JP2017118037A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】形成不良が抑制された導体パターンを高い自由度で備える配線回路基板を提供すること。【解決手段】回路付サスペンション基板１は、中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に設けられる第２導体パターン７とを備える。中間絶縁層５は、傾斜面と、平坦面とを有し、傾斜面１８と酸化金属層１９とのなす角度の補角ｙが、０度超過、２０度以下である。【選択図】図６

Description

本発明は、配線回路基板に関する。

配線回路基板は、絶縁層と、その上に配線パターンとを備える。

例えば、絶縁層に第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを形成する工程と、絶縁層の第１の部分上および第２の部分上に延びるように配線パターンを形成する工程とを備える回路付きサスペンション基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

詳しくは、特許文献１に記載される製造方法では、配線パターンを形成する工程において、第１の部分の上面と境界面との境界線が第１の方向に延び、配線パターンの側辺が第１の方向に交差する第２の方向に延び、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、絶縁層の上面に配線パターンを形成している。

そして、第１の部分の上面と第２の部分の上面との間に境界面が形成されるため、フォトリソグラフィ技術により絶縁層上に配線パターンを形成する工程において、境界面で露光光の反射が発生し、反射光が他の領域に間接的に照射される。しかし、特許文献１に記載の方法によれば、露光光は、境界面で配線パターンが延びる方向に近い方向に反射されるため、反射光が本来の露光光のパターンにほとんど影響を与えない。それにより、フォトリソグラフィ技術により形成される配線パターンに断線または短絡を防止している。

特開２０１４−１２７２１６号公報

近年、配線回路基板を小型化する場合には、配線パターンを複雑なパターンで配置すること場合がある。そのような場合には、特許文献１のように、配線パターンを、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、形成することが困難な場合がある。そうすると、配線パターンの形成不良を防止することができないという不具合がある。

本発明は、形成不良が抑制された導体パターンを高い自由度で備える配線回路基板を提供することにある。

本発明（１）は、絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられる導体パターンとを備え、前記絶縁層は、傾斜面と、平坦面とを有し、前記傾斜面と前記平坦面とのなす角度の補角ｙが、０度超過、２０度以下である配線回路基板を含んでいる。

この配線回路基板によれば、補角ｙが上記した上限値以下であるので、入射光と、傾斜面に対応する金属薄膜において反射する反射光とのなす角度を小さくすることができる。そのため、反射光を実質的に上方に向かうようにすることができ、その結果、形成不良が抑制された導体パターンを設けることができる。

本発明の配線回路基板によれば、形成不良が抑制された導体パターンを設けることができる。

図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法の工程図を示し、図１Ａが、金属支持基板を用意する工程（ｉ）、図１Ｂが、ベース絶縁層を設ける工程（ｉｉ）、図１Ｃが、第１導体パターンを設ける工程（ｉｉｉ）、図１Ｄが、中間絶縁層を設ける工程（１）を示す。 図２Ｅ〜図２Ｇは、図１Ｄに引き続き、一実施形態の回路付サスペンション基板の製造方法の工程図を示し、図２Ｅが、金属薄膜を設ける工程（２）、図２Ｆが、フォトレジストを設ける工程（３）、図２Ｇが、フォトレジストを露光する工程（４）を示す。 図３Ｈ〜図３Ｊは、図２Ｇに引き続き、一実施形態の回路付サスペンション基板の製造方法の工程図を示し、図３Ｈが、フォトレジストにおける予定部分を現像する工程（４）、図３Ｉが、第２導体パターンを設ける工程（５）、図３Ｊが、フォトレジストを除去する工程（ｉｖ）を示す。 図４Ｋおよび図４Ｌは、図３Ｊに引き続き、一実施形態の回路付サスペンション基板の製造方法の工程図を示し、図４Ｋが、フォトレジストに対応する金属薄膜を除去する工程（ｖ）、図４Ｌが、カバー絶縁層を設ける工程（ｖｉ）を示す。 図５は、一実施形態の回路付サスペンション基板の一部平面図（ベース絶縁層、中間絶縁層およびカバー絶縁層を省略した図）を示す。 図６Ａおよび図６は、工程（４）の拡大図であり、図６Ａが、図２Ｇの拡大図であり、図６Ｂが、図３Ｈの拡大図である。 図７Ａおよび図７Ｂは、比較例１の回路付サスペンション基板の拡大断面図であり、図７Ａが、図２Ｇに対応する拡大図であり、図７Ｂが、図３Ｈに対応する拡大図である。 図８Ａおよび図８Ｂは、一実施形態の変形例の回路付サスペンション基板の拡大断面図であり、図８Ａが、図２Ｇに対応する拡大図であり、図８Ｂが、図３Ｈに対応する拡大図である。

図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側を下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、幅方向（面方向、第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が幅方向一方側（第２方向一方側）、紙面右側が幅方向他方側（第２方向他方側）である。具体的には、方向は、各図に記載の方向矢印従う。

以下、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンションおよびその製造方法を説明する。

１．回路付サスペンション基板
この回路付サスペンション基板１は、図４Ｌに示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に設けられるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられる第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に設けられ、第１導体パターン４を被覆する中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に配置される金属薄膜６および第２導体パターン７と、中間絶縁層５の上に設けられ、金属薄膜６および第２導体パターン７を被覆するカバー絶縁層９とを備える。この回路付サスペンション基板１では、金属薄膜６が第２導体パターン７と一体化、具体的には、金属薄膜６が第２導体パターン７の一部として取り込まれていてもよい。

２．回路付サスペンション基板の製造方法
回路付サスペンション基板１の製造方法では、工程（ｉ）〜工程（ｉｉｉ）、工程（１）〜工程（６）、工程（ｉｖ）〜工程（ｖｉ）が順次実施される。以下、上記した各工程を詳述する。

２−１．工程（ｉ）
図１Ａに示すように、工程（ｉ）では、金属支持基板２を用意する。

金属支持基板２は、前後方向に延びる略平板（シート）形状を有する。金属支持基板２は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。

２−２．工程（ｉｉ）
図１Ｂに示すように、工程（ｉｉ）では、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設ける。

ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上面全面に配置する。ベース絶縁層３は、前後方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層３は、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。

ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設けるには、公知の方法が用いられる。

２−３．工程（ｉｉｉ）
図１Ｃに示すように、工程（ｉｉｉ）では、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける。

第１導体パターン４を、ベース絶縁層３の上面に配置する。

第１導体パターン４は、図５が参照されるように、前後方向に延びる複数の第１配線２１（図１Ｃおよび図５においては単数のみ図示される）と、複数の第１配線２１のそれぞれの前後両端部に接続される第１端子（図示せず）とを一体的に備える。図１Ｃに示すように、第１配線２１は、例えば、断面視において、幅方向長さ（幅）が上下方向長さ（厚み）に比べて長い略矩形状を有する。第１配線２１は、上端部に２つの稜線部２３を有する。第１導体パターン４は、導体材料からなる。導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。

第１導体パターン４の寸法は適宜設定されている。第１導体パターン４の厚みＴ０は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第１配線２１の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。また、隣接する第１配線２１間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設けるには、公知の方法が用いられる。

２−４．工程（１）
図１Ｄに示すように、工程（１）では、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける。

中間絶縁層５は、第１配線２１を被覆する一方、図示しない第１端子を露出するパターンを有する。中間絶縁層５は、ベース絶縁層３と同一の絶縁材料からなる。

中間絶縁層５は、図６Ａが参照されるように、平坦面１７と、傾斜面１８とを含む上面とを有する。平坦面１７は、面方向（ベース絶縁層３の表面に沿う方向）に平行する面であって、第１導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、厚み方向に対向する面である。

一方、傾斜面１８は、第１配線２１に対応しており、平坦面１７に連続する上面であって、面方向に対して傾斜する面である。具体的には、傾斜面１８は、第１配線２１の２つの稜線部２３に対応して、平坦面１７から上方に向かって傾斜（隆起）する面である。

傾斜面１８と平坦面１７とのなす角度αの補角ｙ、すなわち、傾斜面１８の平坦面１７に対する斜度は、０度超過、さらには、５度以上である。また、補角ｙは、例えば、２０度以下、好ましくは、２０度未満、より好ましくは、１５度以下、さらに好ましくは、１２度以下である。

なお、角度αは、傾斜面１８が湾曲している場合には、傾斜面１８において平坦面１７からの立ち上がり部分における面と、平坦面１７とのなす角度である。

補角ｙが上記した上限を下回れば、後述する工程（４）（図２Ｇおよび図６Ａ参照）において予定部分１２に向かう光を確実に低減することができる。

中間絶縁層５の厚みＴ１は、ベース絶縁層３の上面と中間絶縁層５の上面との距離であって、例えば、６μｍ超過、好ましくは、９μｍ以上、より好ましくは、１２μｍ以上であり、また、２０μｍ以下である。また、中間絶縁層５において、第１配線２１の上側部分の厚みＴ２は、第１配線２１の上面と中間絶縁層５の上面との距離であって、例えば、５μｍ超過、好ましくは、８μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、１５μｍ以下である。

中間絶縁層５の厚みＴ１の、第１導体パターン４の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、１．０以上、好ましくは、１．２以上、より好ましくは、１．５以上、さらに好ましくは、１．６以上であり、また、５以下である。

比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限以上であれば、上記した補角ｙを上記した上限を確実に下回らせることができる。

中間絶縁層５をベース絶縁層３の上に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスをベース絶縁層３の上面に塗布し、露光および現像し、その後、必要により加熱する。あるいは、図示しない第１端子を露出するパターンに予め形成された中間絶縁層５を、図示しない接着剤を介して、ベース絶縁層３の上に接着する。

２−５．工程（２）
図２Ｅに示すように、工程（２）では、金属薄膜６を中間絶縁層５の少なくとも傾斜面１７の上に設ける。

金属薄膜６は、工程（６）（後述、図３Ｉ参照）におけるアディティブ法の種膜として役することができる。また、金属薄膜６は、アディティブ法で第２導体パターン７が得られたときには、第２導体パターン７と一体化することができる層である。

金属薄膜６は、例えば、中間絶縁層５の上面（平坦面１７および傾斜面１８を含む）全面に設けられている。金属薄膜６は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が挙げられ、好ましくは、銅、クロムが挙げられる。金属薄膜６は、単層および複層（図２Ｅにおいて図示されず）のいずれの層からなっていてもよい。好ましくは、金属薄膜６は、第１薄膜（具体的には、クロム薄膜）と、その上に設けられる第２薄膜（銅薄膜）との２層からなる。

また、金属薄膜６は、中間絶縁層５の上面に追従している。そのため、金属薄膜６において、平坦面１７に対応する部分の上面が、中間絶縁層５の平坦面１７に平行し、つまり、面方向に沿っている。また、金属薄膜６において、傾斜面１８に対応する部分の上面が、中間絶縁層５の傾斜面１８に平行し、つまり、面方向に対して傾斜している。

金属薄膜６の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。また、金属薄膜６が、第１薄膜および第２薄膜の２層からなる場合には、第１薄膜の厚みが、例えば、１０以上、６０ｎｍ以下であり、第２薄膜の厚みが、例えば、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。

金属薄膜６を中間絶縁層５の上に設けるには、例えば、スパッタリング法、めっき法などが用いられ、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。

２−６．工程（３）
図２Ｆに示すように、工程（３）では、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設ける。

フォトレジスト１０としては、例えば、ネガ型あるいはポジ型のフォトレジストなどが挙げられ、好ましくは、ネガ型のフォトレジストが挙げられる。また、フォトレジスト１０として、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を含んでいる。

また、フォトレジスト１０は、工程（４）（図２Ｇ参照）における光（例えば、紫外線など）を部分的に透過することができ、具体的には、フォトレジスト１０の紫外線に対する透過率が、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、６０％以下である。

上記したフォトレジスト１０を、金属薄膜６の上に配置する。

その際、ドライフィルムレジストを、例えば、平板などを用いて、押圧する（押し付ける）。そのため、フォトレジスト１０の上面は、平坦面となる。

フォトレジスト１０の厚みｘは、特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

２−７．工程（４）
図２Ｇおよび図６Ａに示すように、工程（４）では、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０において予定部分１２が遮光されるように配置して、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する。

予定部分１２は、工程（４）において、遮光されるべき部分である。また、予定部分１２は、図３Ｈおよび図６Ｂが参照されるように、工程（５）において、除去されるべき部分である。さらに、予定部分１２は、図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線が参照されるように、工程（６）において、フォトレジスト１０の開口部１６（後述）において第２導体パターン７が設けられる（充填される）べき部分でもある。

予定部分１２は、厚み方向に投影したときに、平坦面１７に含まれる。一方、フォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分は、厚み方向に投影したときに、傾斜面１８を含む。予定部分１２は、厚み方向に投影したときに、第１導体パターン４とずれている部分を有し、その部分と第１導体パターン４とのずれ（左右方向の間隔）は、例えば、1μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

フォトマスク１３は、上側からの光を下方に透光できる透光部分１４と、上側からの光を下方に対して遮光できる遮光部分１５とを有する。

工程（４）では、フォトマスク１３を、遮光部分１５が予定部分１２と対向し、透光部分１４がフォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分と対向するように、配置する。遮光部分１５は、厚み方向に投影したときに、平坦面１７に含まれている。透光部分１４は、厚み方向に投影したときに、傾斜面１８を含んでいる。

なお、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０の上側に間隔を隔てて対向配置する。あるいは、図２Ｇおよび図６Ａには図示しないが、フォトマスク１３を、フォトマスク１３の上面に接触させることもできる。

これにより、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０における予定部分１２が遮光されるように配置する。また、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０における予定部分１２以外の部分が透光されるように配置する。

次いで、工程（４）では、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する。

フォトレジスト１０を露光するには、フォトマスク１３の上方に配置された光源からフォトマスク１３に対して光を照射する。光の波長は、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、また、例えば、８００ｎｍ以下、好ましくは、４５０ｎｍ以下である。照射（露光）量は、例えば、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ^２以上、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。

［１］ すると、遮光部分１５に対して照射された光Ａは、遮光部分１５によって遮光され、予定部分１２に到達しない。

［２］ 一方、厚み方向において平坦面１７に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｂは、透光部分１４を下方に向かって透過して、フォトレジスト１０の上面に到達し、続いて、フォトレジスト１０内に進入する。続いて、光Ｂの一部は、フォトレジスト１０を下方に向かって透過し、金属薄膜６の上面で反射する。つまり、反射光Ｂ’を生成する。この際、反射光Ｂ’は、上方に向かうので、フォトレジスト１０を上方に向かって透過する。

［３］ 他方、厚み方向において傾斜面１８に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｃは、透光部分１４を下方に向かって透過して、フォトレジスト１０の上面に到達し、続いて、フォトレジスト１０内に進入する。続いて、光Ｃの一部は、フォトレジスト１０を下方に向かって透過し、金属薄膜６の上面で反射する。つまり、反射光Ｃ’を生成する。この際、反射光Ｃ’は、上方斜め幅方向一方側に向かう。反射光Ｃ’の角度は、上記した補角ｙに対応するため、入射光Ｃと、反射光Ｃ’とのなす角θ１を小さくすることができる。そのため、反射光Ｃ’は、予定部分１２に向かうことが抑制されて、反射光Ｃ’のほとんどは実質的に上方に向かう。従って、反射光Ｃ’は、フォトレジスト１０における予定部分１２以外の部分を上方に向かって透過する。

［４］ これによって、工程（４）では、フォトレジスト１０を露光するときに、傾斜面１８の上に位置する金属薄膜６により反射して、予定部分１２に向かう光を低減する。

２−８．工程（５）
図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、工程（５）では、フォトマスク１３に遮光された、フォトマスク１０の予定部分１２を除去する。

具体的には、まず、必要により、露光後のフォトレジスト１０を加熱する（露光後加熱）。

続いて、フォトレジスト１０を現像液によって現像する。これによって、フォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分を存置させつつ、予定部分１２のみを除去する。つまり、フォトレジスト１０において、予定部分１２に対応する開口部１６を形成する。開口部１６は、フォトレジスト１０を厚み方向に貫通する。

これによって、予定部分１２に対応する金属薄膜６、つまり、開口部１６に臨む金属薄膜６を露出させる。

その後、必要により、フォトレジスト１０を加熱により硬化させる。

２−９．工程（６）
図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、工程（６）では、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設ける。

第２導体パターン７は、前後方向に延びる複数の第２配線２６（図３Ｉにおいては単数のみ図示される）と、複数の第２配線２６のそれぞれの前後両端部に接続される第２端子（図示せず）とを一体的に備える。第２配線２６は、例えば、断面視において、左右方向長さ（幅）が上下方向長さ（厚み）に比べて長い略矩形状を有する。

第２導体パターン７は、厚み方向に投影したときに、第１導体パターン４とずれている部分を有し、その部分のずれ量（左右方向の間隔）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

第２導体パターン７は、第１導体パターン４と同一の導体材料からなる。

第２導体パターン７の寸法は適宜設定されている。第２導体パターン７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第２配線２６の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。また、隣接する第２配線２６間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

第２導体パターン７を金属薄膜６の上に設けるには、金属薄膜６から給電する電解めっきが用いられる。

第２導体パターン７は、その下に位置する金属薄膜６と一体化することができる。

２−１０．工程（ｉｖ）
図３Ｊに示すように、工程（ｉｖ）では、フォトレジスト１０を除去する。

具体的には、フォトレジスト１０を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。

２−１１．工程（ｖ）
図４Ｋに示すように、工程（ｖ）では、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去する。

具体的には、フォトレジスト１０の下に位置していた金属薄膜６を、例えば、剥離により除去する。

２−１２．工程（ｖｉ）
図４Ｌに示すように、工程（ｖｉ）では、カバー絶縁層９を、第２導体パターン７の第２配線２６を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。

これにより、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に設けられるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられる第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に設けられ、第１導体パターン４を被覆する中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に配置される金属薄膜６および第２導体パターン７と、中間絶縁層５の上に設けられ、金属薄膜６および第２導体パターン７を被覆するカバー絶縁層９とを備える回路付サスペンション基板１を得る。この回路付サスペンション基板１では、金属薄膜６が第２導体パターン７と一体化、具体的には、金属薄膜６が第２導体パターン７の一部として取り込まれていてもよい。

３．中間絶縁層
回路付サスペンション基板１が上記した製造方法で得られる。そのため、中間絶縁層５における傾斜面１８と平坦面１７とのなす角度αの補角ｙ、すなわち、傾斜面１８の平坦面１７に対する斜度は、０度超過、さらには、５度以上である。また、補角ｙは、２０度以下、好ましくは、２０度未満、より好ましくは、１５度以下、さらに好ましくは、１２度以下である。

補角ｙが上記した上限を超えれば、工程（４）において、図７に示すように、入射光Ｃと、反射光Ｃ’とのなす角θ２が大きくなる。そのため、反射光Ｃ’は、予定部分１２に向かう光を低減することができず、そのため、第２導体パターン７の形状不良を生じる。

４．一実施形態の作用効果
図７Ａが参照される比較例１の、回路付サスペンション基板１の製造方法では、工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１の、第１導体パターン４の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限未満に設定されていれば、補角ｙ’が上記した範囲を上回ってしまう。そのため、工程（４）において、図７Ａに示すように、厚み方向において傾斜面１８に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｃ（入射光Ｃ）と、そこで生成された反射光Ｃ’とのなす角度θ２が比較的大きくなる。そのため、反射光Ｃ’が、上方斜め幅方向一方側に向かい、予定部分１２に向かうことが抑制されず、予定部分１２を照射（露光）してしまう。その場合には、図７Ｂに示すように、工程（５）において、予定部分１２を除去することができず、そのため、金属薄膜６を露出させることができない。そうすると、工程（６）の電解めっきにおいて、第２導体パターン７を確実に設けることができず、そのため、第２導体パターン７の断線などの形状不良を生ずる。

一方、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、工程（４）において、図２Ｇおよび図６Ａに示すように、フォトレジスト１０を露光するときに、傾斜面１８の上に位置する金属薄膜６により反射して、予定部分１２に向かう光を低減するので、工程（５）において、図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、フォトレジスト１０の予定部分１２を確実に除去して、工程（６）において、図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、第２導体パターン７を確実に形成することができる。つまり、特許文献１と異なり、第２導体パターン７を高い自由度で設けながら、第２導体パターン７の形成不良を抑制することができる。

その結果、接続信頼性に優れる回路付サスペンション基板１を得ることができる。

具体的には、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限以上である場合には、上記した補角ｙが上記した上限値以下であるので、入射光Ｃと、傾斜面１８に対応する金属薄膜６において反射する反射光Ｃ’とのなす角度θ１を小さくすることができる。そのため、反射光Ｃ’を実質的に上方に向かうようにすることができ、その結果、工程（４）において、図２Ｇおよび図６Ａに示すように、予定部分１２に向かう反射光Ｃ’を確実に低減することができる。

５．変形例
中間絶縁層５の傾斜面１８は、第１導体パターン４の稜線部２３に対応しているが、図８Ａに示すように、傾斜面１８が、第１導体パターン４に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３が複数の厚みＴ３およびＴ４を有することによって、ベース絶縁層３が傾斜面１８を形成することもできる。

つまり、この回路付サスペンション基板１は、図８Ｂに示すように、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、金属薄膜６および第２導体パターン７と、カバー絶縁層９（図４Ｋ参照）とを順次備え、第１導体パターン４および中間絶縁層５を備えない。

この変形例によっても、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

また、本発明の配線回路基板の一実施形態として回路付サスペンション基板１を挙げて説明しているが、例えば、金属支持基板２を備えないフレキシブル配線回路基板とすることもできる。その場合には、フレキシブル配線回路基板は、図示しないが、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、金属薄膜６と、第２導体パターン７と、カバー絶縁層９とを備える。

以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１（一実施形態に対応する実施例）
図１Ａに示すように、まず、厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板２を用意した（工程（ｉ））。

図１Ｂに示すように、次いで、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設けた（工程（ｉｉ））。

図１Ｃに示すように、次いで、銅からなる第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設けた（工程（ｉｉｉ））。第１導体パターン４の厚みは、９μｍであった。第１配線２１の幅は、２０μｍであった。

図１Ｄに示すように、次いで、ポリイミドからなる中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設けた（工程（１））。厚みＴ１は、１５μｍであり、厚みＴ２は、１２μｍであった。傾斜面１８と平坦面１７とのなす角度αが、１６８度であり、補角ｙが、１２度であった。

図２Ｅに示すように、次いで、厚み３０ｎｍのクロム薄膜と、厚み７０μｍの銅薄膜とからなる金属薄膜６を、スパッタリング法で、中間絶縁層５の上に設けた（工程（２））。

図２Ｆに示すように、次いで、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設けた（工程（３））。フォトレジスト１０の厚みは、２０μｍであった。

図２Ｇおよび図６Ａに示すように、次いで、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０における予定部分１２が遮光されるように配置した（工程（４））。具体的には、フォトマスク１３を、遮光部分１５が予定部分１２と対向し、透光部分１４がフォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分と対向するように、配置した。

続いて、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光した（工程（４））。

図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、次いで、現像により、フォトマスク１０の予定部分１２を除去して、予定部分１２に対応する金属薄膜６を露出させた工程（５）。

図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、次いで、金属薄膜６から給電する電解銅めっきにより、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設けた（６）。第２導体パターン７の厚みは、９μｍであった。第２配線２６の幅は、２０μｍであった。

図３Ｊに示すように、次いで、エッチングにより、フォトレジスト１０を除去した工程（ｉｖ）。

図４Ｋに示すように、次いで、剥離により、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去した（工程（ｖ））。

図４Ｌに示すように、次いで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層９を、第２導体パターン７を被覆するように、中間絶縁層５の上に設けた（工程（ｖｉ））。

これにより、回路付サスペンション基板１を得た。つまり、回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、第２導体パターン７と、カバー絶縁層９とを備える。

第２導体パターン７には、断線などの形成不良が観察されなかった。

実施例２（一実施形態に対応する実施例）
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を１２μｍに変更し、厚みＴ２を８μｍに変更し、さらに、角度αを１６０度に変更し、補角ｙを２０度に変更した以外は、実施例１と同様に処理した。

第２導体パターン７には、形成不良がわずかに観察された。

比較例１
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を６μｍに変更し、厚みＴ２を５μｍに変更し、さらに、角度αを１５０度に変更し、補角ｙを３０度に変更した以外は、実施例１と同様に処理した。

第２導体パターン７は、形成不良であって、完全な断線箇所が観察された。

実施例１〜２および比較例１の中間絶縁層５の厚みおよび角度と、評価とを表１に記載する。

１ 回路付サスペンション基板１
３ ベース絶縁層３
５ 中間絶縁層５
７ 第２導体パターン７
１７ 平坦面
１８ 傾斜面１８
α 角度
ｙ 補角

Claims (1)

1. 絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられる導体パターンとを備え、
   前記絶縁層は、傾斜面と、平坦面とを有し、
   前記傾斜面と前記平坦面とのなす角度の補角ｙが、０度超過、２０度以下であることを特徴とする、配線回路基板。

Images