JP2016514446A - フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、米国特許法第119条及び第120条に基づいて、参照することにより本明細書に組み込まれる、2013年3月15日出願の米国特許仮出願第61/792,643号の優先権を主張するものである。
メモリ装置で使用するためのハイブリッドチャージポンプ及び制御回路が開示される。
Claims (31)
- フラッシュメモリ装置用のハイブリッドチャージポンプであって、
N個(Nは正の整数である)の充電ステージを備える第1のチャージポンプと、
M個(Mは正の整数である)の充電ステージを備える第2のチャージポンプと、
前記第1のチャージポンプ及び前記第2のチャージポンプを連結するスイッチと、を備え、
前記スイッチがオンであるとき、前記第1のチャージポンプ及び第2のチャージポンプは共にN+M個の充電ステージを有する第3のチャージポンプを備え、前記スイッチがオフであるとき、前記第1のチャージポンプ及び第2のチャージポンプは別個のチャージポンプとして機能する、ハイブリッドチャージポンプ。 - 前記N個の充電ステージのそれぞれが、ダイオードと、コンデンサと、を備える、請求項1に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記M個の充電ステージのそれぞれが、ダイオードと、コンデンサと、を備える、請求項2に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記第3のチャージポンプがフラッシュメモリのプログラミング用の正電圧を提供する、請求項1に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記第2のチャージポンプが別のチャージポンプと更に結合され、フラッシュメモリの消去用の負電圧を提供するように再構成される、請求項1に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記第1のチャージポンプがフラッシュメモリの消去用の正電圧を提供するように構成される、請求項5に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記フラッシュメモリが分割ゲートフラッシュメモリである、請求項4に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記フラッシュメモリが分割ゲートフラッシュメモリである、請求項5に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- 前記フラッシュメモリが分割ゲートフラッシュメモリである、請求項6に記載のハイブリッドチャージポンプ。
- フラッシュメモリ装置用のチャージポンプであって、
第1の電圧入力と連結された第1のスイッチと、
第2の電圧入力と連結された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチと連結され、第1の出力ノード及び第2の出力ノードを備える、複数個の充電ステージと、を備え、
前記第1のスイッチがオンであり、前記第2のスイッチがオフであるとき、前記第1の出力ノードは前記第1の電圧入力の前記電圧より高い正電圧を出力し、前記第1のスイッチがオフであり、前記第2のスイッチがオンであるとき、前記第2の出力ノードは前記第2電圧入力の前記電圧より低い負電圧を出力する、チャージポンプ。 - 前記第2の電圧入力がグランドである、請求項10に記載のチャージポンプ。
- 前記複数個の充電ステージの各充電ステージが、ダイオードと、コンデンサと、を備える、請求項10に記載のチャージポンプ。
- 少なくとも1つのコンデンサが第1の電圧源位相ドライバと連結される、請求項12に記載のチャージポンプ。
- 少なくとも1つのコンデンサが第2の電圧源位相ドライバと連結される、請求項13に記載のチャージポンプ。
- 前記第1のスイッチがPMOSトランジスタを備える、請求項10に記載のチャージポンプ。
- 前記第2のスイッチがNMOSトランジスタを備える、請求項15に記載のチャージポンプ。
- フラッシュメモリ装置用のハイブリッドチャージポンプ制御回路であって、
第1の入力と、
第2の入力と、
第1のスイッチと、
第2のスイッチと、
前記第1の入力の電圧を降圧するためのトランジスタの第1のセットと、
前記第2の入力の電圧を昇圧するためのトランジスタの第2のセットと、
第1の基準電圧と、
第2の基準電圧と、
前記第1のスイッチがオンであり、前記第2のスイッチがオフであるとき、前記第1の基準電圧を前記トランジスタの第1のセットの出力と比較し、前記第1のスイッチがオフであり、前記第2のスイッチがオンであるとき、前記第2の基準電圧を前記トランジスタの第2のセットの出力と比較するためのコンパレータと、を備え、前記コンパレータがチャージポンプを制御するための出力を生成する、回路。 - 前記第1の入力の前記電圧が正である、請求項17に記載の回路。
- 前記第2の入力の前記電圧が負である、請求項18に記載の回路。
- 前記トランジスタの第1のセット内の各トランジスタがPMOSトランジスタである、請求項17に記載の回路。
- 前記トランジスタの第2のセット内の各トランジスタがPMOSトランジスタである、請求項20に記載の回路。
- 前記第1の基準電圧が第3のスイッチを通じて前記コンパレータと連結される、請求項17に記載の回路。
- 前記第2の基準電圧が第4のスイッチを通じて前記コンパレータと連結される、請求項22に記載の回路。
- インバータ回路であって、
前記インバータ回路の入力に接続された第1の端子と、第1のコンデンサに接続された第2の端子と、を備える第1のスイッチと、
前記第1のコンデンサに接続された第1の端子と、グランドに接続された第2の端子と、を備える第2のスイッチと、
前記第1のコンデンサとグランドとの間を連結した1つ以上のトランジスタの第1のセットと、
前記第1のコンデンサと前記インバータ回路の出力との間を連結した1つ以上のトランジスタの第2のセットと、を備え、
前記インバータ回路が入力の電圧を反転して出力の電圧を生成する、インバータ回路。 - 前記出力に、及びグランドに連結された第2のコンデンサを更に備える、請求項24に記載のインバータ回路。
- 前記1つ以上のトランジスタの第1のセット内の前記トランジスタが、PMOSトランジスタである、請求項24に記載のインバータ回路。
- 前記1つ以上のトランジスタの第2のセット内の前記トランジスタが、PMOSトランジスタである、請求項26に記載のインバータ回路。
- 前記1つ以上のトランジスタの第1のセット内の前記トランジスタが、NMOSトランジスタである、請求項24に記載のインバータ回路。
- 前記1つ以上のトランジスタの第2のセット内の前記トランジスタが、PMOSトランジスタである、請求項28に記載のインバータ回路。
- 前記1つ以上のトランジスタの第1のセットを制御するように構成されたスイッチを更に備える、請求項28に記載のインバータ回路。
- 前記1つ以上のトランジスタの第1のセットを制御するように構成されたスイッチを更に備える、請求項29に記載のインバータ回路。
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