JP2017099027A - 伝送線路およびフラットケーブル - Google Patents

Abstract

【課題】１つの積層絶縁体に複数の伝送線路部を備えながら、これら複数の伝送線路部間の不要結合を抑制でき、且つ小型化できる伝送線路およびフラットケーブルを構成する。【解決手段】複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体１０内に、第１伝送線路部を構成する第１グランド導体パターン、第２グランド導体パターンおよび第１信号導体パターンと、第２伝送線路部を構成する第３グランド導体パターン、第４グランド導体パターンおよび第２信号導体パターンとを含む。第１信号導体パターン３１は第２信号導体パターン３２に沿って延伸配置される。第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３とは互いに異なる絶縁体層に形成され、平面視でそれぞれの一部が重なる。【選択図】図５

Description

本発明は、複数の高周波信号を伝送する伝送線路およびフラットケーブルに関する発明である。

従来、高周波信号を伝送する各種の伝送線路が考案されている。例えば、特許文献１にストリップライン構造の伝送線路が示されている。特許文献１に記載の伝送線路は、高周波信号の伝送方向に延びる長尺状の積層絶縁体、複数の信号線路、および、第１、第２グランド導体を備える。複数の信号線路は、交互に上下にずらせて、第１、第２のグランド導体に対して平行に配列される。この構成により、それら線路の特性インピーダンスが所定値にマッチングされて、複数の線路が高密度に配置される。

特開平４−１４４３０１号公報

特許文献１に示される構造の伝送線路においては、各々の信号線を所望のインピーダンスに合わせ込むことが困難である。また、積層方向に重なるグランド層を共有しているため、グランド層を介した結合が生じやすい。すなわち帰還電流による伝送線路間の信号の漏洩が生じやすい。

一方、信号線間に層間接続導体を配置することで、この層間接続導体によって、隣接する信号線間の不要結合を抑制する構造が考えられる。

しかし、隣接する信号線間に層間接続導体を配置する構成では、次のような問題が生じる。

（ａ）隣接する信号線間に配置される層間接続導体のピッチを粗くする態様や層間接続導体を無くす態様とした場合、信号線同士が不要結合し易くなる。一方、層間接続導体のピッチを細かくすると、信号線と層間接続導体との間の容量が大きくなって、伝送線路としての所望の特性インピーダンスを実現しにくくなる。

（ｂ）積層絶縁体の幅を狭くするほど、層間接続導体と信号線との間に生じる容量が大きくなって、伝送線路としての所望の特性インピーダンスを実現しにくくなる。

そこで、本発明の目的は、１つの積層絶縁体に複数の伝送線路部を備えながら、これら複数の伝送線路部間の不要結合を抑制できる伝送線路およびフラットケーブルを提供することにある。

（１）本発明の伝送線路は、
複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、第１伝送線路部を構成する第１グランド導体パターン、第２グランド導体パターンおよび第１信号導体パターンと、第２伝送線路部を構成する第３グランド導体パターン、第４グランド導体パターンおよび第２信号導体パターンとを含み、
前記第２グランド導体パターンおよび前記第４グランド導体パターンは、前記複数の絶縁体層の同じ層に配置され、且つ、前記絶縁体層の積層方向からの平面視で、前記第１伝送線路部および前記第２伝送線路部の範囲の実質的に全面に形成された共用グランド導体パターンであり、
前記第１信号導体パターンは前記第２信号導体パターンに沿って延伸配置され、
前記第１グランド導体パターン、前記第２グランド導体パターン、前記第３グランド導体パターン、および前記第４グランド導体パターンは、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンより幅広の導体パターンであり、
前記第１グランド導体パターンおよび前記第３グランド導体パターンは、それぞれ、前記積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの一方側に配置され、
前記共用グランド導体パターンは、前記積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの他方側に配置され、
前記第１信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第３グランド導体パターンには重ならず、
前記第２信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第１グランド導体パターンには重ならず、
少なくとも前記第１グランド導体パターンと前記第３グランド導体パターンとは互いに異なる前記絶縁体層に形成され、平面視でそれぞれの一部が重なる、
ことを特徴とする。

上記の構成により、少なくとも第１グランド導体パターンと第３グランド導体パターンが分離されることで、グランド導体パターン（第１グランド導体パターンと第３グランド導体パターン）を介した結合が抑制される。そのため、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。また、第１グランド導体パターンと第３グランド導体パターンが平面視で重なることで、不要輻射が防止される。

（２）上記（１）において、前記第１グランド導体パターンは前記第１信号導体パターンの延伸方向に沿って延伸配置され、
前記第３グランド導体パターンは前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って延伸配置される、
ことが好ましい。

上記の構成により、第２グランド導体パターンと第４グランド導体パターンが分離されることで、グランド導体パターン（第２グランド導体パターンと第４グランド導体パターン）を介した結合も抑制される。

（３）上記（１）または（２）において、
前記第３グランド導体パターンと前記第４グランド導体パターンとの、前記積層方向の間隔は、前記第１グランド導体パターンと前記第２グランド導体パターンとの前記積層方向の間隔より広く、
前記第２信号導体パターンの線幅は前記第１信号導体パターンの線幅より広いことが好ましい。

上記の構成により、第１信号導体パターンを備える第１伝送線路部のインピーダンスと、第２信号導体パターンを備える第２伝送線路部のインピーダンスとを一致させつつまたは近似させつつ、第２伝送線路部の伝送損失を低減させることができる。このことにより、要求される伝送損失の制約に応じて、第１伝送線路部と第２伝送線路部を適宜使用できる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、
前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとは、異なる前記絶縁体層に形成されることが好ましい。

上記の構成により、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの立体的な間隔を広くでき、そのことで２つの伝送線路部間のアイソレーションを高められる。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、
前記第１グランド導体パターンおよび前記第３グランド導体パターンの少なくとも一方と、前記共用グランド導体パターンとは、層間接続導体を介して接続され、
前記層間接続導体は、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間に配置されることが好ましい。

（６）本発明の伝送線路は、
複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、第１伝送線路部を構成する第１グランド導体パターン、第２グランド導体パターンおよび第１信号導体パターンと、第２伝送線路部を構成する第３グランド導体パターンおよび第２信号導体パターンとを含み、
前記第１信号導体パターンは前記第２信号導体パターンに沿って延伸配置され、
前記第１グランド導体パターン、前記第２グランド導体パターン、および前記第３グランド導体パターンは、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンより幅広の導体パターンであり、
前記第１グランド導体パターンおよび前記第３グランド導体パターンは、それぞれ、前記絶縁体層の積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの一方側に配置され、
前記第２グランド導体パターンは、前記積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの他方側に配置され、且つ、前記積層方向からの平面視で、前記第１伝送線路部および前記第２伝送線路部の範囲の実質的に全面に形成されたグランド導体パターンであり、
前記第１信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第３グランド導体パターンには重ならず、
前記第２信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第１グランド導体パターンには重ならず、
少なくとも前記第１グランド導体パターンと前記第３グランド導体パターンとは互いに異なる前記絶縁体層に形成され、平面視でそれぞれの一部が重なる、
ことを特徴とする。

（７）本発明のフラットケーブルは、伝送線路と前記伝送線路に接続されるコネクタとで構成され、前記伝送線路は上記（１）から（６）のいずれかに記載の伝送線路であり、前記コネクタは前記伝送線路の積層絶縁体に搭載される、ことを特徴とする。

上記の構成により、小型でありながら、複数の伝送線路部間の不要結合が抑制され、且つ不要輻射が抑制されたフラットケーブルが構成される。

本発明によれば、第１信号導体パターン、第１グランド導体パターンおよび第２グランド導体パターンを含む第１伝送線路と、第２信号導体パターン、第１グランド導体パターンおよび第３グランド導体パターンを含む第２伝送線路との、グランド導体パターンを介した結合が抑制される。また、グランド導体パターンが分離されていることによる不要輻射が防止される。さらに、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。

図１は第１の実施形態に係る伝送線路１０１およびフラットケーブル２０１の外観斜視図である。 図２は、図１に示される伝送線路１０１のＡ−Ａ部分の断面図である。 図３は伝送線路１０１が備える各絶縁体層およびそれらに形成される各種導体パターンを示す部分平面図である。 図４（Ａ）は第１の実施形態に係るフラットケーブル２０１の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図４（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。 図５は第２の実施形態に係る伝送線路１０２の断面図である。 図６は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の断面図である。 図７は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の断面図である。 図８は第５の実施形態に係る伝送線路が備えるグランド導体パターンの幾つかの例を示す部分平面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るフラットケーブル２０１の外観斜視図である。フラットケーブル２０１は伝送線路１０１と、この伝送線路１０１に搭載される同軸コネクタ６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂとで構成される。伝送線路１０１は第１伝送線路部と第２伝送線路部を備える。伝送線路１０１の長手方向が高周波信号の伝送方向である。第１伝送線路部の両端に同軸コネクタ６１Ａ，６１Ｂが設けられ、第２伝送線路部の両端に同軸コネクタ６２Ａ，６２Ｂが設けられる。

図２は、図１に示される伝送線路１０１のＡ−Ａ部分の断面図である。伝送線路１０１は、複数の絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５，１６が積層された積層絶縁体１０と、この積層絶縁体１０の内部に、絶縁体層１１〜１６に沿って配置される各種導体パターンとを備える。

上記導体パターンは、絶縁体層１３に沿って配置される第１グランド導体パターン２１、絶縁体層１６に沿って配置される第２・第４共用グランド導体パターン２５、絶縁体層１２に沿って配置される第３グランド導体パターン２３、絶縁体層１５に沿って配置される第１信号導体パターン３１、および絶縁体層１４に沿って配置される第２信号導体パターン３２を含む。

第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２は互いに並行していて、長手方向（図１参照）に延伸配置される。第１信号導体パターン３１は、第１グランド導体パターン２１と第２・第４共用グランド導体パターン２５との間の層に配置され、第２信号導体パターン３２は、第３グランド導体パターン２３と第２・第４共用グランド導体パターン２５との間の層に配置される。なお、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２の間隔は一定でなくてもよく、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２とが互いに並行していればよい。すなわち、第１信号導体パターン３１は第２信号導体パターン３２に沿って延伸配置されていればよい。

図３は伝送線路１０１が備える各絶縁体層およびそれらに形成される各種導体パターンを示す部分平面図である。絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５には、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４１が形成され、絶縁体層１１，１２，１３，１４には、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４２が形成される。絶縁体層１１，１２，１３には、同軸コネクタ搭載用外導体パターン５１，５２がそれぞれ形成される。

絶縁体層１２には第３グランド導体パターン２３が形成され、絶縁体層１３には第１グランド導体パターン２１が形成される。絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２が形成され、絶縁体層１５には第１信号導体パターン３１が形成される。そして絶縁体層１６には第２・第４共用グランド導体パターン２５が形成される。

各絶縁体層に形成される、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４１はそれぞれビア導体ＶＳ１を介して導通し、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４２はそれぞれビア導体ＶＳ２を介して導通する。また、同軸コネクタ搭載用外導体パターン５１はそれぞれビア導体ＶＧ１を介して導通し、同軸コネクタ搭載用外導体パターン５２はそれぞれビア導体ＶＧ２を介して導通する。同軸コネクタ６１Ａ（図１参照）は同軸コネクタ搭載用内導体パターン４１および同軸コネクタ搭載用外導体パターン５１に搭載され、電気的に接合される。また、同軸コネクタ６２Ａは同軸コネクタ搭載用内導体パターン４２および同軸コネクタ搭載用外導体パターン５２に搭載され、電気的に接合される。図３では、伝送線路１０１の実質的に半分の領域について図示したが、残る半分の領域の構成も同様である。

第１グランド導体パターン２１と第２グランド導体パターン２３とはビア導体ＶＧ１を介して電気的に接続され、第３グランド導体パターン２３と第４グランド導体パターン２４とはビア導体ＶＧ２を介して電気的に接続される。すなわちいずれも同軸コネクタ搭載部で接続される。同軸コネクタ搭載部以外では、第１グランド導体パターン２１と第２・第４共用グランド導体パターン２５は接続されず、第３グランド導体パターン２３と第２・第４共用グランド導体パターン２５とは接続されない。すなわち、第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３とは電気的に分離される。

上記各種導体パターンを形成した絶縁体層１１〜１６を積層して加熱圧着することで、図２に示される断面構造を有する積層絶縁体１０が構成される。

積層絶縁体１０の同軸コネクタ搭載部に同軸コネクタが搭載されることにより、フレキシブルなフラットケーブル２０１が構成される。

上記の構成により、第１信号導体パターン３１、第１グランド導体パターン２１および第２・第４共用グランド導体パターン２５により、ストリップライン型の第１伝送線路部ＳＬ１が構成される。また、第２信号導体パターン３２、第３グランド導体パターン２３および第２・第４共用グランド導体パターン２５により、ストリップライン型の第２伝送線路部ＳＬ２が構成される。なお、導体以外の部材も含めれば、第１信号導体パターン３１、第１グランド導体パターン２１、第２グランド導体パターン２２と共に、誘電体および支持層としての絶縁体層１３，１４，１５も第１伝送線路部ＳＬ１の構成要素である。同様に、第２信号導体パターン３２、第３グランド導体パターン２３、第２・第４共用グランド導体パターン２５と共に、絶縁体層１２，１３，１４，１５も第２伝送線路部ＳＬ２の構成要素である。

第１信号導体パターン３１は、平面視で（絶縁体層の積層方向に視て）、第１グランド導体パターン２１および第２・第４共用グランド導体パターン２５に重なり、且つ第３グランド導体パターン２３および第２・第４共用グランド導体パターン２５の少なくとも一方には重ならない。同様に、第２信号導体パターン３２は、平面視で、第３グランド導体パターン２３および第２・第４共用グランド導体パターン２５に重なり、且つ第１グランド導体パターン２１および第２グランド導体パターン２２の少なくとも一方には重ならない。

第１グランド導体パターン２１の幅ＷＧ１および第２・第４共用グランド導体パターン２５の幅ＷＧ２５は、第１信号導体パターン３１の幅ＷＳ１より広い。また、第３グランド導体パターン２３の幅ＷＧ３および第２・第４共用グランド導体パターン２５の幅ＷＧ２５は、第２信号導体パターン３２の幅ＷＳ２より広い。

第１信号導体パターン３１と第１グランド導体パターン２１との間隔をＤ１１、第１信号導体パターン３１と第２・第４共用グランド導体パターン２５との間隔をＤ１２、第２信号導体パターン３２と第３グランド導体パターン２３との間隔をＤ２１、第２信号導体パターン３２と第２・第４共用グランド導体パターン２５との間隔をＤ２２でそれぞれ表すと、概略的に間隔Ｄ２１，Ｄ２２は間隔Ｄ１１，Ｄ１２より大きい。そして、第２信号導体パターン３２の幅ＷＳ２は、第１信号導体パターン３１の幅ＷＳ１より大きい。このような寸法関係により、第１伝送線路部ＳＬ１の特性インピーダンスと第２伝送線路の特性インピーダンスとを一致させつつまたは近似させつつ、第２伝送線路部ＳＬ２の伝送損失を低減させることができる。このことにより、要求される伝送損失の制約に応じて、第１伝送線路部ＳＬ１と第２伝送線路部ＳＬ２を適宜使用できる。例えば、第１伝送線路部ＳＬ１をローバンドの通信信号用の伝送線路として用い、第２伝送線路部ＳＬ２をハイバンドの通信信号用の伝送線路として用いる。一般に、伝送すべき信号の周波数が高くなるほど、表皮効果による抵抗損が増大し、絶縁体層の誘電正接による誘電損も増大する。そのため、ハイバンドとローバンドとを比較すると、ハイバンド信号の伝送損失を抑えることについての要求が強い。そのため、上述のとおり、信号導体パターンとグランド導体パターン間の間隔が広く、信号導体パターンの幅が広い、第２伝送線路部ＳＬ２をハイバンド用の伝送線路部とすること有利である。

図２に示されるように、第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３とは、平面視で距離ＷＧ１３だけ重なる。このように、第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３とは互いに異なる絶縁体層に形成され、平面視で一部重なる。この構造により、第１グランド導体パターン２１および第３グランド導体パターン２３を介した結合が抑制される。そのため、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。また、第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３が平面視で重なる（オーバーラップする）ことで、第１グランド導体パターン２１および第３グランド導体パターン２３の形成面方向（図２の向きでは上方）への不要輻射が防止される。

図２に示されるように、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２とは距離ＷＳ１２だけ離間する。また、第１グランド導体パターン２１と第２信号導体パターン３２とは平面距離ＷＧＳだけ離間する。本実施形態では、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２の形成層が異なるので、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との平面距離を狭めても、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との離間距離ＷＳ１２は必要距離だけ確保できる。また、第１グランド導体パターン２１と第２信号導体パターン３２との平面距離ＷＧＳを大きくすれば、（例えば、少なくとも平面視で重ならないようにすれば、）第１グランド導体パターン２１と第２信号導体パターン３２との間に生じる容量は小さい。これにより、第１グランド導体パターン２１を介した帰還電流による伝送線路間の信号の漏洩は抑制できる。

このようにして、第１伝送線路と第２伝送線路とのクロストークを抑制しつつ伝送線路全体の幅を小さくできる。

図４（Ａ）は本実施形態に係るフラットケーブル２０１の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図４（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。

携帯電子機器１は、薄型の筐体２を備える。筐体２内には、回路基板３Ａ，３Ｂと、バッテリーパック４等が配置される。回路基板３Ａ，３Ｂの表面には、複数のＩＣ５およびチップ部品６が実装される。回路基板３Ａ，３Ｂおよびバッテリーパック４は、筐体２を平面視して、回路基板３Ａ，３Ｂ間にバッテリーパック４が配置されるように、筐体２に設置される。筐体２はできる限り薄型に形成されるので、筐体２の厚み方向での、バッテリーパック４と筐体２との間隔は極狭い。したがって、この間に通常の同軸ケーブルを配置することはできない。

本実施形態のフラットケーブル２０１は、その厚み方向と、筐体２の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック４と筐体２との間に、フラットケーブル２０１を通すことができる。これにより、バッテリーパック４を中間に配して離間された回路基板３Ａ，３Ｂをフラットケーブル２０１で接続できる。

さらに、フラットケーブル２０１の回路基板３Ａ，３Ｂへの接続位置と、バッテリーパック４へのフラットケーブル２０１の設置面が、筐体２の厚み方向で異なり、フラットケーブル２０１を湾曲させて接続しなければならない場合であっても適用できる。

さらに、フラットケーブル２０１は幅方向に小さいので、複数の伝送線路を並置することも容易となる。

《第２の実施形態》
図５は第２の実施形態に係る伝送線路１０２の断面図である。第１の実施形態で示される伝送線路１０１と異なり、第２グランド導体パターン２２と第４グランド導体パターン２４とを備える。第２グランド導体パターン２２の幅ＷＧ２は、第１信号導体パターン３１の幅ＷＳ１より広い。また、第４グランド導体パターン２４の幅ＷＧ４は、第２信号導体パターン３２の幅ＷＳ２より広い。第１信号導体パターン３１は、平面視で、第１グランド導体パターン２１および第２グランド導体パターン２２に重なり、且つ第３グランド導体パターン２３には重ならない。同様に、第２信号導体パターン３２は、平面視で、第３グランド導体パターン２３および第４グランド導体パターン２４に重なり、且つ第１グランド導体パターン２１には重ならない。その他の構成は第１の実施形態で示される伝送線路１０１と同じである。

図５に示される伝送線路１０２は、第１信号導体パターン３１、第１グランド導体パターン２１および第２グランド導体パターン２２により、ストリップライン型の第１伝送線路部ＳＬ１が構成される。また、第２信号導体パターン３２、第３グランド導体パターン２３および第４グランド導体パターン２４により、ストリップライン型の第２伝送線路部ＳＬ２が構成される。

このように、隣接する２つの伝送線路部の上下のグランド導体パターンがそれぞれ分離されることにより、グランド導体パターンを介する帰還電流による伝送線路間の信号の漏洩はさらに抑制される。

《第３の実施形態》
図６は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の断面図である。この伝送線路１０３の第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２は共通の絶縁体層１４に形成される。また、第２グランド導体パターン２２は絶縁体層１５に形成され、第４グランド導体パターン２４は絶縁体層１６に形成される。そのため、第３グランド導体パターン２３は第１グランド導体パターン２１より外側に配置され、且つ第４グランド導体パターン２４は第２グランド導体パターン２２より外側に配置される。その他の構成は第１の実施形態で示される伝送線路１０１と同じである。

図６に示される伝送線路１０３では、第２グランド導体パターン２２と第４グランド導体パターン２４とは、平面視で距離ＷＧ２４だけ重なる。このように、第２グランド導体パターン２２と第４グランド導体パターン２４とは互いに異なる絶縁体層に形成され、平面視で一部重なる。この構造により、第２グランド導体パターン２２と第４グランド導体パターン２４を介した結合が抑制される。そのため、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。また、第２グランド導体パターン２２と第４グランド導体パターン２４が平面視で重なる（オーバーラップする）ことで、第２グランド導体パターン２２および第４グランド導体パターン２４の形成面方向（図６の向きでは下方）への不要輻射も防止される。

《第４の実施形態》
図７は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の断面図である。この伝送線路１０４の第１信号導体パターン３１は絶縁体層１５に形成され、第２信号導体パターン３２は絶縁体層１４に形成される。第１グランド導体パターン２１は絶縁体層１３に形成され、第２グランド導体パターン２２は絶縁体層１７に形成される。また、第３グランド導体パターン２３は絶縁体層１２に形成され、第４グランド導体パターン２４は絶縁体層１６に形成される。そのため、第１信号導体パターン３１、第１グランド導体パターン２１および第２グランド導体パターン２２を含む第１伝送線路部ＳＬ１と、第２信号導体パターン３２、第３グランド導体パターン２３および第４グランド導体パターン２４を含む第２伝送線路部ＳＬ２とは、絶縁体層の積層方向に全体にオフセットした構造となる。その他の構成は第１の実施形態で示される伝送線路１０１と同じである。

図７に示される伝送線路１０４では、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との立体的な間隔を広くでき、そのことで２つの伝送線路部ＳＬ１、ＳＬ２間のアイソレーションを高められる。また、第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３とは、互いに異なる絶縁体層に形成され、平面視で一部重なり、第２グランド導体パターン２２と第４グランド導体パターン２４とは、互いに異なる絶縁体層に形成され、平面視で一部重なるので、各グランド導体パターンを介した帰還電流による伝送線路間の信号の漏洩が抑制される。また、伝送線路１０４の厚み方向（図７の向きでは上下方向）への不要輻射が防止される。

《第５の実施形態》
図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は第５の実施形態に係る伝送線路が備えるグランド導体パターンの幾つかの例を示す部分平面図である。

図８（Ａ）（Ｂ）は、第１の実施形態で図３に示される絶縁体層１６に形成される第２・第４共用グランド導体パターン２５を表す図に対応する図である。この例では、第２・第４共用グランド導体パターン２５に、導体非形成部（導体開口）ＣＷが形成されている。すなわち、第２・第４共用グランド導体パターン２５は梯子状またはメッシュ状に形成されている。その他の絶縁体層に形成される各種導体パターンの構成は図３に示されるとおりである。

図８（Ｃ）は、第１の実施形態で図３に示される絶縁体層１２に形成される第３グランド導体パターン２３を表す図に対応する図である。この例では、第３グランド導体パターン２３に、導体非形成部（導体開口）ＣＷが形成されている。また、図８（Ｄ）は、第１の実施形態で図３に示される絶縁体層１３に形成される第１ランド導体パターン２１を表す図に対応する図である。この例では、第１グランド導体パターン２１に、導体非形成部（導体開口）ＣＷが形成されている。

図８（Ａ）（Ｂ）に示される例のように、第２・第４共用グランド導体パターン２５に導体非形成部ＣＷが有って、第１グランド導体パターン２１および第３グランド導体パターン２３に導体非形成部が無い構成であれば、第１グランド導体パターン２１および第３グランド導体パターン２３の形成面方向への不要輻射が抑制される。

また、図８（Ｃ）（Ｄ）に示される例のように、第２・第４共用グランド導体パターン２５に導体非形成部ＣＷが無い構成（第１グランド導体パターン２１および第３グランド導体パターン２３側に導体非形成部が有る構成）であれば、第２・第４共用グランド導体パターン２５を介する信号の不要結合（クロストーク）が抑制される。すなわち、第２・第４共用グランド導体パターン２５の導体非形成部ＣＷを漏洩する電磁波の漏洩に伴い発生する磁界を介して、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２とが不要結合することがない。

図８（Ａ）（Ｂ）に示される構造によれば、第２・第４共用グランド導体パターン２５と第１信号導体パターン３１との間に生じる容量、および第２・第４共用グランド導体パターン２５と第２信号導体パターン３２との間に生じる容量は小さくなる（図２参照）。そのため、その分、絶縁体層１５を薄くできるので、伝送線路およびフラットケーブルを薄型化できる。

また、図８（Ｃ）（Ｄ）に示される構造によれば、第１グランド導体パターン２１と第１信号導体パターン３１との間に生じる容量、および第３グランド導体パターン２３と第２信号導体パターン３２との間に生じる容量は小さくなる（図２参照）。そのため、その分、絶縁体層１３等を薄くできるので、（さらには絶縁体層１２も薄くできるので、）伝送線路およびフラットケーブルを薄型化できる。

なお、図５〜図７に示される構造においても同様に、各グランド導体パターンに導体非形成部ＣＷを形成してもよい。

以上に示した幾つかの実施形態では、積層絶縁体に２つの伝送線路部を構成した例を示したが、２つの伝送線路部に限らず、３つ以上の伝送線路部を構成してもよい。その場合でも、隣接する２つの伝送線路部の関係が本発明の構成を備えることで、幅方向に小さく、且つクロストークの少ない伝送線路として用いることができる。

また、並行する２つの信号導体パターンの間に層間接続導体を所定間隔で配置してもよい。例えば、図５〜図７に示される構造において、第１グランド導体パターン２１と第２グランド導体パターン２２間を接続する層間接続導体を所定間隔で配置してもよい。同様に、第３グランド導体パターン２３と第４グランド導体パターン２４間を接続する層間接続導体を所定間隔で配置してもよい。更に、図２に示される構造においては、第１グランド導体パターン２１と第２・第４共用グランド導体パターン２５間を接続する層間接続導体を所定間隔で配置してもよい。このように並行する２つの信号導体パターンの間に層間接続導体を配置されることで、第１伝送線部ＳＬ１と第２伝送線路部ＳＬ２との間のアイソレーションをより確保できるようになる。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。例えば、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

ＣＷ…導体非形成部
ＳＬ１…第１伝送線路部
ＳＬ２…第２伝送線路部
ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＳ１，ＶＳ２…ビア導体
１…携帯電子機器
２…筐体
３Ａ，３Ｂ…回路基板
４…バッテリーパック
５…ＩＣ
６…チップ部品
１０…積層絶縁体
１１〜１７…絶縁体層
２１…第１グランド導体パターン
２２…第２グランド導体パターン
２３…第３グランド導体パターン
２４…第４グランド導体パターン
２５…第２・第４共用グランド導体パターン
３１…第１信号導体パターン
３２…第２信号導体パターン
４１，４２…同軸コネクタ搭載用内導体パターン
５１，５２…同軸コネクタ搭載用外導体パターン
６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂ…同軸コネクタ
１０１，１０２，１０３，１０４…伝送線路
２０１…フラットケーブル

Claims (7)

1. 複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
   前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
   を備え、
   前記導体パターンは、第１伝送線路部を構成する第１グランド導体パターン、第２グランド導体パターンおよび第１信号導体パターンと、第２伝送線路部を構成する第３グランド導体パターン、第４グランド導体パターンおよび第２信号導体パターンとを含み、
   前記第２グランド導体パターンおよび前記第４グランド導体パターンは、前記複数の絶縁体層の同じ層に配置され、且つ、前記絶縁体層の積層方向からの平面視で、前記第１伝送線路部および前記第２伝送線路部の範囲の実質的に全面に形成された共用グランド導体パターンであり、
   前記第１信号導体パターンは前記第２信号導体パターンに沿って延伸配置され、
   前記第１グランド導体パターン、前記第２グランド導体パターン、前記第３グランド導体パターン、および前記第４グランド導体パターンは、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンより幅広の導体パターンであり、
   前記第１グランド導体パターンおよび前記第３グランド導体パターンは、それぞれ、前記積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの一方側に配置され、
   前記共用グランド導体パターンは、前記積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの他方側に配置され、
   前記第１信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第３グランド導体パターンには重ならず、
   前記第２信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第１グランド導体パターンには重ならず、
   少なくとも前記第１グランド導体パターンと前記第３グランド導体パターンとは互いに異なる前記絶縁体層に形成され、平面視でそれぞれの一部が重なる、
   ことを特徴とする伝送線路。
2. 前記第１グランド導体パターンは前記第１信号導体パターンの延伸方向に沿って延伸配置され、
   前記第３グランド導体パターンは前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って延伸配置される、請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記第３グランド導体パターンと前記第４グランド導体パターンとの、前記積層方向の間隔は、前記第１グランド導体パターンと前記第２グランド導体パターンとの前記積層方向の間隔より広く、
   前記第２信号導体パターンの線幅は前記第１信号導体パターンの線幅より広い、請求項１または２に記載の伝送線路。
4. 前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとは、異なる前記絶縁体層に形成される、請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路。
5. 前記第１グランド導体パターンおよび前記第３グランド導体パターンの少なくとも一方と、前記共用グランド導体パターンとは、層間接続導体を介して接続され、
   前記層間接続導体は、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間に配置される、請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路。
6. 複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
   前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
   を備え、
   前記導体パターンは、第１伝送線路部を構成する第１グランド導体パターン、第２グランド導体パターンおよび第１信号導体パターンと、第２伝送線路部を構成する第３グランド導体パターンおよび第２信号導体パターンとを含み、
   前記第１信号導体パターンは前記第２信号導体パターンに沿って延伸配置され、
   前記第１グランド導体パターン、前記第２グランド導体パターン、および前記第３グランド導体パターンは、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンより幅広の導体パターンであり、
   前記第１グランド導体パターンおよび前記第３グランド導体パターンは、それぞれ、前記絶縁体層の積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの一方側に配置され、
   前記第２グランド導体パターンは、前記積層方向において前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの他方側に配置され、且つ、前記積層方向からの平面視で、前記第１伝送線路部および前記第２伝送線路部の範囲の実質的に全面に形成されたグランド導体パターンであり、
   前記第１信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第３グランド導体パターンには重ならず、
   前記第２信号導体パターンは、前記積層方向からの平面視で、前記第１グランド導体パターンには重ならず、
   少なくとも前記第１グランド導体パターンと前記第３グランド導体パターンとは互いに異なる前記絶縁体層に形成され、平面視でそれぞれの一部が重なる、
   ことを特徴とする伝送線路。
7. 伝送線路と前記伝送線路に接続されるコネクタとで構成され、
   前記伝送線路は請求項１から６のいずれかに記載の伝送線路であり、
   前記コネクタは前記伝送線路の積層絶縁体に搭載される、
   ことを特徴とする、フラットケーブル。

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