、内部回路ブロックB11〜B48に対応する複数のラッチ回路LT3中のデータが、順次書込制御回路342により記憶回路344に格納される。
【0146】
比較処理を行なう期間中の第1のタイミングにおいて、内部回路ブロックB11〜B48に対応するラッチ回路LT3から読出されたデータが、書込制御回路342に与えられ、記憶回路344に書込まれる。以下同様にして、第2タイミング、第3タイミングおよび第4タイミングにおいて、それぞれ内部回路ブロックB11〜B48のラッチ回路LT3から比較結果が、書込制御回路342に転送される。
【0147】
読出制御回路348からは、この記憶回路344中に格納されたデータが順次読出され、論理演算回路348は、各ステップについて、各タイミングで書込まれていた比較結果の平均値を求めるとともに、最大値および最小値を抽出して、実施の形態3と同様にして、スキャンパスSCPに対して出力する。
【0148】
以上のような構成により、内部回路をより多くの内部回路ブロックに分割して、より詳細に内部電源電位の場所依存性に関するデータを抽出することが可能となる。
【0149】
図18は、図17に示した処理を説明するためのタイミングチャートである。
図8に示した実施の形態1の処理タイミングと異なる点は、比較期間において、4回のタイミングに分けて、比較結果が書込制御回路342に対して転送される構成となっている点である。
【0150】
その他の点は、実施の形態1と同様であるので、その説明は繰返さない。
[実施の形態5]
図19は、本発明の実施の形態5の比較器318の構成を説明するための回路図である。
【0151】
このような比較器318は、たとえば、実施の形態1の比較器310の代わりに用いることが可能である。
【0152】
図19に示した比較器318の構成においては、所定の比較期間にわたって、比較結果のデータを積算する構成となっている。
【0153】
比較器318の動作の大略を述べると、比較期間においては、内部電源配線のLV1の電位と測定基準電位VMR1を比較する。その比較結果を、増幅器CKAMPにより増幅して、チャージポンプ回路CHPCKTに与える。チャージポンプ回路では、相補の内部ノードを充放電することで、この相補の内部ノードに比較結果に相当する電位差を発生させる。この状態を一定期間継続することで、相補の内部ノードのアナログ電位は比較結果を積算した値に対応することになる。
【0154】
最終的に、この相補の内部ノードのアナログ電位差を増幅して判定結果とする。
【0155】
図19を参照して、比較器318は、対応する内部回路100.1(または、対応する内部回路ブロック)の内部電源配線LV1の電位レベルをノードp11に受け、後に説明するチャージポンプ回路CHPCKTからの第2の出力をノードp12に受けて、BIST回路42により制御されて、いずれかを選択的に出力するためのスイッチ回路SW21と、測定基準電位VMR1をノードp21に受け、チャージポンプ回路CHPCKTからの第1の出力をノードp22に受けて、BIST回路42により制御されて、いずれかを選択的に出力するためのスイッチ回路SW22と、内部ノードn11とを接地電位VSSとの間に設けられる定電流源CCS1と、外部電源電位EXT.Vccと内部ノードn11との間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタTP11およびTN11と、外部電源電位EXT.Vccと内部ノードn11との間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタTP12およびTN12とを備える。
【0156】
トランジスタTN11のゲートは、スイッチ回路SW21の出力を受け、トランジスタTN12のゲートは、スイッチ回路SW22の出力を受ける。
【0157】
また、トランジスタTP11およびTP12は、所定の基準電位CVRを受けて動作する。
【0158】
比較器318は、さらに、BIST回路42からの信号φA2により活性化されて、ノードn22の電位を非反転入力ノード(+入力ノード)に受け、ノードn21の電位を反転入力ノード(−入力ノード)に受けて、両者の電位差を増幅するための差動増幅回路CKAMPと、差動増幅回路CKAMPの非反転出力(+出力)を受けて、BIST回路42により制御され、ノードp31とノードp32のいずれか一方に選択的に出力するためのスイッチ回路SW23と、差動増幅回路CKAMPの反転出力(−出力)を受けて、BIST回路42により制御され、ノードp41とノードp42のいずれか一方に選択的に出力するためのスイッチ回路SW24と、スイッチ回路SW23のノードp32およびスイッチ回路SW24のノードp42の電位レベルを受けて、これらの電位レベルに応じて内部ノードの充放電を行なうためのチャージポンプ回路CHPCKTとを備える。
【0159】
チャージポンプ回路CHPCKTは、ノードp32およびノードp42の電位レベルを受けて、第1の内部ノード(図示せず)を充放電する第1のポンプ回路CHP1と、ノードp32およびノードp42の電位レベルを受けて、第1のポンプ回路CHP1とは、相補となるように第2の内部ノード(図示せず)を充放電するための第2のポンプ回路CHP2とを含む。
【0160】
比較器318は、さらに、BIST回路42からの信号STLTにより制御されて、スイッチ回路SW23のノードp31の電位レベルをラッチ回路LT4に伝達するためのNチャンネルMOSトランジスタTN21と、信号STLTにより制御されて、スイッチ回路SW24のノードp41の電位レベルをラッチ回路LT4に伝達するためのNチャンネルMOSトランジスタTN22とを備える。
【0161】
測定期間中は、スイッチ回路SW21においてはノードp11が、スイッチ回路SW22においてはノードp21が、スイッチ回路SW23においてはノードp32が、スイッチ回路SW24においてはノードp42が、それぞれ選択される。
【0162】
一方、比較結果をラッチ回路LT4に格納する際には、スイッチ回路SW21においてはノードp12が、スイッチ回路SW22においてはノードp22が、スイッチ回路SW23においてはノードp31が、スイッチ回路SW24においてはノードp41が、それぞれ選択される。
【0163】
ラッチ回路LT4に格納されたデータが、比較器318の出力信号となる。
図20は、図19に示した第1のポンプ回路CHP1および第2のポンプ回路CHP2の構成を説明するための回路図である。
【0164】
図20を参照して、第1のポンプ回路CHP1は、信号φA2を一方入力に受け、他方入力にノードp32の電位を受けるNAND回路GNAD1と、信号φA2を一方入力に受け、他方入力にノードp42の電位を受けるAND回路GAND1と、電源電位ext.Vccと接地電位Vssとの間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタTP31およびNチャネルMOSトランジスタTN31とを備える。トランジスタTP31のゲートは、NAND回路GNAD1の出力を受け、トランジスタTN31のゲートは、AND回路GAND1の出力を受ける。
【0165】
第1のポンプ回路CHP1は、さらに、トランジスタTP31とトランジスタTN31との接続ノードn31と接地電位Vssとの間に設けられるキャパシタC1と、ノードn31とプリチャージ電位Vcpとの間に設けられる抵抗体R31とを備える。
【0166】
同様にして、第2のポンプ回路CHP2は、信号φA2を一方入力に受け、他方入力にノードp42の電位を受けるNAND回路GNAD2と、信号φA2を一方入力に受け、他方入力にノードp32の電位を受けるAND回路GAND2と、電源電位ext.Vccと接地電位Vssとの間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタTP32およびNチャネルMOSトランジスタTN32とを備える。トランジスタTP32のゲートは、NAND回路GNAD2の出力を受け、トランジスタTN32のゲートは、AND回路GAND2の出力を受ける。
【0167】
第2のポンプ回路CHP2は、さらに、トランジスタTP32とトランジスタTN32との接続ノードn32と接地電位Vssとの間に設けられるキャパシタC2と、ノードn32とプリチャージ電位Vcpとの間に設けられる抵抗体R32とを備える。
【0168】
ノードn31が、「第1の内部ノード」に相当し、ノードn32が、「第2の内部ノード」に相当する。
【0169】
チャージポンプ回路CHPCKTは、BIST回路42から出力され、かつ比較動作の開始される前に活性状態(”H”レベル)となる信号PRおよびその反転信号/PRにより制御されて、ノードn31とノードn32とを結合するトランスファーゲートTG31を備える。
【0170】
図21は、図19および図20で説明した比較器318の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【0171】
比較期間の終了時に、転送タイミングを制御する信号STLTが活性となって、ラッチ回路LT4へ保持データの転送が行なわれる点を除いては、実施の形態1と同様の動作であるので、説明は省略する。
【0172】
以上のような構成により、所定の期間内の比較結果を反映した測定が可能となり、測定の精度、ひいては、内部電源電位発生回路200.1〜200.4に対するプログラム信号の精度が一層向上する。
【0173】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0174】
【発明の効果】
以上説明したとおり、請求項1〜4に係る半導体集積回路装置では、複数の内部回路に対応して複数の内部電位発生回路が設けられている場合に、測定回路の出力信号に基づいて、基準電位に相当する内部電位を生成するためのレベル設定信号を容易に検出することができ、その検出結果に基づいて内部電位を容易に調整することができる。
【0175】
請求項5〜7に係る半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の奏する効果に加えて、比較回路の第1および第2の入力ノードに与えられる電位を内部電位と基準電位とで入換えることが可能なために、比較回路の比較特性のオフセットにより、十分な精度の比較が行なわれなくなることを防ぐことができる。
【0176】
請求項8〜15に係る半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の奏する効果に加えて、各内部回路は、複数の回路ブロックに分割されている場合において、その制御のためのレベル設定信号のレベルをセルフテストで設定することができる。さらには、プログラム信号に対応する平均値や最大値あるいは最小値に対応したデータをビルトインセルフテストによって抽出することが可能となる。
【0177】
請求項16〜18に係る半導体集積回路装置は、請求項1記載の半導体集積回路装置の奏する効果に加えて、所定の期間内の比較結果を反映した測定が可能となり、内部電位発生回路に対するレベル設定信号の精度を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 発明の実施の形態1の半導体集積回路装置1000の回路構成を示す概略ブロック図である。
【図2】 図1に示したコントロール部20およびデータ入出力部30の構成の一部を抜き出して示す概略ブロック図である。
【図3】 図2に示した基準電圧生成部44の構成を説明するための回路図である。
【図4】 図1に示した内部電源電位発生回路200.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【図5】 図1に示した測定回路300.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【図6】 チューニング情報を示す信号P0〜P3と、内部基準電位VRIの相対値VRI′および比較回路310の出力信号を例示する図である。
【図7】 図6のように信号P0〜P3が変化する場合において、判定回路320の行なう処理を説明するための概念図である。
【図8】 半導体集積回路装置1000のセルフテストの動作を示すタイミングチャートである。
【図9】 本発明の実施の形態2の半導体集積回路装置1000における測定回路302.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【図10】 図9に示した比較器312の構成を説明するための回路図である。
【図11】 実施の形態2の測定回路302.1の動作を説明するための概念図である。
【図12】 本発明の実施の形態3の測定回路304.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【図13】 図12に示した比較回路314の構成を説明するための回路図である。
【図14】 実施の形態3の測定回路304.1の動作を説明するための概念図である。
【図15】 測定回路304.1の構成を説明するための概略ブロック図である。
【図16】 比較回路316の構成を説明するための回路図である。
【図17】 測定回路304.1の動作を説明するための概念図である。
【図18】 図17に示した処理を説明するためのタイミングチャートである。
【図19】 実施の形態5の比較器318の構成を説明するための回路図である。
【図20】 第1のポンプ回路CHP1および第2のポンプ回路CHP2の構成を説明するための回路図である。
【図21】 比較器318の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
10 制御信号入力端子群、12 データ入出力端子群、14 電源端子、16 接地端子、20 コントロール部、30 データ入出力部、32 入出力バッファ、34 出力制御部、40 制御回路、42 ビルトインセルフテスト回路、44 基準電圧生成部、46 プログラム部、100.1〜100.4 内部回路、VCL 電源配線、VSL 接地配線、200.1〜200.4 内部電源電位発生回路、LV1〜LV4 内部電源配線、VMR1〜VMR4 測定基準電位、300.1〜300.4 測定回路、SCP スキャンパス、SR1〜SR8 シフトレジスタ、1000 半導体集積回路装置。
Claims (18)
- 半導体集積回路装置であって、
前記半導体集積回路装置の外部から与えられたデータおよび相互に授受するデータの少なくともいずれかに基づいて、所定の処理を行なうための複数の内部回路と、
前記複数の内部回路の少なくとも1つに対応して設けられ、内部電位のレベルを示す情報を含むレベル設定信号を受けて、前記レベル設定信号に応じたレベルの内部電位を生成する内部電位発生回路と、
前記内部電位発生回路の出力電位のレベルのテスト処理を制御し、テスト動作において、複数のレベル設定信号を前記内部電位発生回路に順次与え、互いに異なるレベルの複数の内部電位を順次発生させるテスト制御回路と、
前記テスト動作時に、前記内部電位発生回路で生成された各内部電位と基準電位とを比較し、比較結果に応じたレベルの信号を生成する測定回路とを備え、
前記測定回路は、前記比較結果を示す情報を保持するための記憶回路を含み、
前記記憶回路に格納された前記比較結果を前記テスト制御回路に伝達するための伝達回路をさらに備える、半導体集積回路装置。 - 複数個の前記内部電位発生回路が、前記複数の内部回路のうちの複数個に対応してそれぞれ設けられ、
複数の前記測定回路が、前記複数の内部電位発生回路にそれぞれ対応して設けられ、
前記テスト制御回路は、前記複数の内部電位発生回路の出力電位のレベルのテスト処理を制御し、テスト動作において、複数の前記基準電位を同時に生成し、前記複数の内部電位発生回路のテストを並列して行なう、請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記測定回路は、前記複数のレベル設定信号のうち、前記内部電位が前記基準電位に相当することを検知した時点でのレベル設定信号を、前記記憶回路に対して選択的に格納するための格納制御手段をさらに含む、請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 通常動作において、前記内部電位発生回路の各々に与えるべき前記レベル設定信号を記憶するためのプログラム回路をさらに備え、
前記内部電位発生回路は、前記プログラム回路からの前記レベル設定信号と前記テスト制御回路からの前記レベル設定信号とを、動作モードに応じて選択する手段を含む、請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数の測定回路の各々は、
前記内部電位発生回路で生成された各内部電位と前記基準電位とを第1および第2の入力ノードに受けて、比較結果を出力する比較回路と、
前記第1および第2の入力ノードに与えられる電位を、前記テスト制御回路に制御されて、前記内部電位と前記基準電位とで入換えることが可能なスイッチ手段とを含む、請求項2記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数の測定回路の各々は、
前記入換えられた各々の場合における前記比較回路の出力を保持するための保持回路と、
前記保持回路の保持データに基づいて、前記入換えられた各々の場合における前記比較回路の出力を比較するための第1の論理回路とをさらに含む、請求項5記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数の測定回路の各々は、前記入換えられた各々の場合における前記比較回路の出力が互いに相違する複数の前記レベル設定信号の中間値を検出する第2の論理回路をさらに含む、請求項6記載の半導体集積回路装置。
- 前記内部回路は、複数の回路ブロックに分割され、
前記測定回路は、
前記複数の回路ブロックに共通に設けられ、前記内部電位発生回路から前記複数の回路ブロックに供給される内部電位と前記基準電位との比較結果を出力する比較回路と、
前記テスト制御回路に制御されて、前記複数の回路ブロックに供給される内部電位を選択的に前記比較回路に与えるためのスイッチ手段とを含む、請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記記憶回路は、前記内部回路の前記複数の回路ブロックごとに、前記複数のレベル設定信号と関連づけて、前記比較結果を格納する、請求項8記載の半導体集積回路装置。
- 前記記憶回路は、前記内部回路の前記複数の回路ブロックごとの前記比較結果と前記複数のレベル設定信号とに対する統計演算を行うための論理回路をさらに含む、請求項9記載の半導体集積回路装置。
- 前記論理回路は、前記複数の回路ブロックについて、前記比較結果の平均値を導出する、請求項10記載の半導体集積回路装置。
- 前記論理回路は、前記複数のレベル設定信号のうち、前記複数の回路ブロックごとの前記比較結果のいずれか一つが所定のレベルとなるレベル設定信号を導出する、請求項10記載の半導体集積回路装置。
- 前記論理回路は、前記複数のレベル設定信号のうち、前記複数の回路ブロックごとの前記比較結果が全て所定のレベルとなるレベル設定信号を導出する、請求項10記載の半導体集積回路装置。
- 前記内部回路は、複数の回路ブロックに分割され、
前記測定回路は、
前記複数の回路ブロックごとに設けられ、前記内部電位発生回路から前記複数の回路ブロックに供給される内部電位と前記基準電位とを比較し、比較結果を保持する複数の比較回路と、
前記テスト制御回路に制御されて、前記複数の比較回路に保持された前記比較結果を前記記憶回路に伝達するための内部伝達回路とをさらに含む、請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記測定回路は、
前記内部電位発生回路から前記内部回路に供給される内部電位と前記基準電位とを比較し、比較結果を保持する比較回路をさらに含み、
前記比較回路は、前記内部電位発生回路から前記内部回路に供給される内部電位と前記基準電位とを比較を所定の時間内に複数回行ない、
前記記憶回路は、前記比較回路の前記複数回の比較ごとに、前記複数のレベル設定信号と関連づけて、前記比較結果を格納する、請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数の測定回路の各々は、前記内部電位発生回路から前記内部回路に供給される内部電位と前記基準電位とを比較した結果を所定の時間にわたって積算する、請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記複数の測定回路の各々は、
前記内部電位発生回路から前記内部回路に供給される内部電位と前記基準電位とを比較するための比較回路と、
前記比較回路の比較結果に応じて、内部ノードを充放電するチャージポンプ回路と、
前記チャージポンプ回路の前記内部ノードの電位レベルを前記比較結果として出力するための電位検出手段とを含む、請求項16記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数の測定回路の各々は、
前記内部電位発生回路から前記内部回路に供給される内部電位と前記基準電位とを第1および第2の入力ノードに受けて、比較するための比較回路と、
前記比較回路の比較結果に応じて、第1および第2の内部ノードを互いに相補に充放電するチャージポンプ回路と、
前記第1および第2の内部ノードの電位レベルを、前記内部電位と前記基準電位の代わりに前記比較回路に与えるためのスイッチ回路とを含み、
前記比較回路は、前記第1および第2の内部ノードの電位レベルの比較を行なって、前記比較結果として出力する、請求項16記載の半導体集積回路装置。
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