JP2022182050A - シールドフラットケーブル及び基板付きシールドフラットケーブル - Google Patents

シールドフラットケーブル及び基板付きシールドフラットケーブル Download PDF

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正道 山本
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Abstract

【課題】高周波領域においても外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できるシールドフラットケーブル及び基板付きシールドフラットケーブルを提供する。【解決手段】シールドフラットケーブルは、互いに平行な第１信号線及び第２信号線を含む第１差動信号線対と、前記第１差動信号線対に平行な第１グランド線と、前記第１差動信号線対に平行であるとともに、前記第１グランド線との間に前記第１差動信号線対を配置する第２グランド線と、前記第１差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線を覆う絶縁層と、前記絶縁層の第１面を覆う第１シールド層と、前記第１面と反対の面であって、前記絶縁層の第２面を覆う第２シールド層と、を有し、前記第１グランド線を露出する第１開口が前記絶縁層の前記第１面の側に形成され、前記第１シールド層は、前記第１開口を介して前記第１グランド線に接続され、前記第１グランド線の幅は、前記第１信号線の幅及び前記第２信号線の幅よりも大きい。【選択図】図２

Description

本開示は、シールドフラットケーブル及び基板付きシールドフラットケーブルに関する。
外部ノイズ及びクロストークの影響を受けにくくすることを目的としたシールドフラットケーブルが開示されている（特許文献１）。
国際公開第２０１９／２０８２４７号
特許文献１に記載のシールドフラットケーブルによれば、所期の目的は達成されるものの、近年では伝送される信号の周波数が高まっており、外部ノイズの影響を受けたり、クロストークが生じたりするおそれがある。
本開示は、高周波領域においても外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できるシールドフラットケーブル及び基板付きシールドフラットケーブルを提供することを目的とする。
本開示のシールドフラットケーブルは、互いに平行な第１信号線及び第２信号線を含む第１差動信号線対と、前記第１差動信号線対に平行な第１グランド線と、前記第１差動信号線対に平行であるとともに、前記第１グランド線との間に前記第１差動信号線対を配置する第２グランド線と、前記第１差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線を覆う絶縁層と、前記絶縁層の第１面を覆う第１シールド層と、前記第１面と反対の面であって、前記絶縁層の第２面を覆う第２シールド層と、を有し、前記第１グランド線を露出する第１開口が前記絶縁層の前記第１面の側に形成され、前記第１シールド層は、前記第１開口を介して前記第１グランド線に接続され、前記第１グランド線の幅は、前記第１信号線の幅及び前記第２信号線の幅よりも大きい。
本開示によれば、高周波領域においても外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できる。
図１は、第１実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す平面図である。 図２は、第１実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。 図３は、各部の寸法を示す断面図である。 図４は、シールドフラットケーブルが接続された基板を示す平面図である。 図５は、シールドフラットケーブルが接続された基板を示す断面図（その１）である。 図６は、シールドフラットケーブルが接続された基板を示す断面図（その２）である。 図７は、シールドフラットケーブルが接続された基板を示す断面図（その３）である。 図８は、第２実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。 図９は、第３実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。 図１０は、第４実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。 図１１は、第５実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。 図１２は、第６実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
〔１〕 本開示の一態様に係るシールドフラットケーブルは、互いに平行な第１信号線及び第２信号線を含む第１差動信号線対と、前記第１差動信号線対に平行な第１グランド線と、前記第１差動信号線対に平行であるとともに、前記第１グランド線との間に前記第１差動信号線対を配置する第２グランド線と、前記第１差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線を覆う絶縁層と、前記絶縁層の第１面を覆う第１シールド層と、前記第１面と反対の面であって、前記絶縁層の第２面を覆う第２シールド層と、を有し、前記第１グランド線を露出する第１開口が前記絶縁層の前記第１面の側に形成され、前記第１シールド層は、前記第１開口を介して前記第１グランド線に接続され、前記第１グランド線の幅は、前記第１信号線の幅及び前記第２信号線の幅よりも大きい。
第１グランド線の幅が、第１信号線の幅及び第２信号線の幅よりも大きい。従って、第１グランド線のグランド電位が安定し、高周波領域においても第１差動信号線対への外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できる。
〔２〕 〔１〕において、前記第２面の側において、前記第１グランド線は全体的に、前記絶縁層を介して前記第２シールド層と重畳してもよい。この場合、開口を形成するための工数及びコストを低減できる。
〔３〕 〔１〕又は〔２〕において、前記第２グランド線を露出する第２開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、前記第２シールド層は、前記第２開口を介して前記第２グランド線に接続され、前記第１面の側において、前記第２グランド線は全体的に、前記絶縁層を介して前記第１シールド層と重畳してもよい。この場合、第１差動信号線対への外部ノイズの影響及びクロストークを抑制しやすい。
〔４〕 〔１〕において、前記第１グランド線を露出する第３開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、前記第２シールド層は、前記第３開口を介して前記第１グランド線に接続されてもよい。この場合、第１差動信号線対への外部ノイズの影響及びクロストークを抑制しやすい。
〔５〕 〔１〕において、前記第２グランド線を露出する第２開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、前記第２シールド層は、前記第２開口を介して前記第２グランド線に接続され、前記第１面の側において、前記第２グランド線は全体的に、前記絶縁層を介して前記第１シールド層と重畳し、前記第１グランド線を露出する第３開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、前記第２シールド層は、前記第３開口を介して前記第１グランド線に接続されてもよい。この場合、第１差動信号線対への外部ノイズの影響及びクロストークを抑制しやすい。
〔６〕 〔１〕～〔５〕において、長手方向に垂直な断面視において、前記第１シールド層及び前記第２シールド層は前記絶縁層の少なくとも一端側からはみ出しており、はみ出した部分で互いに接合されていてもよい。この場合、第１シールド層及び第２シールド層を絶縁層から剥離しにくくできる。
〔７〕 〔１〕～〔６〕において、前記第１グランド線の幅は、前記第１差動信号線対の幅よりも大きくてもよい。この場合、第１グランド線のグランド電位を安定させやすく、第１差動信号線対への外部ノイズの影響及びクロストークを抑制しやすい。また、シールドフラットケーブルの製造の際に、第１シールド層を第１グランド線に接触させやすい。
〔８〕 〔１〕～〔７〕において、前記第１差動信号線対と前記第１グランド線との間の距離は、前記第１信号線と前記第２信号線との間の距離よりも大きくてもよい。この場合、シールドフラットケーブルの製造の際に、第１シールド層を第１グランド線に接触させやすい。
〔９〕 〔１〕～〔８〕において、前記第１差動信号線対の幅は、前記第１差動信号線対と前記第１グランド線との間の距離よりも大きくてもよい。この場合、第１差動信号線対への外部ノイズの影響及びクロストークを抑制しやすい。
〔１０〕 〔１〕～〔９〕において、前記第１グランド線の幅は、前記第１差動信号線対と前記第１グランド線との間の距離よりも大きくてもよい。この場合、第１グランド線のグランド電位を安定させやすく、外部ノイズの影響及びクロストークを抑制しやすい。また、シールドフラットケーブルの製造の際に、第１シールド層を第１グランド線に接触させやすい。
〔１１〕 〔１〕～〔１０〕において、前記第１シールド層と前記絶縁層との間に、前記第１差動信号線対に平行、かつ平面視で前記第１差動信号線対と重なる介在を有し、前記第１グランド線の幅は、前記介在の幅よりも小さくてもよい。この場合、第１差動信号線対のインピーダンスを調整しやすい。
〔１２〕 〔１〕～〔１１〕において、前記第１差動信号線対に平行な第３信号線及び第４信号線を含む第２差動信号線対を有し、前記絶縁層は前記第２差動信号線対を覆い、前記第１グランド線は、前記第１差動信号線対と前記第２差動信号線対との間に配置されてもよい。この場合、高周波領域においても第１差動信号線対と第２差動信号線対との間のクロストークを抑制できる。
〔１３〕 本開示の他の一態様に係るシールドフラットケーブルは、互いに平行な第１信号線及び第２信号線を含む第１差動信号線対と、前記第１差動信号線対に平行な第３信号線及び第４信号線を含む第２差動信号線対と、前記第１差動信号線対に平行な第１グランド線と、前記第１差動信号線対に平行な第２グランド線と、前記第１差動信号線対、前記第２差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線を覆う絶縁層と、前記絶縁層を覆うシールド層と、を有し、前記第１差動信号線対、前記第２差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線は仮想平面上に並び、前記第１グランド線は、前記第１差動信号線対と前記第２差動信号線対との間に配置され、前記第１差動信号線対は、前記第１グランド線と前記第２グランド線との間に配置され、前記絶縁層に、前記第１グランド線に達する第１開口と、前記第２グランド線に達する第２開口と、が形成され、前記第１開口は、前記第１グランド線の前記仮想平面に垂直な第１方向側のみに形成され、前記第１グランド線の前記第１方向側とは反対の第２方向側の面は全体的に前記絶縁層に覆われ、前記第２開口は、前記第２グランド線の前記第２方向側のみに形成され、前記第２グランド線の前記第１方向側の面は全体的に前記絶縁層に覆われ、前記シールド層は、前記第１開口を通じて前記第１グランド線に接続され、前記第２開口を通じて前記第２グランド線に接続され、前記第１グランド線の幅及び前記第２グランド線の幅は、前記第１信号線の幅、前記第２信号線の幅、前記第３信号線の幅及び前記第４信号線の幅よりも大きい。
第１グランド線の幅及び第２グランド線の幅が第１信号線の幅、第２信号線の幅、第３信号線の幅及び第４信号線の幅よりも大きい。従って、高周波領域においても第１差動信号線対への外部ノイズの影響、第２差動信号線対への外部ノイズの影響、及び第１差動信号線対と第２差動信号線対との間のクロストークを抑制できる。
〔１４〕 本開示の更に他の一態様に係る基板付きシールドフラットケーブルは、〔１〕～〔１２〕のいずれかに記載のシールドフラットケーブルと、前記シールドフラットケーブルの端部が接続された基板と、を有し、前記基板は、前記第１グランド線が電気的に接続された第１グランドパターンと、前記第２グランド線が電気的に接続された第２グランドパターンと、前記第１差動信号線対が電気的に接続された第１信号パターン及び第２信号パターンと、を備え、前記端部において前記絶縁層から露出する前記第１グランド線、前記第２グランド線及び前記第１差動信号線対を覆う樹脂を有し、前記樹脂の比誘電率は２．０以上２．６以下である。この場合、インピーダンスの乱れを抑制できる。
〔１５〕 〔１４〕において、前記絶縁層から露出する第１差動信号線対は一直線状に第１信号パターン及び第２信号パターンに接続されてもよい。この場合、接続部における特性インピーダンスの乱れを小さくでき、この結果、反射ロスを低減して信号の劣化を少なくできる。
〔１６〕 〔１４〕又は〔１５〕において、前記絶縁層から露出する第１グランド線は一直線状に第１グランドパターンに接続されてもよい。この場合、接続部における特性インピーダンスの乱れを小さくすることができ、この結果、反射ロスを低減して信号の劣化を少なくできる。
［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。本明細書及び図面において、Ｘ１－Ｘ２方向、Ｙ１－Ｙ２方向、Ｚ１－Ｚ２方向を相互に直交する方向とする。Ｘ１－Ｘ２方向及びＹ１－Ｙ２方向を含む面をＸＹ平面とし、Ｙ１－Ｙ２方向及びＺ１－Ｚ２方向を含む面をＹＺ平面とし、Ｚ１－Ｚ２方向及びＸ１－Ｘ２方向を含む面をＺＸ平面とする。便宜上、Ｚ１方向を上方向、Ｚ２方向を下方向とする。また、本開示において平面視とは、Ｚ１側から対象物を視ることをいう。
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す平面図である。図２は、第１実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。図２は、図１中のII－II線に沿った断面図に相当する。図３は、各部の寸法を示す断面図である。
図１及び図２に示すように、第１実施形態に係るシールドフラットケーブル１は、第１差動信号線対１１と、第２差動信号線対１２と、第１グランド線２１０と、第２グランド線２２０と、第３グランド線２３０とを有する。第１差動信号線対１１、第２差動信号線対１２、第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、Ｘ１－Ｘ２方向に並ぶ。Ｙ１－Ｙ２方向は、シールドフラットケーブル１の長手方向であり、第１差動信号線対１１、第２差動信号線対１２、第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０の長手方向である。例えば、第１差動信号線対１１、第２差動信号線対１２、第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０は、ＸＹ平面に平行な仮想平面１０上に並ぶ。
第２グランド線２２０は第１グランド線２１０のＸ２側にあり、第３グランド線２３０は第１グランド線２１０のＸ１側にある。従って、第１グランド線２１０は第２グランド線２２０と第３グランド線２３０との間にある。第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０は、表面に錫めっき層が形成された軟銅から構成される。
第１グランド線２１０は、例えば平角導体である。第１グランド線２１０は、第１面２１１と、第２面２１２と、第３面２１３と、第４面２１４とを有する。第１面２１１及び第２面２１２はＸＹ平面に平行であり、第３面２１３及び第４面２１４はＹＺ平面に平行である。第２面２１２は第１面２１１のＺ２側にあり、第４面２１４は第３面２１３のＸ２側にある。第１グランド線２１０の幅ＷＧ１は、例えば２．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。幅ＷＧ１は、第３面２１３と第４面２１４との間の距離である。第１グランド線２１０の厚さＴＧ１は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＧ１は、第１面２１１と第２面２１２との間の距離である。
第２グランド線２２０は、例えば平角導体である。第２グランド線２２０は、第１面２２１と、第２面２２２と、第３面２２３と、第４面２２４とを有する。第１面２２１及び第２面２２２はＸＹ平面に平行であり、第３面２２３及び第４面２２４はＹＺ平面に平行である。第２面２２２は第１面２２１のＺ２側にあり、第４面２２４は第３面２２３のＸ２側にある。第２グランド線２２０の幅ＷＧ２は、例えば２．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。幅ＷＧ２は、第３面２２３と第４面２２４との間の距離である。第２グランド線２２０の厚さＴＧ２は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＧ２は、第１面２２１と第２面２２２との間の距離である。
第３グランド線２３０は、例えば平角導体である。第３グランド線２３０は、第１面２３１と、第２面２３２と、第３面２３３と、第４面２３４とを有する。第１面２３１及び第２面２３２はＸＹ平面に平行であり、第３面２３３及び第４面２３４はＹＺ平面に平行である。第２面２３２は第１面２３１のＺ２側にあり、第４面２３４は第３面２３３のＸ２側にある。第３グランド線２３０の幅ＷＧ３は、例えば２．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。幅ＷＧ３は、第３面２３３と第４面２３４との間の距離である。第３グランド線２３０の厚さＴＧ３は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＧ３は、第１面２３１と第２面２３２との間の距離である。
第１差動信号線対１１は第１グランド線２１０と第２グランド線２２０と間にあり、第２差動信号線対１２は第１グランド線２１０と第３グランド線２３０と間にある。第１差動信号線対１１は、第１信号線１１０と、第２信号線１２０とを有し、差動信号を伝送する。第２信号線１２０は第１信号線１１０のＸ１側にある。第２差動信号線対１２は、第３信号線１３０と、第４信号線１４０とを有し、差動信号を伝送する。第４信号線１４０は第３信号線１３０のＸ１側にある。第１信号線１１０、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０は、めっき層が形成されていないめっきレスの軟銅から構成される。第１信号線１１０、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０が、表面に錫めっき層が形成された軟銅から構成されてもよい。
第１信号線１１０は、例えば平角導体である。第１信号線１１０は、第１面１１１と、第２面１１２と、第３面１１３と、第４面１１４とを有する。第１面１１１及び第２面１１２はＸＹ平面に平行であり、第３面１１３及び第４面１１４はＹＺ平面に平行である。第２面１１２は第１面１１１のＺ２側にあり、第４面１１４は第３面１１３のＸ２側にある。第１信号線１１０の幅ＷＳ１は、例えば０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下である。幅ＷＳ１は、第３面１１３と第４面１１４との間の距離である。第１信号線１１０の厚さＴＳ１は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＳ１は、第１面１１１と第２面１１２との間の距離である。第１信号線１１０が丸型導体であってもよい。
第２信号線１２０は、例えば平角導体である。第２信号線１２０は、第１面１２１と、第２面１２２と、第３面１２３と、第４面１２４とを有する。第１面１２１及び第２面１２２はＸＹ平面に平行であり、第３面１２３及び第４面１２４はＹＺ平面に平行である。第２面１２２は第１面１２１のＺ２側にあり、第４面１２４は第３面１２３のＸ２側にある。第２信号線１２０の幅ＷＳ２は、例えば０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下である。幅ＷＳ２は、第３面１２３と第４面１２４との間の距離である。第２信号線１２０の厚さＴＳ２は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＳ２は、第１面１２１と第２面１２２との間の距離である。第２信号線１２０が丸型導体であってもよい。
第１信号線１１０と第２信号線１２０との間の距離ＬＳＳ１は、例えば０．１０ｍｍ以上２．００ｍｍ以下である。距離ＬＳＳ１は、第１信号線１１０の第３面１１３と第２信号線１２０の第４面１２４との間の距離である。
第３信号線１３０は、例えば平角導体である。第３信号線１３０は、第１面１３１と、第２面１３２と、第３面１３３と、第４面１３４とを有する。第１面１３１及び第２面１３２はＸＹ平面に平行であり、第３面１３３及び第４面１３４はＹＺ平面に平行である。第２面１３２は第１面１３１のＺ２側にあり、第４面１３４は第３面１３３のＸ２側にある。第３信号線１３０の幅ＷＳ３は、例えば０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下である。幅ＷＳ３は、第３面１３３と第４面１３４との間の距離である。第３信号線１３０の厚さＴＳ３は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＳ３は、第１面１３１と第２面１３２との間の距離である。第３信号線１３０が丸型導体であってもよい。
第４信号線１４０は、例えば平角導体である。第４信号線１４０は、第１面１４１と、第２面１４２と、第３面１４３と、第４面１４４とを有する。第１面１４１及び第２面１４２はＸＹ平面に平行であり、第３面１４３及び第４面１４４はＹＺ平面に平行である。第２面１４２は第１面１４１のＺ２側にあり、第４面１４４は第３面１４３のＸ２側にある。第４信号線１４０の幅ＷＳ４は、例えば０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下である。幅ＷＳ４は、第３面１４３と第４面１４４との間の距離である。第４信号線１４０の厚さＴＳ４は、例えば０．０２ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。厚さＴＳ４は、第１面１４１と第２面１４２との間の距離である。第４信号線１４０が丸型導体であってもよい。
第３信号線１３０と第４信号線１４０との間の距離ＬＳＳ２は、例えば０．１０ｍｍ以上２．００ｍｍ以下である。距離ＬＳＳ２は、第３信号線１３０の第３面１３３と第４信号線１４０の第４面１４４との間の距離である。
第１グランド線２１０の幅ＷＧ１、第２グランド線２２０の幅ＷＧ２及び第３グランド線２３０の幅ＷＧ３が、第１信号線１１０の幅ＷＳ１、第２信号線１２０の幅ＷＳ２、第３信号線１３０の幅ＷＳ３、第４信号線１４０の幅ＷＳ４よりも大きい。
シールドフラットケーブル１は、第１差動信号線対１１、第２差動信号線対１２、第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０を覆う絶縁層２０を有する。絶縁層２０は、仮想平面１０を間に挟む第１絶縁層２１と、第２絶縁層２２とを有する。第１絶縁層２１は仮想平面１０のＺ１側にあり、第２絶縁層２２は仮想平面１０のＺ２側にある。絶縁層２０は、Ｚ１方向を向く第１面と、Ｚ２方向を向く第２面とを有する。第１面は第１絶縁層２１により構成され、第２面は第２絶縁層２２により構成される。
第１絶縁層２１は、外側から基材２１Ｂと、接着層２１Ａとを有し、第２絶縁層２２は、外側から基材２２Ｂと、接着層２２Ａとを有する（図５～図７参照）。基材２１Ｂ及び２２Ｂの材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンナフタレート樹脂等が挙げられる。なお、これらの樹脂のうち、電気的特性、機械的特性、コスト等の観点からは、ポリエチレンテレフタレート樹脂が好ましい。接着層２１Ａ及び２２Ａの材料としては、例えば、ポリプロピレン系樹脂が挙げられる。第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２は単層構造を有していてもよい。例えば、第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２を、押出成形によって樹脂のみで形成してもよい。
シールドフラットケーブル１は、絶縁層２０の外側に設けられたシールド層３０を有する。シールド層３０は絶縁層２０を覆う。シールド層３０は、第１絶縁層２１のＺ１側の第１シールド層３１と、第２絶縁層２２のＺ２側の第２シールド層３２とを有する。第１シールド層３１は、金属箔３１Ｂと、導電性接着剤層３１Ａとを有する（図５～図７参照）。金属箔３１Ｂは、例えば銅箔又はアルミニウム箔である。第２シールド層３２は、金属箔３２Ｂと、導電性接着剤層３２Ａとを有する（図５～図７参照）。金属箔３２Ｂは、例えば銅箔又はアルミニウム箔である。第１シールド層３１では、導電性接着剤が金属箔と第１絶縁層２１との間に配置される。第２シールド層３２では、導電性接着剤が金属箔と第２絶縁層２２との間に配置される。第１シールド層３１及び第２シールド層３２の厚さは、例えば、０．０２ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下である。
シールドフラットケーブル１は、第１介在４１と、第２介在４２と、第３介在４３と、第４介在４４とを有する。第１介在４１、第２介在４２、第３介在４３及び第４介在４４はＹ１－Ｙ２方向に延びる。第１介在４１、第２介在４２、第３介在４３及び第４介在４４の材料は、例えば、ポリプロピレン系樹脂が挙げられる。例えば、第１絶縁層２１の厚さと第１介在４１又は第３介在４３の厚さとの和は０．４ｍｍ以下であり、第２絶縁層２２の厚さと第２介在４２又は第４介在４４の厚さとの和は０．４ｍｍ以下である。第１介在４１、第２介在４２、第３介在４３及び第４介在４４が設けられていなくてもよい。
第１介在４１は、第１絶縁層２１と第１シールド層３１との間に設けられている。第１介在４１は、平面視で、第１グランド線２１０と第２グランド線２２０との間にあり、第１差動信号線対１１と重なる。平面視で、第１介在４１のＸ１側の端部４１Ａは第１差動信号線対１１と第１グランド線２１０との間にあり、第１介在４１のＸ２側の端部４１Ｂは第１差動信号線対１１と第２グランド線２２０との間にある。第１介在の幅ＷＩ１は、例えば、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。幅ＷＩ１は、端部４１Ａと端部４１Ｂとの間の距離である。
第２介在４２は、第２絶縁層２２と第２シールド層３２との間に設けられている。第２介在４２は、第１介在４１と同様に、平面視で、第１グランド線２１０と第２グランド線２２０との間にあり、第１差動信号線対１１と重なる。平面視で、第２介在４２のＸ１側の端部４２Ａは第１差動信号線対１１と第１グランド線２１０との間にあり、第２介在４２のＸ２側の端部４２Ｂは第１差動信号線対１１と第２グランド線２２０との間にある。第２介在の幅ＷＩ２は、例えば、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。幅ＷＩ２は、端部４２Ａと端部４２Ｂとの間の距離である。
第３介在４３は、第１絶縁層２１と第１シールド層３１との間に設けられている。第３介在４３は、平面視で、第１グランド線２１０と第３グランド線２３０との間にあり、第２差動信号線対１２と重なる。平面視で、第３介在４３のＸ１側の端部４３Ａは第２差動信号線対１２と第３グランド線２３０との間にあり、第３介在４３のＸ２側の端部４３Ｂは第２差動信号線対１２と第１グランド線２１０との間にある。第３介在の幅ＷＩ３は、例えば、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。幅ＷＩ３は、端部４３Ａと端部４３Ｂとの間の距離である。
第４介在４４は、第２絶縁層２２と第２シールド層３２との間に設けられている。第４介在４４は、第３介在４３と同様に、平面視で、第１グランド線２１０と第３グランド線２３０との間にあり、第２差動信号線対１２と重なる。平面視で、第４介在４４のＸ１側の端部４４Ａは第２差動信号線対１２と第３グランド線２３０との間にあり、第４介在４４のＸ２側の端部４４Ｂは第２差動信号線対１２と第１グランド線２１０との間にある。第４介在の幅ＷＩ４は、例えば、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。幅ＷＩ４は、端部４４Ａと端部４４Ｂとの間の距離である。
第１絶縁層２１に、第１グランド線２１０に達する第１開口５１が形成されている。第１開口５１は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、溝状に形成されている。第１開口５１から第１グランド線２１０の第１面２１１が露出する。第１シールド層３１は、第１開口５１を通じて第１グランド線２１０に接続されている。第１シールド層３１の導電性接着剤が第１グランド線２１０に接する。第１グランド線２１０の第２面２１２は全体的に第２絶縁層２２により覆われている。
第２絶縁層２２に、第２グランド線２２０に達する第２開口５２が形成されている。第２開口５２は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、溝状に形成されている。第２開口５２から第２グランド線２２０の第２面２２２が露出する。第２シールド層３２は、第２開口５２を通じて第２グランド線２２０に接続されている。第２シールド層３２の導電性接着剤が第２グランド線２２０に接する。第２グランド線２２０の第１面２２１は全体的に第１絶縁層２１により覆われている。
第２絶縁層２２に、第３グランド線２３０に達する第４開口５４が形成されている。第４開口５４は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、溝状に形成されている。第４開口５４から第３グランド線２３０の第２面２３２が露出する。第２シールド層３２は、第４開口５４を通じて第３グランド線２３０に接続されている。第２シールド層３２の導電性接着剤が第２グランド線２２０に接する。第３グランド線２３０の第１面２３１は全体的に第１絶縁層２１により覆われている。
シールドフラットケーブル１は、シールド層３０の外側に設けられた絶縁保護層７０を有する。絶縁保護層７０はシールド層３０を覆う。絶縁保護層７０は、第１シールド層３１のＺ１側の第１絶縁保護層７１と、第２シールド層３２のＺ２側の第２絶縁保護層７２とを有する。
シールドフラットケーブル１は、例えば基板に接続されて使用される。ここで、シールドフラットケーブル１と基板との接続について説明する。図４は、シールドフラットケーブル１が接続された基板を示す平面図である。図５～図７は、シールドフラットケーブル１が接続された基板を示す断面図である。図５は、図４中のV-V線に沿った断面図に相当し、図６は、図４中のVI-VI線に沿った断面図に相当し、図７は、図４中のVII-VII線に沿った断面図に相当する。基板が接続されたシールドフラットケーブル１は、基板付きシールドフラットケーブルの一例である。
シールドフラットケーブル１が接続される基板の一例である基板９００は、第１絶縁層９１０と、グランド層９２０と第２絶縁層９３０と、を有する。第１絶縁層９１０の上にグランド層９２０が設けられ、グランド層９２０の上に第２絶縁層９３０が設けられている。第２絶縁層９３０の縁にシールドフラットケーブル１の一部を収納する溝が形成されており、溝内に接着剤９９０が設けられている。
第２絶縁層９３０の上に、第１信号パターン９４１と、第２信号パターン９４２と、第３信号パターン９４３と、第４信号パターン９４４と、第１グランドパターン９５１と、第２グランドパターン９５２と、第３グランドパターン９５３とが設けられている。第２グランドパターン９５２、第１信号パターン９４１、第２信号パターン９４２、第１グランドパターン９５１、第３信号パターン９４３、第４信号パターン９４４及び第３グランドパターン９５３は、Ｘ２側からＸ１側に向けてこの順で、溝が形成された縁に沿って配置されている。図５に示すように、第１グランドパターン９５１は、第２絶縁層９３０内に設けられた導電ビア９２１を介してグランド層９２０に電気的に接続されている。図７に示すように、第３グランドパターン９５３は、第２絶縁層９３０内に設けられた導電ビア９２３を介してグランド層９２０に電気的に接続されている。同様に、第２グランドパターン９５２は、第２絶縁層９３０内に設けられた導電ビア（図示せず）を介してグランド層９２０に電気的に接続されている。
シールドフラットケーブル１の一端において、絶縁保護層７０、シールド層３０、第１介在４１、第２介在４２、第３介在４３、第４介在４４及び絶縁層２０が剥がされる。これにより、第１グランド線２１０、第２グランド線２２０、第３グランド線２３０、第１信号線１１０、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０の各端部が露出する。また、絶縁保護層７０が更に剥がされ、第１シールド層３１及び第２シールド層３２の各端部も露出する。
そして、第２シールド層３２がグランド層９２０に接続される。また、第１信号線１１０が第１信号パターン９４１に接続され、第２信号線１２０が第２信号パターン９４２に接続され、第３信号線１３０が第３信号パターン９４３に接続され、第４信号線１４０が第４信号パターン９４４に接続される。更に、第１グランド線２１０が第１グランドパターン９５１に接続され、第２グランド線２２０が第２グランドパターン９５２に接続され、第３グランド線２３０が第３グランドパターン９５３に接続される。
シールドフラットケーブル１と基板９００との接続は、はんだ又は導電性接着剤等の接合材を用いて行われる。例えば、図５及び図７に示すように、第１グランド線２１０は接合材９７１によって第１グランドパターン９５１に接合され、第３グランド線２３０は接合材９７３によって第３グランドパターン９５３に接合されている。同様に、第２グランド線２２０は接合材（図示せず）によって第２グランドパターン９５２に接合されている。また、図６に示すように、第１信号線１１０は接合材９６１によって第１信号パターン９４１に接合されている。同様に、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０は、それぞれ接合材（図示せず）によって第２信号パターン９４２、第３信号パターン９４３及び第４信号パターン９４４に接合されている。なお、図４では、接合材９６１、９７１及び９７３並びに樹脂９８０も図示を省略している。
第１信号線１１０、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０は、それぞれ第１信号パターン９４１、第２信号パターン９４２、第３信号パターン９４３及び第４信号パターン９４４に、一直線状に接続されることが好ましい。第１信号線１１０、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０の絶縁保護層７０から露出した部分に、屈曲した部分が含まれないことが好ましい。第１差動信号線対１１に含まれる第１信号線１１０及び第２信号線１２０がそれぞれ第１信号パターン９４１及び第２信号パターン９４２に一直線状に接続されることにより、接続部における特性インピーダンスの乱れを小さくでき、この結果、反射ロスを低減して信号の劣化を少なくできる。同様に、第２差動信号線対１２に含まれる第３信号線１３０及び第４信号線１４０がそれぞれ第３信号パターン９４３及び第４信号パターン９４４に一直線状に接続されることにより、接続部における特性インピーダンスの乱れを小さくでき、この結果、反射ロスを低減して信号の劣化を少なくできる。
また、第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０は、それぞれ第１グランドパターン９５１、第２グランドパターン９５２及び第３グランドパターン９５３に、一直線状に接続されることが好ましい。第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０の絶縁保護層７０から露出した部分に、屈曲した部分が含まれないことが好ましい。第１グランド線２１０、第２グランド線２２０及び第３グランド線２３０がそれぞれ第１グランドパターン９５１、第２グランドパターン９５２及び第３グランドパターン９５３に一直線状に接続されることにより、接続部における特性インピーダンスの乱れを小さくでき、この結果、反射ロスを低減して信号の劣化を少なくできる。
図６に示すように、第１信号線１１０の絶縁保護層７０から露出した部分と、接合材９６１とが、低誘電率の樹脂９８０により覆われる。樹脂９８０の比誘電率は、例えば２．０以上２．６以下であり、好ましくは２．１以上２．５以下である。樹脂９８０は、例えば、アクリル系の紫外線硬化樹脂又はビスマレイミド系の紫外線硬化樹脂である。このような構成により、インピーダンスの乱れを抑制できる。図示しないが、第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０も同様である。なお、図４では、樹脂９８０も図示を省略している。
また、図５及び図７に示すように、第１グランド線２１０の絶縁保護層７０から露出した部分と、第３グランド線２３０の絶縁保護層７０から露出した部分と、接合材９７１及び９７３とが、低誘電率の樹脂９８０により覆われる。このような構成により、インピーダンスの乱れを抑制できる。図示しないが、第２グランド線２２０も同様である。
第１グランド線２１０に発生した電位は第１グランドパターン９５１に逃がされ、第２グランド線２２０に発生した電位は第２グランドパターン９５２に逃がされ、第３グランド線２３０に発生した電位は第３グランドパターン９５３に逃がされる。
第１介在４１及び第２介在４２により、第１差動信号線対１１のインピーダンスが調整される。また、第３介在４３及び第４介在４４により、第２差動信号線対１２のインピーダンスが調整される。
シールドフラットケーブル１では、第１グランド線２１０の幅ＷＧ１が、第１信号線１１０の幅ＷＳ１、第２信号線１２０の幅ＷＳ２、第３信号線１３０の幅ＷＳ３、第４信号線１４０の幅ＷＳ４よりも大きい。従って、第１グランド線２１０のグランド電位が安定し、高周波領域においても第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制できる。
また、第２グランド線２２０の幅ＷＧ２が、第１信号線１１０の幅ＷＳ１及び第２信号線１２０の幅ＷＳ２よりも大きい。従って、第２グランド線２２０のグランド電位が安定し、高周波領域においても第１差動信号線対１１への外部ノイズの影響を抑制できる
また、第３グランド線２３０の幅ＷＧ３が、第３信号線１３０の幅ＷＳ３及び第４信号線１４０の幅ＷＳ４よりも大きい。従って、第３グランド線２３０のグランド電位が安定し、高周波領域においても第２差動信号線対１２への外部ノイズの影響を抑制できる。
シールドフラットケーブル１では、第１グランド線２１０には、第１開口５１を通じて第１シールド層３１が接続されている。このため、第２シールド層３２を第１グランド線２１０に接触させずとも、第１グランド線２１０のグランド電位を安定させられる。そして、第２シールド層３２を第１グランド線２１０に接続するための第２絶縁層２２の加工が不要であるため、工数及びコストを低減できる。
また、第２グランド線２２０には、第２開口５２を通じて第２シールド層３２が接続されている。このため、第１シールド層３１を第２グランド線２２０に接触させずとも、第２グランド線２２０のグランド電位を安定させられる。そして、第１シールド層３１を第２グランド線２２０に接続するための第１絶縁層２１の加工が不要であるため、工数及びコストを低減できる。
同様に、第３グランド線２３０には、第４開口５４を通じて第２シールド層３２が接続されている。このため、第１シールド層３１を第３グランド線２３０に接触させずとも、第３グランド線２３０のグランド電位を安定させられる。そして、第１シールド層３１を第３グランド線２３０に接続するための第１絶縁層２１の加工が不要であるため、工数及びコストを低減できる。
第１グランド線２１０の幅ＷＧ１及び第２グランド線２２０の幅ＷＧ２は、第１差動信号線対１１の幅ＷＴ１よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１グランド線２１０及び第２グランド線２２０のグランド電位を安定させやすい。このため、第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制しやすく、第１差動信号線対１１への外部ノイズの影響を抑制しやすい。また、シールドフラットケーブル１の製造の際に、第１シールド層３１を第１グランド線２１０に接触させやすく、第２シールド層３２を第２グランド線２２０に接触させやすい。第１差動信号線対１１の幅ＷＴ１は、第１信号線１１０の第４面１１４と第２信号線１２０の第３面１２３との間の距離である。
同様に、第１グランド線２１０の幅ＷＧ１及び第３グランド線２３０の幅ＷＧ３は、第２差動信号線対１２の幅ＷＴ２よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１グランド線２１０及び第３グランド線２３０のグランド電位を安定させやすい。このため、第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制しやすく、第２差動信号線対１２への外部ノイズの影響を抑制しやすい。また、シールドフラットケーブル１の製造の際に、第１シールド層３１を第１グランド線２１０に接触させやすく、第２シールド層３２を第３グランド線２３０に接触させやすい。第２差動信号線対１２の幅ＷＴ２は、第３信号線１３０の第４面１３４と第４信号線１４０の第３面１４３との間の距離である。
第１差動信号線対１１と第１グランド線２１０との間の距離ＬＴＧ１及び第１差動信号線対１１と第２グランド線２２０との間の距離ＬＴＧ２は、第１信号線１１０と第２信号線１２０との間の距離ＬＳＳ１よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、シールドフラットケーブル１の製造の際に、第１シールド層３１を第１グランド線２１０に接触させやすく、第２シールド層３２を第２グランド線２２０に接触させやすい。第１差動信号線対１１と第１グランド線２１０との間の距離ＬＴＧ１は、第２信号線１２０の第３面１２３と第１グランド線２１０の第４面２１４との間の距離である。第１差動信号線対１１と第２グランド線２２０との間の距離ＬＴＧ２は、第１信号線１１０の第４面１１４と第２グランド線２２０の第３面２２３との間の距離である。
また、第２差動信号線対１２と第１グランド線２１０との間の距離ＬＴＧ３及び第２差動信号線対１２と第３グランド線２３０との間の距離ＬＴＧ４は、第３信号線１３０と第４信号線１４０との間の距離ＬＳＳ２よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、シールドフラットケーブル１の製造の際に、第１シールド層３１を第１グランド線２１０に接触させやすく、第２シールド層３２を第３グランド線２３０に接触させやすい。第２差動信号線対１２と第１グランド線２１０との間の距離ＬＴＧ３は、第３信号線１３０の第４面１３４と第１グランド線２１０の第３面２１３との間の距離である。第２差動信号線対１２と第３グランド線２３０との間の距離ＬＴＧ４は、第４信号線１４０の第３面１４３と第３グランド線２３０の第４面２３４との間の距離である。
第１差動信号線対１１の幅ＷＴ１は、第１差動信号線対１１と第１グランド線との間の距離ＬＴＧ１及び第１差動信号線対１１と第２グランド線２２０との間の距離ＬＴＧ２よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制しやすく、第１差動信号線対１１への外部ノイズの影響を抑制しやすい。
同様に、第２差動信号線対１２の幅ＷＴ２は、第２差動信号線対１２と第１グランド線との間の距離ＬＴＧ３及び第２差動信号線対１２と第３グランド線２３０との間の距離ＬＴＧ４よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制しやすく、第２差動信号線対１２への外部ノイズの影響を抑制しやすい。
第１グランド線２１０の幅ＷＧ１は、第１差動信号線対１１と第１グランド線２１０との間の距離ＬＴＧ１よりも大きいことが好ましく、第２グランド線２２０の幅ＷＧ２は、第１差動信号線対１１と第２グランド線２２０との間の距離ＬＴＧ２よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１グランド線２１０及び第２グランド線２２０のグランド電位を安定させやすい。このため、第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制しやすく、第１差動信号線対１１への外部ノイズの影響を抑制しやすい。また、シールドフラットケーブル１の製造の際に、第１シールド層３１を第１グランド線２１０に接触させやすく、第２シールド層３２を第２グランド線２２０に接触させやすい。幅ＷＧ１は、より好ましくは距離ＬＴＧ１の１．４倍以上であり、幅ＷＧ２は、より好ましくは距離ＬＴＧ２の１．４倍以上である。
第１グランド線２１０の幅ＷＧ１は、第２差動信号線対１２と第１グランド線２１０との間の距離ＬＴＧ３よりも大きいことが好ましく、第３グランド線２３０の幅ＷＧ３は、第２差動信号線対１２と第３グランド線２３０との間の距離ＬＴＧ４よりも大きいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１グランド線２１０及び第３グランド線２３０のグランド電位を安定させやすい。このため、第１差動信号線対１１と第２差動信号線対１２との間のクロストークを抑制しやすく、第２差動信号線対１２への外部ノイズの影響を抑制しやすい。また、シールドフラットケーブル１の製造の際に、第１シールド層３１を第１グランド線２１０に接触させやすく、第２シールド層３２を第３グランド線２３０に接触させやすい。幅ＷＧ３は、より好ましくは距離ＬＴＧ３の１．４倍以上である。
第１グランド線２１０の幅ＷＧ１及び第２グランド線２２０の幅ＷＧ２は、第１介在４１の幅ＷＩ１及び第２介在４２の幅ＷＩ２よりも小さいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第１差動信号線対１１のインピーダンスを調整しやすい。
第１グランド線２１０の幅ＷＧ１及び第３グランド線２３０の幅ＷＧ３は、第３介在４３の幅ＷＩ３及び第４介在４４の幅ＷＩ４よりも小さいことが好ましい。この関係が成り立つ場合、第２差動信号線対１２のインピーダンスを調整しやすい。
なお、所望のインピーダンスが得られる場合には、第１介在４１、第２介在４２、第３介在４３及び第４介在４４が設けられていなくてもよい。
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。図８は、図２と同様に、図１中のII－II線に沿った断面図に相当する。
図８に示すように、第２実施形態に係るシールドフラットケーブル２では、第２絶縁層２２に、第２開口５２及び第４開口５４に加えて、第１グランド線２１０に達する第３開口５３が形成されている。第３開口５３は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、溝状に形成されている。第３開口５３から第１グランド線２１０の第２面２１２が露出する。第２シールド層３２は、第３開口５３を通じて第１グランド線２１０に接続されている。第２シールド層３２の導電性接着剤が第１グランド線２１０に接する。
第１絶縁層２１に、第１開口５１に加えて、第２グランド線２２０に達する第５開口５５と、第３グランド線２３０に達する第６開口５６とが形成されている。第５開口５５及び第６開口５６は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、溝状に形成されている。第５開口５５から第２グランド線２２０の第１面２２１が露出する。第１シールド層３１は、第５開口５５を通じて第２グランド線２２０に接続されている。第１シールド層３１の導電性接着剤が第２グランド線２２０に接する。第６開口５６から第３グランド線２３０の第１面２２１が露出する。第１シールド層３１は、第６開口５６を通じて第３グランド線２３０に接続されている。第１シールド層３１の導電性接着剤が第３グランド線２３０に接する。
他の構成は第１実施形態と同様である。
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、高周波領域においても外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できる。
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。図９は、第３実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。図９は、図２と同様に、図１中のII－II線に沿った断面図に相当する。
図９に示すように、第３実施形態に係るシールドフラットケーブル３では、第１シールド層３１及び第２シールド層３２がＸ１－Ｘ２方向で絶縁層２０の両端からはみ出しており、はみ出した部分で互いに接合されている。また、第１絶縁保護層７１及び第２絶縁保護層７２がＸ１－Ｘ２方向でシールド層３０の両端からはみ出しており、はみ出した部分で互いに接合されている。
他の構成は第２実施形態と同様である。
第３実施形態によっても、第２実施形態と同様に、高周波領域においても外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できる。また、第３実施形態によれば、第２実施形態よりも高いシールド性が得られる。
なお、第１実施形態と同様に、第１絶縁層２１に第５開口５５及び第６開口５６が形成されていなくてもよく、第２絶縁層２２に第３開口５３が形成されていなくてもよい。
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。図１０は、第４実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。図１０は、図２と同様に、図１中のII－II線に沿った断面図に相当する。
図１０に示すように、第４実施形態に係るシールドフラットケーブル４は、第２差動信号線対１２及び第３グランド線２３０を含まず、その分だけＸ１－Ｘ２方向の寸法が小さくなっている。
他の構成は第１実施形態と同様である。
第４実施形態では、シールドフラットケーブル４内でクロストークは生じない。また、第１実施形態と同様に、第１差動信号線対１１への外部ノイズの影響を抑制できる。
なお、第２実施形態と同様に、第１絶縁層２１に第２グランド線２２０に達する開口が形成されていてもよく、第２絶縁層２２に第１グランド線２１０に達する開口が形成されていてもよい。
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。図１１は、第５実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。図１１は、図２と同様に、図１中のII－II線に沿った断面図に相当する。
図１１に示すように、第５実施形態に係るシールドフラットケーブル５は、第１電力線３１０と、第２電力線３２０と、第３電力線３３０とを有する。第１電力線３１０、第２電力線３２０及び第３電力線３３０は、Ｙ１－Ｙ２方向に延び、仮想平面１０上でＸ１－Ｘ２方向に並ぶ。
第１電力線３１０は第３グランド線２３０のＸ１側にあり、第２電力線３２０は第１電力線３１０のＸ１側にあり、第３電力線３３０は第２電力線３２０のＸ１側にある。第１電力線３１０、第２電力線３２０及び第３電力線３３０は、表面に錫めっき層が形成された軟銅から構成される。第１電力線３１０、第２電力線３２０及び第３電力線３３０は、例えば平角導体である。第１電力線３１０、第２電力線３２０及び第３電力線３３０は、電力の伝送に用いられる。
第１電力線３１０、第２電力線３２０及び第３電力線３３０は、絶縁層２０に覆われている。シールド層３０及び絶縁保護層７０は第１電力線３１０、第２電力線３２０及び第３電力線３３０を覆わなくてもよい。
他の構成は第１実施形態と同様である。
第５実施形態によっても、第１実施形態と同様に、高周波領域においても外部ノイズの影響及びクロストークを抑制できる。
なお、第２実施形態と同様に、第１絶縁層２１に第５開口５５及び第６開口５６が形成されていてもよく、第２絶縁層２２に第３開口５３が形成されていてもよい。
（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。図１２は、第６実施形態に係るシールドフラットケーブルを示す断面図である。図１２は、図２と同様に、図１中のII－II線に沿った断面図に相当する。
図１２に示すように、第６実施形態に係るシールドフラットケーブル６では、シールド層３０が単一の第３シールド層３３から構成されている。第３シールド層３３は、第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２のＸ２側の端部を経由して、第１絶縁層２１のＺ１側の面と、第２絶縁層２２のＺ２側の面とを覆う。また、第１絶縁保護層７１及び第２絶縁保護層７２は、第３シールド層３３からＸ２側ではみ出しており、はみ出した部分で互いに接合されている。
他の構成は第５実施形態と同様である。
第６実施形態によっても、第５実施形態と同様の効果が得られる。また、第６実施形態によれば、Ｘ２側の端部において、より優れたシールド性が得られる。
なお、いずれの実施形態においても、信号線の基板９００への接続形態は、上記のものに限定されない。
例えば、第１信号線１１０のＺ１側では、第１絶縁保護層７１の一部がシールドフラットケーブル１の先端に残ってもよい。また、第１信号線１１０のＺ２側では、第２絶縁保護層７２が剥がされずに残っていてもよい。第２信号線１２０、第３信号線１３０及び第４信号線１４０についても同様である。
本開示において、グランド線及び信号線は、平角導体又は丸型導体に限定されない。例えば、グランド線及び信号線の長手方向に垂直な断面の形状が楕円であってもよく、他の多角形等であってもよい。
以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
１、２、３、４、５、６：シールドフラットケーブル
１０：仮想平面
１１：第１差動信号線対
１２：第２差動信号線対
２０：絶縁層
２１：第１絶縁層
２２：第２絶縁層
２１Ａ、２２Ａ：接着層
２１Ｂ、２２Ｂ：基材
３０：シールド層
３１：第１シールド層
３２：第２シールド層
３１Ａ、３２Ａ：導電性接着剤層
３１Ｂ、３２Ｂ：金属箔
３３：第３シールド層
４１：第１介在
４２：第２介在
４３：第３介在
４４：第４介在
４１Ａ、４１Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ、４３Ａ、４３Ｂ、４４Ａ、４４Ｂ：端部
５１：第１開口
５２：第２開口
５３：第３開口
５４：第４開口
５５：第５開口
５６：第６開口
７０：絶縁保護層
７１：第１絶縁保護層
７２：第２絶縁保護層
１１０：第１信号線
１２０：第２信号線
１３０：第３信号線
１４０：第４信号線
１１１、１２１、１３１、１４１、２１１、２２１、２３１：第１面
１１２、１２２、１３２、１４２、２１２、２２２、２３２：第２面
１１３、１２３、１３３、１４３、２１３、２２３、２３３：第３面
１１４、１２４、１３４、１４４、２１４、２２４、２３４：第４面
２１０：第１グランド線
２２０：第２グランド線
２３０：第３グランド線
３１０：第１電力線
３２０：第２電力線
３３０：第３電力線
９００：基板
９１０：第１絶縁層
９３０：第２絶縁層
９２０：グランド層
９２１、９２３：導電ビア
９４１：第１信号パターン
９４２：第２信号パターン
９４３：第３信号パターン
９４４：第４信号パターン
９５１：第１グランドパターン
９５２：第２グランドパターン
９５３：第３グランドパターン
９６１、９７１、９７３：接合材
９８０：樹脂
９９０：接着剤

Claims (16)

  1. 互いに平行な第１信号線及び第２信号線を含む第１差動信号線対と、
    前記第１差動信号線対に平行な第１グランド線と、
    前記第１差動信号線対に平行であるとともに、前記第１グランド線との間に前記第１差動信号線対を配置する第２グランド線と、
    前記第１差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線を覆う絶縁層と、
    前記絶縁層の第１面を覆う第１シールド層と、
    前記第１面と反対の面であって、前記絶縁層の第２面を覆う第２シールド層と、
    を有し、
    前記第１グランド線を露出する第１開口が前記絶縁層の前記第１面の側に形成され、
    前記第１シールド層は、前記第１開口を介して前記第１グランド線に接続され、
    前記第１グランド線の幅は、前記第１信号線の幅及び前記第２信号線の幅よりも大きいシールドフラットケーブル。
  2. 前記第２面の側において、前記第１グランド線は全体的に、前記絶縁層を介して前記第２シールド層と重畳する請求項１に記載のシールドフラットケーブル。
  3. 前記第２グランド線を露出する第２開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、
    前記第２シールド層は、前記第２開口を介して前記第２グランド線に接続され、
    前記第１面の側において、前記第２グランド線は全体的に、前記絶縁層を介して前記第１シールド層と重畳する請求項１または請求項２に記載のシールドフラットケーブル。
  4. 前記第１グランド線を露出する第３開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、前記第２シールド層は、前記第３開口を介して前記第１グランド線に接続される請求項１に記載のシールドフラットケーブル。
  5. 前記第２グランド線を露出する第２開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、
    前記第２シールド層は、前記第２開口を介して前記第２グランド線に接続され、
    前記第１面の側において、前記第２グランド線は全体的に、前記絶縁層を介して前記第１シールド層と重畳し、
    前記第１グランド線を露出する第３開口が前記絶縁層の前記第２面の側に形成され、前記第２シールド層は、前記第３開口を介して前記第１グランド線に接続される請求項１に記載のシールドフラットケーブル。
  6. 長手方向に垂直な断面視において、前記第１シールド層及び前記第２シールド層は前記絶縁層の少なくとも一端側からはみ出しており、はみ出した部分で互いに接合されている請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  7. 前記第１グランド線の幅は、前記第１差動信号線対の幅よりも大きい請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  8. 前記第１差動信号線対と前記第１グランド線との間の距離は、前記第１信号線と前記第２信号線との間の距離よりも大きい請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  9. 前記第１差動信号線対の幅は、前記第１差動信号線対と前記第１グランド線との間の距離よりも大きい請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  10. 前記第１グランド線の幅は、前記第１差動信号線対と前記第１グランド線との間の距離よりも大きい請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  11. 前記第１シールド層と前記絶縁層との間に、前記第１差動信号線対に平行、かつ平面視で前記第１差動信号線対と重なる介在を有し、
    前記第１グランド線の幅は、前記介在の幅よりも小さい請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  12. 前記第１差動信号線対に平行な第３信号線及び第４信号線を含む第２差動信号線対を有し、
    前記絶縁層は前記第２差動信号線対を覆い、
    前記第１グランド線は、前記第１差動信号線対と前記第２差動信号線対との間に配置される請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブル。
  13. 互いに平行な第１信号線及び第２信号線を含む第１差動信号線対と、
    前記第１差動信号線対に平行な第３信号線及び第４信号線を含む第２差動信号線対と、
    前記第１差動信号線対に平行な第１グランド線と、
    前記第１差動信号線対に平行な第２グランド線と、
    前記第１差動信号線対、前記第２差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線を覆う絶縁層と、
    前記絶縁層を覆うシールド層と、
    を有し、
    前記第１差動信号線対、前記第２差動信号線対、前記第１グランド線及び前記第２グランド線は仮想平面上に並び、
    前記第１グランド線は、前記第１差動信号線対と前記第２差動信号線対との間に配置され、
    前記第１差動信号線対は、前記第１グランド線と前記第２グランド線との間に配置され、
    前記絶縁層に、前記第１グランド線に達する第１開口と、前記第２グランド線に達する第２開口と、が形成され、
    前記第１開口は、前記第１グランド線の前記仮想平面に垂直な第１方向側のみに形成され、
    前記第１グランド線の前記第１方向側とは反対の第２方向側の面は全体的に前記絶縁層に覆われ、
    前記第２開口は、前記第２グランド線の前記第２方向側のみに形成され、
    前記第２グランド線の前記第１方向側の面は全体的に前記絶縁層に覆われ、
    前記シールド層は、前記第１開口を通じて前記第１グランド線に接続され、前記第２開口を通じて前記第２グランド線に接続され、
    前記第１グランド線の幅及び前記第２グランド線の幅は、前記第１信号線の幅、前記第２信号線の幅、前記第３信号線の幅及び前記第４信号線の幅よりも大きいシールドフラットケーブル。
  14. 請求項１から１２のいずれか１項に記載のシールドフラットケーブルと、
    前記シールドフラットケーブルの端部が接続された基板と、
    を有し、
    前記基板は、
    前記第１グランド線が電気的に接続された第１グランドパターンと、
    前記第２グランド線が電気的に接続された第２グランドパターンと、
    前記第１差動信号線対が電気的に接続された第１信号パターン及び第２信号パターンと、
    を備え、
    前記端部において前記絶縁層から露出する前記第１グランド線、前記第２グランド線及び前記第１差動信号線対を覆う樹脂を有し、
    前記樹脂の比誘電率は２．０以上２．６以下である基板付きシールドフラットケーブル。
  15. 前記絶縁層から露出する第１差動信号線対は一直線状に第１信号パターン及び第２信号パターンに接続される請求項１４に記載の基板付きシールドフラットケーブル。
  16. 前記絶縁層から露出する第１グランド線は一直線状に第１グランドパターンに接続される請求項１４または請求項１５に記載の基板付きシールドフラットケーブル。
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