JP2017216349A - ダイの実装方法 - Google Patents

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智宣 中村
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Abstract

【課題】真空吸着の安定化及びメンテナンス性の改善を図ることである。【解決手段】ダイの実装方法は、複数のバンプ電極１０６が形成されたバンプ形成面１０２ａを有するダイ１００を用意する工程と、吸着面２４を有する真空吸着ツール２２を、吸着面２４がバンプ形成面１０２ａに対向する向きに、ダイ１００の上方に配置する工程と、吸着面２４とバンプ形成面１０２ａとの間に多孔質性シート４４を挟んで、真空吸着ツール２２によってダイ１００を吸着する工程と、真空吸着ツール２２によって吸着したダイ１００を、基板１１０のボンディング領域に接着材料１１４を介して実装する工程とを含み、多孔質性シート４４は、バンプ形成面１０２ａにおけるバンプ電極１０６の突起高さ以上の厚さを有する。【選択図】図４

Description

本発明は、ダイの実装方法に関する。
ダイシングによって個片化された複数のダイを真空吸着によってピックアップする技術が知られている（特許文献１及び２参照）。例えば、特許文献２では、端子上にバンプが設けられたベアチップを、この端子及びバンプを含むベアチップの回路機能面とは反対の面側において真空吸着することが開示されている。ツールに真空吸着されたベアチップは、回路機能面を基板に対向させた向きで、接着剤が塗布された基板上に搭載される。特許文献２の発明では、真空吸着やツールの加圧などによって基板上の接着剤がベアチップの側面から上方へ這い上がることを防止するために、ツールの吸着面とベアチップとの間にシートを介在させる構成を採用し、これによって、接着剤の這い上がりを抑制し、ツールに接着剤が付着することを防止している。
特開２００６−６６６２５号公報 特許第５６６９１３７号公報
ここで、特許文献２の発明は、ベアチップを回路機能面において真空吸着することを前提としたものであり、バンプ電極が形成されたバンプ形成面側において真空吸着することは何ら考慮されていない。この点、バンプ形成面には、バンプ電極によって凹凸が設けられているため、ダイをツールに真空吸着させる場合、バンプ電極の突起高さによってツール吸着面とダイとの間に空隙が生じ得る。このため、ダイを真空吸着した場合、エアのリークが発生し、真空レベルが低下することによって、ツールの吸着性が悪化する場合があった。
また、ダイを接着材料を介して基板に実装する場合、接着材料からヒュームガスが生じ、このヒュームガスがバンプ電極の突起高さによって生じた空隙から流入し、ツールなどが汚染される場合があった。このため、ツールなどを頻繁に洗浄する必要が生じ、メンテナンス性が悪化する場合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、真空吸着の安定化及びメンテナンス性の改善を図ることを目的とする。
本発明の一態様に係るダイの実装方法は、複数のバンプ電極が形成されたバンプ形成面を有するダイを用意する工程と、吸着面を有する真空吸着ツールを、吸着面がバンプ形成面に対向する向きに、ダイの上方に配置する工程と、吸着面とバンプ形成面との間に多孔質性シートを挟んで、真空吸着ツールによってダイを吸着する工程と、真空吸着ツールによって吸着したダイを、基板のボンディング領域に接着材料を介して実装する工程とを含み、多孔質性シートは、バンプ形成面におけるバンプ電極の突起高さ以上の厚さを有する。
上記構成によれば、ダイを基板のボンディング領域に実装するとき、真空吸着ツールの吸着面とダイのバンプ形成面との間の空隙に多孔質性シートを設けることができる。これにより、空隙からエアがリークすることを防止することができるため、ダイの吸着力を維持することができる。また、この空隙に多孔質性シートを設けることによって、接着材料から生じるガスなどの不要な物質の吸引を抑制することができる。したがって、真空吸着ツールが汚染されることを抑制することができ、メンテナンス性の向上を図ることができる。
上記ダイの実装方法において、多孔質性シートは、バンプ電極又は吸着面よりも柔らかい材質からなるものであってもよい。
上記ダイの実装方法において、多孔質性シートは、不織布からなるものであってもよい。
上記ダイの実装方法において、吸着面は、バンプ形成面よりも大きいサイズを有してもよい。
上記ダイの実装方法において、実装する工程は、真空吸着ツールによってダイ及び接着材料を加熱することで、ダイを基板のボンディング領域に実装するものであって、多孔質性シートは、ダイ又は接着材料を加熱する際に発生するヒュームガスが真空吸着ツールの吸引孔に侵入するのを抑制するフィルターとなるものであってもよい。
上記ダイの実装方法において、多孔質性シートは、真空吸着ツールの左右に配置された一対のリールから供給されてもよい。
本発明によれば、真空吸着の安定化及びメンテナンス性の改善を図ることができる。
図１は、本発明の実施形態に係るダイの実装方法に使用するボンディング装置を示す図である。 図２は、本発明の実施形態に係るダイの実装方法のフローチャートを示す図である。 図３は、本発明の実施形態に係るダイの実装方法を説明するための図であり、具体的には、ツールをダイの上方に配置した工程を示す図である。 図４は、本発明の実施形態に係るダイの実装方法を説明するための図であり、具体的には、ツールに吸着したダイを接着材料を介して基板に実装する工程を示す図である。 図５は、本発明の実施形態に係るダイの実装方法を説明するための図であり、具体的には、ツールの吸着面とダイのバンプ形成面との大きさの関係を示した平面図である。
以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を当該実施の形態に限定して解するべきではない。
図１は、本発明の実施形態に係るダイの実装方法に使用するボンディング装置１０の概略を示す図である。ボンディング装置１０は、ダイ１００を基板１１０のボンディング領域に実装するためのダイボンディング装置である。
ダイ１００は半導体材料からなる。ダイ１００は、主面である表面及び裏面を有する直方体状に形成されている。具体的には、ダイ１００は、所定の回路パターンが形成された表面である第１面１０２ａと、第１面１０２ａとは反対の裏面である第２面１０２ｂを有する。本実施形態では、ダイ１００の第２面１０２ｂが基板１１０に対向する向きに、ダイ１００が基板１１０に実装される。このような向きでの実装態様は一般的にダイボンディングと呼ばれる。なお、ダイ１００の第１面１０２ａの詳細は後述する。
ボンディング装置１０は、ウェーハステージ１２、中間ステージ１４、ボンディングステージ１６、ボンディングヘッド１８、ボンディングヘッド１８にＺ軸駆動機構２０を介して取り付けられた真空吸着ツール２２、ダイ１００の画像情報を取得する撮像部２６，２７、ボンディングヘッド１８をＸＹ軸方向に移動させるＸＹテーブル２８、これらの各種構成の動作を制御する制御部３０を備える。
以下の説明においては、ＸＹ軸方向をダイ１００の主面（又はいずれかのステージの主面）に平行な方向とし、Ｚ軸方向をＸＹ軸方向の面に垂直な方向として説明する。なお、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は互いに直交する。
ウェーハステージ１２には、個片化された複数のダイ１００からなるウェーハ１２０が載置される。ウェーハ１２０は、所定の回路パターンが形成された表面である第１面１２２ａ（ダイ１００の第１面１２２ａに相当する。）と、第１面１２２ａとは反対の裏面である第２面１２２ｂ（ダイ１００の第２面１２２ｂに相当する。）を有する。ウェーハ１２０は、第２面１２２ｂがウェーハステージ１２上のフィルムに貼着されることによって、ウェーハステージ１２上に固定されていてもよい。ウェーハステージ１２上のダイ１００は、真空吸着ツール２２及びピックアップユニット（図示しない）との協調動作によりダイ１００をピックアップした後、移送ヘッド（図示しない）により、中間ステージ１４に移送される。
中間ステージ１４は、ダイ１００を一時的に載置するためのステージである。中間ステージは、ウェーハステージ１２とボンディングステージ１６との間に配置されている。ダイ１００は、第２面１０２ｂが中間ステージ１４に対向する向きに中間ステージ１４上に配置される。中間ステージ１４は、リニアモータ（図示しない）などの駆動機構により、ＸＹ軸方向に移動可能に構成されている。ダイ１００は、第２面１０２ｂが中間ステージ１４上のフィルムに貼着されることによって、中間ステージ１４上に固定されていてもよい。中間ステージ１４上のダイ１００は、真空吸着ツール２２及びピックアップユニット（図示しない）との協調動作によりダイ１００をピックアップした後、移送ヘッド（図示しない）により、ボンディングステージ１６に移送される。
ボンディングステージ１６には、基板１１０が配置されている。基板１１０は、例えばボンディングステージ１６上のフィルムに貼着されることによって、ボンディングステージ１６上に固定されてもよい。基板１１０は、少なくとも１つのボンディング領域を有しており、ボンディング領域にはいずれかのダイ１００が実装される。例えば基板１１０が複数のボンディング領域を有している場合、各ボンディング領域にダイ１００が実装された後、ボンディング領域ごとに基板１１０を個片にすることによって、複数の完成品（半導体装置）を得ることができる。
また、基板１１０上の各ボンディング領域には、複数のダイ１００が積み重ねられることによって実装されてもよい。このようなスタック型の半導体装置においては、同一ボンディング領域に積層された２以上のダイ１００の全てがいずれも第１面１０２ａが基板１１０とは反対の方向を向くように実装されてもよい。あるいは、同一ボンディング領域に積層された一部のダイが、他のダイとは異なる向きに実装されてもよい。
基板１１０の材質は、例えば、有機材料（例えばエポキシ基板やポリイミド基板）、無機材料（例えばガラス基板）又はそれらの複合材料（例えばガラスエポキシ基板）から構成されていてもよい。基板１１０はいわゆるインタポーザであってもよい。また、基板１１０は、金属材料（例えばリードフレーム材）から構成されていてもよい。
なお、ボンディングステージ１６は、ガイドレール（図示しない）などの駆動機構により、基板１１０をＸ軸方向に移動可能に構成されている。また、ボンディングステージ１６は基板１１０を加熱するための加熱手段を備えている。
ボンディングヘッド１８には、Ｚ軸駆動機構２０を介して真空吸着ツール２２が取り付けられ、かつ、真空吸着ツール２２から所定距離離れた位置に撮像部２６が取り付けられている。言い換えれば、図１に示す例では、真空吸着ツール２２及び撮像部２６は、ボンディングヘッド１８に固定されており、ボンディングヘッド１８がＸＹテーブル２８によって移動することによって、真空吸着ツール２２及び撮像部２６が共にＸＹ軸方向に移動する。また、撮像部２６と反対側には、撮像部２７が設けられていてもよい。撮像部２６は、ダイ１００の第１面１０２ａを撮像可能であり、撮像部２７は、ダイ１００の第２面１０２ｂを撮像可能であってもよい。なお、撮像部２６はボンディングヘッド１８に固定されていなくてもよく、真空吸着ツール２２とは別に移動可能であってもよい。
真空吸着ツール２２は、ダイ１００を真空吸着する吸着面２４を有する。真空吸着ツール２２は、ダイ１００を所定位置に移送するために吸着保持し、かつ、ダイ１００を基板１１０に実装するために加圧するためのものである。なお、真空吸着ツール２２の詳細は後述する。
制御部３０は、ボンディング装置１０によるボンディングのための必要な処理を制御するものである。制御部３０は、真空吸着ツール２２のＸＹＺ軸駆動、θ軸駆動（Ｚ軸回りの回転）及びチルト駆動（傾斜方向）を含む真空吸着ツール２２の位置制御、真空引きのオン又はオフ制御、ダイ１００を基板１１０へ実装するときの荷重制御、基板１１０の加熱制御などを行う。制御部３０は、ボンディングヘッド１８、真空吸着ツール２２並びに撮像部２６などの各構成との間で信号の送受信が可能なように接続され、これによりこれらの動作を制御する。
制御部３０には、制御情報を入力するための操作部３２と、制御情報を出力するための表示部３４が接続されている。これにより作業者が表示部３４によって画面を認識しながら操作部３２によって必要な制御情報を入力することができるようになっている。
制御部３０は、ＣＰＵ及びメモリなどを備えるコンピュータ装置であり、メモリには予めボンディングに必要な処理を行うためのボンディングプログラムなどが格納される。制御部３０は、後述する本実施形態に係るダイの実装方法に関わる各工程を実行可能に構成されている（例えば各動作をコンピュータに実行させるためのプログラムを備える）。
次に図２〜図５を参照しつつ、本実施形態に係るダイの実装方法を説明する。本実施形態に係るダイの実装方法は、図１に示すボンディング装置１０を用いて行うことができる。
ここで、図２は、本実施形態に係るダイの実装方法を説明するためのフローチャートである。図３は、ツールをダイの上方に配置した工程を示す図であり、図４は、ツールに吸着したダイを接着材料を介して基板に実装する工程を示す図である。また、図５は、ツールの吸着面とダイのバンプ形成面との大きさの関係を示した平面図である。
まず、ウェーハステージ１２上に、個片にされた複数のダイ１００を用意する（Ｓ１０）。具体的には、図１に示したように、ウェーハステージ１２上に、フィルムに貼着された複数のダイ１００からなるウェーハ１２０を用意する。ウェーハ１２０は、複数のダイ１００のそれぞれが、第１面１０２ａが上方を向くとともに第２面１０２ｂがウェーハステージ１２に対向する向きに、ウェーハステージ１２上に配置される。
次に、ダイ１００を中間ステージ１４に移送する（Ｓ１１）。具体的には、ウェーハステージ１２上の複数のダイ１００を一つずつ中間ステージ１４に移送する。既に説明したとおり、ダイ１００の移送は真空吸着ツール２２によって行ってもよい。
次に、中間ステージ１４のダイ１００の上方に、真空吸着ツール２２を配置する（Ｓ１３）。ここで、真空吸着ツール２２及びダイ１００の詳細についてさらに説明する。
真空吸着ツール２２は、ダイ１００の第１面１０２ａに対向する吸着面２４を有する。また、吸着面２４には、真空引きするための少なくとも１つの吸引孔２５が設けられている。吸引孔２５は、吸着面２４におけるＸＹ平面視の中央に設けられていてもよい。
ダイ１００は、図３に示すように、第２面１０２ｂが中間ステージ１４上のフィルム（図示を省略する。）に貼着されることによって、中間ステージ１４上に固定されている。ダイ１００の第１面１０２ａには、複数の電極パッド１０４と、複数の電極パッド１０４上に設けられた複数のバンプ電極１０６と、複数のバンプ電極１０６の周囲に設けられた保護膜１０８とが設けられている。電極パッド１０４は、第１面１０２ａに形成された回路パターンと電気的に接続された端子である。また、電極パッド１０４の外周端部には、保護膜１０８によって被覆されており、これによって露出した電極パッド１０４の中央部が、バンプ電極１０６との接続部となっている。
図４に示すように、バンプ電極１０６は、第１面１０２ａにおける保護膜１０８の上面よりも突起した高さＨを有している。バンプ電極１０６の高さＨは、バンプ電極１０６の頂点と保護膜１０８の上面との間の距離である。
電極パッド１０４及びバンプ電極１０６の材質は限定されるものではないが、例えば電極パッド１０４はアルミニウム又は銅などであってもよく、また、バンプ電極１０６は金などであってもよい。
図３に示す例では、このようなダイ１００の第１面１０２ａと、真空吸着ツール２２の吸着面２４との間に多孔質性シート４４を配置する。例えば、中間ステージ１４の上方に、多孔質性シート４４が装着された一対のリール４０，４２を配置することによって、ダイ１００と真空吸着ツール２２との間に多孔質性シート４４を配置することができる。一対のリール４０，４２は、供給リール４０及び巻取リール４２からなる。供給リール４０から供給した多孔質性シート４４０の一部を巻取リール４２へ搬送することによって、ダイ１００の第１面１０２ａと真空吸着ツール２２の吸着面２４との間に、多孔質性シート４４の一部の領域を順々に送ることができる。
図３に示す例では、多孔質性シート４４は、リール４０，４２が並ぶＸ軸方向に長さ方向、Ｙ軸方向に幅方向、及び、Ｚ軸方向に厚さ方向を有する。多孔質性シート４４は、真空吸着ツール２２の吸着面２４に対向する第１面４４ａと、ダイ１００の第１面１０２ａに対向する第２面４４ｂを有し、第１面４４ａと第２面４４ｂとの間の距離が多孔質性シート４４の厚さである。図３に示すように、多孔質性シート４４は厚さＴ１を有している。厚さＴ１とバンプ電極１０６の高さＨとは、Ｔ１≧Ｈの関係を有している。この場合、多孔質シート４４の厚さＴ１は、好ましくは、バンプ電極１０６の高さＨの５〜１０倍であるが、ヒータからの熱伝導を阻害しない範囲の厚さの多孔質性シート４４を用いることができる。
多孔質性シート４４の幅方向の長さは、ダイ１００の第１面１０２ａのＹ軸方向の幅よりも大きく、また、真空吸着ツール２２のＹ軸方向の幅よりも大きくなっている。これにより、ダイ１００の第１面１０２ａと真空吸着ツール２２の吸着面２４との間に確実に多孔質性シート４４を介在させることができる。
多孔質性シート４４は、第１面４４ａと第２面４４ｂの間を通気するための複数の孔を有する。多孔質性シート４４のガーレー値は、チップを吸着するために値が小さいほうがよく、例えば１〜２（ｓ／１００ｃｃ／ｉｎ2）の範囲を有することが好ましい。
多孔質性シート４４は、ダイ１００を基板１１０に実装するときに第１面１０２ａによるバンプ電極１０６の突起高さを少なくとも部分的に吸収するために、バンプ電極１０６及び吸着面２４のいずれと比べても柔らかい材質からなる。多孔質性シート４４は例えば不織布であってもよい。
多孔質性シート４４は、例えば、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）であってもよい。この場合、多孔質性シート４４は、ＰＴＦＥナノファイバーであってもよい。ＰＴＦＥナノファイバーは、約１〜２μｍの孔径を有し、約５６μｍの厚さを有し、ガーレー値が１．２（ｓ／１００ｃｃ／ｉｎ2）を有するものを用いてもよい。ＰＴＦＥナノファイバーは、厚いにもかかわらずガーレー値を小さくする（通気性を向上させる）ことができ、また、約２６０℃に加熱してもほとんど熱収縮しないため、例えば２３０℃以上の熱が加えられる製造プロセスに耐熱性を有する。したがって、ＰＴＦＥナノファイバーは本実施形態の多孔質性シート４４として使用すると効果的である。
図２のフローチャートに戻り、次に、真空吸着ツール２２の吸着面２４とダイ１００の第１面１０２ａ（バンプ形成面）との間に多孔質性シート４４を挟んで、真空吸着ツール２２によってダイ１００を吸着する（Ｓ１３）。具体的には、図３において、真空吸着ツール２２を下降させ、その吸着面２４とダイ１００の第１面１０２ａとの間に多孔質性シート４４を挟んだ状態で、真空吸着ツール２２の吸引孔２５から真空引きする。こうして、真空吸着ツール２２の吸着面２４に、多孔質性シート４４越しにダイ１００を吸着することができる。その後、真空吸着ツール２２を多孔質性シート４４とともにボンディングステージ１６へ移送させる。こうして、ダイ１００を基板１１０のボンディング領域上に移送させる。
次に、ダイ１００を基板１１０のボンディング領域に接着材料１１４を介して実装する（Ｓ１４）。具体的には、予め基板１１０のボンディング領域上に接着材料１１４を設けておき、真空吸着ツール２２を下降させることによって、図４に示すように、真空吸着ツール２２によって多孔質性シート４４越しにダイ１００の第１面１０２ａを加圧する。このときダイ１００及び接着材料１１４を加熱する。これにより、接着材料１１４を加熱溶融させ、その後硬化させる。こうして、図４に示すように、吸着面２４と第１面１０２ａとの間に多孔質性シート４４を挟んだ状態で、ダイ１００を接着材料１１４を介して基板１１０のボンディング領域に実装する。
接着材料１１４は、常温でシート状に構成されたものを用いてもよいし、あるいは、常温でペースト状に構成されてものを用いてもよい。接着材料１１４は例えば熱硬化性樹脂であってもよい。この場合、接着剤料１１４を加熱することにより溶融及び硬化させることができる。
加圧時における多孔質性シート４４の厚さＴ２（Ｔ２≦Ｔ１）は、バンプ電極１０６の突起高さＨに対して、Ｔ２≧Ｈの関係を有することが好ましい。
これによれば、ダイ１００を基板１１０のボンディング領域に実装するとき、真空吸着ツール２２の吸着面２４とダイ１００の第１面１０２ａとの間の空隙に多孔質性シート４４を設けることができる。これにより、空隙からエアがリークすることを防止することができるため、吸引孔２５からの吸引によるダイ１００の吸着力を維持することができる。さらに、空隙を通るエアを遮ることができるため、均一に加熱することができる。
また、この空隙に多孔質性シート４４を設けることによって、ダイ１００又は接着材料１１４を加熱する際に生じるヒュームガスが真空吸着ツール２２の吸着面２４に付着したり、吸引孔２５に侵入したりするのを抑制することができる。したがって、真空吸着ツール２２の吸着面２４や吸引孔２５などが汚染されることを抑制することができ、メンテナンス性の向上を図ることができる。
ここで、図５に示すように、真空吸着ツール２２の吸着面２４は、ダイ１００の第１面１０２ａよりも大きいサイズを有していてもよい。具体的には、真空吸着ツール２２のＸ軸方向の幅ＷＸ及びＹ軸方向の幅ＷＹ、並びに、ダイ１００のＸ軸方向の幅ＤＸ及びＹ軸方向の幅ＤＹは、ＷＸ≧ＤＸかつＷＹ≧ＤＹであってもよい。
これによれば、吸着面２４によってダイ１００を確実に加圧することができるとともに、ダイ１００の第１面１０２ａに対する加圧力を均一化することができる。さらに、本実施形態では、吸着面２４と第１面１０２ａとの間に多孔質性シート４４が介在しているので、ダイ１００を接着材料１１４を介して基板１１０に実装するとき、ダイ１００の側面において這い上がる接着材料１１４を多孔質性シート４４で遮ることができる。したがって、接着材料１１４が真空吸着ツール２２の吸着面２４に付着することを防止することができる。
また、図４に示すように、真空吸着ツール２２のＸ軸方向の幅ＷＸのうち、真空吸着ツール２２の吸引孔２５の幅Ｗ１及びその両端の幅Ｗ２とした場合、Ｗ１＜Ｗ２であってもよい。また、真空吸着ツール２２の幅Ｗ２と、加圧時における多孔質性シート４４の厚さＴ２とは、Ｔ２＞Ｗ２（又はＴ１＞Ｗ２）であってもよい。
これによれば、真空吸着ツール２２の端部から吸引孔２５までの距離が、多孔質性シート４４の厚さよりも小さいため、多孔質性シート４４をバンプ電極１０６の突起高さＨ以上にしたとしても、真空吸着ツール２２の吸引力が損なわれることを防止することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々に変形して適用することが可能である。例えば、上記構成において中間ステージ１４を省略し、ウェーハステージ１２から真空吸着ツール２２によって多孔質性シート４４を挟んだ状態でピックアップしたダイ１００を、ボンディングステージ１６に搬送してもよい。
また、上記実施形態では一対のリール４０，４２に装着した多孔質性シート４４を用いたが、多孔質性シート４４を予め複数枚の個片状のシートを用意しておき、この個片状のシートを、真空吸着ツール２２の吸着面２４とダイ１００の第１面１０２ａとの間に介在させてもよい。
上記発明の実施形態を通じて説明された実施の態様は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施形態の記載に限定されるものではない。そのような組み合わせ又は変更若しくは改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
２２…真空吸着ツール、２４…吸着面、４４…多孔質性シート、１００…ダイ、１０２ａ…第１面、１０２ｂ…第２面、１０６…バンプ電極、１１０…基板、１１４…接着材料

Claims (6)

  1. 複数のバンプ電極が形成されたバンプ形成面を有するダイを用意する工程と、
    吸着面を有する真空吸着ツールを、前記吸着面が前記バンプ形成面に対向する向きに、前記ダイの上方に配置する工程と、
    前記吸着面と前記バンプ形成面との間に多孔質性シートを挟んで、前記真空吸着ツールによって前記ダイを吸着する工程と、
    前記真空吸着ツールによって吸着した前記ダイを、基板のボンディング領域に接着材料を介して実装する工程と
    を含み、
    前記多孔質性シートは、前記バンプ形成面における前記バンプ電極の突起高さ以上の厚さを有する、ダイの実装方法。
  2. 前記多孔質性シートは、前記バンプ電極又は前記吸着面よりも柔らかい材質からなる、請求項１記載のダイの実装方法。
  3. 前記多孔質性シートは、不織布からなる、請求項１又は２に記載のダイの実装方法。
  4. 前記吸着面は、前記バンプ形成面よりも大きいサイズを有する、請求項１から３の何れか一項に記載のダイの実装方法。
  5. 前記実装する工程は、前記真空吸着ツールによって前記ダイ及び前記接着材料を加熱することで、前記ダイを前記基板の前記ボンディング領域に実装するものであって、
    前記多孔質性シートは、前記ダイ又は接着材料を加熱する際に発生するヒュームガスが前記真空吸着ツールの吸引孔に侵入するのを抑制するフィルターとなる、
    請求項１から４の何れか一項に記載のダイの実装方法。
  6. 前記多孔質性シートは、前記真空吸着ツールの左右に配置された一対のリールから供給される、
    請求項１から５の何れか一項に記載のダイの実装方法。
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