JP2017212298A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、ドレイン領域上にドレインメタルが配置された構成では、このドレインメタルから拡がる等電位線が半導体層の表面付近においてドレイン領域に向かって急激に曲げられてしまい、半導体層において等電位線の間隔が狭い領域、つまり等電位線が密となる領域が生じる虞がある。等電位線が密となる領域は、他の領域に比べて電界強度が高く、局所的に電界が集中する領域である。このような局所的な電界集中は、半導体装置の耐圧低下を招く原因となるという課題がある。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置1を示す平面図である。図2は、図1に示される半導体装置1を示す平面図であって、エピタキシャル層4上の構成を取り除いた図である。図3は、図1に示されるIII−III線に沿う縦断面図である。図4は、図1に示されるIV-IV線に沿う縦断面図である。
ソースメタル30は、本実施形態では、ソース領域8上に形成された第1ソースメタル33と、第1ソースメタル33上に形成された第2ソースメタル34とを含む積層構造を有している。
第2ソースメタル34は、第2層間絶縁膜22上に配置されている。図1に示されるように、第2ソースメタル34は、第2層間絶縁膜22におけるドレイン領域10上の領域を露出させるように平面視凹状に形成されている。より具体的には、第2ソースメタル34は、ボディ領域5の一対の直線状部分6a,6bに沿って形成された一対の第1部分34a,34bと、ボディ領域5の他方側の曲線状部分7bに沿って形成され、一対の第1部分34a,34bを接続する接続部34cとを含む。第2ソースメタル34は、第2層間絶縁膜22に形成されたコンタクト36を介して第1ソースメタル33に電気的に接続されている。
第1ドレインメタル37は、第1層間絶縁膜21上に配置されており、ドレイン領域10の全域を被覆するように平面視直線状(たとえば平面視長円状)に形成されている。第1ドレインメタル37は、平面視において、その周縁が、ドレインバッファ領域11の周縁よりも外側まで引き出された構成とされている。第1ドレインメタル37は、LOCOS膜13上に配置された複数個のフィールドプレート18のうち、最内側のフィールドプレート18と第1層間絶縁膜21を挟んで対向している。つまり、第1ドレインメタル37は、第1層間絶縁膜21を介して最内側のフィールドプレート18と容量結合している。第1ドレインメタル37は、第1層間絶縁膜21に形成されたコンタクト39を介してドレイン領域10に電気的に接続されている。
第1層間絶縁膜21上には、さらに、エピタキシャル層4における電界の乱れ等を抑制するためのフィールドメタル42が配置されている。フィールドメタル42は、ゲートメタル32の内周に沿って平面視環状に形成されている。フィールドメタル42は、LOCOS膜13上に配置された複数個のフィールドプレート18のうち、最外側のフィールドプレート18と第1層間絶縁膜21を挟んで対向している。つまり、フィールドメタル42は、第1層間絶縁膜21を介して最外側のフィールドプレート18と容量結合している。フィールドメタル42は、第2層間絶縁膜22に形成されたコンタクト43を介して第2ソースメタル34に電気的に接続されている。
ボディ領域5の第1ボディ部分51は、一対の直線状部分6a,6bに沿う部分に形成されている。第1ボディ部分51において、ゲート電極16がゲート絶縁膜12を介して対向する部分には、チャネル53が形成される。したがって、第1ボディ部分51は、チャネル53の形成によりエピタキシャル層4との間で電流経路を形成する。
ボディ領域5の第1ボディ部分51とボディ領域5の第2ボディ部分52とは、異なる不純物濃度で形成されている。より具体的には、第1ボディ部分51は、第1高濃度領域54、第2高濃度領域55および低濃度領域56を含む。第1ボディ部分51では、第1高濃度領域54、第2高濃度領域55および低濃度領域56が、エピタキシャル層4との間でpn接合部51aを形成している。
以下、図5および図6を参照しつつ、本実施形態に係る半導体装置1の効果について説明する。図5は、図3に対応する縦断面図であって、本発明の第1実施形態に係る半導体装置1の等電位線を示す図である。図6は、参考例に係る半導体装置101を示す縦断面図である。参考例に係る半導体装置101は、ドレインバッファ領域11およびウェル領域61を含まない点を除いて、本実施形態に係る半導体装置1と略同様の構成を有している。図6において、前述の図1〜図5に示された構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
このようなドレインバッファ領域11によれば、図5に示されるように、ドレインメタル31から拡がる等電位線がエピタキシャル層4の表面付近においてドレイン領域10に向かって曲げられるのを抑制できる。しかも、ドレインバッファ領域11の上方に配置されたウェル領域61の引き出し部63の周縁が、平面視においてドレインバッファ領域11の周縁よりも外側まで引き出されているため、ドレインメタル31から拡がる等電位線がエピタキシャル層4の表面付近においてドレイン領域10に向かって曲げられるのを良好に抑制できる。その結果、ドレイン領域10およびソース領域8間で生じる局所的な電界集中の発生を良好に抑制できる。
なお、樹脂膜25が設けられた構成では、樹脂膜25中の陰イオンが可動イオンとなって、ソースメタル30とドレインメタル31との間からLOCOS膜13上の領域やエピタキシャル層4の表面上の領域に移動する結果、等電位線が変動し、エピタキシャル層4中の電界分布が変動することがある。本実施形態の構成によれば、平面視において、ソースメタル30とドレインメタル31との間の領域にウェル領域61の引き出し部63が配置されているので、このような可動イオンによるエピタキシャル層4中の電界分布の変動を抑制することもできる。したがって、ソースメタル30とドレインメタル31との間の領域にウェル領域61の引き出し部63が配置されている構成は、可動イオンに起因する局所的な電界集中の発生を抑制する上で有効である。
本実施形態では、ドリフト領域14の全面積に占めるウェル領域61の面積の割合を変化させた複数個の半導体装置1を試験試料として用意し、それぞれについてブレークダウン電圧BVと、静電破壊試験を実施した際の良品率Rとを測定した。
静電破壊試験は、本実施形態では、HBM(Human Body Model:人体モデル)試験であり、この試験によって、試験試料とされた半導体装置1に帯電した人体が接触した場合における当該半導体装置1の静電破壊耐量が測定されている。良品率Rとは、試験試料とされたすべての半導体装置1に対して、所定値以上の静電破壊耐量が得られた半導体装置1の個数の割合を示している。なお、半導体装置1の静電破壊耐量は、本実施形態では、ソース・ドレイン間に+2000V程度の電圧を複数回印加し、ソース・ドレイン間に−2000V程度の電圧を複数回印加することによって測定されている。
<第2実施形態>
図8は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置71を示す縦断面図である。図8は、前述の図3に対応する部分の縦断面図である。第2実施形態に係る半導体装置71は、前述のドレインバッファ領域11および複数個のフィールドプレート18を有さない点を除いて、前述の第1実施形態に係る半導体装置1と略同様の構成で形成されている。図8において、前述の第1実施形態において述べられた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図9は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置72を示す縦断面図である。図9は、前述の図3に対応する部分の縦断面図である。第3実施形態に係る半導体装置72は、前述の複数個のフィールドプレート18を有さない点を除いて、前述の第1実施形態に係る半導体装置1と略同様の構成で形成されている。図9において、前述の第1実施形態において述べられた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
ドレインバッファ領域11は、その周縁が、ドレイン領域10の周縁よりも外側まで引き出されており、ウェル領域61の引き出し部63は、その周縁が、平面視においてドレインバッファ領域11の周縁よりも外側まで引き出されている。したがって、ドレイン領域10の横方向の幅W1と、ドレインバッファ領域11の横方向の幅W2と、ウェル領域61の横方向の幅W3との間には、W1<W2<W3の関係式が成立している。
このようなドレインバッファ領域11によれば、ドレインメタル31から拡がる等電位線がエピタキシャル層4の表面付近においてドレイン領域10に向かって曲げられるのを抑制できる。しかも、ドレインバッファ領域11の上方に配置されたウェル領域61の引き出し部63の周縁が、平面視においてドレインバッファ領域11の周縁よりも外側まで引き出されているため、ドレインメタル31から拡がる等電位線がエピタキシャル層4の表面付近においてドレイン領域10に向かって曲げられるのを良好に抑制できる。その結果、ドレイン領域10およびソース領域8間で生じる局所的な電界集中の発生を良好に抑制できるから、耐圧を向上できる半導体装置72を提供できる。
図10は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置73を示す縦断面図である。図10は、前述の図3に対応する部分の縦断面図である。第4実施形態に係る半導体装置73は、前述のドレインバッファ領域11を有さない点を除いて、前述の第1実施形態に係る半導体装置1と略同様の構成で形成されている。図10において、前述の第1実施形態において述べられた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係る半導体装置73では、ウェル領域61におけるドレイン領域10の側方に引き出された引き出し部63によって、ドレインメタル31から拡がる等電位線がエピタキシャル層4の表面付近においてドレイン領域10に向かって曲げられるのを抑制できる。しかも、このウェル領域61の引き出し部63は、平面視において複数個のフィールドプレート18の幾つか(本実施形態では、3個のフィールドプレート18)と重なるように形成されている。
図11は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置74を示す平面図である。図12は、図11に示されるXII−XII線に沿う縦断面図である。図11において、前述の第1実施形態において述べられた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の各実施形態では、ソースメタル30が、第1ソースメタル33と、第2ソースメタル34とを含む積層構造を有しており、ドレインメタル31が、第1ドレインメタル37と、第2ドレインメタル38とを含む積層構造を有している例について説明した。これに代えて、図13に示される構成が採用されてもよい。図13は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置81の縦断面図である。図13において、前述の第1実施形態において述べられた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
Claims (8)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面領域に間隔を空けて形成された第2導電型のドレイン領域および第2導電型のソース領域と、
前記ドレイン領域の直下の前記半導体基板内および前記半導体層内に形成された第2導電型のドレインバッファ領域と、
前記ドレイン領域と前記ドレインバッファ領域との間の前記半導体層に形成された第2導電型のウェル領域であって、前記ドレイン領域に対向する対向部と、前記対向部から前記ソース領域に向けて引き出された引き出し部とを有するウェル領域と、
前記ドレイン領域に電気的に接続されるように、かつ平面視において前記ウェル領域と重なるように前記ドレイン領域上に形成されたドレインメタルとを含み、
前記ウェル領域の前記引き出し部は、その周縁が、平面視において前記ドレインメタルの周縁よりも外側まで引き出されている、半導体装置。 - 前記ドレインバッファ領域は、前記半導体層の不純物濃度よりも高く前記ドレイン領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有しており、
前記ウェル領域は、前記半導体層の不純物濃度よりも高く前記ドレインバッファ領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ドレインメタルは、前記ドレイン領域上に形成された第1ドレインメタルと、前記第1ドレインメタル上に形成され、その周縁が、前記第1ドレインメタルの周縁よりも外側まで引き出された第2ドレインメタルとを含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記ドレインバッファ領域は、平面視において前記ウェル領域の内側に収まっている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層の表面における前記ドレイン領域と前記ソース領域との間の領域を覆うように形成された絶縁膜と、
電気的に浮遊状態となるように前記絶縁膜上に形成された複数のフィールドプレートとをさらに含み、
前記ウェル領域の前記引き出し部は、平面視において前記複数のフィールドプレートの幾つかと重なるように形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面領域に間隔を空けて形成された第2導電型のドレイン領域および第2導電型のソース領域と、
前記ドレイン領域の直下の前記半導体層に形成された第2導電型のウェル領域であって、前記ドレイン領域に対向する対向部と、前記対向部から前記ソース領域に向けて引き出された引き出し部とを有するウェル領域と、
前記ドレイン領域に電気的に接続されるように、かつ平面視において前記ウェル領域と重なるように前記ドレイン領域上に形成されたドレインメタルとを含み、
前記ウェル領域の前記引き出し部は、その周縁が、平面視において前記ドレインメタルの周縁よりも外側まで引き出されている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面領域に間隔を空けて形成された第2導電型のドレイン領域および第2導電型のソース領域と、
前記ドレイン領域の直下の前記半導体基板内および前記半導体層内に形成された第2導電型のドレインバッファ領域であって、その周縁が、前記ドレイン領域の周縁よりも外側まで引き出されたドレインバッファ領域と、
前記ドレイン領域と前記ドレインバッファ領域との間の前記半導体層に形成された第2導電型のウェル領域であって、前記ドレイン領域に対向する対向部と、前記対向部から前記ソース領域に向けて引き出された引き出し部とを有するウェル領域と、
前記ドレイン領域に電気的に接続されるように、かつ平面視において前記ウェル領域と重なるように前記ドレイン領域上に形成されたドレインメタルとを含み、
前記ウェル領域の前記引き出し部は、その周縁が、平面視において前記ドレインバッファ領域の周縁よりも外側まで引き出されている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面領域に間隔を空けて形成された第2導電型のドレイン領域および第2導電型のソース領域と、
前記ドレイン領域の直下の前記半導体層に形成された第2導電型のウェル領域であって、前記ドレイン領域に対向する対向部と、前記対向部から前記ソース領域に向けて引き出された引き出し部とを有するウェル領域と、
前記半導体層の表面における前記ドレイン領域と前記ソース領域との間の領域を覆うように形成された絶縁膜と、
電気的に浮遊状態となるように前記絶縁膜上に形成された複数のフィールドプレートと、
前記ドレイン領域に電気的に接続されるように、かつ平面視において前記ウェル領域と重なるように前記ドレイン領域上に形成されたドレインメタルとを含み、
前記ウェル領域の前記引き出し部は、平面視において前記複数のフィールドプレートの幾つかと重なるように形成されている、半導体装置。
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