JP2017163047A - 基板の研磨装置および研磨方法 - Google Patents
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Abstract
Description
研磨パッドが全面接触していることがほとんどであり、一部が接触している場合でも、処理速度の維持の観点からは、研磨パッドとウェハとの接触面積は大きく取らざるを得ない。このような状況では、例えばウェハ面内の特定の領域にて閾値を超えるバラつきが発生したとしても、これをリワーク等で修正する際には、その接触面積の大きさが故にリワークが不要な部分に対しても研磨を施してしまうことになる。その結果として、本来求められる閾値の範囲に修正することが困難となる。従って、より小領域の研磨及び洗浄状態の制御が可能な構成でかつウェハ面内の任意の位置に対して、処理条件の制御やリワークといった再処理が施せる方法及び装置を提供することが求められる。
を決定するように構成される。第5の形態の研磨装置によれば、第1研磨処理の前に研磨処理面の状態に応じた最適な研磨条件を決定することができる。
前記研磨ヘッドは、処理対象物の中心を通過する直動機構に取り付けられる。
板を洗浄することができる。たとえば、後述する部分研磨および全体研磨のそれぞれの研磨が終了した後に洗浄を行うことができ、また、部分研磨および全体研磨の両方が終了した後に洗浄を行うこともできる。洗浄モジュール4は、任意の公知の洗浄モジュールを使用ことができるので、本明細書では詳細は説明しない。乾燥モジュール50は、洗浄した基板を乾燥させるためのモジュールである。乾燥モジュール50は、任意の公知の乾燥モジュールを使用することができるので、本明細書では詳細は説明しない。搬送機構200は、研磨装置1000内で基板を搬送するための機構であり、基板を部分研磨モジュール300、大径研磨モジュール3、洗浄モジュール4、および乾燥モジュール50の間で基板の受け渡しを行う。また、搬送機構200は、研磨装置1000の内外へ基板を出し入れも行う。搬送機構200として任意の公知の搬送機構を使用することができるので、本明細書では詳細は説明しない。制御装置900は、研磨装置1000の各々のモジュールの動作を制御する。制御装置900は、一般的な汎用コンピュータおよび専用コンピュータ等から構成することができ、記憶装置、入出力装置、メモリ、CPUなどのハードウェアを備える。
目的として、ハードパッド、すなわち硬度や剛性の高いパッドを研磨パッドとして使用しても良い。一方で研磨対象物が例えばLow−k膜等の機械的強度の小さな材料である場合や複数の材料を同時に処理する場合、被研磨面のダメージ低減のために、ソフトパッドを使用しても良い。また、処理液がスラリのような研磨液の場合、処理対象物の除去速度、ダメージ発生の有無は単に研磨パッドの硬度や剛性だけでは決まらないため、適宜選択しても良い。また、これらの研磨パッドの表面には、例えば同心円状溝やXY溝、渦巻き溝、放射状溝といった溝形状が施されていても良い。更に、研磨パッドを貫通する穴を少なくとも1つ以上研磨パッド内に設け、本穴を通して処理液を供給しても良い。また、研磨パッドが小さく、研磨パッドを通した処理液の供給が困難な場合は、例えばアーム600に処理液の供給ノズルを持たせ、アーム600の揺動とともに移動させても良く、また、アーム600とは独立に処理液供給ノズルを設置しても良い。また、研磨パッドを例えばPVAスポンジのような、処理液が浸透可能なスポンジ状の材料を使用しても良い。これらにより、研磨パッド面内での処理液の流れ分布の均一化や研磨で除去された副生成物の速やかな排出が可能となる。
いる。なお、本例では、ヘッド500のウェハWf面内の任意の位置への移動は、ヘッド500とテーブル400の回転ないし角度回転との組合せで実現しているが、その他の例としては、ヘッド500とウェハWfとの相対位置を移動するのは、ステージに取り付けられたXYステージであっても良い。また、アーム600の運動例としては、ヘッド500がウェハWfの中心を通過する直動機構に取り付けられ、研磨パッド502とウェハWfの相対位置を移動可能に構成されていても良い。また、その他のアーム600の運動例としては、研磨パッド502がウェハWfの中心を通過する円軌道を通る旋回機構に取り付けられ、研磨パッド502とウェハWfとの相対位置を移動可能に構成されていても良い。
とができるように配置される。また、テーブル400もしくはドレステーブル810のいずれか一方が鉛直方向に配置され、アーム600に配置された研磨パッド502が各テーブル面に対して垂直になるようアーム600の全部もしくは一部が回転しても良い。また、本実施形態での研磨パッド502のコンディショニングにはダイヤドレッサや樹脂製の毛ブラシの例を示しているが、高圧流体を研磨パッド502の表面に供給する等の非接触の洗浄方式を使用してもよい。
、一旦開始端まで研磨部材520を巻き戻した後、再度同一送り方向にて部分研磨を実施しても良い。また、研磨部材520とウェハWfとの接触面積は回転体524の径にて調整可能である。なお、図示はしていないが、ヘッド500はウェハWf面内に対し、水平もしくは円弧運動が可能なアームに取り付けられ、ウェハWf面内を移動可能に形成されても良い。また、ヘッド500全体をウェハWfに接触ないし加圧するためのエアシリンダやボールネジといったアクチュエータに接続されていても良い。このような巻取り式の構造を有するヘッドを使用することで、研磨部材520の長さ、ひいてはウェハWfに作用させることが可能な面積が更に増加することで、部分研磨処理時における研磨部材520の単位面積当たりの減耗量をより減少させることが可能であり、ウェハWfの研磨効率を維持可能であるのみならず、研磨部材520の長寿命化が可能となる。
より、任意のタイミングでウェハWfの被研磨面に薬液を供給することができる。
400を所定位置より角度回転可能なように、回転角度検知機構を駆動機構410に搭載しても良い。検知部510−2は、テーブル400と一緒には回転しないように配置される。検知部510−2により、ウェハWfのノッチ、オリエンテーションフラット、及び、レーザーマーカーの少なくとも1つの位置を検知することで、検出ヘッド500−2で検出する膜厚等のデータを半径方向の位置のみでなく、周方向の位置とも関連付けることができる。すなわち、このような駆動機構410及びウェハWfの位置に関する指標に基づきウェハWfをテーブル400の所定位置に配置させることで、上記基準位置に対するウェハWf上の膜厚又は膜厚に関連する信号の分布を得ることが可能となる。
角度回転運動をさせることができる。具体的には、部分研磨モジュール300は、ウェハWfのノッチ、オリエンテーションフラット、及び、レーザーマーカーの少なくとも1つを検知する検知部510−2(図3、図4参照)を備え、ウェハWのノッチ、オリエンテーションフラット、又は、レーザーマーカーがヘッド500の揺動範囲に位置するようにウェハWfを任意の所定角度だけ回転させる。なお、本例ではノッチ等の検知部510−2は部分研磨モジュール300内にあるが、部分研磨モジュール300の外であっても、把握された位置情報が部分研磨モジュール300により参照可能である場合(例えば検知部から部分研磨モジュール300までの間でウェハWfの搬送等の運動が入ったとしても、ノッチ等の位置が最終的にある同一位置なるような場合)は部分研磨モジュール300の外に検知部を設けても良い。制御装置900は、ウェハWfの膜厚が厚い一部分Wf−1がヘッド500の揺動範囲に位置している間、ヘッド500の回転数が他の部分Wf−2と比べて大きくなるように、ヘッド500を制御することができる。また、制御装置900は、ウェハWfの膜厚が厚い一部分Wf−1がヘッド500の揺動範囲に位置している間、研磨パッド502の押圧力が他の部分Wf−2と比べて大きくなるように、ヘッド500を制御することができる。また、制御装置900は、ウェハWfの膜厚が厚い一部分Wf−1がヘッド500の揺動範囲に位置している間の研磨時間(研磨パッド502の滞在時間)が他の部分Wf−2と比べて大きくなるように、アーム600の揺動速度を制御することができる。また、制御装置900は、研磨パッド502がウェハWfの膜厚が厚い一部分Wf−1の上になる位置で、テーブル400を停止させた状態でヘッド500を回転させることで、ウェハWfの膜厚が厚い一部分Wf−1のみを研磨するように制御することができる。これにより、制御装置900は、研磨処理面をフラットに研磨することができる。
めのトップリング31Aと、研磨パッド10に研磨液やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズル32Aと、を備えている。図示されていないが、大径研磨モジュール3は、さらに、研磨パッド10の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサと、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合流体又は液体(例えば純水)を噴射して研磨面上のスラリや研磨生成物、及びドレッシングによるパッド残渣を除去するアトマイザと、を備えるように構成することができる。
図8は、研磨装置1000を用いた研磨処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、初めに研磨対象物であるウェハWfの表面の状態を検出する。表面状態は、ウェハWf上に形成される膜の膜厚や表面の凹凸に関する情報(位置、サイズ、高さなど)などであり、上述の検出器および検知部510−2で検出される。次に、検出されたウェハWfの表面状態に応じて研磨レシピを作成する。本例では、最初に部分研磨でウェハWf上の局所的な凸部を平坦化し、その後の全体研磨でウェハWfの全体を研磨することで、ウェハWfを所望の表面状態になるような研磨レシピを作成する。ここで、研磨レシピは複数の処理ステップから構成されており、各ステップにおけるパラメータとしては、例えば部分研磨モジュールについては、処理時間、研磨パッド502のウェハWfやドレステーブルに配置されたドレッサに対する接触圧力もしくは荷重、研磨パッド502やウェハWfの回転数、ヘッド500の移動パターン及び移動速度、研磨パッド処理液の選択及び流量、ドレステーブル810の回転数、研磨終点の検出条件、がある。また、部分研磨においては、上述の検出器および検知部510−2により取得したウェハWf面内の膜厚や凹凸に関する情報を元にウェハWf面内での研磨ヘッドの動作を決定する必要がある。例えばウェハWfの面内の各被研磨領域におけるヘッド500の滞在時間については、本決定に対するパラメータとしては、例えば所望の膜厚や凹凸状態に相当するターゲット値や上記の研磨条件における研磨速度が挙げられる。ここで研磨速度については、研磨条件によって異なることから、データベースとして制御部内に格納され、研磨条件を設定すると自動的に算出されても良い。これらのパラメータと取得したウェハWf面内の膜厚や凹凸に関する情報からウェハWf面内におけるヘッド500の滞在時間が算出可能である。また
、後述のように、前測定、部分研磨、全体研磨、洗浄のルートはウェハWfの状態や使用する処理液によって異なることから、これらの構成要素の搬送ルートの設定を行っても良い。また、ウェハWf面内の膜厚や凹凸データの取得条件の設定も行って良い。また、後述のように処理後のWf状態が許容レベルに達していない場合、再研磨を実施する必要があるが、その場合の処理条件(再研磨の繰り返し回数等)を設定しても良い。その後、作成された研磨レシピに従って、部分研磨および全体研磨を行う。なお、本例および以下で説明する他の例において、ウェハWfの洗浄は任意のタイミングで行うことができる。たとえば、部分研磨と全体研磨において使用する処理液が異なり、部分研磨の処理液の全体研磨へのコンタミネーションが無視できない場合においては、これを防止する目的で、部分研磨および全体研磨のそれぞれの研磨処理の後にウェハWfの洗浄を行ってもよい。また、逆に処理液が同一である場合や処理液のコンタミネーションが無視できるような処理液の場合、部分研磨および全体研磨の両方を行った後にウェハWfの洗浄を行ってもよい。
速度が得られる研磨スラリ)を使用することも一つの対策である。しかし、全体研磨の後に部分研磨を実施する場合では、全体研磨に使用するスラリと部分研磨に使用するスラリが異なると、部分研磨後にはウェハ表面において異なるスラリが同時に残留する状態となるため、その後の洗浄工程における洗浄性能の低下につながる可能性がある。これに対して、全体研磨を行う前に部分研磨を実施する場合、部分研磨処理後にウェハ表面に残留したスラリは、その後の全体研磨工程において、研磨により除去されるため、その後の洗浄工程における洗浄性能へのインパクトを、全体研磨後に部分研磨を実施する場合よりも低減することが可能である。
でき、理想的な研磨量部分布を実現することが可能となる。なお、本明細書では、部分研磨モジュールと大径研磨モジュールとの両方を1つの研磨装置に組み込んだ例を説明したが、部分研磨モジュールおよび大径研磨モジュールを別々の研磨装置として、2つの研磨装置の間でウェハWfを出し入れして、本明細書で説明した研磨処理を実現することもできる。
(例1)
図16A〜図16Eは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例1の研磨装置は、ウェハWfを収納する、独立した環境を保つことができる密閉容器であるFOUP(Front Opening Unified Pod)を備えるロード/アンロードユニットと、ウェハWfを研磨装置内で搬送するための搬送機構と、ウェハWfの位置合わせを行うアライナと、ウェハWfの表面状態を検出するための検出器と、部分研磨モジュールと、ウェハ洗浄モジュールと、ウェハ乾燥モジュールと、制御装置と、を備える研磨装置である。本例の研磨装置のこれらのモジュールは上述のものとすることができる。なお、本例の研磨装置は大径研磨モジュールを備えていない。
まず、研磨装置のFOUPに処理されるウェハWfが配置されている(S1−1)。FOUPへのウェハWfの配置は研磨装置の外部の搬送機構などによって予めなされる。次に、ウェハWfに施す処理のレシピを設定する(S1−2)。処理レシピは、たとえば、処理時間、参照研磨速度、研磨時の押圧力または研磨圧力、ウェハの回転速度(ウェハを回転させる場合)、ウェハ移動速度(ウェハをXY方向に移動させる場合)、研磨ヘッド回転速度、使用する液体(スラリ、薬液、純水など)の設定、研磨ヘッドの搖動速度、ドレッサの回転速度、フィードバック回数(再研磨する場合の回数制限)、研磨の終了条件、ウェハの搬送ルート、などを含むことができる。
図17A〜図17Dは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例2の研磨装置のハードウェア構成は、例1の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図17A〜図17Dとともに説明する。
35からS2−37)。その後、表面状態検出装置上で、ウェハWfを精細に位置合わせする(S2−38)。なお、この工程は必要でなければ省略してもよい。その後、ウェハWfの表面状態を検出する(S2−39)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S2−40)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS2−16に戻り、再び部分研磨を行う。このとき、再び部分研磨を行う時は、S2−2で設定された処理レシピとともにS2−39で検出されたウェハWfの表面状態から目標とする研磨量の分布を再度算出し、それを元に部分研磨の条件を決定し、決定された条件に従って部分研磨を行う。S2−40において、これら指標が目標値または目標の範囲内に達していると判断されると、搬送機構により表面状態検出装置からウェハWfを取得する(S2−41)。
図18A〜図18Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例3の研磨装置のハードウェア構成は、例1、2の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図18A〜図18Cとともに説明する。
図19A〜図19Eは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例4の研磨装置は、ウェハWfを収納する、独立した環境を保つことができる密閉容器であるFOUP(Front Opening Unified Pod)を備えるロード/アンロードユニットと、ウェハを研磨装置内で搬送するための搬送機構と、ウェハWfの位置合わせを行うアライナと、ウェハWfの表面状態を検出するための検出装置と、部分研磨モジュールと、大径研磨モジュールと、ウェハ洗浄モジュールと、ウェハ乾燥モジュールと、制御装置と、を備える研磨装置である。本例の研磨装置のこれらのモジュールは上述のものとすることができる。
8までは例1のS1−1からS1−48と同様なので説明を省略する。部分研磨モジュールによる部分研磨が終了すると(S4−1からS4−48)、搬送機構に保持されたウェハWfは大径研磨モジュールに移動される(S4−49)。その後、ウェハWfは大径研磨モジュールのトップリングに保持される(S4−50)。その後、S4−2で設定された処理レシピにしたがってウェハWfを全体研磨する(S4−51)。その後、ウェハをトップリングから解放し、搬送機構にウェハWfを受け渡す(S4−52)。その後、ウェハWfを洗浄モジュールに移動させる(S4−53)。その後、ウェハWfを洗浄する(S4−54)。その後、搬送機構によりウェハを洗浄モジュールから取得する(S4−55)。その後、ウェハWfを乾燥モジュールへ移動させる(S4−56)。その後、ウェハWfを乾燥モジュールに配置する(S4−57)。その後、ウェハWfを乾燥させる(S4−58)。その後、搬送機構によりウェハWfを乾燥モジュールから取得する(S4−59)。その後、ウェハWfをFOUPへ移動させる(S4−60)。その後、ウェハWfをFOUPに格納する(S4−61)。その後、研磨装置の処理を終了する(S4−62)。
図20A〜図20Dは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例5の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図20A〜図20Dとともに説明する。S5−1からS5−48までは例2のS2−1からS2−48と同様である。また、本例のS5−49からS5−62までは、例4のS4−49からS4−62と同様である。
図21A〜図21Dは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例6の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図21A〜図21Dとともに説明する。S6−1からS6−41までは例2のS2−1からS2−41と同様である。部分研磨モジュールによる部分研磨が終了すると(S6−1からS6−41)、搬送機構に保持されたウェハWfは大径研磨モジュールに移動される(S6−42)。その後、ウェハWfは大径研磨モジュールのトップリングに保持される(S6−43)。その後、S6−2で設定された処理レシピにしたがってウェハWfを全体研磨する(S6−44)。その後、ウェハWfをトップリングから解放し、搬送機構にウェハWfを受け渡す(S6−45)。その後、ウェハWfを洗浄モジュールに移動させる(S6−46)。その後、ウェハWfを洗浄する(S6−47)。その後、搬送機構によりウェハを洗浄モジュールから取得する(S6−48)。その後、ウェハWfを乾燥モジュールへ移動させる(S6−49)。その後、ウェハWfを乾燥モジュールに配置する(S6−50)。その後、ウェハWfを乾燥させる(S6−51)。その後、搬送機構によりウェハWfを乾燥モジュールから取得する(S6−52)。その後、ウェハWfをFOUPへ移動させる(S6−53)。その後、ウェハをFOUPに格納する(S6−54)。その後、研磨装置の処理を終了する(S6−55)。
図22A〜図22Gは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例7の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図22A〜図22Gとともに説明する。S7−1からS7−35までは例4のS4−1からS4−35と同様である。S7−35により、ウェハWfが乾燥モジュールから搬送機構に受け渡されると、ウェハWfを大径研磨モジュールに移動させる(S7−36)。その後、ウェハWfは大径研磨モジュールのトップリングに保持される(S7−37)。その後、S7−2で設定された処理レシピにしたがってウェハWfを全体研磨する(S7−38)。その後、ウェハWfをトップリングから解放し、搬送機構にウェハWfを受け渡す(S7−39)。その後、ウェハWfを洗浄モジュールに移動させる(S7−40)
。その後、ウェハWfを洗浄する(S7−41)。その後、搬送機構によりウェハWfを洗浄モジュールから取得する(S7−42)。その後、ウェハWfを乾燥モジュールへ移動させる(S7−43)。その後、ウェハWfを乾燥モジュールに配置する(S7−44)。その後、ウェハWfを乾燥させる(S7−45)。その後、搬送機構によりウェハWfを乾燥モジュールから取得する(S7−46)。
図23A〜図23Hは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例8の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図23A〜図23Hとともに説明する。S8−1からS8−74は、例7のS7−1からS7−74と同様である。例8においては、S8−74で部分研磨を行うと、例7とは異なり、洗浄工程および乾燥工程を経ることなく、ウェハWfの表面状態の検出を行う(S8−75からS8−85)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S8−86)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S8−86において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS8−63に進み、再び部分研磨を行う。S8−86において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfの洗浄および乾燥を行い、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S8−87からS8−96)。
図24A〜図24Fは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例9
の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図24A〜図24Fとともに説明する。S9−1からS9−39は、例7のS7−1からS7−39と同様である。例9においては、S9−38による全体研磨の後、洗浄工程および乾燥工程を経ることなくウェハWfの表面状態の検出を行う(S9−40からS9−50)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S9−51)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S9−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS9−63に進み、再び部分研磨を行う。S9−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfの洗浄および乾燥を行い、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S9−52からS9−62)。S9−63以降の部分研磨、洗浄、乾燥、検出のフィードバック制御については、例7のS7−63からS7−96と同様なので説明を省略する。
図25A〜図25Fは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例10の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図25A〜図25Fとともに説明する。S10−1からS10−28までは、例7のS7−1からS7−28と同様である。例10においては、S10−27による部分研磨の後、他の工程を経ることなくすぐに全体研磨を行う(S10−29からS10−31)。その後、洗浄工程、乾燥工程を経てウェハWfの表面状態を検出する(S10−32からS10−50)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S10−51)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S10−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS10−56に進み、再び部分研磨を行う。S10−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S10−52からS10−55)。S10−56以降の部分研磨、洗浄、乾燥、検出のフィードバック制御については、例7のS7−63からS7−96と同様なので説明を省略する。
図26A〜図26Gは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例11の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図26A〜図26Gとともに説明する。S11−1からS11−62までは、例9のS9−1からS9−62までと同様である。また、S11−63からS11−96までは、例8のS8−63からS8−96と同様である。
図27A〜図27Gは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例12の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図27A〜図27Gとともに説明する。S12−1からS12−55までは、例10のS10−1からS10−55までと同様である。また、S12−56からS12−89までは、例8のS8−63からS8−96と同様である。
図28A〜図28Fは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例13の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図28A〜図28Fとともに説明する。S13−1からS13−32までは、例10のS10−1からS10−32までと同様である。また、S13−33からS13−55までは、例11のS11−40からS11−62と同様である。また、S13−56からS13−89までは、例10のS10−56からS10−89までと同様である。
図29A〜図29Gは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例14の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図29A〜図29Gとともに説明する。S14−1からS14−55までは、例13のS13−1からS13−55までと同様である。また、S14−56からS14−89までは、例8のS8−63からS8−96と同様である。
図30A〜図30Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例15の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図30A〜図30Cとともに説明する。S15−1からS15−46までは、例7のS7−1からS7−46までと同様である。その後、ウェハWfをFOUPへ移動させる(S15−47)。その後、ウェハWfをFOUPに格納する(S15−48)。その後、研磨装置の処理を終了する(S15−49)。
図31A〜図31Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例16の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図31A〜図31Cとともに説明する。S16−1からS16−27までは、例12のS12−1からS12−27までと同様である。例16においては、その後、全体研磨がされ(S16−28からS16−29)、その後、洗浄および乾燥が行われる(S16−30からS16−36)。その後、ウェハWfをFOUPへ移動させる(S16−37、38)。その後、ウェハWfをFOUPに格納する(S16−39)。その後、研磨装置の処理を終了する(S16−40)。
図32A〜図32Fは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例17の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図32A〜図32Fとともに説明する。例17においては、例4〜例16までの例とは異なり、部分研磨は全体研磨の後に行う。
、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S17−58において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS17−63に進み、再び部分研磨を行う。S17−58において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S17−59からS17−62)。S17−63以降の部分研磨、洗浄、乾燥、検出のフィードバック制御については、例7のS7−63からS7−96と同様なので説明を省略する。
図33A〜図33Dは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例18の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図33A〜図33Dとともに説明する。S18−1からS18−19までは、例17のS17−1からS17−19までと同様である。その後、例18においては、ウェハWfに対して部分研磨を行い(S18−20からS18−31)、ウェハWfの洗浄(S18−32からS18−34)、および乾燥を行う(S18−35からS18−38)。その後、ウェハWfの表面状態を検出する(S18−39からS18−50)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S18−51)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S18−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS18−56に進み、再び部分研磨を行う。S18−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S18−52からS18−55)。S18−56以降の部分研磨、洗浄、乾燥、検出のフィードバック制御については、例13のS13−56からS13−89と同様なので説明を省略する。
図34A〜図34Gは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例19の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図34A〜図34Gとともに説明する。S19−1からS19−38までは、例17のS17−1からS17−38までと同様である。その後、例19においては、ウェハWfの表面状態を検出する(S19−39からS19−50)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S19−51)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S19−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS19−63に進み、再び部分研磨を行う。S19−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfの洗浄(S19−52からS19−54)、および乾燥を行う(S19−55からS19−58)。その後、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S19−59からS19−62)。S19−63以降の部分研磨、洗浄、乾燥、検出のフィードバック制御については、例8のS8−63からS8−96と同様なので説明を省略する。
図35A〜図35Gは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例20の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動
作を図35A〜図35Gとともに説明する。S20−1からS20−32までは、例18のS18−1からS18−32までと同様である。その後、例20においては、ウェハWfの表面状態を検出する(S20−33からS20−43)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S20−44)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S20−44において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS20−56に進み、再び部分研磨を行う。S20−44において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfの洗浄(S20−45からS20−47)、および乾燥を行う(S20−48からS20−51)。その後、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S20−52からS20−55)。S20−56以降の部分研磨、検出、洗浄、乾燥のフィードバック制御については、例14のS14−56からS14−89と同様なので説明を省略する。
図36A〜図36Dは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例21の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図36A〜図36Dとともに説明する。例21において、始めに処理のレシピの設定を行った後に、全体研磨を行う(S21−1からS21−7)。全体研磨は、S21−2で設定されたレシピに従って行われる。その後、ウェハWfに対して洗浄(S21−8からS21−10)および乾燥が行われる(S21−11からS21−14)。その後、ウェハWfの表面状態を検出し(S21−15からS21−26)、検出結果に応じてウェハWfに部分研磨を行う(S21−27からS21−38)。その後、ウェハWfに対して洗浄(S21−39からS21−41)および乾燥が行われる(S21−42からS21−45)。その後、ウェハWfの表面状態を検出する(S21−46からS21−57)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S21−58)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S21−58において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS21−27に進み、再び部分研磨を行う。S21−58において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S21−59からS21−61)。
図37A〜図37Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例22の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図37A〜図37Cとともに説明する。例22において、始めに処理のレシピの設定を行った後に、全体研磨を行う(S22−1からS22−7)。全体研磨は、S22−2で設定されたレシピに従って行われる。その後、ウェハWfの表面状態を検出し(S22−8からS22−19)、検出結果に応じてウェハWfに部分研磨を行う(S22−20からS22−31)。その後、ウェハWfに対して洗浄(S22−32からS22−34)および乾燥が行われる(S22−35からS22−38)。その後、ウェハWfの表面状態を検出する(S22−39からS22−50)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S22−51)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェ
ハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S22−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS22−20に戻り、再び部分研磨を行う。S22−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S22−52からS22−54)。
図38A〜図38Dは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例23の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図38A〜図38Dとともに説明する。S23−1からS23−39までは、例21のS21−1からS21−39までと同様である。その後、例23においては、ウェハWfの表面状態を検出する(S23−40からS23−50)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S23−51)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S23−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS23−27に戻り、再び部分研磨を行う。S23−51において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfの洗浄(S23−52からS23−53)、および乾燥を行う(S23−54からS23−57)。その後、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S23−58からS23−61)。
図39A〜図39Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例24の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図39A〜図39Cとともに説明する。S24−1からS24−32までは、例22のS22−1からS22−32までと同様である。その後、例24においては、ウェハWfの表面状態を検出する(S24−33からS24−43)。その後、ウェハWfの表面状態の適否を判断する(S24−44)。適否の判断基準の指標としては、例えば被研磨面の残膜や表面形状及びこれらに相当する信号のウェハWf面内での分布、もしくは研磨量のウェハWf面内での分布であり、これらの少なくとも1つを判断基準とする。たとえば、目標とする残膜状態、形状状態、および研磨量と、S1−46で測定した残膜状態、形状状態、および研磨量との少なくとも1つを比較することによりウェハの表面状態の適否を判断する。S24−44において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していなければS24−20に戻り、再び部分研磨を行う。S23−44において、これら指標が目標値もしくは目標の範囲内に達していると判断されると、ウェハWfの洗浄(S24−45からS24−46)、および乾燥を行う(S24−47からS24−50)。その後、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S24−50からS24−54)。
図40A〜図40Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例25の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図40A〜図40Cとともに説明する。S25−1からS25−39までは、例19のS19−1からS19−39までと同様である。その後、例25においては、フィードバック制御をすることなく、ウェハWfの洗浄(S25−40からS25−41)、およ
び乾燥を行う(S25−42からS25−45)。その後、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S25−46からS25−49)。
図41A〜図41Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例26の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図41A〜図41Cとともに説明する。S26−1からS26−32までは、例20のS20−1からS20−32までと同様である。その後、例26においては、フィードバック制御をすることなく、ウェハWfの洗浄(S26−33からS26−34)、および乾燥を行う(S26−35からS26−38)。その後、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S26−39からS26−42)。
図42A〜図42Cは、一例としての研磨装置の処理を示すフローチャートである。例27の研磨装置のハードウェア構成は、例4の研磨装置と同様である。本例の研磨装置の動作を図42A〜図42Cとともに説明する。S27−1からS27−46までは、例21のS21−1からS21−46までと同様である。その後、例27においては、ウェハWfをFOUPに戻して処理を終了する(S27−47からS27−49)。
10…研磨パッド
300…部分研磨モジュール
500…ヘッド
502…研磨パッド
510−2…検知部
900…制御装置
1000…研磨装置
Wf…ウェハ
Claims (20)
- 処理対象物に研磨処理を行う方法であって、
前記処理対象物よりも小さな寸法の第1研磨パッドを前記処理対象物に接触させながら前記処理対象物と前記第1研磨パッドとを相対運動させることによって第1研磨処理を行うステップと、
前記第1研磨処理の後に、前記処理対象物よりも大きな寸法の第2研磨パッドを前記処理対象物に接触させながら前記処理対象物と前記第2研磨パッドとを相対運動させることによって第2研磨処理を行うステップと、
前記第1研磨処理を行う前に、前記処理対象物の研磨処理面の状態を検出するステップと、
を有する、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
検出された研磨処理面の状態に応じて、前記第1研磨処理の処理条件を決定するステップを有する、方法。 - 請求項1または2に記載の方法であって、
前記研磨処理面の状態を検出するステップは、前記処理対象物の研磨処理面の膜厚、膜厚に相当する信号、および表面形状に相当する信号、のうちの少なくとも1つの分布を検出するステップを有する、方法。 - 処理対象物を研磨処理するための研磨装置であって、
前記処理対象物の研磨処理面の状態を検出する検出器と、
前記処理対象物よりも小さな寸法の第1研磨パッドを前記処理対象物に接触させながら前記処理対象物と前記第1研磨パッドとを相対運動させることによって第1研磨処理を行うための、第1研磨処理モジュールと、
前記処理対象物よりも大きな寸法の第2研磨パッドを前記処理対象物に接触させながら前記処理対象物と前記第2研磨パッドとを相対運動させることによって第2研磨処理を行うための、第2研磨処理モジュールと、
前記第1研磨処理モジュールおよび前記第2研磨処理モジュールを制御するための制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記第1研磨処理を行った後に前記第2研磨処理を行うように制御し、
前記検出器は、前記第1研磨処理を行う前に、前記処理対象物の研磨処理面の状態を検出する、研磨装置。 - 請求項4に記載の研磨装置であって、
前記制御装置は、前記検出器で検出された前記研磨処理面の状態に応じて、前記第1研磨処理のための研磨条件を決定するように構成される、研磨装置。 - 請求項4に記載の研磨装置であって、前記研磨装置は、
前記処理対象物に対する目標とする研磨処理面の状態に関するデータを記憶する記憶装置を有し、
前記制御装置は、前記記憶装置に記憶されたデータ、および、前記検出器で検出された研磨処理面の状態に応じて、前記第1研磨処理のための研磨条件および前記第2研磨処理のための研磨条件を決定する、研磨装置。 - 処理対象物を研磨処理するための研磨装置の動作を制御するためのプログラムであって、前記プログラムは、
前記処理対象物よりも小さな寸法の第1研磨パッドを前記処理対象物に接触させながら
前記処理対象物と前記第1研磨パッドとを相対運動させることによって第1研磨処理を行うステップと、
前記第1研磨処理の後に、前記処理対象物よりも大きな寸法の第2研磨パッドを前記処理対象物に接触させながら前記処理対象物と前記第2研磨パッドとを相対運動させることによって第2研磨処理を行うステップと、
前記第1研磨処理を行う前に、前記処理対象物の研磨処理面の状態を検出するステップと、を研磨装置に実行させる、
プログラム。 - 請求項7に記載のプログラムであって、さらに、
前記研磨装置に、検出された研磨処理面の状態に応じて、前記第1研磨処理の処理条件を決定するステップを実行させる、プログラム。 - 請求項7または8に記載のプログラムであって、
前記研磨処理面の状態を検出するステップは、前記研磨装置に、前記処理対象物の研磨処理面の膜厚、膜厚に相当する信号、および表面形状に相当する信号、のうちの少なくとも1つの分布を検出するステップを実行させる、プログラム。 - 請求項7乃至9のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
- 処理対象物を研磨処理するための研磨モジュールであって、
回転可能な研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドに保持される研磨パッドと、
処理対象物を保持するための回転可能なステージと、
研磨液を処理対象物の被研磨面上に供給するための研磨液供給部と、
前記研磨パッドを処理対象物の被研磨面へ押圧力を与えることができるように構成されるアクチュエータと、
処理対象物上の前記研磨ヘッドの接触位置を移動可能に構成される位置決め機構と、
前記ステージに保持される処理対象物の被研磨面と略同一平面または略平行平面となるように配置されるパッドコンディショニング部と、を備え、前記パッドコンディショニング部は、前記研磨パッドに対して相対運動が可能に構成される、
研磨モジュール。 - 請求項11に記載の研磨モジュールであって、
前記研磨パッドは直径が30mm以下である、研磨モジュール。 - 請求項11または12に記載の研磨モジュールであって、
前記研磨パッドは、処理対象物に接触する表面層よりも軟質なクッション層を介して前記研磨ヘッドに保持される、研磨モジュール。 - 請求項11乃至13のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
前記研磨ヘッドは、前記研磨パッドの表面が前記研磨ヘッドの回転軸と垂直になるように構成される、研磨モジュール。 - 請求項11乃至13のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
前記研磨ヘッドは、処理対象物の被研磨面に対して垂直な軸と前記研磨ヘッドの回転軸とのなす角が0度より大きい角度となるように構成される、研磨モジュール。 - 請求項11乃至13のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
前記研磨ヘッドは、前記研磨ヘッドの回転軸が処理対象物の被研磨面と実質的に平行となるように構成され、
前記研磨パッドは、前記研磨ヘッドの直径よりも大きな直径を備え、
前記研磨パッドの中心は前記研磨ヘッドの回転軸と同一である、研磨モジュール。 - 請求項11乃至16のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
前記研磨パッドの中心部に孔が形成されており、
前記研磨液供給部は、前記研磨パッドの孔を通じて研磨液が処理対象物の被研磨面に供給されるように構成される、研磨モジュール。 - 請求項11乃至17のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
処理対象物を直線的に移動可能に構成される、前記ステージに取り付けられるXYステージを有する、研磨モジュール。 - 請求項11乃至17のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
前記ステージは任意の回転位置で停止可能に構成され、
前記研磨ヘッドは、処理対象物の中心を通過する直動機構に取り付けられる、研磨モジュール。 - 請求項11乃至17のいずれか一項に記載の研磨モジュールであって、
前記ステージは任意の回転位置で停止可能に構成され、
前記研磨ヘッドは、処理対象物の中心を通過する円軌道を通る旋回機構に取り付けられる、研磨モジュール。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020040160A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 株式会社東京精密 | 加工システム及び方法 |
JP2022529092A (ja) * | 2020-03-20 | 2022-06-17 | 大連理工大学 | 平面部品の全アパーチャの決定性研磨のスイングアーム式研磨装置及びその方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10875149B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for timed dispensing various slurry components |
JP6869842B2 (ja) * | 2017-07-24 | 2021-05-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、および基板に形成された切り欠きを検出する方法 |
JP6947135B2 (ja) * | 2018-04-25 | 2021-10-13 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法 |
KR102528070B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2023-05-03 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
JP7117171B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、及び研磨制御プログラム |
JP7145084B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-09-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理装置において部分研磨されるべき領域を特定する方法 |
CN110076698B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-02-02 | 苏州同谊联擎动力科技有限公司 | 具备油路铝合金铸件的管路内壁修磨工艺 |
JP7008307B2 (ja) * | 2019-11-20 | 2022-02-10 | 株式会社ロジストラボ | 光学素子の製造方法及び光学素子製造システム |
US20220283554A1 (en) | 2021-03-05 | 2022-09-08 | Applied Materials, Inc. | Control of processing parameters for substrate polishing with substrate precession |
JP2022152042A (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-12 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02257629A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の研磨方法 |
US5938504A (en) * | 1993-11-16 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing apparatus |
JP3447869B2 (ja) | 1995-09-20 | 2003-09-16 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄方法及び装置 |
JP3307854B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | 研磨装置、研磨材及び研磨方法 |
TW377467B (en) | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
JP3231659B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 自動研磨装置 |
JPH1190816A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
US6527621B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-03-04 | Strasbaugh | Pad retrieval apparatus for chemical mechanical planarization |
JP2009194134A (ja) | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
EP2192609A1 (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-02 | SUMCO Corporation | Method of producing wafer for active layer |
JP5454091B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2014-03-26 | 株式会社Sumco | 仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびシリコンウェーハの表面平坦化装置 |
US9418904B2 (en) | 2011-11-14 | 2016-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Localized CMP to improve wafer planarization |
US10065288B2 (en) * | 2012-02-14 | 2018-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control |
US9718164B2 (en) * | 2012-12-06 | 2017-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing system and polishing method |
WO2015002199A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
KR102323430B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2021-11-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
WO2015159973A1 (ja) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
CN105081957A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种用于晶圆平坦化生产的化学机械研磨方法 |
JP6311446B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2018-04-18 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
US9751189B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Compliant polishing pad and polishing module |
US10076817B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-09-18 | Applied Materials, Inc. | Orbital polishing with small pad |
-
2016
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020040160A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 株式会社東京精密 | 加工システム及び方法 |
JP2022529092A (ja) * | 2020-03-20 | 2022-06-17 | 大連理工大学 | 平面部品の全アパーチャの決定性研磨のスイングアーム式研磨装置及びその方法 |
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