JP2017152489A5 - - Google Patents
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Claims (1)
- 化合物半導体装置の製造方法であって、
化合物半導体にて構成される第１導電型の下地層（２、４２）を有する半導体基板（１、２、４１、４２）を用意することと、
前記下地層に対してディープトレンチ（１５、４４）を形成することと、
エピタキシャル成長装置内に第１導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入しつつ、前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記ディープトレンチの底部における角部に、断面形状が三角形状もしくは表面が凹んで曲面となる三角ラウンド形状の第１導電型領域（１６、４６）を形成することと、
前記第１導電型領域を形成したのち、第２導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入しつつ、前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記第１導電型領域を覆いつつ前記ディープトレンチ内に第２導電型のディープ層（５、４５）をエピタキシャル成長させることと、を含む化合物半導体装置の製造方法。
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