JP2016529739A - 磁性トンネル接合および磁性トンネル接合を形成する方法 - Google Patents
磁性トンネル接合および磁性トンネル接合を形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016529739A JP2016529739A JP2016540883A JP2016540883A JP2016529739A JP 2016529739 A JP2016529739 A JP 2016529739A JP 2016540883 A JP2016540883 A JP 2016540883A JP 2016540883 A JP2016540883 A JP 2016540883A JP 2016529739 A JP2016529739 A JP 2016529739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- line
- lines
- recording material
- magnetic tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 187
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000012925 reference material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910005811 NiMnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
Description
いくつかの実施形態では、1つのラインからなる磁性トンネル接合を形成する方法は、基板を覆った磁性記録材料、記録材料を覆った非磁性材料、非磁性材料を覆った磁性参照材料を形成することを含む。基板は、反応源材料および絶縁材料からなる交互になった外側領域を、少なくとも1つの断面に沿って備える。反応源材料は、1組の温度条件、圧力条件にさらされた場合に、記録材料と反応して誘電材料を形成する反応体を含む。参照材料は、交互になった外側領域を覆って通る長手方向に延びたラインにパターン化される。記録材料は、1組の温度条件、圧力条件にさらされて、反応源材料の反応体と反応して、ラインに沿って記録材料と長手方向で交互になる誘電材料の領域を形成し、また、ラインに沿って磁性トンネル接合を形成する。磁性トンネル接合は、誘電材料領域間で長手方向に挟まれた、記録材料、非磁性材料、および参照材料を個々に含む。
Claims (46)
- 複数の磁性トンネル接合のラインを形成する方法であって、
基板を覆った磁性記録材料、前記記録材料を覆った非磁性材料、前記非磁性材料を覆った磁性参照材料を形成することであって、前記基板が、反応源材料および絶縁材料からなる交互になった複数の外側領域を、少なくとも1つの断面に沿って備え、前記反応源材料が、1組の温度条件、圧力条件にさらされた場合に、前記記録材料と反応して誘電材料を形成する反応体を含む、ことと、
前記参照材料を、前記交互になった複数の外側領域を覆って通る長手方向に延びたラインにパターン化することと、
前記反応源材料の前記反応体と反応するように、前記記録材料を前記1組の温度条件、圧力条件にさらすことであって、こうすることで、前記ラインに沿って前記記録材料と長手方向で交互になる前記誘電材料の複数の領域が形成され、また、前記ラインに沿って複数の磁性トンネル接合が形成され、前記複数の磁性トンネル接合が、前記複数の誘電材料領域間で長手方向に挟まれた、前記記録材料、前記非磁性材料、および前記参照材料を個々に含む、ことと、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記絶縁材料が、前記1組の温度条件、圧力条件にさらされた場合に、前記誘電材料を形成するようには前記記録材料と反応しない、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応が、前記パターン化することの後に起こる、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応が、前記パターン化することの前に起こる、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記記録材料の堆積物が前記反応源材料に直接触れ次第、前記反応が自然に起こる、
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記記録材料の堆積物が前記反応源材料に直接触れた後に、前記反応が起こる、
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記パターン化することの後で、前記反応が起こる、
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記記録材料の堆積物が前記反応源材料に直接触れ次第、前記反応が自然に起こる、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記反応が、前記複数の誘電材料領域を延ばして、前記記録材料を交差方向に貫通させる、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応体が酸素を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応源材料が、二酸化シリコンおよび酸化アルミニウムのうちの少なくとも1つを含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記反応体が窒素を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応源材料が、窒化シリコンおよび窒化ホウ素のうちの少なくとも1つを含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記反応源材料が、化学量論式を有する化学量論化合物を含み、
前記反応体が、前記式のうちのある原子を含み、
前記反応源材料が、過多な化学量論量の前記原子を前記式中に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応源材料が、誘電窒化物および誘電酸化物のうちの一方を含み、
前記絶縁材料が、誘電窒化物および誘電酸化物のうちの他方を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記反応源材料および前記絶縁材料のそれぞれが、二酸化シリコンまたは窒化シリコンを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記絶縁材料が、前記1組の温度条件、圧力条件にさらされた場合に、前記誘電材料を形成するようには前記記録材料と反応しない、
ことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記1組の温度条件、圧力条件が、それぞれ、環境室温から約350℃の温度および約10Torrを超える圧力である、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記1組のうちの温度が、最低でも50℃である、
ことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 前記ラインの複数の側壁を覆って、異方性エッチングが施された複数の側壁スペーサを形成することを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記交互になった複数の外側領域がそれぞれ、長手方向に延び、互いに平行な複数のラインであって、前記参照材料のラインに対して角度を有する複数のラインを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記長手方向に延び、互いに平行な複数のラインが、前記参照材料のラインに対して実質的に垂直な角度を有する、
ことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 前記参照材料をパターン化することが、前記交互になった複数の外側領域をそれぞれが覆って通る長手方向に延びた複数のラインにパターン化することであり、
前記記録材料を前記1組の温度条件、圧力条件にさらすことで、前記反応源材料の前記反応体との反応が起こって、前記ラインのうちのそれぞれに沿って、前記記録材料と長手方向に交互になった前記誘電材料の複数の領域が形成され、また、前記ラインのうちのそれぞれに沿って複数の磁性トンネル接合が形成され、
前記複数の磁性トンネル接合が、そのライン内で前記複数の誘電材料領域間で長手方向に挟まれた、前記記録材料、前記非磁性材料、および前記参照材料を個々に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記交互になった複数の外側領域が、外側反応源材料からなる広区域内の絶縁材料からなる複数の島状構造体を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記パターン化することがエッチングを施すことを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記交互になった複数の外側領域を覆って通る前記参照材料の前記長手方向に延びたラインの一部分とともに長手方向に延び、前記一部分をように、前記非磁性材料にエッチングを施すことを含む、
ことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 前記交互になった複数の外側領域を覆って通る前記参照材料の前記長手方向に延びたラインの一部分とともに長手方向に延び、前記一部分をように、前記記録材料にエッチングを施すことを含む、
ことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記記録材料のエッチングを含まない、
ことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 前記反応源材料および前記絶縁材料の前記交互になった複数の外側領域が、平面状となる、上方から見た場合の複数の最外面を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記面が共平面状である、
ことを特徴とする請求項29に記載の方法。 - 前記反応源材料の複数の外側領域が、前記断面に沿って、前記絶縁材料の複数の外側領域よりも側方向に狭くなっている、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 複数の磁性トンネル接合の複数のラインを形成する方法であって、
基板を覆った磁性記録材料、前記記録材料を覆った非磁性材料、前記非磁性材料を覆った磁性参照材料を形成することであって、前記基板が、外側反応源材料からなる広区域内の絶縁材料の複数の外側領域からなる複数の島状構造体を含み、前記反応源材料が、1組の温度条件、圧力条件にさらされた場合に、前記記録材料と反応して誘電材料を形成する反応体を含む、ことと、
前記参照材料にエッチングを施すことであって、こうすることで、前記複数の島状構造体のうちの異なる複数の島状構造体をそれぞれが覆って通る、前記参照材料の長手方向に延びた複数のラインが形成され、前記記録材料が、前記広区域内で複数のラインを形成するようにはエッチングを施されない、ことと、
前記反応源材料の前記反応体と反応するように、前記記録材料を前記1組の温度条件、圧力条件にさらすことであって、こうすることで、前記複数のラインのうちのそれぞれのラインに沿って前記記録材料と長手方向に交互になる前記誘電材料の複数の領域が形成され、また、前記ラインのうちのそれぞれのラインに沿って複数の磁性トンネル接合が形成され、前記複数の磁性トンネル接合が、前記複数の誘電材料領域間で長手方向に挟まれた、前記記録材料、前記非磁性材料、および前記参照材料を個々に含む、ことと、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記複数の島状構造体と外側反応源材料とが、格子様パターンを形成する、
ことを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記非磁性材料が、前記広区域内でラインを形成するようにはエッチングを施されない、
ことを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記非磁性材料が、前記広区域を完全に覆う層を備える、
ことを特徴とする請求項34に記載の方法。 - 前記誘電材料が、前記複数のラインの側方向での外側で形成される、
ことを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記複数の島状構造体の周りで切れ目なく誘電材料が形成される、
ことを特徴とする請求項36に記載の方法。 - 複数の磁性トンネル接合のラインであって、
非磁性材料を間に挟んだ磁性記録材料および磁性参照材料を備え、
前記参照材料が、前記ラインに沿って、切れ目なく長手方向に延び、
前記ラインが、誘電材料の複数の領域であって、前記ラインに沿って前記記録材料と長手方向に交互になった誘電材料の複数の領域を含み、
前記複数の磁性トンネル接合が、前記ラインに沿って前記複数の誘電材料領域間で長手方向に挟まれた、前記記録材料、前記非磁性材料、および前記参照材料を個々に含む、
ことを特徴とする複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記非磁性材料が、前記ラインに沿って切れ目なく長手方向に延びる、
ことを特徴とする請求項38に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記ラインが、側方向で最外となる長手方向に延びた複数の縁部を備え、
前記非磁性材料が、前記長手方向に延びた複数の縁部を側方向に越えて延びない、
ことを特徴とする請求項39に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記非磁性材料が、前記ラインの前記長手方向に延びた複数の縁部と側方向および長手方向で重なる、側方向で最外となる長手方向に延びた複数の縁部を備える、
ことを特徴とする請求項40に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記ラインが、側方向で最外となる長手方向に延びた複数の縁部を備え、
前記非磁性材料が、前記長手方向に延びた複数の縁部を側方向に越えて延びる、
ことを特徴とする請求項39に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記ラインを複数備え、
前記非磁性材料が、少なくとも1つの断面内で、前記複数のラインのうちの直接隣り合うライン間で切れ目なく延びる層を含む、
ことを特徴とする請求項38に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記層が、前記複数のラインのうちの直接隣り合うライン間で、前記複数のラインの長手方向の寸法の少なくとも大部分に沿って、切れ目なく長手方向および側方向に延びる、
ことを特徴とする請求項43に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記記録材料が、前記ライン内で前記複数の誘電材料領域を上方から覆わない、
ことを特徴とする請求項38に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。 - 前記記録材料が、前記ラインに沿って切れ目なく長手方向に延びない、
ことを特徴とする請求項38に記載の複数の磁性トンネル接合のライン。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/023,138 | 2013-09-10 | ||
US14/023,138 US9240547B2 (en) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions |
PCT/US2014/047572 WO2015038240A1 (en) | 2013-09-10 | 2014-07-22 | Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016529739A true JP2016529739A (ja) | 2016-09-23 |
JP6195993B2 JP6195993B2 (ja) | 2017-09-13 |
Family
ID=52624784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016540883A Active JP6195993B2 (ja) | 2013-09-10 | 2014-07-22 | 磁性トンネル接合および磁性トンネル接合を形成する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9240547B2 (ja) |
EP (1) | EP3044815B1 (ja) |
JP (1) | JP6195993B2 (ja) |
KR (1) | KR101908204B1 (ja) |
CN (1) | CN105556691B (ja) |
TW (1) | TWI521756B (ja) |
WO (1) | WO2015038240A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9240547B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-01-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions |
US9373779B1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-21 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions |
US9502642B2 (en) | 2015-04-10 | 2016-11-22 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions |
US9520553B2 (en) | 2015-04-15 | 2016-12-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a magnetic electrode of a magnetic tunnel junction and methods of forming a magnetic tunnel junction |
US9530959B2 (en) | 2015-04-15 | 2016-12-27 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions |
US9257136B1 (en) | 2015-05-05 | 2016-02-09 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions |
US9960346B2 (en) | 2015-05-07 | 2018-05-01 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions |
US9680089B1 (en) | 2016-05-13 | 2017-06-13 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions |
CN107946456B (zh) * | 2017-12-01 | 2020-07-07 | 北京航空航天大学 | 一种具有强垂直磁各向异性的磁隧道结 |
US10515954B2 (en) | 2018-03-18 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device having fin structures of varying dimensions |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299584A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置 |
EP1251519A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device using magneto resistive element and method of manufacturing the same |
JP2004047966A (ja) * | 2002-05-13 | 2004-02-12 | Nec Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2006332174A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
WO2009104343A1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010080649A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
US20130037862A1 (en) * | 2011-08-12 | 2013-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic random access memory |
Family Cites Families (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5949600A (en) | 1995-09-06 | 1999-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal reproduction method and magnetic recording and reproducing apparatus using tunnel current |
JP3091398B2 (ja) | 1995-09-14 | 2000-09-25 | 科学技術振興事業団 | 磁気−インピーダンス素子及びその製造方法 |
US5640343A (en) | 1996-03-18 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells |
US6048632A (en) | 1997-08-22 | 2000-04-11 | Nec Research Institute | Self-biasing, non-magnetic, giant magnetoresistance sensor |
US5898548A (en) | 1997-10-24 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Shielded magnetic tunnel junction magnetoresistive read head |
US6788502B1 (en) | 1999-09-02 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | Co-Fe supermalloy free layer for magnetic tunnel junction heads |
US6538921B2 (en) | 2000-08-17 | 2003-03-25 | Nve Corporation | Circuit selection of magnetic memory cells and related cell structures |
TW546648B (en) | 2001-01-19 | 2003-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Spin switch and magnetic storage element using the same |
US6735058B2 (en) | 2002-02-04 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | Current-perpendicular-to-plane read head with an amorphous magnetic bottom shield layer and an amorphous nonmagnetic bottom lead layer |
US6600184B1 (en) | 2002-03-25 | 2003-07-29 | International Business Machines Corporation | System and method for improving magnetic tunnel junction sensor magnetoresistance |
US6963500B2 (en) | 2003-03-14 | 2005-11-08 | Applied Spintronics Technology, Inc. | Magnetic tunneling junction cell array with shared reference layer for MRAM applications |
KR100512180B1 (ko) | 2003-07-10 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자의 자기 터널 접합 및 그의형성방법 |
JP4142993B2 (ja) | 2003-07-23 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ装置の製造方法 |
US6946697B2 (en) | 2003-12-18 | 2005-09-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Synthetic antiferromagnet structures for use in MTJs in MRAM technology |
US7098495B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-08-29 | Freescale Semiconducor, Inc. | Magnetic tunnel junction element structures and methods for fabricating the same |
US7324313B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-01-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Read sensor having an in-stack biasing structure and an AP coupled free layer structure for increased magnetic stability |
US7351483B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions using amorphous materials as reference and free layers |
US7423849B2 (en) | 2005-09-19 | 2008-09-09 | Hitachi Global Sotrage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive (MR) elements having pinned layers with canted magnetic moments |
US7532442B2 (en) | 2005-09-19 | 2009-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive (MR) elements having pinning layers formed from permanent magnetic material |
US20070096229A1 (en) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Masatoshi Yoshikawa | Magnetoresistive element and magnetic memory device |
US8508984B2 (en) | 2006-02-25 | 2013-08-13 | Avalanche Technology, Inc. | Low resistance high-TMR magnetic tunnel junction and process for fabrication thereof |
US7732881B2 (en) | 2006-11-01 | 2010-06-08 | Avalanche Technology, Inc. | Current-confined effect of magnetic nano-current-channel (NCC) for magnetic random access memory (MRAM) |
JP4585476B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | パターンド媒体および磁気記録装置 |
US7528457B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-05-05 | Magic Technologies, Inc. | Method to form a nonmagnetic cap for the NiFe(free) MTJ stack to enhance dR/R |
US7595520B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-09-29 | Magic Technologies, Inc. | Capping layer for a magnetic tunnel junction device to enhance dR/R and a method of making the same |
US7672089B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-plane sensor with dual keeper layers |
US7598579B2 (en) | 2007-01-30 | 2009-10-06 | Magic Technologies, Inc. | Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetization switching current |
US8623452B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-01-07 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic random access memory (MRAM) with enhanced magnetic stiffness and method of making same |
US20090218645A1 (en) | 2007-02-12 | 2009-09-03 | Yadav Technology Inc. | multi-state spin-torque transfer magnetic random access memory |
JP2008211058A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 |
JP4682998B2 (ja) | 2007-03-15 | 2011-05-11 | ソニー株式会社 | 記憶素子及びメモリ |
US8559141B1 (en) | 2007-05-07 | 2013-10-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Spin tunneling magnetic element promoting free layer crystal growth from a barrier layer interface |
US20090046397A1 (en) | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods and apparatus for a synthetic anti-ferromagnet structure with improved thermal stability |
US7932571B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-04-26 | Everspin Technologies, Inc. | Magnetic element having reduced current density |
US8004881B2 (en) | 2007-12-19 | 2011-08-23 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths |
JP2010034153A (ja) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリおよびその書き込み方法 |
WO2010026667A1 (en) | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Canon Anelva Corporation | Ferromagnetic preferred grain growth promotion seed layer for amorphous or microcrystalline mgo tunnel barrier |
JP2010080806A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗素子の製造法及びその記憶媒体 |
US8310861B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-13 | Micron Technology, Inc. | STT-MRAM cell structure incorporating piezoelectric stress material |
US8102700B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-01-24 | Micron Technology, Inc. | Unidirectional spin torque transfer magnetic memory cell structure |
US7944738B2 (en) | 2008-11-05 | 2011-05-17 | Micron Technology, Inc. | Spin torque transfer cell structure utilizing field-induced antiferromagnetic or ferromagnetic coupling |
US9082534B2 (en) | 2009-09-15 | 2015-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic element having perpendicular anisotropy with enhanced efficiency |
WO2011043063A1 (ja) | 2009-10-05 | 2011-04-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板冷却装置、スパッタリング装置および電子デバイスの製造方法 |
US8238151B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-08-07 | Micron Technology, Inc. | Transient heat assisted STTRAM cell for lower programming current |
JP2012059808A (ja) | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Sony Corp | 記憶素子、メモリ装置 |
US9647202B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-05-09 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic random access memory with perpendicular enhancement layer |
JP5123365B2 (ja) | 2010-09-16 | 2013-01-23 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
JP5514059B2 (ja) | 2010-09-17 | 2014-06-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
US8345471B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-01-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Magneto-resistance element and semiconductor memory device including the same |
US8427791B2 (en) | 2010-11-23 | 2013-04-23 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic tunnel junction having a magnetic insertion layer and methods of producing the same |
US9070464B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-06-30 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic random access memory (MRAM) with enhanced magnetic stiffness and method of making same |
US9028910B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-05-12 | Avalanche Technology, Inc. | MTJ manufacturing method utilizing in-situ annealing and etch back |
JP2012204432A (ja) | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
US8790798B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-07-29 | Alexander Mikhailovich Shukh | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
US8541855B2 (en) | 2011-05-10 | 2013-09-24 | Magic Technologies, Inc. | Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications |
US8507114B2 (en) * | 2011-06-30 | 2013-08-13 | Seagate Technology Llc | Recording layer for heat assisted magnetic recording |
JP2013115413A (ja) | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Sony Corp | 記憶素子、記憶装置 |
US9058885B2 (en) | 2011-12-07 | 2015-06-16 | Agency For Science, Technology And Research | Magnetoresistive device and a writing method for a magnetoresistive device |
JP2013140891A (ja) | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US20130187247A1 (en) * | 2012-01-23 | 2013-07-25 | Qualcomm Incorporated | Multi-bit magnetic tunnel junction memory and method of forming same |
US8871365B2 (en) | 2012-02-28 | 2014-10-28 | Headway Technologies, Inc. | High thermal stability reference structure with out-of-plane aniotropy to magnetic device applications |
US8617644B2 (en) | 2012-03-08 | 2013-12-31 | HGST Netherlands B.V. | Method for making a current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor containing a ferromagnetic alloy requiring post-deposition annealing |
US20130307097A1 (en) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Ge Yi | Magnetoresistive random access memory cell design |
US9214624B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-15 | Qualcomm Incorporated | Amorphous spacerlattice spacer for perpendicular MTJs |
WO2014022304A1 (en) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | The Regents Of The University Of California | Multiple-bits-per-cell voltage-controlled magnetic memory |
JP5597899B2 (ja) | 2012-09-21 | 2014-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
US8836056B2 (en) | 2012-09-26 | 2014-09-16 | Intel Corporation | Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer |
KR101967352B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2019-04-10 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP5680045B2 (ja) | 2012-11-14 | 2015-03-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
US9252710B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-02-02 | Headway Technologies, Inc. | Free layer with out-of-plane anisotropy for magnetic device applications |
US10522589B2 (en) | 2012-12-24 | 2019-12-31 | Shanghai Ciyu Information Technologies Co., Ltd. | Method of making a magnetoresistive element |
US20140203383A1 (en) | 2013-01-24 | 2014-07-24 | T3Memory, Inc. | Perpendicular magnetoresistive memory element |
US9196335B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory |
US9184374B2 (en) | 2013-03-22 | 2015-11-10 | Kazuya Sawada | Magnetoresistive element |
US9602103B2 (en) | 2013-05-22 | 2017-03-21 | Hitachi, Ltd. | Spin wave device and logic circuit using spin wave device |
US9240547B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-01-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions |
US9608197B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-03-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
US9257638B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Method to etch non-volatile metal materials |
US9099124B1 (en) | 2014-09-28 | 2015-08-04 | HGST Netherlands B.V. | Tunneling magnetoresistive (TMR) device with MgO tunneling barrier layer and nitrogen-containing layer for minimization of boron diffusion |
US9972774B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Magnetic memory with high thermal budget |
US9177573B1 (en) | 2015-04-30 | 2015-11-03 | HGST Netherlands B.V. | Tunneling magnetoresistive (TMR) device with magnesium oxide tunneling barrier layer and free layer having insertion layer |
-
2013
- 2013-09-10 US US14/023,138 patent/US9240547B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-22 KR KR1020167008034A patent/KR101908204B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-22 EP EP14843477.2A patent/EP3044815B1/en active Active
- 2014-07-22 JP JP2016540883A patent/JP6195993B2/ja active Active
- 2014-07-22 WO PCT/US2014/047572 patent/WO2015038240A1/en active Application Filing
- 2014-07-22 CN CN201480050115.XA patent/CN105556691B/zh active Active
- 2014-08-07 TW TW103127133A patent/TWI521756B/zh active
-
2016
- 2016-01-06 US US14/989,556 patent/US9691817B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299584A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置 |
EP1251519A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device using magneto resistive element and method of manufacturing the same |
US20020153580A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-24 | Keiji Hosotani | Semiconductor memory device using megneto resistive element and method of manufacturing the same |
JP2002319664A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2004047966A (ja) * | 2002-05-13 | 2004-02-12 | Nec Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2006332174A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
WO2009104343A1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010080649A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
US20130037862A1 (en) * | 2011-08-12 | 2013-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic random access memory |
JP2013041912A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101908204B1 (ko) | 2018-12-10 |
US20160118439A1 (en) | 2016-04-28 |
TWI521756B (zh) | 2016-02-11 |
EP3044815A4 (en) | 2017-05-03 |
EP3044815A1 (en) | 2016-07-20 |
US9691817B2 (en) | 2017-06-27 |
CN105556691B (zh) | 2018-08-28 |
US9240547B2 (en) | 2016-01-19 |
TW201523947A (zh) | 2015-06-16 |
EP3044815B1 (en) | 2021-03-17 |
US20150069562A1 (en) | 2015-03-12 |
CN105556691A (zh) | 2016-05-04 |
WO2015038240A1 (en) | 2015-03-19 |
JP6195993B2 (ja) | 2017-09-13 |
KR20160048898A (ko) | 2016-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6195993B2 (ja) | 磁性トンネル接合および磁性トンネル接合を形成する方法 | |
US11462679B2 (en) | Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same | |
CN105280639B (zh) | 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法 | |
KR102374902B1 (ko) | 자기 터널 접합부를 위한 실리콘 산화질화물 기반 캡슐화 층 | |
US10784442B2 (en) | Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device | |
US9941466B2 (en) | Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions | |
CN109802032A (zh) | 半导体结构与制造方法 | |
US20200185510A1 (en) | Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires | |
US10916582B2 (en) | Vertically-strained silicon device for use with a perpendicular magnetic tunnel junction (PMTJ) | |
US11757045B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
WO2021229987A1 (ja) | シリコンスピン量子ビットデバイス及びその製造方法 | |
US11456181B2 (en) | Cross-bar fin formation | |
CN107452680A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US20140175513A1 (en) | Structure And Method For Integrated Devices On Different Substartes With Interfacial Engineering |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160510 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160511 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170816 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6195993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |