JP2017208387A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・第1ガス:CH4ガス
・第2ガス:CF4ガス又はCH2F2ガス
・酸素原子含有ガス:O2ガス
・第1誘電体膜IL1:窒化シリコン
・第2誘電体膜IL2:酸化シリコン
・第1高周波電源62の高周波電力:500〜5000W
・第1高周波電源62の高周波電力の周波数:27〜100MHz
・第2高周波電源64の高周波電力:1000〜20000W
・第2高周波電源64の高周波電力の周波数:0.4〜13MHz
・処理容器12内の圧力:1.33〜13.3Pa(10〜100mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−20℃〜−70℃
・ウエハWの温度:−20℃〜−40℃
・高周波電力のONとOFFのパルス周波数:1〜40kHz
・一周期において高周波電力がONの期間が占めるデューティー比:50〜90%
以下、方法MTを用いて行った実施例及び比較例について説明する。
酸化シリコンのエッチングレートとウエハ温度との関係を測定した。実施例では、図2に示したウエハWに対して、プラズマ処理装置10を用いた。チラーユニット26の冷媒の温度を−40℃から−70℃の範囲で変化させることで、ウエハ温度を−15℃から−40℃の範囲で変化させた。そして、下記のプロセス条件で酸化シリコンのエッチングレートを測定した。この測定では、炭素を制御せずに酸化シリコンのエッチングレートとウエハ温度との関係の傾向を把握した。
・第1ガス:H2:130sccm
・第2ガス:CF4:35sccm
・酸素原子含有ガス:無
・第1誘電体膜IL1:窒化シリコン
・第2誘電体膜IL2:酸化シリコン
・第1高周波電源62の高周波電力:2500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
上述したエッチング温度依存性と同一の条件で、酸化シリコン及び窒化シリコンのエッチングレートとチラーユニット26の冷媒の温度との関係を測定した。結果を図10に示す。図10の横軸はチラーユニット26の冷媒の温度、縦軸は酸化シリコンのエッチングレートである。図10に示されるように、酸化シリコンは冷媒の温度が下がるほど(ウエハ温度が下がるほど)エッチングレートが増加する。しかしながら、窒化シリコンは冷媒の温度が下がるほど(ウエハ温度が下がるほど)エッチングレートが低下することが確認された。このように、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との多層膜をエッチングする場合、窒化シリコン膜のエッチングではウエハWの温度を低温環境下の中でも比較的高く(例えば−20℃)に設定し、酸化シリコン膜のエッチングではウエハWの温度を低温環境下の中でも比較的低く(−40℃〜−60℃)に設定することで、多層膜全体のエッチングレートを向上させることができることが確認された。
酸化シリコンエッチングレートの炭素原子比率依存性を確認するために、炭素原子を含むCH4をH2/CF4に加えて酸化シリコンのエッチングレートを確認した。試料は、単層の酸化シリコン膜とした。プロセス条件は以下のとおりである。
・第1ガス:H2ガス
・第2ガス:CF4ガス:流量一定
・H2/CF4体積流量比×100%:0〜150
・酸素原子含有ガス:無
・添加ガス:CH4ガス
・CH4/CF4体積流量比×100%:0〜50
・第1高周波電源62の高周波電力:2500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃
上述した酸化シリコンのエッチングレートの炭素原子比率依存性と同一条件で、ポリシリコンのエッチングレートを確認した。結果を図12に示す。図12は、ポリシリコンのエッチングレートとH2ガス及びCF4ガスの体積流量比との関係を、CH4とCF4との体積流量比を変化させて測定した結果を示すグラフであり、図11と同一の手法でプロットしたグラフである。図12に示されるように、処理ガス中の炭素原子が増加すると、ポリシリコンのエッチングレートは低下し、酸化シリコンのエッチングとは異なることが確認された。このように、エッチング対象の材料に応じて炭素原子を制御する必要があることが確認された。
酸化シリコンのエッチングレートと処理ガスに含まれるO2の体積流量比との関係を測定した。プロセス条件は以下のとおりである。なお、ガスの流量については、CH4及びCF4の合計体積流量を100として規格化した。
・第1ガス:CH4ガス:流量一定(35(a.u))
・第2ガス:CF4ガス:流量一定(65(a.u))
・酸素原子含有ガス:O2ガス:0(a.u)、5(a.u)、10(a.u)、50(a.u)
・第1誘電体膜IL1:窒化シリコン
・第2誘電体膜IL2:酸化シリコン
・第1高周波電源62の高周波電力:2500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃
・第1ガス:CH4ガス
・第2ガス:CF4ガス
・酸素原子含有ガス:O2ガス:CH4及びCF4の合計体積流量に対して0、5%、10%
・第1高周波電源62の高周波電力:2500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃
酸化シリコンのエッチングレートと、処理ガスに含まれる水素原子数/炭素原子数の比率との関係、及び、酸化シリコンのエッチングレートと、処理ガスに含まれるフッ素原子数/炭素原子数の比率との関係を測定した。試料は、単層の酸化シリコン膜とした。プロセス条件は以下のとおりである。
・第1ガス:CH4ガス
・第2ガス:CF4ガス
・酸素原子含有ガス:無し
・第1高周波電源62の高周波電力:2500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃
酸化シリコンのエッチングレートと、処理ガスに含まれる酸素原子数/炭素原子数の比率との関係を測定した。試料は、単層の酸化シリコン膜とした。プロセス条件は以下のとおりである。
・第1ガス:CH4ガス:50sccm
・第2ガス:CF4ガス:50sccm
・酸素原子含有ガス:O2ガス:0〜100sccm
・第1高周波電源62の高周波電力:2500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃
低温環境下及び室温環境下において、酸化シリコンのエッチングレートとHFパワーとの関係を測定した。試料は、単層の酸化シリコン膜とした。プロセス条件は以下のとおりである。
・第1ガス:H2ガス:150sccm
・第2ガス:CF4ガス:100sccm
・酸素原子含有ガス:無し
・第1高周波電源62の高周波電力:500W、2500W
・第1高周波電源62の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・第2高周波電源64の高周波電力:0W、4000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃、25℃
・第1ガス:H2ガス:130sccm
・第2ガス:CF4ガス:35sccm
・酸素原子含有ガス:無し
・第1高周波電源62の高周波電力:500W
・第2高周波電源64の高周波電力:0W
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−60℃、25℃
結果を図20に示す。図20の横軸は深さ/ネッキングCD比、縦軸は堆積物の堆積レートである。図20に示されるように、チラーユニット26の冷媒の温度が−60℃の場合は、チラーユニット26の冷媒の温度が25℃の場合と比べて、堆積物の成長が速いことが確認された。つまり、低温環境下において第2高周波電源64のオフ時間を短くできることが示唆された。
プラズマ生成用の高周波HFをオン/オフのパルス変調で出力し(図5の第2パターン)、低温環境下においてエッチングレートを測定した。同様に、プラズマ生成用の高周波HFをハイ/ロウのパルス変調で出力し(図5の第1パターン)、低温環境下においてエッチングレートを測定した。プロセス条件は以下のとおりである。
・第1ガス:H2ガス:150sccm
・第2ガス:CF4ガス:35sccm
・酸素原子含有ガス:無し
・第1誘電体膜IL1:窒化シリコン
・第2誘電体膜IL2:酸化シリコン
・マスクMSK:ポリシリコン
・第1高周波電源62の高周波電力:100W、2500W
・第1高周波電源62の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・第2高周波電源64の高周波電力:12000W
・第2高周波電源64の高周波電力のパルス周波数:5kHz
・処理容器12内の圧力:7.9Pa(60mT)
・チラーユニット26の冷媒の温度:−70℃
Claims (7)
- 被処理体に対するプラズマ処理によって、酸化シリコンから構成された領域をエッチングするエッチング方法であって、
処理容器内に前記被処理体を準備する準備工程と、
前記被処理体の温度を−20℃以下に制御する冷却工程と、
前記処理容器内に水素原子、フッ素原子、炭素原子及び酸素原子を含有する処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマを用いて前記領域をエッチングするエッチング工程と、
を含み、
前記処理ガスは、それぞれ異なる第1ガス、第2ガス及び酸素原子含有ガスを混合したガスであり、
前記第1ガス及び前記第2ガスを混合したガスは、水素原子、フッ素原子及び炭素原子を含み、
前記第1ガス及び前記第2ガスは、水素原子及びフッ素原子の少なくとも一方を含み、
前記第1ガスに含有される水素原子数とフッ素原子数との比は、前記第2ガスに含有される水素原子数とフッ素原子数との比とは異なる、
エッチング方法。 - 前記処理ガスは、含有炭素原子数に対する含有酸素原子数の割合が0より大きく1以下である請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスは、含有炭素原子数に対する含有水素原子数の割合が0より大きく2.8以下である請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスは、含有炭素原子数に対する含有フッ素原子数の割合が1.2以上4.0以下である請求項1〜3の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記第1ガスはH2ガスであり、前記第2ガスはCxHyFzガス(x、y及びzは自然数)、CxHyFzOHガス(x、y及びzは自然数)又はCxFyガス(x及びyは自然数)であり、前記酸素原子含有ガスは、O2ガス、COガス、CO2ガス又はCOSガスである請求項1〜4の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記第1ガスはCxHyガス(x及びyは自然数)であり、前記第2ガスはCxHyFzガス(x、y及びzは自然数)、CxHyFzOHガス(x、y及びzは自然数)、CxFyガス(x及びyは自然数)又はNF3ガスであり、前記酸素原子含有ガスは、O2ガス、COガス、CO2ガス又はCOSガスである請求項1〜4の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング工程は、前記プラズマを生成するための第1高周波電源によりパルス状の電力が印加されるとともに、前記プラズマから前記領域へイオンを引き込むための第2高周波電源によりパルス状の電力が印加される工程を含み、
前記第1高周波電源は、ハイレベルとなる第1期間及びロウレベルとなる第2期間が周期的に連続するパルス状の電力を出力し、
前記第2高周波電源は、オンレベルとなる第3期間及びオフレベルとなる第4期間が周期的に連続するパルス状の電力を出力し、
前記第1期間と前記第3期間とが同期し、前記第2期間と前記第4期間とが同期する、
請求項1〜4の何れか一項に記載のエッチング方法。
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