JP2017168703A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リードの、不要な変形を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、一方のインナーリード１１３と他方のインナーリード１１４の延在方向の端部との間を接続する配線部１１５と、を備え、一方のインナーリード１１３の延在方向の端部と配線部１１５との間の接続部が幅方向の端部よりも内側の領域に凹部１１６ａを有するリードフレームを、一方のインナーリード１１３を押さえつつリードフレームの凹部１１６ａが形成された一方の面と反対側の他方の面から配線部に押圧部材５３を押し当てて変形させ、凹部１１６ａを基点として一方のインナーリード１１３の延在方向の端部と配線部１１５との接続部をせん断するとともに配線部１１５を端部から離間させる工程を具備する。
【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。

アウターリードとインナーリードとを含むリードと半導体チップとを具備する半導体装置では、半導体チップの電極パッドとインナーリードとの間をボンディングワイヤにより電気的に接続する。このため、電極パッドとアウターリードとの間の距離が長くなるほどインナーリードをアウターリードから電極パッド付近まで長く延在させる必要がある。

長いインナーリードは、半導体装置の製造過程において変形しやすい。インナーリードが変形すると、例えばインナーリードから半導体チップが剥がれやすくなる場合がある、またはワイヤボンディング時にボンディングワイヤとインナーリードとの間で接続不良が生じる場合がある。

米国特許出願公開第２０１０／００２９０４３号明細書 特許５５７５０６７号明細書

本発明が解決しようとする課題は、リードの不要な変形を抑制することである。

実施形態の半導体装置の製造方法は、第１のアウターリードと第１のアウターリードから延在する第１のインナーリードとを含む第１のリードと、第２のアウターリードと第２のアウターリードから延在する第２のインナーリードとを含む第２のリードと、第２のインナーリードと第１のインナーリードの延在方向の端部との間を接続する配線部と、第１のアウターリードおよび第２のアウターリードに接続された支持部と、を備え、第１のインナーリードの延在方向の端部と配線部との間の接続部が幅方向の端部よりも内側の領域に第１の凹部を有するリードフレームを第１のインナーリードを押さえつつリードフレームの第１の凹部が形成された一方の面と反対側の他方の面から配線部に押圧部材を押し当てて変形させ、第１の凹部を基点として第１のインナーリードの延在方向の端部と配線部との接続部をせん断するとともに配線部を端部から離間させ、第１の電極パッドと第２の電極パッドとを備える半導体チップをリードフレームの他方の面上に接着層を介して搭載し、第１の電極パッドと第１のリードとを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと第２の電極パッドと第２のリードとを電気的に接続する第２のボンディングワイヤとを形成し、第１のインナーリード、第２のインナーリード、配線部、半導体チップ、第１のボンディングワイヤ、および第２のボンディングワイヤを封止する封止樹脂層を形成し、支持部と第１のアウターリードおよび第２のアウターリードとの間の接続部を切断する工程、を具備する。

リードフレームの構造例を示す上面模式図である。 リードフレームの一部を示す模式図である。 リードフレーム加工工程を説明するための断面模式図である。 リードフレーム加工工程を説明するための断面模式図である。 リードフレーム加工工程後のリードフレームの一部を示す模式図である。 半導体装置の構造例を示す上面模式図である。 半導体装置の一部を示す上面模式図である。 半導体装置の一部の構造例を示す断面模式図である。

以下、実施形態について、図面を参照して説明する。図面に記載された各構成要素の厚さと平面寸法との関係、各構成要素の厚さの比率等は現物と異なる場合がある。また、実施形態において、実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し適宜説明を省略する。

半導体装置の製造方法例としてＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋｅａｇｅ：ＴＳＯＰ）である半導体装置の製造方法例について図１ないし図８を参照して説明する。半導体装置の製造方法例は、リードフレーム準備工程と、リードフレーム加工工程と、チップ搭載工程と、ワイヤボンディング工程と、樹脂封止工程と、外装めっき工程と、トリムアンドフォーミング（Ｔ／Ｆ）工程と、を具備する。各工程の順番は、上記列挙順に限定されない。

図１は、リードフレームの構造例を示す上面模式図である。図１はＸ軸とＸ軸に直交するＹ軸とを含むリードフレームのＸ−Ｙ平面を示している。

リードフレーム準備工程では、図１に示すように、複数のリード１１と複数のリード１１を支持する支持部１２とを有するリードフレーム１を準備する。リードフレーム１は、半導体チップ等の素子が搭載される金属板である。リードフレーム１としては、例えば銅、銅合金、または４２アロイ等の鉄およびニッケルの合金等を用いたリードフレームが挙げられる。リードフレーム１は、打ち抜き加工等により予め加工されている。

複数のリード１１のそれぞれは、アウターリードと当該アウターリードから延在するインナーリードとを含む。インナーリードは、樹脂封止工程後に封止樹脂層に支持される部分である。インナーリードにおいて、リードフレーム１の上面側のワイヤボンディングを行う領域には銀等のめっき層が設けられている。アウターリードは、樹脂封止工程後に封止樹脂層から突出する部分である。複数のリード１１のアウターリードのそれぞれは、例えばＹ軸に沿ってＸ−Ｙ平面に並置されている。

複数のリード１１としては、例えば入出力信号（ＩＯ）、データストローブ信号（ＤＱＳ）、リードイネーブル信号（ＲＥ）、レディービジー信号（ＲＢ）、チップイネーブル信号（ＣＥ）、アドレスラッチイネーブル信号（ＡＬＥ）、ライトイネーブル信号（ＷＥ）、ライトプロテクト信号（ＲＰ）、またはゼロクオーシェント信号（ＺＱ）等の信号用リード、または電源（ＶＣＣ）、電源（ＶＰＰ）、電源（ＶＳＳ）等の電源用リード等が挙げられる。上記信号として差動信号が用いられてもよい。複数のリード１１の少なくとも一つは、未接続（ＮＣ）のリードであってもよい。各種リードの並び順は半導体装置の規格や仕様等に応じて設定される。

支持部１２は、複数のリード１１を囲むように設けられている。支持部１２は、複数のリード１１のアウターリードの一端のそれぞれに連結されている。なお、支持部１２は、複数のリード１１の他に別の半導体装置に用いられるリードを支持していてもよい。

図２は、リードフレーム１の下面側から見たときの図１に示すリードフレームの一部（領域１００の一部）を示す模式図である。図２では、リードフレーム１の下面が上面側に図示され、リードフレーム１の上面が下面側に図示されている。図２におけるＺ軸は、Ｘ軸およびＹ軸に直交し、リードフレーム１の厚さ方向に相当する。図２では、複数のリード１１のインナーリードとして、インナーリード１１１と、インナーリード１１２と、インナーリード１１３と、インナーリード１１４と、を図示している。

インナーリード１１１およびインナーリード１１２は、例えば入出力信号（ＩＯ）またはデータストローブ信号（ＤＱＳ）用リードである。インナーリード１１３およびインナーリード１１４は、例えば電源（ＶＳＳ）用リードである。このとき、インナーリード１１１とインナーリード１１２との間にインナーリード１１３が設けられることによりインナーリード１１１の信号とインナーリード１１２の信号との間の干渉を抑制することができる。

図１に示すリードフレームは、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向の端部とインナーリード１１４の一部とを接続する配線部１１５を有する。すなわち、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３は、支持部１２および配線部１１５により固定されている。配線部１１５の形状は、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３とインナーリード１１４とを接続することができる形状であれば特に限定されない。また、配線部１１５をインナーリード１１４の一部とみなしてもよい。

インナーリード１１１ないしインナーリード１１４および配線部１１５は、リードフレーム１の上面側（図２の下面側）に設けられためっき層２０を有する。めっき層２０は、例えば銀等を含むめっき材料を用いためっき処理により形成される。めっき層２０は、後述するワイヤボンディングの際にインナーリード１１１ないしインナーリード１１４とボンディングワイヤとの間の接合強度を確保するために、または半導体チップとの接続抵抗を小さくするためにワイヤボンディングを行う領域に設けられる。

インナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向（Ｙ軸方向）の端部と配線部１１５との接続部は、リードフレーム１の上面側に凹部（ノッチ）１１６ａを有する。凹部１１６ａは、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３のそれぞれの幅方向（Ｘ軸方向）の端部よりも内側の領域に設けられている。

インナーリード１１４と配線部１１５との接続部は、リードフレーム１の上面側に凹部（ノッチ）１１６ｂを有する。図２に示す凹部１１６ｂは、インナーリード１１４の幅方向の一端から他端まで延在しているがこれに限定されず、凹部１１６ａと同様にインナーリード１１４と配線部１１５との接続部の幅方向の端部よりも内側の領域に設けられていてもよい。また、凹部１１６ｂは、複数設けられていてもよい。

図２において凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂは、Ｙ―Ｚ平面を含む断面においてＶ字形状を有するが他の形状であってもよい。また、凹部１１６ｂのリードフレーム１の厚さ方向の深さは、凹部１１６ａのリードフレーム１の厚さ方向の深さよりも浅いことが好ましい。

凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂは、例えばコイニング加工、レーザ加工、またはブレード加工等により形成される。凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂは、打ち抜き工程の前に形成されることが好ましい。打ち抜き加工の後に凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂを形成するとリードフレーム１に不要な変形が生じる場合がある。

凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂは、リードフレーム１の下面側、すなわちめっき層２０を有する面の反対側の面に設けられる。めっき層２０は、凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂを形成した後に形成される。このため、凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂを有する面にめっき層２０を形成すると、凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂにめっき材料が堆積し、電界集中等により信頼性が低下する場合がある。

図３および図４は、リードフレーム加工工程を説明するための断面模式図である。図３および図４は、リードフレーム１のＹ軸とＺ軸とを含むＹ−Ｚ断面を示している。図３および図４では、一例としてインナーリード１１３を含む断面を図示している。

リードフレーム加工工程では、凹部５１ａを有するステージ５１上に凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂを下側（ステージ５１側）にしてリードフレーム１を載置し、配線部１１５の両端を押さえ部材５２で押さえる。このとき、配線部１１５を凹部５１ａに重畳させる。

次に、押圧部材５３をＺ軸に沿ってステージ５１側に下降させ、押圧部材５３をリードフレーム１の凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂが形成された一方の面の反対側の他方の面から配線部１１５に押し当てて配線部１１５の少なくとも一部を変形させ、インナーリード１１３の延在方向の端部と配線部１１５との間の接続部を凹部１１６ａを基点としてせん断する。凹部１１６ａを有する部分は、他の領域よりもせん断されやすい。また、凹部１１６ａがインナーリード１１３の幅方向の端部よりも内側に設けられているため、凹部１１６ａがインナーリード１１３の幅方向の端部まで延在する場合と比較してせん断によるバリの発生が抑制される。

配線部１１５は、凹部１１６ｂを基点にインナーリード１１３の延在方向の端部から離間するように曲げられる。凹部１１６ｂを有する部分は、他の領域よりも曲げやすい。よって、不要な変形を抑制することができる。

図５は、リードフレーム１の上面側から見た変形後の領域１００の構造例を示す模式図である。図５では、リードフレーム１の上面が上面側に図示され、リードフレーム１の下面が下面側に図示されている。

接続部のせん断後の配線部１１５は、インナーリード１１４に接続された第１の端部と、Ｘ−Ｙ平面に垂直な方向（Ｚ軸方向）から見たときにインナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向の端部に隣り合う第２の端部とを有する。第２の端部は、Ｙ−Ｚ断面に垂直な方向から見たときにインナーリード１１４の厚さ方向を含む断面に沿ってインナーリード１１１ないしインナーリード１１３と離間するように凹部１１６ｂを基点として所定方向に曲げられている。

インナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向の端部および配線部１１５の第２の端部のそれぞれは、凹部１１６ａをせん断することにより幅方向の端部よりも内側の領域に凹部１１７を有する。変形後の配線部１１５の形状は特に限定されないが、図５に示すように配線部１１５がインナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向に平行な領域を有していてもよい。以上の工程により、インナーリード１１１の一部ないしインナーリード１１４の一部を互いに分離させる。同様に他の連結されたインナーリードの一部も上記工程により互いに分離させる。

インナーリード１１１ないしインナーリード１１３と配線部１１５との間の接続部を薄くすることにより、せん断に必要な荷重を小さくすることができる。これにより、押圧部材５３として、チップ搭載工程で半導体チップを搭載する際に用いられるダイボンディング装置に設けられた複数のボンディングヘッドの一つを適用することができる。

インナーリード１１１ないしインナーリード１１４を電気的に分離するには、上記接続部の一部を打ち抜き加工にて除去する方法が考えられる。打ち抜き加工で上記接続部の一部を除去する場合、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３のうちの１本に必要なせん断箇所は２箇所以上である。よって、打ち抜きに必要な荷重は上記接続部のせん断に必要な荷重よりも大きい。このため、打ち抜き加工をするためには、上記接続部をせん断する機構とは別により高い荷重を与えることができる押圧機構を設ける必要がある。よって、加工装置の構成が複雑になる。また、打ち抜き加工すると、リードフレームの一部を打ち抜く際に屑（除去した部分）が発生する。リードの屑は、製造環境の汚染源となる上、リードの屑を排出するための機構が必要となるため、発生しない方が好ましい。

打ち抜き加工でリードフレームを加工する場合、加工後にダイボンディング装置までリードフレームを搬送して半導体チップを搭載するため、搬送中にリードが変形しやすい。よって、複数のリードを固定する固定テープを設ける必要がある。固定テープは、水分を吸収しやすいため、リードや後に設けられる半導体チップを封止する樹脂から剥がれやすい。また、固定テープを有しているとリードフレームが実質的に厚くなる。このため、収容ケースに収容可能なリードフレーム数が減少するため、輸送コストが増大する。さらに、固定テープは、デンドライト状のマイグレーションが起こりやすい。マイグレーションが起こるとリード間の短絡等が起こる場合がある。

これに対し、ダイボンディング装置を用いて上記接続部をせん断するとともに各インナーリードの一部を分離させる場合、リードフレーム加工工程後に同じダイボンディング装置を用いて半導体チップを搭載することができる。よって、リードフレームの搬送を少なくすることができる。これにより、固定テープを設けなくてもリードの不要な変形を抑制することができる。また、固定テープの材料費および加工費が削減され、製造コストを削減することができる。さらに、配線部を残存させて各インナーリードの一部を分離させることができるため、打ち抜き加工よりもリードの屑を少なくすることができる。

図６は、上記半導体装置の製造方法例を用いて製造可能な半導体装置の構造例を示す上面模式図である。図６は、半導体装置のＸ−Ｙ平面を示している。図７は、リード１１の上面側から見た図６に示す半導体装置の一部（領域１０１の一部）を示す上面模式図である。図８は、図６に示す半導体装置の一部（領域１０１の一部）の断面模式図である。図８は、一例としてインナーリード１１３を含む断面を示している。なお、図７および図８では、便宜のため封止樹脂層４の内部を透過させて図示している。図１ないし図５と共通部分については図１ないし図５の説明を適宜援用する。

チップ搭載工程では、インナーリード１１１ないしインナーリード１１４等の複数のリード１１のインナーリード上に半導体チップ２を搭載する。半導体チップ２は、図７に示すように電極パッド２１１ないし電極パッド２１５を含む複数の電極パッド２１を有する。複数の電極パッド２１は、半導体チップ２の表面に露出している。複数の電極パッド２１は、半導体チップ２の一辺に沿って設けられていてもよい。半導体チップ２の一辺に沿って複数の電極パッド２１を設けることにより、チップサイズを小さくすることができる。半導体チップ２としては、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等のメモリ素子やメモリコントローラ等に用いられる半導体チップが挙げられる。

半導体チップ２は、例えばインナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向の端部と配線部１１５との間の接続部のせん断に用いられるダイボンディング装置を用いて搭載される。

半導体チップ２は、押圧部材５３と異なる複数のボンディングヘッドの他の一つによりインナーリード１１１ないしインナーリード１１４上に搭載される。半導体チップ２は、絶縁性を有するダイアタッチフィルム等の有機接着層６を介してインナーリード１１１ないしインナーリード１１４等の複数のリード１１のインナーリードにおける、凹部１１６ａおよび凹部１１６ｂが形成された一方の面の反対側の他方の面に搭載される。このとき、複数のリード１１のインナーリードは有機接着層６に接着される。これにより、複数のリード１１のインナーリードが固定されるため、その後の工程においてリードの不要な変形を抑制することができる。

半導体チップ２は、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３と配線部１１５との間の接続部をせん断した後に搭載されることが好ましい。半導体チップを搭載した後に上記接続部をせん断すると、半導体チップにダメージが与えられる場合がある。例えばリードフレーム１をダイボンディング装置に配置（ロード）した後、接続部をせん断する。その後、ダイボンディング装置からリードフレーム１を除去（アンロード）することなく、後述する半導体チップ２をリードフレーム１へ搭載する。半導体チップ２の搭載後、リードフレーム１はダイボンディング装置から除去（アンロード）され、後の工程、例えば後述のワイヤボンディング工程が実行される。

ワイヤボンディング工程では、複数の電極パッド２１と複数のリード１１との電気的に接続する複数のボンディングワイヤ３を形成する。図７では、インナーリード１１１と電極パッド２１１とをめっき層２０を介して電気的に接続するボンディングワイヤ３１と、インナーリード１１２と電極パッド２１２とをめっき層２０を介して電気的に接続するボンディングワイヤ３２と、インナーリード１１３と電極パッド２１３とをめっき層２０を介して電気的に接続するボンディングワイヤ３３と、インナーリード１１４と電極パッド２１４とをめっき層２０を介して電気的に接続するボンディングワイヤ３４と、インナーリード１１４と電極パッド２１５とをめっき層２０を介して電気的に接続するボンディングワイヤ３５と、を図示している。

ボンディングワイヤ３としては、例えば金ワイヤ、銀ワイヤ、銅ワイヤ等が挙げられる。銅ワイヤの表面がパラジウム膜により覆われていてもよい。ボンディングワイヤ３は、ワイヤボンディングによりリードおよび電極パッドに電気的に接続される。

樹脂封止工程では、インナーリード１１１ないしインナーリード１１４等の複数のリード１１のインナーリード、半導体チップ２、およびボンディングワイヤ３１ないしボンディングワイヤ３５等の複数のボンディングワイヤ３を封止する封止樹脂層４を形成する。封止樹脂層４は、複数のリードのインナーリードの上面および下面を覆うように設けられている。また、封止樹脂層４は、図８に示すようにインナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向の端部と配線部１１５との間にも充填されている。

封止樹脂層４は、ＳｉＯ_２等の無機充填材を含有する。また、無機充填材は、ＳｉＯ_２に加え、例えば水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化チタン、またはチタン酸バリウム等を含んでいてもよい。無機充填材は、例えば粒状であり、封止樹脂層４の粘度や硬度等を調整する機能を有する。封止樹脂層４中の無機充填材の含有量は、例えば６０％以上９０％以下である。封止樹脂層４としては、例えば無機充填材と絶縁性の有機樹脂材料との混合物を用いることができる。有機樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。

封止樹脂層４の形成法としては、例えば無機充填材と有機樹脂等との混合物を用いた、トランスファモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法、シートモールド法、または樹脂ディスペンス法等が挙げられる。

めっき工程では、複数のリード１１の表面にめっき加工を施す。例えば錫等を含むはんだ材料を用いて電解めっき等のめっき加工が行われる。めっき加工を施すことにより、例えば複数のリード１１の酸化を抑制することができる。

トリムアンドフォーミング（Ｔ／Ｆ）工程は、複数のリード１１と支持部１２との間の接続部を切断して半導体装置１０を切り出す工程（トリム工程）と、複数のリード１１のアウターリードを半導体装置１０の最終形状に合わせて変形させる工程（フォーミング工程）と、を含む。

以上の工程により半導体装置１０を製造することができる。半導体装置１０は、図６ないし図８に示すように、アウターリードとアウターリードから延在するインナーリードとをそれぞれ含む複数のリード１１と、複数のリード１１上（例えばインナーリード１１４の曲げられた所定方向と反対側の面の少なくとも一部の上）に有機接着層６を介して搭載され、複数の電極パッド２１を有する半導体チップ２と、複数の電極パッド２１と複数のリード１１とを接続する複数のボンディングワイヤ３と、複数のリード１１のインナーリード、半導体チップ２、および複数のボンディングワイヤ３を封止する封止樹脂層４と、を具備する。また、インナーリード１１１ないしインナーリード１１３の延在方向の端部および当該端部に隣り合う配線部１１５の第２の端部のそれぞれは、せん断された凹部１１６ａの一部である凹部１１７を有する。なお、半導体チップ２は、図８に示す半導体チップ２の搭載面と反対側の複数のリード１１の面に搭載されていてもよい。また、図６ないし図８に示す半導体装置１０は、ＴＳＯＰであるが、他のパッケージ構造を有していてもよい。

上記実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…リードフレーム、２…半導体チップ、３…ボンディングワイヤ、４…封止樹脂層、６…有機接着層、１０…半導体装置、１１…リード、１２…支持部、２０…めっき層、２１…電極パッド、３１〜３５…ボンディングワイヤ、５１…ステージ、５１ａ…凹部、５２…押さえ部材、５３…押圧部材、１００…領域、１０１…領域、１１１〜１１４…インナーリード、１１５…配線部、１１６ａ…凹部、１１６ｂ…凹部、２１１〜２１５…電極パッド。

Claims (5)

1. 第１のアウターリードと前記第１のアウターリードから延在する第１のインナーリードとを含む第１のリードと、第２のアウターリードと前記第２のアウターリードから延在する第２のインナーリードとを含む第２のリードと、前記第２のインナーリードと前記第１のインナーリードの延在方向の端部との間を接続する配線部と、前記第１のアウターリードおよび前記第２のアウターリードに接続された支持部と、を備え、前記第１のインナーリードの延在方向の端部と前記配線部との間の接続部が幅方向の端部よりも内側の領域に第１の凹部を有するリードフレームを前記第１のインナーリードを押さえつつ前記リードフレームの前記第１の凹部が形成された一方の面と反対側の他方の面から前記配線部に押圧部材を押し当てて変形させ、前記第１の凹部を基点として前記第１のインナーリードの延在方向の端部と前記配線部との接続部をせん断するとともに前記配線部を前記端部から離間させ、
   第１の電極パッドと第２の電極パッドとを備える半導体チップを前記リードフレームの前記他方の面上に接着層を介して搭載し、
   前記第１の電極パッドと前記第１のリードとを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと前記第２の電極パッドと前記第２のリードとを電気的に接続する第２のボンディングワイヤとを形成し、
   前記第１のインナーリード、前記第２のインナーリード、前記配線部、前記半導体チップ、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤを封止する封止樹脂層を形成し、
   前記支持部と前記第１のアウターリードおよび前記第２のアウターリードとの間の接続部を切断する工程、を具備する、半導体装置の製造方法。
2. 前記押圧部材は、前記半導体チップを前記リードフレーム上に搭載するダイボンディング装置に設けられた複数のボンディングヘッドの一つである、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第２のインナーリードと前記配線部との間の接続部は前記第１の凹部の深さよりも浅い第２の凹部を有し、
   前記離間させる工程において、前記配線部は、前記第２の凹部を基点として前記第１のインナーリードの延在方向の端部と離間するように曲げられる、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１のインナーリードは、前記他方の面側に設けられた第１のめっき層を有し、
   前記第２のインナーリードは、前記他方の面側に設けられた第２のめっき層を有し、
   前記第２の凹部は、前記一方の面側に設けられており、
   第１のボンディングワイヤは、前記第１のめっき層を介して前記第１のリードに電気的に接続され、
   第２のボンディングワイヤは、前記第２のめっき層を介して前記第２のリードに電気的に接続される、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 第１のアウターリードと前記第１のアウターリードから延在する第１のインナーリードとを含む第１のリードと、
   第２のアウターリードと前記第２のアウターリードから延在する第２のインナーリードとを含む第２のリードと、
   前記第２のインナーリードの一部に接続された第１の端部と、前記第１のインナーリードの延在方向の端部に隣り合う第２の端部とを有し、前記第２の端部が前記第２のインナーリードの厚さ方向を含む断面において前記第１のインナーリードの延在方向の端部と離間するように所定方向へ曲げられた配線部と、
   第１の電極パッドと第２の電極パッドとを有し、前記第１および前記第２のインナーリードの少なくとも一方の前記所定方向とは反対側の面の少なくとも一部の上に接着層を介して搭載された半導体チップと、
   前記第１のリードと前記第１の電極パッドとの間を電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、
   前記第２のリードと前記第２の電極パッドとの間を電気的に接続する第２のボンディングワイヤと、
   前記第１のインナーリード、前記第２のインナーリード、前記配線部、前記半導体チップ、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤを封止する封止樹脂層と、を具備し、
   前記第１のインナーリードの延在方向の端部および前記配線部の第２の端部のそれぞれは、幅方向の端部よりも内側の領域に凹部を有する、半導体装置。

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