JP2016206040A - 温度検知機能診断装置 - Google Patents

Abstract

【課題】過温度検知回路または温度センサの温度検知機能の診断を可能とし、経時劣化による温度検知機能の異常を検出することを可能とする温度検知機能診断装置を提供する。【解決手段】温度情報を出力する温度センサと、所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する過温度検知回路と、前記過温度検知回路の閾値を変更する閾値変更手段と、前記閾値変更手段によって閾値が変更された時の前記過温度検知回路の出力と前記温度センサの出力との対応に基づいて前記過温度検知回路または前記温度センサの少なくとも一方の異常を判定する温度検知機能判定手段とを備えることを特徴とする温度検知機能診断装置。【選択図】 図１

Description

本発明は、温度検知機能診断方式、及びそれを用いた装置に関わり、特に温度異常時のフェイルセーフ機能を有する車両に適用される電子制御ユニットに関する。

車両では、複数の電子制御ユニットを組合せた形で一つのシステムが構成されているが、このとき、電子制御ユニットを構成している多数の集積回路や個別半導体は、個々の素子が許容動作温度限界を越えると正常動作が保証出来ない。そこで、車両に適用される個々の電子制御ユニットには、温度情報を出力する温度センサと所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する過温度検知回路が設けてあって、許容温度を越えた場合に警報を出したり、電源供給を自動遮断したりするなどのフェイルセーフ機能を持たせるのが一般的である(例えば、特許文献１)。

また、電子制御ユニットにより、各種制御対象が電子制御されるに従って、電気信号を機械的運動や油圧に変換するためにモータやソレノイドなどの電動アクチュエータが広く用いられるようになっている。これらの電動アクチュエータを駆動するために、駆動回路と制御回路が同一チップ上に構成された半導体集積回路（ＩＣ）が用いられる。

駆動対象である負荷を高精度に制御するために、温度情報を出力する温度センサを用いることにより、温度補正を行うことがある。

特開２００２−２３６０５８号公報

半導体集積回路内の配線のＥＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）やＭＯＳゲート酸化膜（絶縁膜）の経時破壊であるＴＤＤＢ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）といった特性は高温側がより厳しいことが知られている。

前記の電子制御ユニットが搭載される温度環境がより高温となると、前記半導体集積回路のＩＣ出荷時テストが合格していても、半導体集積回路内の異物や膜厚異常により、ＩＣ内配線の断線といった経時劣化の恐れがあり、前記過温度検知回路の機能が動作しなくなる恐れがある。

そこで、本発明は、前記過温度検知回路または温度センサの温度検知機能を診断することを可能とする温度検知機能診断装置を提供する。

上記課題を解決するために、本発明はの温度検知機能診断装置は、所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する過温度検知回路と、前記過温度検知回路の閾値を変更する閾値変更回路と、前記閾値変更回路によって閾値が変更されたときの前記過温度検知回路の出力と温度情報を出力する温度センサの出力とに基づいて前記過温度検知回路または前記温度センサの少なくとも一方の異常を判定する温度検知機能判定回路と、を備える。

本発明によれば、過温度検知回路または温度センサの温度検知機能の診断を可能とし、経時劣化による温度検知機能の異常を検出することを可能とする温度検知機能診断装置を提供できる。

上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の第１の実施形態である温度検知機能診断装置の構成を示すブロック図である。 図１に示す実施例の過温度検知回路及び閾値変更手段の例である。 図１に示す実施例の過温度検知回路及び閾値変更手段の例である。 図２（ｂ）に示す電流コピー回路の例である。 図１に示す実施例の温度センサによる過温度検知回路の温度検知機能の診断フローの一例である。 図１に示す実施例の複数の過温度検知回路による温度センサの温度検知機能の診断フローの一例である。 図１に示す実施例の複数の過温度検知回路による温度センサの温度検知機能の診断フローの一例である。 図１に示す実施例の別形態による実施例である。 図４に示す実施例の複数の過温度検知回路による過温度検知回路の温度検知機能の診断フローの一例である。 図１に示す実施例の別形態による実施例である。 図１に示す実施例の別形態による実施例である。 図７に示す実施例のアナログ温度センサ及び共通過温度検知回路及び共通閾値変更手段の例である。 図７に示す実施例の別形態による実施例である。 図９に示す実施例のアナログ温度センサ及び共通過温度検知回路及び共通閾値変更手段の例である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、図面は簡略的
なものであるから、この図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本発明の第１の実施形態では、過温度検知回路と温度センサとの温度検知機能を相互に診断することにより、経時劣化による温度検知機能の異常検出を可能とする温度検知機能診断装置の構成及び動作について説明する。

図１は本発明の実施形態である温度検知機能診断装置の全体構成である。

図１に示す温度検知機能診断装置１は、温度情報を出力する温度センサ４と、所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎを出力する過温度検知回路２１〜２ｎと、過温度検知回路２１〜２ｎの閾値を変更する閾値変更手段３１〜３ｎと、閾値変更手段３１〜３ｎによって閾値が変更された時の過温度検知回路２１〜２ｎの出力と温度センサ４の出力Ｔｓとの対応に基づいて過温度検知回路２１〜２ｎまたは温度センサ４の少なくとも一方の異常を判定する温度検知機能判定手段５とを備えることを特徴とする。

図２（ａ）では図１に示した過温度検知回路２１〜２ｎと閾値変更手段３１〜３ｎの例を示す。過温度検知回路２ｎはバイポーラトランジスタ２ｎ１のベース‐エミッタ間電圧、Ｖｂｅの温度特性を用い、電流源２ｎ２により定常電流を流すことにより、温度に対応した電圧ＴＭＯＮを得ることができる。ベース‐エミッタ間電圧、Ｖｂｅは高温側で減少する温度特性がある。電源電圧をＶＤＤとしたとき、温度対応電圧ＴＭＯＮは
ＴＭＯＮ＝ＶＤＤ−Ｖｂｅ
となり、高温側で電圧が大きくなる。なお、温度に対応した電圧を得るために、バイポーラトランジスタのＶｂｅを利用する他に、ダイオードのＰＮジャンクションのＶＦ電圧や抵抗の温度依存性を利用しても良い。

過温度を検知する閾値温度に対応した参照電圧ＲＥＦを基準電圧ＶＲＥＦとアンプ２ｎ５とＮＭＯＳ，２ｎ４と抵抗Ｒ１，Ｒ２により生成する。ここで、診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｌとし、Ｒ２＝Ｒ２０＋Ｒ２１とする。このとき、参照電圧ＲＥＦは
ＲＥＦ＝ＶＤＤ−ＶＲＥＦ×（Ｒ１／Ｒ２）
となる。コンパレータ２ｎ３により、温度対応電圧ＴＭＯＮと参照電圧ＲＥＦとが比較され、閾値変更手段３ｎが診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｈのとき、ＮＭＯＳ，３ｎ１により、Ｒ２＝Ｒ２１となり、参照電圧ＲＥＦは小さくなり、閾値温度は低温側にシフトする。ここでは閾値温度の切替えは２つの場合を説明したが、抵抗Ｒ２の抵抗値の切替えを複数とすることで、多段階に、３つ以上に閾値温度を切替えることが可能である。

図２（ｂ）に過温度検知回路２１〜２ｎと閾値変更手段３１〜３ｎの他の例を示す。

温度対応電圧ＴＭＯＮはベース‐エミッタ間電圧、Ｖｂｅとなり、高温側で電圧が小さくなる。基準電圧ＶＲＥＦとアンプ２ｎ５とＮＭＯＳ，２ｎ４と抵抗Ｒ３により、抵抗Ｒ３特性に依存した電流Ｉ＝ＶＲＥＦ／Ｒ３を生成する。電流コピー回路２ｎ６により、電流コピー比が１：１の場合、ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｌのとき、
ＲＥＦ＝Ｒ４×Ｉ
となる。ここで、Ｒ４＝Ｒ４１とした。Ｒ３とＲ４との抵抗の温度特性を同一とすることで、温度に対して安定な参照電圧ＲＥＦが得られる。コンパレータ２ｎ３により、温度対応電圧ＴＭＯＮと参照電圧ＲＥＦとが比較され、閾値変更手段３ｎが診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｈのとき、ＮＭＯＳ，３ｎ１、インバータゲート３ｎ２により、Ｒ４＝Ｒ４０＋Ｒ４１となる。参照電圧ＲＥＦは大きくなり、過温度検知回路２ｎの閾値温度を低温側にシフトする。また、抵抗Ｒ４の抵抗値の切替えを複数とすることで、多段階に、３つ以上に閾値温度を切替えることが可能である。

電流コピー回路２ｎ６の例を図２（ｃ）に示す。ＰＭＯＳ，ＰＭＡ，ＰＭＢのゲート長が同じとしたとき、ＰＭＡ，ＰＭＢのゲート幅の比により電流コピー比、Ｉｉｎ：Ｉｏｕｔの調整が可能である。図２（ｂ）の閾値変更手段３ｎは、抵抗Ｒ４の抵抗値の切替えを用いたが、電流コピー回路２ｎ６において、ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｈのとき、電流コピー比を大きくすることで、参照電圧ＲＥＦを大きくし、過温度検知回路２ｎの閾値温度を低温側にシフトすることも可能である。また、電流コピー比の切替えを複数とすることで、多段階に、３つ以上に閾値温度を切替えることが可能である。

過温度検知回路２ｎの温度閾値は診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｌのとき、例えば、温度検知機能診断装置１がシリコン基板上に形成した半導体集積回路で構成されているとき、２００℃程度に設定され、過温度になった場合、装置の破壊の恐れがある。閾値変更手段３ｎにより、診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎ＝Ｈのとき、閾値を低温側にシフトすることができるため、過温度でない温度環境下にて、装置の過温度破壊の恐れなく、過温度検知回路２１〜２ｎまたは温度センサ４の温度検知機能の診断が可能であることを以下に説明する。

図３（ａ）に温度センサ４による過温度検知回路２１〜２ｎの温度検知機能の診断フローの例を示す。過温度検知回路２ｎに着目したとき、閾値変更手段３ｎの診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎのＬからＨへの切替えにより、閾値をＴｄに変更し、過温度検知回路２ｎの出力信号である過温度検知信号ＯＶＴｎと温度センサ４の診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮのＬからＨへの切替えにより、温度センサ４の出力Ｔｓとを温度検知機能判定手段５に取得し、以下の判定を行う。

“Ｔｄ＞Ｔｓ”かつ”ＯＶＴｎ＝Ｌ”
または
“Ｔｄ＝＜Ｔｓ”かつ”ＯＶＴｎ＝Ｈ”
ならば、過温度検知回路２ｎの温度検知機能は正常であり、これ以外の場合は異常であると診断可能である。

次に、図３（ｂ）に複数の過温度検知回路２１〜２ｎによる温度センサ４の温度検知機能の診断フローの例を示す。過温度検知回路２１〜２ｎの閾値を閾値変更手段３１〜３ｎの診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮ１〜ｎのＬからＨへの切替えにより、それぞれＴｄに変更し、過温度検知回路２１〜２ｎのそれぞれの出力信号である過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎと温度センサ４の診断イネーブル信号出力ＴＥＳＴ＿ＥＮのＬからＨへの切替えにより、温度センサ４の出力Ｔｓとを過温度検知機能判定手段５に取得し、以下の判定を行う。
“Ｔｎ＞Ｔｓ”かつ“ＯＶＴ１＝ＯＶＴ２＝・・・＝ＯＶＴｎ＝Ｌ”
または
“Ｔｎ＝＜Ｔｓ”かつ“ＯＶＴ１＝ＯＶＴ２＝・・・＝ＯＶＴｎ＝Ｈ”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であり、これ以外の場合は異常であると診断可能である。

図３（ｃ）に複数の過温度検知回路２１〜２ｎによる温度センサ４の温度検知機能の診断フローの図３（ｂ）と異なる例を示す。過温度検知回路２ｘ１〜２ｘｘの閾値温度を閾値変更手段３ｘ１〜３ｘｘの診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｘ１〜ｘｘのＬからＨへの切替えにより、それぞれＴｘに変更する。また、過温度検知回路２ｙ１〜２ｙｙの閾値温度を閾値変更手段３ｙ１〜３ｙｙの診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｙ１〜ｙｙのＬからＨへの切替により、それぞれＴｙに変更する。ここで、ｘｘ＋ｙｙ＝＜ｎとし、閾値温度Ｔｘは閾値温度Ｔｙより大きいとする。過温度検知回路２ｘ１〜２ｘｘ，２ｙ１〜２ｙｙのそれぞれの出力信号である過温度検知信号ＯＶＴｘ１〜ＯＶＴｘｘ，ＯＶＴｙ１〜ＯＶＴｙｙと温度センサ４の診断イネーブル信号出力ＴＥＳＴ＿ＥＮのＬからＨへの切替えにより、温度センサ４の出力Ｔｓとを温度検知機能判定手段５に取得し、以下の判定を行う。
（３ｃ１）“Ｔｘ＞Ｔｙ＞Ｔｓ”のとき、
“ＯＶＴｘ１＝ＯＶＴｘ２＝・・・＝ＯＶＴｘｘ＝Ｌ”
かつ
“ＯＶＴｙ１＝ＯＶＴｙ２＝・・・＝ＯＶＴｙｙ＝Ｌ”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であると診断可能である。
（３ｃ２）“Ｔｘ＞Ｔｓ＞＝Ｔｙ”のとき、
“ＯＶＴｘ１＝ＯＶＴｘ２＝・・・＝ＯＶＴｘｘ＝Ｌ”
かつ
“ＯＶＴｙ１＝ＯＶＴｙ２＝・・・＝ＯＶＴｙｙ＝Ｈ”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であると診断可能である。
（３ｃ３）“Ｔｓ＞＝Ｔｘ＞Ｔｙ”のとき、
“ＯＶＴｘ１＝ＯＶＴｘ２＝・・・＝ＯＶＴｘｘ＝Ｈ”
かつ
“ＯＶＴｙ１＝ＯＶＴｙ２＝・・・＝ＯＶＴｙｙ＝Ｈ”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であると診断可能である。
上記、（３ｃ１）〜（３ｃ３）以外の場合は異常であると診断可能である。

以上より、過温度検知回路または温度センサの温度検知機能の診断を可能とし、経時劣化による温度検知機能の異常を検出できる温度検知機能診断装置を可能とする。

図６に示すように、温度検知機能診断装置１として、温度センサ４及び過温度検知回路２１〜２ｎを同一シリコン基板上に形成した半導体集積回路１００の構成としても良い。更に、半導体集積回路（ＩＣ）１００として、モータやソレノイドなどの電動アクチュエータである負荷３０１〜３０ｎを駆動するためのドライバ回路７１〜７ｎを搭載し、ドライバ回路毎に過温度検知回路２１〜２ｎを搭載する構成としても良い。温度検知機能の診断のタイミングは、例えば、ドライバ部の局所的な発熱の影響を受けにくい、ＩＣ起動時に実施する。温度異常時のフェイルセーフ機能を有する車両に適用される電子制御ユニットの場合、エンジン始動時に、オンボードで閾値温度を変更して温度検知機能を診断する。

温度検知機能判定手段５による温度センサ４または過温度検知回路２１〜２ｎの温度検知機能診断結果をインターフェース回路６により、半導体集積回路１００の外部、例えばマイクロコンピュータ２００に通信する構成としても良い。

過温度検知回路２１〜２ｎのうち、１つないしは複数が温度検知機能の異常を検出した場合、近くの温度検知機能が正常である温度検知回路もしくは温度センサに過温度検知機能を切替えても良い。また、温度検知機能が異常と診断された過温度検知回路を温度検知機能が正常と診断された他の過温度検知回路に過温度検知機能を切替えた場合は、切替先の過温度検知回路と過温度検知対象としているドライバ回路との距離情報、熱伝導差を反映した閾値温度の補正を実施しても良い。

以上の温度検知機能診断フローとは異なる他の例を以下に説明する。

図１の温度検知機能診断装置１、もしくは図４に示す温度センサ４を搭載していない温度検知機能診断装置１において、複数の少なくとも３つ以上の過温度検知回路を用いて、多数決判定することにより、温度過温度検知回路の温度検知機能の診断をするフローの例を図５に示す。

過温度検知回路をｎａ，ｎｂ，ｎｃとし、それぞれの温度閾値は診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮｎａ〜ｎｃ＝Ｈとすることで、Ｔｎａ，Ｔｎｂ，Ｔｎｃに変更する。ここで、診断対象の過温度検知回路をｎｃとし、Ｔｎａ＞Ｔｎｂ＞Ｔｎｃとする。このときの過温度検知信号ＯＶＴｎａ〜ｎｃを温度検知機能判定手段５に取得し、以下の判定を行う。

”ＯＶＴｎａ＝Ｌ，ＯＶＴｎｂ＝Ｌ，ＯＶＴｎｃ＝Ｌ”（５１）
または
”ＯＶＴｎａ＝Ｈ，ＯＶＴｎｂ＝Ｌ，ＯＶＴｎｃ＝Ｌ”（５２）
ならば、過温度検知回路ｎａ，ｎｂ，ｎｃの温度検知機能は正常であると診断可能である。（５１）（５２）以外のときでかつ
”ＯＶＴｎａ＝Ｈ，ＯＶＴｎｂ＝Ｈ”
でないならば、過温度検知回路ｎａ，ｎｂ，ｎｃの温度検知機能は異常である。
（５１）（５２）以外のときでかつ
”ＯＶＴｎａ＝Ｈ，ＯＶＴｎｂ＝Ｈ”
ならば、過温度検知回路ｎａ，ｎｂ，ｎｃの温度検知機能の診断の判定は不可であり、温度検知回路ｎａ，ｎｂにおいて、閾値温度を３つ以上変更可能でかつ、Ｔｎａ'＞Ｔｎａ Ｔｎｂ'＞Ｔｎｂとなる温度閾値Ｔｎａ'，Ｔｎｂ'に変更可能な場合は、図５に示す診断フローにおいて、Ｔｎａ'をＴｎａに、Ｔｎｂ'をＴｎｂに置き換えて、再度実施可能である。

図７は本発明の別実施形態である温度検知機能診断装置の全体構成である。

図７に示す温度検知機能診断装置１は、温度情報Ｔｓを出力する温度センサ４と、所定の閾値温度より高い温度の時に、選択信号ＳＥＬ１〜ｎに対応して、アナログ温度センサ８１〜８ｎの温度対応電圧ＴＭＯＮ１〜ＴＭＯＮｎに基づいて、過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎを出力する共通過温度検知回路９と、共通過温度検知回路９の閾値温度を変更する共通閾値変更手段１０と、共通閾値変更手段１０によって閾値温度が変更された時の過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎと温度センサ４の出力Ｔｓとの対応に基づいて、アナログ温度センサ８１〜８ｎまたは温度センサ４の少なくとも一方の異常を判定する温度検知機能判定手段５とを備えることを特徴とする。

図８では図７に示したアナログ温度センサ８１〜８ｎと共通過温度検知回路９と共通閾値変更手段１０の例を示す。アナログ温度センサ８１〜８ｎは例えば、バイポーラトランジスタ８１１〜８１ｎのベース‐エミッタ間電圧、Ｖｂｅの温度特性を用い、電流源８２１〜８２ｎにより定常電流を流すことにより、温度に対応した電圧ＴＭＯＮ１〜ｎを得ることができる。

温度対応電圧ＴＭＯＮ１〜ｎはベース‐エミッタ間電圧、Ｖｂｅとなり、高温側で電圧が小さくなる。基準電圧ＶＲＥＦとアンプ９５とＮＭＯＳ，９４と抵抗Ｒ３により、抵抗Ｒ３特性に依存した電流Ｉ＝ＶＲＥＦ／Ｒ３を生成する。電流コピー回路９６により、電流コピー比が１：１の場合、共通診断イネーブル信号、ＴＥＳＴ＿ＥＮ＿ＣＯＭ＝Ｌのとき、
ＲＥＦ＝Ｒ４×Ｉ
となる。ここで、Ｒ４＝Ｒ４１とした。Ｒ３とＲ４との抵抗の温度特性を同一とすることで、温度に対して安定な参照電圧ＲＥＦが得られる。コンパレータ９３により、温度対応電圧ＴＭＯＮ１〜ｎと参照電圧ＲＥＦとが比較され、共通閾値変更手段１０の共通診断イネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮ＿ＣＯＭ＝Ｈのとき、ＮＭＯＳ，１０１、インバータゲート１０２により、Ｒ４＝Ｒ４０＋Ｒ４１となる。参照電圧ＲＥＦは大きくなり、共通過温度検知回路９の温度閾値を低温側にシフトする。ここでは選択信号ＳＥＬ１〜ｎに対応して、アナログ温度センサ８１〜８ｎの温度対応電圧ＴＭＯＮ１〜ＴＭＯＮｎに基づいて、過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎを出力する共通過温度検知回路９の構成を説明したが、図９に示す過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎを出力する共通過温度検知回路９の構成でも良く、この場合、共通過温度検知回路９の構成例を図１０に示す。アナログ温度センサ８１〜８ｎに対応して、それぞれコンパレータ９３１〜９３ｎを備え、過温度検知信号ＯＶＴ１〜ＯＶＴｎを出力する。

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換える事が可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について他の構成の追加・削除・置換をする事が可能である。

また、制御線や信号線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や信号線を示しているとは限らない。

１ 温度検知機能診断装置
２ 過温度検知回路
３ 閾値変更手段
４ 温度センサ
５ 温度検知機能判定手段
６ インターフェース回路
７ ドライバ回路
８ アナログ温度センサ
９ 共通過温度検知回路
１０ 共通閾値変更手段
１００ 半導体集積回路
２００ マイクロコンピュータ
３００ 負荷
ＯＶＴ 過温度検知信号
ＴＥＳＴ＿ＥＮ 診断イネーブル信号
ＶＤＤ 電源電圧
ＶＲＥＦ 基準電圧
ＴＭＯＮ 温度対応電圧
ＲＥＦ 参照電圧

Claims (6)

1. 所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する過温度検知回路と、
   前記過温度検知回路の閾値を変更する閾値変更回路と、
   前記閾値変更回路によって閾値が変更されたときの前記過温度検知回路の出力と温度情報を出力する温度センサの出力とに基づいて前記過温度検知回路または前記温度センサの少なくとも一方の異常を判定する温度検知機能判定回路と、
   を備える温度検知機能診断装置。
2. 所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する複数の過温度検知回路と、
   前記複数の過温度検知回路それぞれの閾値を変更する閾値変更回路と、
   閾値が変更されたときの前記複数の過温度検知回路のうちの少なくとも1つの出力と、温度情報を出力する温度センサの出力とに基づいて過温度検知回路の異常を判定する第1の判定回路と、
   前記温度センサの出力と前記複数の過温度検知回路のうちの少なくとも2つの出力とに基づいて前記温度センサの異常を判定する第2の判定回路と、を備え、
   前記第2の判定回路が用いる少なくとも2つの過温度検知回路の閾値がそれぞれ異なる値に変更されたときに前記第2の判定回路が前記温度センサの出力ずれを含む異常を判定する温度検知機能診断装置。
3. 請求項１又は請求項２いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、
   是b儒温度センサ及び是bb儒過温度検知回路を同一シリコン基板上に形成することを特徴とした温度検知機能診断装置。
4. 請求項１又は請求項２いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、
   車載機器を駆動するための複数の駆動回路を備え、前記複数の駆動回路毎に過温度検知回路を備えることを特徴とした温度検知機能診断装置。
5. 請求項１、請求項２、又は請求項４いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、前記温度センサ、前記過温度検知回路、及び駆動回路を同一シリコン基板上に形成することを特徴とした温度検知機能診断装置。
6. 請求項１から５いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、
   前記温度検知機能診断装置車両に搭載され、エンジン始動以降の時点で閾値を変更して温度検知機能を診断することを特徴とする温度検知診断装置。

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