JP2017168685A

JP2017168685A - 炭化珪素半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2017168685A
Application number: JP2016053130A
Authority: JP
Inventors: 中嶋　経宏; Tsunehiro Nakajima; 経宏中嶋; 民雅呂; Mina Ryo; 文一今井; Fumikazu Imai
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2016-03-16
Filing date: 2016-03-16
Publication date: 2017-09-21
Anticipated expiration: 2036-03-16
Also published as: JP6808952B2

Abstract

【課題】オーミック電極内部における副生成物の偏析を防止し、良好なオーミック特性を有する剥離のないオーミック電極を提供する。【解決手段】第一の主面にエピタキシャル層を有するｎ型炭化珪素基板１の、エピタキシャル層とは対向側の第二の主面にニッケルからなる金属層３を堆積させる工程と、金属層３に熱処理を施してオーミック電極４を形成する工程と、オーミック電極４の表面を酸素またはアルゴンのプラズマに晒して清浄化する工程と、オーミック電極４上に配線金属層５を形成する工程と、を含む。金属層３を堆積させる工程がアルゴン雰囲気の圧力が０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下かつ前記炭化珪素基板の温度１２０℃以上３００℃以下のスパッタ法によって実施される。【選択図】図５

Description

この発明は、炭化珪素基板を用い炭化珪素基板の裏面にオーミック電極を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。

従来、高周波、大電力の制御を目的として、シリコン基板を用いたパワーデバイス（以下シリコンパワーデバイス）の高性能化が進められてきた。しかし、シリコンパワーデバイスは高温の下で使用することができないことなどから、さらに高性能のパワーデバイスを求める声に対して新しい材料の適用が検討されている。

炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコンの約３倍という広い禁制帯幅をもつことから高温での電気伝導度の制御性に優れ、またシリコンより約一桁大きい絶縁破壊電圧をもつことから高耐圧素子用基板材料として適用可能である。さらに炭化珪素は、シリコンの約二倍の電子飽和ドリフト速度をもつことから高周波かつ大電力の制御にも適用可能である。

炭化珪素基板を用いたパワーデバイスのオーミック電極を形成する技術において、基板の裏面にニッケルの薄膜を形成した後に高温の熱処理を行いニッケルシリサイド層を形成することで、基板とニッケル膜とのオーミック特性を得る方法が知られている。しかし、この方法により形成されたオーミック電極には、ニッケルシリサイドの形成により発生した遊離炭素を含む副生成物がオーミック電極表面に偏析することよって、オーミック電極とその上に形成する配線金属層との密着性が低下し、配線金属層が剥離しやすくなる。

配線金属層の剥離防止について、炭化珪素基板の裏面に第一の金属膜としてニッケル膜を形成した上に、チタン、タンタル、タングステンのなどの炭化物を生成可能な金属からなる第二の金属膜を形成し、熱処理を行う方法が開示されている（例えば、下記特許文献１参照。）。この方法によれば、ニッケルシリサイドの形成により遊離した炭素が第二の金属膜と反応して炭化物を生成するため、オーミック電極表面に遊離炭素を含む副生成物が偏析することを防ぐことができ、オーミック電極と配線金属層との剥離を防ぐことができるとされている。

特開２００６−３４４６８８号公報

ニッケルシリサイドの形成により発生した遊離炭素を含む副生成物はオーミック電極の表面のみならずオーミック電極内部でも偏析することがあり、これがオーミック電極の膜質の脆化および剥離の原因となる。

ここで、上記特許文献１の技術では、オーミック電極表面の副生成物を金属炭化物を形成して配線電極層との密着性を向上させることはできるが、オーミック電極内部の副生成物の偏析を防止する方法の開示がなく、剥離を完全に防ぐことはできない。

本発明は上記課題に鑑み、オーミック電極内部における副生成物の偏析を防止し、良好なオーミック特性を有する剥離のないオーミック電極を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するために、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、第一の主面にエピタキシャル層を有する炭化珪素基板の、前記エピタキシャル層とは対向側の第二の主面にニッケルからなる金属層を堆積させる工程と、前記金属層に熱処理を施してオーミック電極を形成する工程と、前記オーミック電極の表面を酸素またはアルゴンのプラズマに晒して清浄化する工程と、前記オーミック電極上に配線金属層を形成する工程と、を含み、前記金属層を堆積させる工程におけるアルゴン雰囲気の圧力Ｐが０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下かつ前記炭化珪素基板の温度が１２０℃以上３００℃以下のスパッタ法によって実施されることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、第一の主面にエピタキシャル層を有する炭化珪素基板の前記エピタキシャル層とは対向側の第二の主面にニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる金属層を堆積させる工程と、前記金属層に熱処理を施してオーミック電極を形成する工程と、前記オーミック電極上に配線金属層を形成する工程とを含み、前記金属層を堆積させる工程におけるアルゴン雰囲気の圧力Ｐが０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下かつ前記炭化珪素基板の温度が１２０℃以上３００℃以下のスパッタ法によって実施されることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上記の発明において、前記金属層がニッケルからなる第一金属膜と、前記第一金属膜上に形成されるモリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる第二金属膜からなる積層膜であることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上記の発明において、前記第一金属膜と、前記第二金属膜が同一チャンバー内で連続して堆積されることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上記の発明において、前記金属層中のニッケルが５０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上記の発明において、前記金属層の総膜厚が５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上記の発明において、前記金属層に熱処理を施してオーミック電極を形成する工程の熱処理温度が９５０℃以上１２００℃以下あることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上記の発明において、前記配線金属層がチタン、ニッケル、金とからなる積層膜であることを特徴とする。

上述した発明によれば、金属層の膜構造を、基板に対して垂直方向に長い柱状結晶の多結晶構造とすることで、熱処理中の遊離炭素の拡散性を向上させてオーミック電極内部における副生成物の偏析を防ぎ、オーミック電極の脆化および剥離を防ぐことができる。

本発明によれば、オーミック電極内部における副生成物の偏析を防止し、良好なオーミック特性を有する剥離のないオーミック電極を提供できる。

図１は、本発明の実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程を説明する断面図である。（その１）図２は、本発明の実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程を説明する断面図である。（その２）図３は、本発明の実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程を説明する断面図である。（その３）図４は、本発明の実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程の変更例を説明する断面図である。図５は、本発明にかかる製造方法によって製造された炭化珪素半導体装置の断面図である。図６は、本発明の実施例１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の密着性を表す図表である。図７は、本発明の実施例１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の密着性を表す図表である。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度のおよび低不純物濃度のであることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“−”はその直後の指数につくバーを意味しており、指数の前に“−”を付けることで負の指数を表している。

（実施の形態１）
図１〜図３は、それぞれ本発明の実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程を説明する断面図である。炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程を順に説明する。

はじめに、図１に示すように、第一の主面に窒素がドーピングされたｎ型ドリフト層１（エピタキシャル層）を有し、ｎ型ドリフト層１より高窒素濃度の窒素がドーピングされたｎ型炭化珪素基板２の第二の主面に、金属膜３として厚さ５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下のニッケル膜を堆積させる。ニッケル膜の堆積はアルゴン雰囲気の圧力０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ未満かつ基板温度１２０℃以上３００℃以下のマグネトロンスパッタによって実施する。このような条件で堆積したニッケル膜は、膜厚方向に長い柱状結晶の多結晶構造をとり、かつ柱状結晶の粒径の長辺が膜厚相当となる。このため、遊離した炭素は炭化珪素とニッケル膜の界面から表面まで粒界に遮られることなく拡散することができるため、ニッケル膜中に残留して偏析する炭素を減らし、剥離を抑制することが可能となる。

次に、図２に示すように、金属膜３に９５０℃以上１２００℃以下の熱処理を施し、ｎ型炭化珪素基板２の第二の主面に低抵抗のオーミック電極４を形成する。熱処理は昇温速度の速い熱処理方法が望ましく、急速加熱処理（ＲＴＡ：ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置などを用いることができる。次に、オーミック電極４の表面に析出した炭素成分や、レジスト残差などの汚染を酸素またはアルゴンプラズマにより除去し、オーミック電極４の表面を清浄化する。

次に、図３に示すように、オーミック電極４上にチタン、ニッケル、金層を堆積させることで、外部装置と接続するための配線金属層５を形成する。

（実施の形態２）
実施の形態２においても図１に示すように、第一の主面に窒素がドーピングされたｎ型ドリフト層１（エピタキシャル層）を有し、ｎ型ドリフト層１より高濃度の窒素がドーピングされたｎ型炭化珪素基板２の第二の主面にニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる金属膜３を堆積させる。金属膜３の堆積はアルゴン雰囲気の圧力０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ未満かつ基板温度１２０℃以上３００℃未満のマグネトロンスパッタにより実施する。金属層３の堆積にはニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上のターゲットを同時にスパッタする方法、またはニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上の混合物または合金からなるターゲットをスパッタする方法を用いることができる。

図４は本発明の実施の形態２の変更例であり、本発明の実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の製造工程の変更例を説明する断面図である。図４に示すように、金属膜３については、実施の形態２（図１）に代えて図４に示すように、ニッケルからなる第一金属膜３−１と、炭化物を生成可能な金属であるモリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる第二金属膜３−２との積層膜を用いてもよい。第一金属膜３−１と第二金属膜３−２は、同一チャンバー内で連続して堆積してもよい。

次に、実施の形態１と同様に、図２に示すように、ニッケル膜に９５０℃以上１２００℃以下の熱処理を施し、ｎ型炭化珪素基板２の第二の主面に低抵抗のオーミック電極４を形成する。熱処理は昇温速度の速い熱処理方法が望ましく、急速加熱処理ＲＴＡ装置などを用いることができる。

そして、図３に示すように、オーミック電極４上にチタン、ニッケル、金層を堆積させることで、外部装置と接続するための配線金属層５を形成する。

図５は、本発明の実施例１にかかる炭化珪素半導体装置としてショットキーバリアダイオードの構造例を示す断面図である。上述した本発明の実施の形態１にかかる製造方法によって炭化珪素ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を製造し、その後、裏面電極の密着性について検証した。

炭化珪素ショットキーバリアダイオードの製造は、まず、窒素濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型炭化珪素基板２の（０００‐１）面に堆積させた窒素濃度１．８×１０¹⁶ｃｍ^-3のｎ型ドリフト層１に対し、チャンネルストッパー用ｎ型領域６、終端構造用ｐ型領域７、ＦＬＲ構造用ｐ型領域８をそれぞれイオン注入法により形成した後、領域６、７、８を活性化するために、アルゴン雰囲気中において１６５０℃で２４０秒間の活性化アニールを行った。

次に、ｎ型炭化珪素基板２の（０００１）面に上に、金属膜３としてマグネトロンスパッタで厚さ９０ｎｍのニッケル膜を堆積させた。マグネトロンスパッタのアルゴン雰囲気の圧力はそれぞれ０．０１Ｐａ、０．０５Ｐａ、０．１Ｐａ、０．３Ｐａ、０．５Ｐａ、１．０Ｐａ、３．０Ｐａとし、基板温度は、ぞれぞれ室温（ＲＴ）、１００℃、１２０℃、１５０℃、２００℃、２７０℃、３００℃、３２０℃、３５０℃とした。その後、急速加熱処理ＲＴＡ装置を用いて１℃／秒の昇温速度で昇温し、１１００℃に到達後２分間保持することで、ニッケル膜をシリサイド化した。その後、シリサイド層の表面に析出した炭素を含む析出物を酸素プラズマによって除去した。以上の工程によって、炭化珪素基板２の（０００１）面にオーミック電極４を形成した。

さらに、ｎ型炭化珪素基板２の（０００‐１）面上にフィールド絶縁膜９を形成し、ショットキー電極を形成する部分にチタン層を蒸着した後、熱処理を施してショットキー電極１０を形成した。熱処理は、８℃／秒の昇温時間で昇温した後５００℃に到達後５分間保持する方法にて行った。

次に、ｎ型炭化珪素基板２の（０００‐１）面上にボンディング用電極パット１１としてアルミニウム−シリコン層を５μｍの厚さで形成した後、アルミニウム−シリコン層の上にパッシ−ベーション膜１２としてポリイミド膜を形成した。

次に、オーミック電極４上にチタン７０ｎｍ、ニッケル７００ｎｍ、金２００ｎｍの順に堆積させることで配線金属層５を形成した。

以上の製造方法を用いて製造した炭化珪素ショットキーバリアダイオードの裏面電極に対し、剥離耐久性試験を行った。上述したマグネトロンスパッタのアルゴン雰囲気圧力および、基板温度の各条件ごとに１０個の炭化珪素ショットキーバリアダイオードを用意し、ダイオードの配線金属層５の表面を覆うようにスコッチテープを密着させた後、剥がし取るという試験を各装置１０回ずつ行った。

図６は、本発明の実施例１にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の密着性を表す図表である。縦軸は剥離数（個数）である。各条件における裏面電極が剥離したダイオードの数を示す。図６に示される通り、ニッケル膜形成時のアルゴン雰囲気の圧力が０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、かつ基板温度１２０℃以上３００℃以下の条件で製造した炭化珪素ショットキーバリアダイオードにおいては配線金属層５の剥離が発生しないことを確認した。

本実施例１では、ニッケル膜（金属膜３）の膜厚を９０ｎｍとしたが、ニッケル膜の膜厚は５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であればよい。この範囲であれば、遊離炭素またはモリブデン、タンタル、チタン、クロム成分の過剰な残留を防ぐとともに、配線金属層の金属が基板に拡散するのを防止でき、良好なオーミック特性を得ることができる。

次に、本発明の実施の形態２にかかる製造方法によって製造された炭化珪素ショットキーバリアダイオードの裏面電極の密着性について検証した。まず、図５に示したように、窒素濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型炭化珪素基板２の（０００‐１）面に堆積させた窒素濃度１．８×１０¹⁶ｃｍ^-3のｎ型ドリフト層１に対し、チャンネルストッパー用ｎ型領域６、終端構造用ｐ型領域７、ＦＬＲ構造用ｐ型領域８をそれぞれイオン注入法により形成した後、領域６、７、８を活性化するために、アルゴン雰囲気中において１６５０℃で２４０秒間の活性化アニールを行った。

次に、ｎ型炭化珪素基板２の（０００１）面に上に、マグネトロンスパッタ法により、金属膜３を堆積させた。本実施例では、ニッケルチタンの合金ターゲットをスパッタすることで、Ｎｉ：Ｔｉ＝６５：３５ｍｏｌ％で厚さ１０５ｎｍのニッケルチタン混合膜を堆積し、金属膜３とした。マグネトロンスパッタのアルゴン雰囲気の圧力は、それぞれ０．０１Ｐａ、０．０５Ｐａ、０．１Ｐａ、０．３Ｐａ、０．５Ｐａ、１．０Ｐａ、３．０Ｐａとし、基板温度は、それぞれ室温（ＲＴ）、１００℃、１２０℃、１５０℃、２００℃、２７０℃、３００℃、３２０℃、３５０℃とした。

その後、急速加熱処理ＲＴＡ装置を用いて１℃／秒の昇温速度で昇温し、１１００℃に到達後２分間保持した。これにより金属膜３であるニッケルチタン混合膜をシリサイド化し、炭化珪素基板２の（０００１）面にオーミック電極４を形成した。

次に、ｎ型炭化珪素基板２の（０００‐１）面上にボンディング用電極パット１１としてアルミニウム−シリコン層を５μｍの厚さで形成した後、アルミニウム−シリコン層１１の上にパッシ−ベーション膜１２としてポリイミド膜を形成した。

以上の製造方法を用いて製造した炭化珪素ショットキーバリアダイオードの裏面電極に対し、剥離耐久性試験を行った。マグネトロンスパッタのアルゴン雰囲気圧力および、基板温度の各条件ごとに１０個の炭化珪素ショットキーバリアダイオードを用意し、ダイオードの配線金属層５の表面を覆うようにスコッチテープを密着させた後、剥がし取るという試験を各装置１０回ずつ行った。

図７は、本発明の実施例２にかかる炭化珪素半導体装置の裏面電極の密着性を表す図表である。縦軸は剥離数（個数）である。各マグネトロンスパッタ条件において裏面電極が剥離したダイオードの数を示す。図７に示される通りニッケル膜形成時のアルゴン雰囲気の圧力が０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下かつ基板温度１２０℃以上３００℃以下の条件で製造した炭化珪素ショットキーバリアダイオードにおいては配線金属層５の剥離が発生しないことを確認した。

実施例２では金属膜３としてニッケルとチタンを用いたが、ニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上の組み合わせであれば同様の効果を得られることを確認した。

また、実施例２において、金属層３をニッケルからなる第一金属膜３−１とモリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる第二金属膜３−２の積層金属膜としても同様の剥離防止効果を得ることができる。

また、実施例２ではニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる金属膜３の膜厚を１０５ｎｍとしたが、金属膜３の膜厚は５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下の範囲であればよい。この範囲であれば、遊離炭素またはモリブデン、タンタル、チタン、クロム成分の過剰な残留を防ぐとともに、配線金属層５の金属が基板に拡散するのを防止し、良好なオーミック特性を得ることができる。

さらに、実施例２では金属膜３中のニッケル比率を６５ｍｏｌ％としたが、金属膜３中のニッケル比率は５０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下の比率が好ましい。この範囲であれば、後の熱処理によってオーミック電極４中に拡散する遊離炭素をニッケルシリサイドとの密着性を損なわない金属炭化物とするとともに、モリブデン、タンタル、チタン、クロム成分の過剰な残留を防ぎ、より確実にオーミック電極の脆化および剥離を防ぐことができる。

上述した実施例１および２では、オーミック電極生成時の加熱処理温度を１１００℃とした。この実施例３では、加熱処理温度を９５０℃以上１２００℃以下の範囲で変更したが、いずれも同様の効果を得ることができることを確認した。なお、加熱処理温度９５０℃未満はオーミック電極４の抵抗値が高くなるため好ましくなく、１２００℃より大きいと、酸化珪素膜などで形成される表面構造に悪影響を及ぼすので好ましくない。

上述した各実施例１〜実施例３ではＳＢＤ装置を製造する場合について述べたが、主面上に他の装置、例えばＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の構造にも同様に適用可能である。

また、実施例１〜実施例３では、主面として（０００‐１）面を例に述べたが、主面として（０００１）面や（１１−２０）面を用いてもよい。

以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、本発明は、ｐ型とｎ型とを入れ替えた場合や、炭化珪素基板と炭化珪素基板主表面に成長させるエピタキシャル層とを異なる導電型とした場合も同様に成り立つ。

以上のように、本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、例えば、パワーデバイス等の電力用半導体素子や、産業用のモーター制御やエンジン制御に使用されるパワー半導体素子に有用である。

１ドリフト層
２炭化珪素基板
３金属膜
３−１第一金属膜
３−２第二金属膜
４オーミック電極
５配線金属層
６チャンネルストッパー用ｎ型領域
７終端構造用ｐ型領域
８ＦＬＲ構造用ｐ型領域
９フィールド酸化膜
１０ショットキー電極
１１ボンディング用電極パット
１２パッシ−ベーション膜

Claims

第一の主面にエピタキシャル層を有する炭化珪素基板の、前記エピタキシャル層とは対向側の第二の主面にニッケルからなる金属層を堆積させる工程と、
前記金属層に熱処理を施してオーミック電極を形成する工程と、
前記オーミック電極の表面を酸素またはアルゴンのプラズマに晒して清浄化する工程と、
前記オーミック電極上に配線金属層を形成する工程と、を含み、
前記金属層を堆積させる工程におけるアルゴン雰囲気の圧力Ｐが０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下かつ前記炭化珪素基板の温度が１２０℃以上３００℃以下のスパッタ法によって実施されることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
第一の主面にエピタキシャル層を有する炭化珪素基板の前記エピタキシャル層とは対向側の第二の主面にニッケルと、モリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる金属層を堆積させる工程と、
前記金属層に熱処理を施してオーミック電極を形成する工程と、
前記オーミック電極上に配線金属層を形成する工程と、を含み、
前記金属層を堆積させる工程におけるアルゴン雰囲気の圧力Ｐが０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下かつ前記炭化珪素基板の温度が１２０℃以上３００℃以下のスパッタ法によって実施されることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記金属層がニッケルからなる第一金属膜と、前記第一金属膜上に形成されるモリブデン、タンタル、チタン、クロムの内の１種類以上からなる第二金属膜からなる積層膜であることを特徴とする請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記第一金属膜と、前記第二金属膜が同一チャンバー内で連続して堆積されることを特徴とする請求項３に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記金属層中のニッケルが５０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記金属層の膜厚が５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記金属層に熱処理を施してオーミック電極を形成する工程の熱処理温度が９５０℃以上１２００℃以下あることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記配線金属層が、チタン、ニッケル、金とからなる積層膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。