JP2017210403A - 細孔を含む不透明石英ガラスの製造方法 - Google Patents
細孔を含む不透明石英ガラスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
(a)合成により製造されたアモルファスSiO2一次粒子の弱凝集によって、多孔質SiO2造粒粒子を製造する方法工程と、
(b)該SiO2造粒粒子を熱緻密化させることで、部分緻密化SiO2造粒粒子を形成させる方法工程と、
(c)分散液体と該液体中に分散された部分緻密化SiO2造粒粒子とを含有する分散液を形成する方法工程と、
(d)該分散液中の部分緻密化SiO2造粒粒子の少なくとも一部を破砕することで、SiO2造粒粒子の破砕物を含有するスリップを形成する方法工程と、
(e)該スリップを成形体へと成形し、分散液体を除去することで、グリーン密度ρGを有する多孔質SiO2素地を形成する方法工程と、
(f)該SiO2素地を焼結して、不透明石英ガラスとする方法工程と、
を含む、製造方法に関する。
独立気泡型の不透明石英ガラスの製造方法は、米国特許第4,042,361号明細書(US4,042,361A)から公知である。そこでは、合成石英ガラス粒を使用したスリップキャスト法に基づいた不透明石英ガラス製の石英ガラスるつぼの製造が記載されている。該石英ガラス粒は、熱分解法により製造され、ケイ素化合物の火炎加水分解に際して捕集粉塵として生ずるSiO2スートから製造されるが、その製造は、粉末状のSiO2スートから、まずは水中に混加して撹拌することによって、撹拌過程の方式および速度に応じて固体含量が30質量%から45質量%の間で変動するゲルを製造することによって行われる。ゲルの乾燥後に得られた破片を、1150℃から1500℃の間の温度で焼結することで、緻密な粗大石英ガラス粒が得られる。この緻密な粗大石英ガラス粒は、引き続き分散液体中で1μmから10μmの間の粒度へと微粉砕される。その際に生ずるスリップを、るつぼの型中に注ぎ込み、るつぼの縁に付着する薄層を乾燥させることで、多孔質素地が形成される。引き続き、該素地を、1800℃から1900℃の間の温度でガラス化させることで、石英ガラスるつぼが得られる。
(i)方法工程(b)の熱緻密化に際して、BET吸着測定により測定された0.025m2/gから2.5m2/gの範囲の比表面積BET(A)を有する部分緻密化SiO2造粒粒子が製造されること、および
(ii)方法工程(d)の破砕に際して、BET吸着測定により測定された4m2/gから10m2/gの範囲の比表面積BET(B)を有するSiO2造粒粒子の破砕物が製造されること、
によって解決される。
焼結に際しての結晶化は、焼結体の不良品につながることがある。不純物、特にアルカリ金属不純物が存在すると、石英ガラスの結晶化傾向が高まる。
合成により製造されたアモルファスSiO2造粒粒子からのスリップを使用した不透明石英ガラスの製造は、例えば冒頭で述べた先行技術から基本的には公知である。この場合には、完全にガラス化され、熱的に強化されたSiO2造粒粒子を含有する分散液から出発し、分散液の均質化に際して該分散液中で予め決められた粒度分布の変化が、できるだけわずかになるように努める。従って、スリップ中での造粒粒子の後々の破砕を省くこと、または湿式粉砕法を使用する場合には、できるだけ保護的な粉砕法を使用することが、多孔質造粒粒子の、SiO2ナノ粒子からなるその弱凝集体成分への破壊をできるだけ避けるために推奨される。
分散液中でSiO2造粒物を破砕することによって加工可能なスリップを製造するに際して、SiO2造粒物の「粉砕可能性」は、問題があることが判明する場合がある。
素地の乾燥後のグリーン密度は、成形工程に際してのスリップの固体含量と、部分緻密化されたSiO2造粒粒子の破砕物の局部的分布、比表面積およびその形態とによって決定的に決まり、このグリーン密度は更に、部分緻密化された造粒粒子の「粉砕可能性」および該造粒粒子の比表面積BET(B)によって決まる。特に、SiO2造粒粒子の粉砕可能性と、粉砕に際して事実上生ずる破片の分布および形態との連係により、十分に高い密度(グリーン密度ρG)およびグリーン強度を有する素地へと加工することができる加工可能なスリップが得られる。
個々の方法工程および上記詳細な説明の概念ならびに測定法を、以下で補足的に定義する。定義は、本発明の詳細な説明の一部である。以下の定義の1つとその他の説明との間に内容に関する矛盾がある場合には、詳細な説明の記載が優先される。
石英ガラスとは、本明細書においては、少なくとも90モル%のSiO2割合を有する高ケイ酸含有ガラスを表す。
積層造粒と圧縮造粒とが区別され、プロセス技術的には、湿式造粒法と、乾式造粒法と、凍結造粒法とが区別され得る。公知の方法は、皿型造粒機中での転動造粒、噴霧造粒、遠心噴霧造粒、流動層造粒、造粒粉砕機を使用した造粒法、圧縮造粒、ロール圧縮造粒、ブリケッティング、フレーク製造または押出造粒である。
造粒物または該造粒物から製造された圧縮体は、一般的に焼結前に洗浄される。主要不純物は、残留水(OH基)、炭素含有化合物、遷移金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属であり、それらは使用材料に由来するものであるか、または加工を通じて取り込まれたものである。純粋な使用材料を使用することと、相応の装置およびクリーンルーム条件下での処理とによって既に、低い不純物含量を達成することができる。更により高い純度要求を満たすためには、該造粒物または圧縮体は、高温(1200℃以下)で、塩素含有および酸素含有の雰囲気下で処理することができる。その際に残留水は蒸発し、有機材料は反応されてCOおよびCO2となり、そして多くの金属(例えば鉄および銅のような金属)は、揮発性の塩素含有化合物へと転化され得る。
「部分緻密化」とは、本明細書では、SiO2造粒物が800℃より高い温度で、動的な炉(例えば回転式管状炉)中か、または静的な炉(例えば室炉)中のいずれかで処理される温度処理を指す。この場合に、比表面積(BET)は低下し、それに対して嵩密度および平均粒度は、造粒粒子の弱凝集に基づき増加し得る。部分緻密化の度合いは、該温度処理の温度および時間によって決定される。
粒度および粒度分布は、D10値またはD90値に基づいて特徴付けられる。これらの値は、SiO2粒子の累積体積が粒度に対して示される粒度分布曲線から得られる。その場合に、D10値は、SiO2粒子の累積体積の10%に達しない粒度を表し、かつ相応してD90値は、SiO2粒子の累積体積の90%に達しない粒度を表す。粒度分布は、ISO 13320による散乱光とレーザー回折の分光測定によって測定される。
部分緻密化SiO2造粒物の破砕に際して、本来の造粒粒子の破片が生ずる。これらの破片は破断面を示し、そして一般的に少なくとも2のアスペクト比(「ストラクチャー比」とも呼ばれる)を有する裂けた非球形の形態を示す。「アスペクト比」とは、造粒物粒子破片の最大構造幅とその厚さとの比率を表す。従って少なくとも2のアスペクト比は、最大構造幅がその厚さよりも少なくとも2倍大きいことを意味する。
比表面積は、DIN66132に基づくブルナウアー、エメット、およびテラーの方法(BET法)による吸着測定に基づき測定され、測定されるべき表面でのガス吸着を基礎とする。
多孔質材料の「細孔容積」は、該材料内の中空空間が占有する自由容積を指す。細孔容積は、例えばポロシメータによって測定され、その際、濡らさない液体(例えば水銀のような液体)が、外圧の作用下で、対抗する表面張力に逆らって多孔質材料の細孔中へと圧入される。このために必要とされた力は、細孔サイズに反比例し、従って細孔全容積の他に、試料の細孔サイズ分布も測定することができる。水銀ポロシメトリーは、2nmより大きい細孔サイズ(メソ細孔およびマクロ細孔)しか把握しない。
グリーン強度は、セラミックプロセスのために重要な、未焼結の素地の構成部材安定性および加工可能性の評価のための値である。グリーン強度は、標準化された研究用試験片に基づきISO 3995:1985に従って3点曲げ試験において測定される。この場合に、個々の試験体は、試験装置中で一定の進行速度で破断が生ずるまで変形され、その際に加えられた力を測定セルによって測定する。この力から、矩形の断面から換算した後に、それぞれの強度値(単位:MPa=106N/mm2)が得られる。
火炎加水分解バーナーを使用して合成石英ガラスの製造を行うが、このバーナーには、酸素および水素がそれぞれ燃焼ガスとして、ならびにSiO2の合成のための使用材料として導入される。この場合に、SiO2スート粒子が、ナノメートル範囲の粒度を有するSiO2一次粒子の弱凝集体(アグロメレート)または強凝集体(アグリゲート)の形で形成される。SiO2スート粒子は、例えば円柱長軸の周りで回転するキャリア管の円筒側面上に堆積されるので、スート体は層状に構成される。SiO2スート粒子の一部は、吸引を介してフィルタ装置に至り、いわゆる「スートダスト」として発生する。この熱分解により製造された高純度のSiO2スート材料は、100nm未満の粒度で存在し、一般的に100m2/gより大きい比表面積(BETによる)および約0.1kg/lの嵩密度を有する。この材料は、この方法では、SiO2造粒物の製造のために使用される。
この場合に、高純度の熱分解により製造されたSiO2スートダストを脱イオン水中に分散させ、その分散液から通常の噴霧造粒に基づいて合成SiO2造粒物を製造する。SiO2造粒粒子は、個々の球状のSiO2一次粒子の弱凝集体として存在する。SiO2一次粒子の弱凝集体は緩いので、軽い機械的圧力で磨りつぶせ、破砕することができる。SiO2一次粒子の間に開いた細孔通路が形成されている。
D10(A)=110μmおよびD90(A)=280μm。
SiO2造粒物を引き続き、動的または静的のいずれかで熱的に予備緻密化する。
10kgの基本スリップ(1)(SiO2と水のスリップ)の1つのバッチのために、石英ガラスでライニングされた内容量約20リットルの転動ミル中で、8.2kgのアモルファスの合成石英ガラス粒(2)を、3μS未満の伝導度を有する1.8kgの脱イオン水(3)と混合する。
スリップ(5)を、工業用加圧キャスト装置の加圧キャスト型中に注ぎ込み、多孔質のプラスチック膜を通じて脱水して、多孔質素地(6)を形成する。素地(6)は、ウェハの処理用のRTP反応器のためのリング形フランジの形状を有している。
半製品(7)の焼結のために、該半製品を、焼結炉中で空気中、1時間以内に1350℃の加熱温度に加熱し、この温度で5時間保持する。冷却は、炉を閉じたまま、1000℃の炉内温度までは1℃/分の冷却勾配で、そしてその後に制御せずに行われる。
Claims (14)
- 細孔を含む不透明石英ガラスの製造方法であって、
(a)合成により製造されたアモルファスSiO2一次粒子の弱凝集によって、多孔質SiO2造粒粒子を製造する方法工程と、
(b)前記SiO2造粒粒子を熱緻密化することで、部分緻密化SiO2造粒粒子を形成する方法工程と、
(c)分散液体と前記分散液体中に分散された部分緻密化SiO2造粒粒子とを含有する分散液を形成する方法工程と、
(d)前記分散液中の部分緻密化SiO2造粒粒子の少なくとも一部を破砕することで、SiO2造粒粒子の破砕物を含有するスリップを形成する方法工程と、
(e)前記スリップを成形体へと成形し、前記分散液体を除去することで、グリーン密度ρGを有する多孔質SiO2素地を形成する方法工程と、
(f)前記多孔質SiO2素地を焼結して、不透明石英ガラスとする方法工程と、
を含む、製造方法において、
(i)方法工程(b)の熱緻密化に際して、BET吸着測定により測定して0.025m2/gから2.5m2/gの範囲の比表面積BET(A)を有する部分緻密化SiO2造粒粒子を製造すること、および
(ii)方法工程(d)の破砕に際して、BET吸着測定により測定して4m2/gから10m2/gの範囲の比表面積BET(B)を有するSiO2造粒粒子の破砕物を製造すること、
を特徴とする前記製造方法。 - 前記熱緻密化に際して、BET吸着測定により測定して0.8m2/g未満の比表面積を有するSiO2造粒粒子を製造することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記方法工程(d)による破砕の前に、部分緻密化SiO2造粒粒子がBET吸着測定によって測定して0.25m2/g以下のミクロ細孔比表面積、有利には0.1m2/g以下のミクロ細孔比表面積を有するように、800℃から1300℃までの範囲の温度でSiO2造粒粒子を部分緻密化することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- SiO2造粒粒子の破砕物が、5μm未満のD10値D10(B)および50μm未満のD90値D90(B)によって定義される最終的な粒度分布を有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記分散液中のSiO2造粒粒子が、15μm超のD10値D10(A)および105μm超のD90値D90(A)によって定義される当初の粒度分布で分散されていることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 5μmより大きい粒度を有するSiO2粒子の少なくとも80%が、裂けた形態を有することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 5μmより大きい粒度を有するSiO2粒子の少なくとも90%が、裂けた形態を有することを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 成形体へと成形されるときのスリップが、少なくとも70%の、好ましくは少なくとも75%の質量割合でSiO2粒子を含有することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 成形体へと成形されるときのスリップが、5μm未満の粒度で1回目の極大を有し、20μmより大きい粒度で2回目の極大を有する多峰性の粒度分布を有することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 0.7g/cm3から1g/cm3までの範囲の嵩密度を有するSiO2造粒粒子を製造することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記部分緻密化を、塩素含有雰囲気下で行うことを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法工程(e)により成形体へと成形される前のスリップを、真空に曝すことを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
- SiO2素地のグリーン密度を、1.6g/cm3≦ρG≦1.9g/cm3の範囲の値の値ρGに調整することを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法工程(a)による造粒粒子の製造を、噴霧造粒によって行うことを特徴とする、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。
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