CN112313489B - 车载用的温度检测电路 - Google Patents

Abstract

能够利用更简单的结构对多个半导体元件判定温度异常的有无。车载用的温度检测电路具备：温度检测部(8)，在施加有规定的电源电压的第一导电路(90)与基准导电路(92)之间具备多个使第一电阻器(12)与温度检测元件(14)串联而成的单独检测部(10)；多个双极晶体管(16)，与多个单独检测部(10)各自对应而连接；及第二导电路(18)，与多个双极晶体管(16)各自的发射极电连接。此外，双极晶体管(16)的基极电连接在与自身对应的单独检测部(10)的第一电阻器(12)与温度检测元件(14)之间的第三导电路(15)上。反映了施加于多个单独检测部(10)中的各个第三导电路(15)的各电压中的最低电压的电压被施加于第二导电路(18)。

Description

车载用的温度检测电路

技术领域

本发明涉及车载用的温度检测电路。

背景技术

以往，已知单独地检测搭载于车辆等的多个半导体元件的温度，并基于这些检测出的温度来判定半导体元件的温度异常的有无的技术。例如，在专利文献1中，公开了如下技术：具备单独地检测多个开关元件(半导体元件)的温度的多个温度检测部，取得这些温度检测部的各自的检测值，并基于所取得的检测值判定过热状态(温度异常)的有无。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-75234号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在专利文献1所记载的技术中，判定温度异常的有无的判定部需要取得温度检测部的各自的检测值，因此必须与各个温度检测部对应而单独地设置输入端口。因此，存在构造容易变得复杂的问题。

本发明基于上述情况而做出，目的在于实现一种车载用的温度检测电路，能够利用更加简单的结构对多个半导体元件判定温度异常的有无。

用于解决课题的方案

本发明的车载用的温度检测电路，具备：

温度检测部，在施加有规定的电源电压的第一导电路与基准导电路之间具备多个使电阻器与温度检测元件串联而成的单独检测部；

多个双极晶体管，与多个上述单独检测部各自连接；及

第二导电路，与多个上述双极晶体管各自的发射极电连接，

各个上述双极晶体管的基极与上述单独检测部中的上述电阻器与上述温度检测元件之间的第三导电路电连接，

反映了施加于多个上述单独检测部中的各个上述第三导电路的各电压中的最高电压或最低电压的电压被施加于上述第二导电路。

发明效果

在本发明的车载用的温度检测电路中，在各个单独检测部中，基于温度检测元件的检测温度而产生的电压被施加于温度检测元件与电阻器之间的第三导电路。然后，施加于各个第三导电路的电压被施加于与各个第三导电路连接的双极晶体管的基极。然后，反映了施加于多个单独检测部中的各个第三导电路的各电压中的最高电压或最低电压的电压被施加于第二导电路。即，基于多个温度检测元件检测出的检测温度中的最高检测温度而产生的电压或基于最低检测温度而产生的电压被施加于第二导电路。因此，能够基于第二导电路的电压对多个半导体元件判定温度异常的有无。从而，根据该温度检测电路，能够利用简单的结构来对多个半导体元件判定温度异常的有无。

附图说明

图1是表示实施例1的车载用的温度检测电路的电路图。

图2是例示出实施例1的车载用的温度检测电路的作用的说明图。

图3是例示出搭载有实施例1的车载用的温度检测电路的车载用电源系统的结构的说明图。

图4是表示实施例2的车载用的温度检测电路的电路图。

图5是例示实施例2的车载用的温度检测电路的作用的说明图。

图6是表示实施例3的车载用的温度检测电路的电路图。

具体实施方式

在本发明的车载用的温度检测电路中可以是，多个双极晶体管均为集电极与基准导电路电连接的PNP型的双极晶体管。此外，也可以是，将反映了施加于多个单独检测部中的各个第三导电路的各电压中的最低电压的电压施加于第二导电路。

在使双极晶体管为PNP型的双极晶体管的情况下，电流能够从发射极侧流向基极侧。此外，双极晶体管的各个发射极通过与第二导电路连接而保持相同电位。因此，当来自第二导电路(即发射极)的电流流向双极晶体管的各个基极中的被施加最低电压的基极时，对上述基极电压施加了与基极-发射极间的电压降相当的规定电压的电压被施加于第二导电路，结果，在其他双极晶体管中，基极电压变得比从发射极电压降低上述规定电压后的电压高。因此，电流不会在其他的双极晶体管的基极-发射极间流动。由此，第二导电路的电压稳定为在双极晶体管的各个基极中的最低的电压施加了上述规定电压后的电压。从而，根据此结构，能够将反映了施加于双极晶体管的各个基极的电压中的最低电压的电压施加于第二导电路。

此外，在使双极晶体管为PNP型的双极晶体管的情况下，也可以如以下的方式构成。也可以具备：第二电阻器，一端与第一导电路电连接，另一端与第二导电路电连接；第二双极晶体管，由与多个双极晶体管不同的NPN型的双极晶体管构成；及第三电阻器，一端与第二双极晶体管的发射极电连接，另一端与基准导电路电连接。也可以是，第二双极晶体管的基极与第二导电路电连接，集电极与第一导电路电连接。也可以是，该车载用的温度检测电路输出反映了第二双极晶体管的发射极与第三电阻器的一端之间的第四导电路的电压的电压。

根据此结构，在双极晶体管的基极-发射极间上升的电压量在第二双极晶体管的基极-发射极间被抵消。因此，向第二双极晶体管的发射极施加在双极晶体管的基极-发射极间上升前的电压(即，施加于双极晶体管的各个基极的电压中的最低的电压)。然后，输出反映了第二双极晶体管的发射极与第二电阻器的一端之间的第四导电路的电压的电压。从而，如果基于该输出的电压来判定温度异常的有无，则无需考虑双极晶体管中的基极-发射极间的电位差，因此能够简化判定温度异常的有无的处理。

此外，在本发明的车载用的温度检测电路中，可以是，多个双极晶体管均为集电极与第一导电路电连接的NPN型的双极晶体管。也可以与多个双极晶体管各自对应而分别设置有多个第二电阻器。也可以是，第二电阻器的一端与和自身对应的双极晶体管的发射极电连接，另一端与基准导电路电连接。也可以是，在将各个双极晶体管的各发射极与各个第二电阻器的各一端之间连接的各第四导电路电连接有第二导电路。此外，也可以是，反映了施加于多个单独检测部中的各个第三导电路的各电压中的最高电压的电压被施加于第二导电路。

在使双极晶体管为NPN型的双极晶体管的情况下，电流能够从基极流向发射极。此外，双极晶体管的各个发射极通过与第二导电路连接而保持相同电位。因此，当电流从双极晶体管的各个基极中的施加了最高电压的基极向第二导电路(即发射极)流动时，从该最高电压下降了规定电压(与基极-发射极间的电压降相当的电压)后的电压被施加于第二导电路，而在其他双极晶体管中，基极电压变得比在发射极电压施加了上述规定电压后的电压低。结果，在其他的双极晶体管的基极-发射极间不流过电流。由此，第二导电路的电压稳定为从双极晶体管的各个基极中的最高的电压下降了上述规定电压后的电压。从而，根据此结构，能够将反映了施加于双极晶体管的各个基极的电压中的最高电压的电压施加于第二导电路。

此外，在使双极晶体管为NPN型的双极晶体管的情况下，也可以以如以下的方式构成。也可以是，具备：第二双极晶体管，由与多个上述双极晶体管不同的PNP型的双极晶体管构成；及第三电阻器，一端与第二双极晶体管的发射极电连接，另一端与第一导电路电连接。也可以是，第二双极晶体管的基极与第二导电路电连接，集电极与基准导电路电连接，该车载用的温度检测电路输出反映了第二双极晶体管的发射极与第三电阻器的一端之间的第五导电路的电压的电压。

根据此结构，在双极晶体管的基极-发射极间下降了的电压量在第二双极晶体管的基极-发射极间被抵消。因此，在第二双极晶体管的发射极施加了在双极晶体管的基极-发射极间下降之前的电压(即施加于双极晶体管的各个基极的电压中的最高电压)。然后，输出反映了第二双极晶体管的发射极与第三电阻器的一端之间的第五导电路的电压的电压。从而，如果基于该输出的电压来判定温度异常的有无，则无需考虑双极晶体管中的基极-发射极间的电位差，因此能够简化判定温度异常的有无的处理。

<实施例1＞

以下，对于将本发明具体化的实施例1进行说明。

图1所示的车载用的温度检测电路1(以下称为温度检测电路1)单独地对搭载于车辆的多个半导体元件的温度进行检测，并基于这些检测出的温度来判定半导体元件的温度异常的有无。

温度检测电路1主要具备温度检测部8、多个双极晶体管16、第二导电路18、双极晶体管20及控制部24等。

温度检测部8具备多个(在图1、2所示的例中为三个)单独检测部10。单独检测部10分别设置于第一导电路90与基准导电路92之间，该第一导电路90施加有基于电源部的输出电压(Vcc)的电压。第一导电路90的电压，即，第一导电路90的电位与基准导电路92的电位之间的电位差保持为规定的电源电压(Vcc)。基准导电路92是电位保持为规定的接地电位(例如，0V)的导电路。单独检测部10各自形成第一电阻器12与温度检测元件14串联而成的结构。具体而言，第一电阻器12的一端与第一导电路90连接，第一电阻器12的另一端与温度检测元件14的一端连接。温度检测元件14的另一端与基准导电路92连接。温度检测元件14例如是NTC热敏电阻(Negative Temperature Coefficient Thermistor：负温度系数热敏电阻)，构成为随着检测温度升高而电阻降低的元件。另外，第一电阻器12相当于本发明的电阻器的一例。

双极晶体管16构成为例如PNP型的双极晶体管。多个双极晶体管16与多个单独检测部10各自对应而连接。双极晶体管16的基极电连接在与自身建立了对应的单独检测部10的第一电阻器12与温度检测元件14之间的第三导电路15上。此外，双极晶体管16的发射极与第二导电路18电连接，集电极与基准导电路92电连接。另外，双极晶体管16相对于本发明的双极晶体管的一例。

第二导电路18与多个双极晶体管16的各自的发射极电连接，使所连接的发射极彼此为相同电位。第二导电路18经由第二电阻器17与第一导电路90电连接。第二电阻器17的一端与第二导电路18电连接，另一端与第一导电路90电连接。

双极晶体管20构成为例如NPN型的双极晶体管。双极晶体管20的基极与第二导电路18连接，集电极与第一导电路90连接，发射极与控制部24及第三电阻器22的一端连接。第三电阻器22的另一端与基准导电路92连接。另外，双极晶体管20相当于本发明的第二双极晶体管的一例。

控制部24是基于温度检测元件14的检测温度来判定温度异常的有无的部分。控制部24例如具有微型计算机等而构成，具有CPU等运算装置、ROM或RAM等存储器及AD变换器等。控制部24电连接在双极晶体管20的发射极与第三电阻器22之间的第四导电路23上。控制部24对反映了施加于第四导电路23的电压的电压进行检测，对施加于双极晶体管20的发射极的电压进行检测，并基于上述的检测值来判定温度异常的有无。

接下来，对温度检测电路1的作用进行说明。

如上所述，温度检测元件14为NTC热敏电阻，因此温度检测元件14与第一电阻器12之间的第三导电路15的电压随着温度检测元件14的检测温度升高而降低。在第三导电路15电连接有双极晶体管16的基极，因此随着温度检测元件14的检测温度升高而降低的电压被施加于双极晶体管16的基极。

此外，双极晶体管16为PNP型的双极晶体管，因此在基极-发射极间，电流从发射极侧流向基极侧。但是，双极晶体管16的各自的发射极彼此经由第二导电路18相互电连接而成为相同电位。因此，在基极电压最低的双极晶体管16中，当电流从发射极侧流向基极侧时，第二导电路18的电压及其他双极晶体管16的发射极成为向上述最低的基极电压施加了与电压降相当的规定电压Vf(例如0.6V)后的电压。然后，由于其他的双极晶体管16的基极电压变得比从发射极电压降低规定电压Vf后的电压高，因此在其他的双极晶体管16的基极-发射极间，电流不流动。结果，第二导电路18的电压稳定为施加于双极晶体管16的各自的基极的电压中的最低的电压加上规定电压Vf而得到的电压(反应了施加于双极晶体管16的各自的基极的电压中的最低电压的电压)。

例如图2所示，设为对三个双极晶体管16的基极施加有2V、3V、4V的电压。在该情况下，当电流在最低电压2V被施加于基极的双极晶体管16的基极-发射极间流动时，基极电压2V加上0.6V后得到的2.6V被施加于第二导电路18。此时，由于其他的双极晶体管16的基极电压变得比从发射极电压(第二导电路18的电压)2.6V降低0.6V后的2.0V高，因此在其他的双极晶体管16的基极-发射极间电流不流动。结果，第二导电路18的电压稳定为2.6V。

进而，在第二导电路18电连接有双极晶体管20的基极，双极晶体管20为NPN型的双极晶体管。因此，从双极晶体管20的基极电压下降了规定电压Vf后的电压被施加于双极晶体管20的发射极(第四导电路23)。在图2所示的例中，从施加于第二导电路18的电压2.6V降低0.6V而得到的2.0V被施加于双极晶体管20的发射极(第四导电路23)。即，将双极晶体管16的基极-发射极间的电压降的量抵消后的电压被施加于双极晶体管20的发射极(第四导电路23)。然后，向控制部24输出反映了第四导电路23的电压的电压。

控制部24通过检测第四导电路23的电压，能够检测出双极晶体管16的各自的基极电压中的最低的基极电压(即，基于多个温度检测元件14的检测温度中的最高的检测温度的电压)。从而，控制部24例如能够通过判定所检测出的电压是否小于规定的阈值电压来判定温度异常的有无(是否是过热状态)。

接下来，对搭载有该温度检测电路1的车载用电源系统100进行说明。

如图3所示，车载用电源系统100具备电压变换装置50、第一电源部52及第二电源部54，构成为能够对负载56、58等车载用负载供给电力的系统。

电压变换装置50例如构成为车载用的升压降压型DCDC转换器，具备电压变换部60。电压变换部60设置在连接有第一电源部52的高电位侧的端子及负载56的一次侧导电路41与连接有第二电源部54的高电位侧的端子及负载58的二次侧导电路42之间。

电压变换部60具备以H电桥构造配置的开关元件T1、T2、T3、T4及电感器L，作为所谓的双方向型的DCDC转换器而发挥功能。即，具有将施加于一次侧导电路41的电压升压或降压而输出至二次侧导电路42的功能，以及将施加于二次侧导电路42的电压升压或降压而输出至一次侧导电路41的功能。此外，在一次侧导电路41连接有电容器70，在二次侧导电路42连接有电容器72。

电压变换装置50具备：电压检测部62、64，分别对一次侧导电路41的电压及二次侧导电路42的电压进行检测；及电流检测部66、68，分别对一次侧导电路41的电流及二次侧导电路42的电流进行检测。电压检测部62、64的检测值及电流检测部66、68的检测值被输出至控制部24。控制部24具备控制电路80(例如微型计算机)及驱动电路82，控制部24通过基于电压检测部62、64的检测值或电流检测部66、68的检测值而使开关元件T1、T2、T3、T4接通关断动作，能够以使电压变换部60进行升压动作或降压动作的方式进行驱动。

在该车载用电源系统100中，在进行升压动作或降压动作时，高速地使开关元件T1、T2、T3、T4接通关断动作，因此开关元件T1、T2、T3、T4发热。因此，为了使开关元件T1、T2、T3、T4的周围的温度不成为过热状态而需要进行监控。因此，在图3所示的例中，在开关元件T1、T2、T3、T4的附近设置有温度检测元件14。此外，在图3所示的例中，仅对四个开关元件T1、T2、T3、T4中的一部分(在图3中为两个)开关元件进行设置。具体而言，分别在电感器L的一次侧导电路41侧和二次侧导电路42侧各设置一个。在仅对一部分的开关元件设置温度检测元件14的情况下，优选对于容易发热的开关元件进行设置，例如，也可以基于实际动作的结果对容易发热的开关元件进行设置。

如上文说明，在温度检测电路1中，在各个单独检测部10中，基于NTC热敏电阻(温度检测元件14)的检测温度的电压被施加于处于温度检测元件14与第一电阻器12之间的第三导电路15。并且，施加于各个第三导电路15的电压被施加于与各个第三导电路15连接的PNP型的双极晶体管(双极晶体管16)的基极。并且，反映了施加于多个单独检测部10中的各自的第三导电路15的各电压中的最低电压(即基于最高的检测温度的电压)的电压被施加于第二导电路18。因此，控制部24能够基于反映了第二导电路18的电压的电压来对多个开关元件判定过热状态(温度异常)的有无。从而，根据该温度检测电路1，能够利用简单的结构对多个开关元件判定温度异常的有无。

此外，向控制部24输出反映了双极晶体管20的发射极与第三电阻器22的一端之间的第四导电路23的电压的电压。即，控制部24能够检测出反映了由双极晶体管20抵消了因双极晶体管16的基极-发射极间的电压降而产生的上升量后的电压的电压。因此，控制部24不需要考虑因双极晶体管16的基极-发射极间的电压降而产生的影响，因此能够简化判定是否是过热状态的处理。

<实施例2＞

在实施例1中，使双极晶体管为PNP型的双极晶体管。与此相对地，在实施例2中，使双极晶体管为NPN型的双极晶体管。在以下的说明及附图中，对构成与实施例1的温度检测电路1相同的结构的部分附以与实施例1的温度检测电路1相同的标号并省略详细的说明。

如图4所示，实施例2的温度检测电路201主要具备温度检测部8、多个双极晶体管216、第二导电路218、双极晶体管220及控制部24等。

温度检测部8具备多个(在图4、5所示的例中为3个)单独检测部10。单独检测部10分别设置于第一导电路90与基准导电路92之间。单独检测部10分别为第一电阻器12与温度检测元件14串联而成的结构。

双极晶体管216构成为例如NPN型的双极晶体管。多个双极晶体管216与多个单独检测部10各自对应而连接。双极晶体管216的基极与和自身对应的单独检测部10的第三导电路15电连接。各个双极晶体管216的各集电极分别与第一导电路90电连接。多个第二电阻器217分别与多个双极晶体管216各自对应而设置。第二电阻器217的一端与和自身对应的双极晶体管216的发射极电连接，另一端与基准导电路92电连接。第二导电路218电连接在将各个双极晶体管216的各发射极与各个第二电阻器217的各一端之间连接的各第四导电路219上。另外，双极晶体管216相当于本发明的双极晶体管的一例。

双极晶体管220构成为PNP型的双极晶体管。双极晶体管220的基极与第二导电路218电连接，集电极与基准导电路92电连接，发射极与第三电阻器222的一端连接。此外，第三电阻器222的另一端与第一导电路90电连接。控制部24电连接在双极晶体管220的发射极和第三电阻器222之间的第五导电路223上。另外，双极晶体管220相当于本发明的第二双极晶体管的一例。

接下来，对温度检测电路201的作用进行说明。

在温度检测电路201中，双极晶体管216为NPN型的双极晶体管，因此在基极-发射极间，电流从基极侧流向发射极侧。但是，双极晶体管216的各个发射极彼此经由第二导电路218相互连接而保持相同电位。因此，在基极电压最高的双极晶体管216中，当电流从基极侧流向发射极侧时，第二导电路218的电压及其他的双极晶体管216的发射极成为从其最高的基极电压降低与电压降相当的规定电压Vf(例如0.6V)后的电压。然后，其他的双极晶体管216的基极电压变得比在发射极电压加上规定电压Vf后的电压低，因此在其他的双极晶体管216的基极-发射极间电流不流动。结果，第二导电路218的电压稳定为从施加于双极晶体管216的各自的基极的电压中的最高的电压降低规定电压Vf后的电压(反映了施加于双极晶体管216的各自的基极的电压中的最高电压的电压)。

例如图5所示，设为向三个双极晶体管216的基极施加了2V、3V、4V的电压。在该情况下，当电流在最高电压4V被施加于基极的双极晶体管216的基极-发射极间流动时，从基极电压4V降低0.6V后的3.4V被施加于第二导电路218。此时，由于其他的双极晶体管216的基极电压变得比在发射极电压3.4V加上0.6V后的4V低，因此在其他的双极晶体管216的基极-发射极间电流不流动。结果，第二导电路218的电压稳定为3.4V。

进而，在第二导电路218连接有双极晶体管220的基极，双极晶体管220为PNP型的双极晶体管。因此，从双极晶体管220的基极电压加上规定电压Vf后的电压被施加于双极晶体管220的发射极。在图5所示的例中，从施加于第二导电路218的电压3.4V加上0.6V后的4V被施加于双极晶体管220的发射极。即，抵消了双极晶体管216的基极-发射极间处的电压降的量后的电压被施加于双极晶体管220的发射极。

控制部24通过检测施加于双极晶体管220的发射极的电压，能够检测双极晶体管216的各自的基极电压中的最高的基极电压(即，基于多个温度检测元件14的检测温度中的最低的检测温度的电压)。从而，控制部24例如通过判定检测出的电压是否为规定的阈值电压以上，能够判定温度异常的有无(是否是低温状态)。

<实施例3＞

在实施例1中，温度检测

元件为NTC热敏电阻。与此相对地，在实施例3中，温度检测元件为PTC热敏电阻(Positive Temperature Coefficient Thermistor：正温度系数热敏电阻)。

如图6所示，实施例3的温度检测电路301具备温度检测部308来代替实施例1的温度检测部8。温度检测部308具备多个(图6所示的例中为三个)单独检测部310。单独检测部310分别设置于第一导电路90与基准导电路92之间。单独检测部310分别为第一电阻器12与温度检测元件314串联而成的结构。

温度检测元件314构成为例如PTC热敏电阻(随着检测温度升高而电阻变高的元件)。第一电阻器12及温度检测元件314的排列与实施例1中的第一电阻器12及温度检测元件14的排列相反。即，温度检测元件314的一端与第一导电路90电连接，温度检测元件314的另一端与第一电阻器12的一端电连接。第一电阻器12的另一端与基准导电路92电连接。

这样，在实施例3中，虽然将温度检测元件从NTC热敏电阻变更为PTC热敏电阻，但相对于第一电阻器12排列也发生改变，因此施加于温度检测元件314与第一电阻器12之间的第三导电路315的电压与实施例1的情况相同，随着温度检测元件314的检测温度升高而降低。从而，与实施例1的情况相同，基于最高的检测温度的电压被施加于第二导电路18，抵消了在双极晶体管16的基极-发射极间上升的电压降的量后的电压被施加于双极晶体管20的发射极。

<其他的实施例＞

本发明不限定于利用上述记述及附图说明的实施例，例如如下的实施例也包括于本发明的技术范围。

在实施例1～3中为多个温度检测元件14的检测温度越高则越降低的电压被施加于双极晶体管16、216的基极。然而，也可以是多个温度检测元件14的检测温度越高则越升高的电压被施加于双极晶体管16、216的基极。例如，也可以是在实施例1的温度检测电路1中，使温度检测元件14为NTC热敏电阻不变，而将第一电阻器12与温度检测元件14的排列替换。此外，也可以在实施例1的温度检测电路1中不替换第一电阻器12与温度检测元件14的排列而使温度检测元件14为PTC热敏电阻。

在实施例1～3中为控制部24检测施加于双极晶体管20、220的发射极的电压，并基于其检测值判定温度异常的有无。然而，也可以是控制部24检测施加于第二导电路18、218的电压，并基于其检测值来判定温度异常的有无。这样，由于不需要双极晶体管20、220，因此，能够减少元件数量。

在实施例1～3中，将单独检测部10、310设为三个，但也可以是两个，也可以是四个以上。

标号说明

1、201、301…车载用的温度检测电路

8、308…温度检测部

10、310…单独检测部

12…第一电阻器(电阻器)

14、314…温度检测元件

15、315…第三导电路

16、216…双极晶体管

17、217…第二电阻器

18、218…第二导电路

20、220…双极晶体管(第二双极晶体管)

22、222…第三电阻器

23、219…第四导电路

24…控制部

90…第一导电路

92…基准导电路

223…第五导电路

Claims (2)

1.一种车载用的温度检测电路，具备：

温度检测部，在施加有规定的电源电压的第一导电路与基准导电路之间具备多个使电阻器与温度检测元件串联而成的单独检测部；

多个双极晶体管，与多个所述单独检测部各自连接；及

第二导电路，与多个所述双极晶体管各自的发射极电连接，

各个所述双极晶体管的基极与所述单独检测部中的所述电阻器与所述温度检测元件之间的第三导电路电连接，

反映了施加于多个所述单独检测部中的各个所述第三导电路的各电压中的最高电压或最低电压的电压被施加于所述第二导电路，

多个所述双极晶体管均为集电极与所述基准导电路电连接的PNP型的双极晶体管，

反映了施加于多个所述单独检测部中的各个所述第三导电路的各电压中的最低电压的电压被施加于所述第二导电路，

该车载用的温度检测电路还具备：

第二电阻器，一端与所述第一导电路电连接，另一端与所述第二导电路电连接；

第二双极晶体管，由与多个所述双极晶体管不同的NPN型的双极晶体管构成；及

第三电阻器，一端与所述第二双极晶体管的发射极电连接，另一端与所述基准导电路电连接，

所述第二双极晶体管的基极与所述第二导电路电连接，集电极与所述第一导电路电连接，

所述车载用的温度检测电路输出反映了所述第二双极晶体管的发射极与所述第三电阻器的一端之间的第四导电路的电压的电压。

2.一种车载用的温度检测电路，具备：

温度检测部，在施加有规定的电源电压的第一导电路与基准导电路之间具备多个使电阻器与温度检测元件串联而成的单独检测部；

多个双极晶体管，与多个所述单独检测部各自连接；及

第二导电路，与多个所述双极晶体管各自的发射极电连接，

各个所述双极晶体管的基极与所述单独检测部中的所述电阻器与所述温度检测元件之间的第三导电路电连接，

反映了施加于多个所述单独检测部中的各个所述第三导电路的各电压中的最高电压或最低电压的电压被施加于所述第二导电路，

多个所述双极晶体管均为集电极与所述第一导电路电连接的NPN型的双极晶体管，

与多个所述双极晶体管各自对应而分别设置多个第二电阻器，

所述第二电阻器的一端与和自身对应的所述双极晶体管的发射极电连接，另一端与所述基准导电路电连接，

在将各个所述双极晶体管的各发射极与各个所述第二电阻器的各一端之间连接的各第四导电路电连接有所述第二导电路，

反映了施加于多个所述单独检测部中的各自的所述第三导电路的各电压中的最高电压的电压被施加于所述第二导电路，

该车载用的温度检测电路还具备：

第二双极晶体管，由与多个所述双极晶体管不同的PNP型的双极晶体管构成；及

第三电阻器，一端与所述第二双极晶体管的发射极电连接，另一端与所述第一导电路电连接，

所述第二双极晶体管的基极与所述第二导电路电连接，集电极与所述基准导电路电连接，

所述车载用的温度检测电路输出反映了所述第二双极晶体管的发射极与所述第三电阻器的一端之间的第五导电路的电压的电压。