JP2017212456A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像装置であって、
   各々が前記半導体基板に配置された複数の光電変換部を含む複数の画素集合と、
   前記半導体基板の前記第１面の側に配置された配線層と、
   前記半導体基板の前記第２面の側に配置された複数のマイクロレンズと、を備え、
   前記複数のマイクロレンズの各々は、前記複数の画素集合のうち対応する１つの画素集合の前記複数の光電変換部に対して設けられ、
   前記複数の画素集合は、第１方向に沿って隣り合うように配置された第１画素集合および第２画素集合と、前記第１方向に対して交差する第２方向に沿って前記第１画素集合に対して隣り合うように配置された第３画素集合とを含み、前記複数のマイクロレンズは、前記第１画素集合、前記第２画素集合および前記第３画素集合にそれぞれ対応する第１マイクロレンズ、第２マイクロレンズおよび第３マイクロレンズを含み、
   前記第２マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズに接し、前記第３マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズから離隔している、
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記第３マイクロレンズは、前記第２マイクロレンズに接している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記複数の画素集合の各々の前記複数の光電変換部は、前記第１方向に沿って配置された第１光電変換部および第２光電変換部を含む
   ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記複数の画素集合の各々の前記複数の光電変換部の各々は、当該光電変換部で発生した電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域を含み、
   前記複数の画素集合の各々において、前記半導体領域のうち前記複数のマイクロレンズにおける対応するマイクロレンズの端部と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度は、前記半導体領域のうち前記対応するマイクロレンズの中央部と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度より大きい、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
5. 前記複数の画素集合の各々の前記複数の光電変換部の各々は、当該光電変換部で発生した電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域を含み、
   前記半導体領域のうち前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとの境界と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度は、前記半導体領域のうち前記第１マイクロレンズの中央部と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度より大きい、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。