JP2016177292A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の素子を作動させる機構 - Google Patents

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Abstract

【課題】より高い制御品質で素子の能動位置制御を可能にするマイクロリソグラフィ投影露光装置の素子を作動させる機構を提供する。【解決手段】光学素子を作動させる機構は、調整可能な力を光学素子にそれぞれで伝達できる第1数(nR)の自由度と、力を光学素子100に伝達する目的で機械式継手を介して光学素子にそれぞれ結合した第2数(nA)のアクチュエータ111、112、113、114とを備え、第2数(nA)は第1数(nR)よりも大きい。アクチュエータの少なくとも1つは、光学素子の少なくとも1つの固有振動モードの節に配置される。【選択図】図1

Description

本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の素子を作動させる機構に関する。
マイクロリソグラフィは、例えば集積回路又はLCD等の微細構造コンポーネントの製
造に用いられる。マイクロリソグラフィプロセスは、照明デバイス及び投影レンズを有す
るいわゆる投影露光装置で実行される。この場合、照明デバイスにより照明されたマスク
(レチクル)の像を、投影レンズにより、感光層(フォトレジスト)で被覆されて投影レ
ンズの像平面に配置された基板(例えばシリコンウェーハ)に投影することで、マスク構
造を基板上の感光コーティングに転写するようにする。
EUV用(すなわち、15nm未満の波長を有する電磁放射線用)に設計した投影露光
装置では、利用可能な光透過性材料がないことにより、ミラーを結像プロセス用の光学コ
ンポーネントとして用いる。上記ミラーは、担持フレーム(carrying frame)に固定する
ことができ、各ミラーの例えば6自由度の(すなわち、3つの空間方向x、y、及びzの
変位に関する、また対応の軸を中心とした回転R、R、及びRに関する)運動を可
能にするために、少なくとも部分的に操作可能であるよう設計することができる。この場
合、ミラーの位置をセンサフレームに固定した位置センサにより求めることができる。
EUV用に設計した投影露光装置では、操作可能に設計したミラーは、能動変形可能な
(actively deformable)ミラー及び能動変形不可能な(non-actively deformable)ミラ
ーの両方として用いられ、前者の場合、例えば熱的影響に起因した例えば投影露光装置の
動作中に生じる光学特性及び得られる結像収差を能動変形により補償することができ、後
者の場合、所期の変形が行われない。
かかるミラーの位置制御は、適当なアクチュエータシステムと共に(例えば、ローレン
ツアクチュエータと共に)、位置センサにより測定されるミラー位置の偏差が最小限であ
るようにミラーの位置をできる限り安定に保つ役割を果たす。この目的で原理上可能な一
手法は、コントローラゲインを増加させること、したがって制御帯域幅を増加させること
にある。しかしながら、この場合、ミラーが理想的な剛体ではなく機械的構造の特定の固
有周波数(例えば、2kHz〜3kHzの範囲の典型的な大きさ)をそれぞれが有すると
いう問題が実際には生じ、開口数の増加と共に増大するミラーの寸法及び担持構造及び測
定構造の寸法の対応の固有周波数スペクトルが、より低い周波数へとさらにシフトする。
これは、目標通りに変形可能、したがって柔軟(compliant)であるよう設計されなけれ
ばならない能動変形可能なミラーにはなおさら当てはまる。しかしながら、アクチュエー
タによる上記固有周波数の励起には、制御ループにおける減衰が比較的低いことにより比
較的大きな振幅が各位置センサにより検出され、その結果として制御ループの安定性が脅
かされ得ると共に、能動位置制御を安定して操作できなくなるか又は低い制御品質でしか
操作できないという影響がある。
従来技術に関して、例えば特許文献1、特許文献2、及び非特許文献1を参照されたい
米国特許第6,842,277号明細書 米国出願公開第2007/0284502号明細書
"Benefits of over-actuation in motion systems", by M.G.E. Schneiders et al., Proceedings of the 2004 American Control Conference (ACC 2004), Boston (2004)
本発明の目的は、より高い制御品質で素子の能動位置制御を可能にするマイクロリソグ
ラフィ投影露光装置の素子を作動させる機構を提供することである。
この目的は、独立特許請求項の特徴に従って達成される。
一態様によれば、本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の素子を作動させる機
構であって、
調整可能な力を光学素子にそれぞれで伝達できる第1数(n)の自由度と、
力を光学素子に伝達する目的で機械式継手を介して光学素子にそれぞれ結合した第2数
(n)のアクチュエータと
を備え、第2数(n)は第1数(n)よりも大きく、
上記アクチュエータの少なくとも1つは、光学素子の少なくとも1つの固有振動モード
の節に配置される機構に関する。
本発明は、特に、素子、特にミラーを作動させる機構において、アクチュエータの数が
自由度の数を超える(すなわち、例えば6自由度の素子又はミラーの作動に対して少なく
とも7つのアクチュエータが用いられる)という点で、「過作動(over-actuation)」を
行うという概念に基づく。光学素子への加力に関するこの追加自由度は、明確な静定機構
と比べて(自由度数に対して)余剰のアクチュエータが利用可能である結果として得られ
るものであるが、機械構造の上述の固有振動励起を減らすか又は完全に消すように力を光
学素子に加えるという趣旨で、この追加自由度をここでさらに用いることができる。この
過作動のさらに別の利点は、アクチュエータの数がより多いことにより、力のよりよい分
布が可能となることである。
本発明による過作動の結果として得られる追加自由度は、第1にアクチュエータの位置
決め時に用いることができ、第2にアクチュエータの駆動時(すなわち、発生した力線の
所期の構成)にも用いることができる。アクチュエータの位置決めに関する限り、本発明
の上記手法によれば、アクチュエータの少なくとも1つが固有振動モードの節に配置され
、その結果、当該アクチュエータの励起とは関係なくそれぞれ望ましくない固有振動モー
ドが励起されない。
さらに別の態様によれば、本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を
作動させる機構であって、
調整可能な力を光学素子にそれぞれで伝達できる第1数(n)の自由度と、
力を光学素子に伝達する目的で機械式継手を介して光学素子にそれぞれ結合した第2数
(n)のアクチュエータと
を備え、第2数(n)は第1数(n)よりも大きく、
アクチュエータは、自由度の作動が光学素子の少なくとも1つの固有振動モードに実質
的に直交するよう配置される機構に関する。
上記手法によれば、アクチュエータは、自由度の作動が少なくとも1つの固有振動モー
ドに実質的に直交するよう配置される。本願の意味の範囲内で、「実質的に」直交すると
は、開制御ループの伝達関数に弱減衰共振として現れる固有振動モードの作動が、その大
きさに関して非過作動と比べて少なくとも6dB、特に少なくとも12dB、より詳細に
は少なくとも20dB低減するようなものと理解すべきである。
一実施形態によれば、光学素子はミラーである。さらに他の実施形態において、光学素
子がいずれの場合もEUV用に設計した投影露光装置のミラーであっても、本発明はこれ
に限定されない。この点で、本発明を、例えば屈折光学素子又は回折光学素子等の他の光
学素子と共に実現することもできる。さらに他の実施形態では、本発明をDUV用(すな
わち、200nm未満、特に160nm未満の波長用)に設計した投影露光装置で実現す
ることもできる。
ミラーは、特に、投影露光装置における望ましくない外乱を補償するために能動的に変
形可能であるよう構成することができる。かかる外乱は、例えば、(例えばEUV)光源
が放出する放射線の吸収に起因した熱膨張、また(かかる熱的影響により生じるか又は他
の何らかの方法で生じる)結像収差でもあり得る。
変形可能なミラーを能動的に変形させるために、比較的多数の(変形)アクチュエータ
(例えば、約10個〜100個)が通常は利用され、さらに、ミラーは、能動変形不可能
なミラーとは対照的に比較的弾性に設計される。本発明によれば、これらの(変形)アク
チュエータは、特に、上述の過作動を実現するために用いることができる。したがって、
この手法によれば、第1に該当のミラーを変形させるために用いられ、第2にミラーの位
置の制御に、この場合はミラーの望ましくない固有振動モードの励起が少ないか又は皆無
であるよう必要な力を発生させるために用いられるという点で、変形アクチュエータが二
重に用いられる。したがって、換言すれば、変形アクチュエータは、位置決めアクチュエ
ータ(能動変形不可能なミラーの場合にのみ存在する)の機能をさらに果たす。
さらに別の実施形態によれば、ミラーは能動変形不可能なミラーでもあり得る。
一実施形態によれば、本機構は、光学素子の場所及び/又は位置を求める第3数(n
)のセンサ素子をさらに備える。一実施形態によれば、この場合、第3数(n)のセン
サ素子は、第1数(n)の自由度よりも多い。
したがって、本発明のこの態様によれば、特に能動変形不可能なミラーと共に、光学素
子の位置決めに存在する自由度数(n)に対して余剰n(すなわち、少なくともn
+1個)のセンサも設けることができる。本発明によるこのさらなる概念は、制御工学に
関して上述の過作動と同等であり、以下では過作動に類似して「過感知(over-sensing)
」とも称する。余剰のセンサの結果として得られる追加自由度は、特定の固有周波数又は
固有振動モードがそもそもセンサシステムによって検出さえされず、その結果、位置制御
がかかる固有周波数に反応できないようにセンサの配置を選択するために用いることがで
きる。過感知の概念には、力が光学素子又はミラーに静的に定められて(statically gov
erned manner)加えられ、光学素子又はミラーの固有の又は望ましくない変形がこうして
回避されるというさらなる利点がある。
上述の「過感知」の概念は、「過作動」の概念とは関係なく有利でもある。
したがって、さらに別の態様によれば、本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置
の光学素子を作動させる機構であって、
調整可能な力を光学素子にそれぞれで伝達できる第1数(n)の自由度と、
光学素子の場所及び/又は位置を求める第3数(n)のセンサ素子と
を備え、第3数(n)は第1数(n)よりも大きい機構にも関する。
本発明による機構は、特に、EUV用に設計したマイクロリソグラフィ投影露光装置の
光学素子を作動させるよう設計することができる。
歩発明はさらに、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス又は投影レンズの
両方で用いることができる。
一実施形態によれば、第1数(n)の自由度は少なくとも3、特に6である。
本発明はさらに、上述の特徴を有する機構を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置
に関する。
さらに別の態様によれば、本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を
作動させる方法であって、
調整可能な力を第1数(n)の自由度で光学素子に伝達し、
上記力伝達を第2数(n)のアクチュエータにより実行し、
第2数(n)は第1数(n)よりも大きく、
上記アクチュエータの少なくとも1つを、光学素子の少なくとも1つの固有振動モード
の節に配置する方法に関する。
さらに別の態様によれば、本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を
作動させる方法であって、
調整可能な力を第1数(n)の自由度で光学素子(100、200)に伝達し、
上記力伝達を第2数(n)のアクチュエータにより実行し、
第2数(n)は第1数(n)よりも大きく、
自由度の作動は、光学素子の少なくとも1つの固有振動モードに対して実質的に直交す
る方法にも関する。
一実施形態によれば、光学素子を調整可能な力により能動的に変形させる。
一実施形態によれば、光学素子の位置を調整可能な力により操作する。
一実施形態によれば、第3数(n)のセンサ素子を用いて光学素子の場所及び/又は
位置を求める。この場合、特に、第3数(n)を第1数(n)よりも大きくすること
ができる。
したがって、本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子の位置決め及び
/又は能動変形の方法であって、
制御可能な力を第1数(n)の自由度で光学素子に伝達し、
第3数(n)のセンサ素子を用いて光学素子の場所及び/又は位置を求め、
第3数(n)は第1数(n)よりも大きい方法にも関する。
この場合、本方法は、
投影露光装置における少なくとも1つの結像収差を求めるステップと、
上記結像収差が少なくとも部分的に補償されるよう光学素子を位置決め及び/又は能動
的に変形するステップと
を特に含み得る。
本発明のさらに他の構成は、説明及び従属請求項から得ることができる。
添付図面に示す例示的な実施形態に基づいて、本発明を以下でより詳細に説明する。
図1a〜bは、能動変形不可能なミラーと共に本発明による一手法を説明する概略図を示す。 能動変形可能なミラーと共に本発明による一手法を説明する概略図を示す。 振動体の位置制御の例に基づいて一実施形態を説明する概略図を示す。 図4aは、振動体の位置制御の例に基づいて一実施形態を説明する概略図を示す。図4bは、振動体の位置制御の例に基づいて一実施形態を説明する概略図を示す。図4cは、振動体の位置制御の例に基づいて一実施形態を説明する概略図を示す。 本発明による過作動を実現した能動変形可能なミラーの例に基づいて制御ループを説明する図を示す。 本発明による過感知を実現した能動変形可能なミラーの例に基づいて制御ループを説明する図を示す。 静定Iコントローラを実現した能動変形可能なミラーの例に基づいて制御ループを説明する図を示す。 EUVでの動作用に設計され本発明を実現することができるマイクロリソグラフィ投影露光装置の例示的な構成の概略図を示す。
図1a及び図1bは、最初に、能動変形不可能なミラーと共に本発明による一手法を説
明する概略図を示す。
図1aによれば、所定位置に保持すべきミラー100が、ミラー100に対して垂直な
力方向又は駆動方向を有する3つのアクチュエータ111、112、及び113を用いて
ミラー100を3自由度z、R、及びRで(すなわち、空間方向zの変位とx軸及び
y軸それぞれを中心とした回転とに関して)位置決めすることにより、従来通りに平衡に
取り付けられる。これらの丁度3つのアクチュエータ111、112、及び113で、3
自由度z、R、及びRは静定である。しかしながら、図3及び図4を参照してここで
同様に説明するように、これら3つのアクチュエータ111、112、及び113は、ミ
ラー100の弾性固有周波数又は固有振動モードを励起し得る。
図1bに示すように、ここでは自由度数(本例では、3自由度z、R、及びR)に
対して大きな数(本例ではn=4)のアクチュエータ111、112、113、及び1
14が、図3及び図4を参照して同じくさらに詳細に説明するように本発明に従って用い
られ、上記アクチュエータ111〜114は、ミラー100のいくつかの固有周波数又は
固有振動モードで位置制御の望ましくない励起も関連の外乱も生じないよう位置決めされ
る。
図2は、同じく単に概略的に示す能動変形可能なミラー200と共に本発明による概念
を明確化する役割を果たす。図2によれば、比較的多数(例えば、10個、100個、又
はそれ以上)の変形アクチュエータ211、212、…が変形可能なミラー200を能動
的に変形させる役割を果たし、ミラー200は同時に、能動変形を可能にするために比較
的弾性に設計される。本発明によれば、変形アクチュエータ211、212、…は、第1
にミラー200を変形させる役割を果たし、第2に上述の過作動により、ミラー200の
望ましくない固有周波数又は固有周波数モードの励起ができる限り生じないようミラー2
00の位置の制御を構成する役割を果たすという点で、二重に用いられる。
本発明に従って例えばミラー等の光学素子に適用される過作動の原理及び機能を、図3
及び図4に示す概略図を参照して特定の例示的な実施形態に基づいて以下で説明する。こ
の場合、簡単のために図3及び図4における光学素子の運動を並進自由度及び回転自由度
に制限し、振動能力を説明するために系を3つの節310、320、330に細分又は離
散化し、上記節310、320.330のそれぞれが、各並進自由度q、q、及びq
及び各回転自由度φ、φ、φを有する。さらに、図3によれば、同じ質量mが各
節310、320、330に割り当てられ、節310、320、330は同じ剛性kを伴
う。
図3に従って単純に離散化した系は、図4a〜図4cに概略的に示すように3つの振動
モードを示し、第1振動モードは剛体の並進であり(図4a)、第2振動モードは剛体の
回転であり(図4b)、第3振動モードは剛体の第1曲げ振動である(図4c)。
従来、2つのアクチュエータをこのとき静定作動用に選択することができ、これらのア
クチュエータを用いて、剛体並進及び剛体回転を作動させることができ、こうした目的で
、特定の場合には、(力Fを加える)一方のアクチュエータを節310に配置して(力
を加える)他方のアクチュエータを節310に配置することができる。コントローラ
による並進及び回転の制御のために、これら2つのアクチュエータにより所望の並進力f
及び所望のトルクMを生成する変換行列Tを通常は用いることができる。
こうした静定作動の場合に、選択されたアクチュエータを用いて系の振動モードがどの
ように励起されるかを調べ、上記変換行列を用いると、力fが所望通りに並進剛体モード
(モード1)を励起し、トルクMが回転剛体モード(モード2)を励起するが、((5)
から分かるように、曲げモード(モード3)は並進軸に現れるので)力fが曲げモード(
モード3)もさらに励起することが明らかである。その結果、上記曲げモードは、並進運
動の制御ループの伝達関数にも現れ、設定できる帯域幅の制限に不所望につながる可能性
があり得る。
上述の問題は、ここで、以下のような本発明による過作動により是正することができる
。この目的で、追加のアクチュエータが例示的な実施形態で設けられ、当該追加のアクチ
ュエータは、図3に従って力Fを加えるためにノード320に配置される。その結果、
3つのアクチュエータが並進及び回転のための力を発生させるのに利用可能であり、2つ
のアクチュエータによる上述の静定作動と比べて、変換行列Tの設計に関して追加自由
度が得られる。これは、上記変換行列Tがこのとき一意に定まらなくなるからである。
結果として付加的に得られた自由度を用いるために、変換行列Tの要素は、力f及びト
ルクMが対応の(並進又は回転)剛体自由度のみを依然として作動させるが、力fが曲げ
モードを励起できなくなるよう選択されることが好ましい。
特定の例示的な実施形態では、変換行列Tは以下のように選択することができる。
(7)から分かるように、曲げモード(モード3)は並進軸に現れなくなる。
図5は、本発明による過作動の上述の概念を実現した能動変形可能なミラーの場合の制
御ループの構成及び機能を説明する図を示す。この場合、nは位置制御された剛体自由
度の数を示し、nは位置制御されたアクチュエータの数を示し、アクチュエータの数は
自由度の数を超え、すなわちn>nが成り立つ。
図5によれば、ミラー位置の所望の値が位置コントローラ510に供給され、位置コン
トローラ510はn個の位置制御された剛体自由度に対して静変換行列Tを生成する
。上記変換行列T及びミラー変形の駆動信号に基づき、ミラー530を作動させるアク
チュエータ520が位置センサ540による位置決定と共に駆動される。得られる静変換
行列Tはさらに、位置コントローラ510等に供給される。
図6は、同じく上述した本発明による「過感知」の概念を実現した能動変形可能なミラ
ーの場合の制御ループを説明する類似の図を示す。この場合、nは位置制御された剛体
自由度の数を示し、nはセンサの数を示し、センサの数は自由度の数を超え、すなわち
>nが成り立つ。
図7は、本発明のさらに別の例示的な実施形態を示し、図5と類似の又は実質的に機能
的に同一のコンポーネントは「200」を足した参照符号で示す。この場合も、nは位
置制御された剛体自由度の数を示し、nは位置制御されたアクチュエータの数を示し、
>nが成り立つ。
図7における例示的な実施形態は、本発明に従って適用される過作動が光学素子の望ま
しくない変形につながり得る状況を考慮したものである。上記望ましくない変形の原因は
、位置コントローラが光学素子の位置を安定に保つために動的力及び小さな静的力の両方
を概して加えることである。静的力は、位置及び時間依存的であり得る。その場合、過静
定数(overdeterminatenumber)の加力点(アクチュエータ)に対する可変の静的力の過
静定印加(overdeterminate application)は、光学素子の望ましくない変形につながり
得る。
この問題は、図7を参照して説明される概念により以下のように解決することができる
。位置コントローラは、通常はPID状コントローラ、すなわち動的挙動が比例成分(P
成分)、微分成分(D成分)、及び積分成分(I成分)を有するコントローラである。I
成分が静的力を発生させる一方で、P成分及びD成分は動的力を発生させる。I成分がこ
のときPD成分から分離されてより小さな静定部分集合(N)のアクチュエータに静定
的に加えられる場合、静的力は、静定数の加力点に常に静定的に加わり、その結果として
上述の望ましくない変形が回避される。
図8は、例えば、EUVでの動作用に設計され本発明を実現することができるマイクロ
リソグラフィ投影露光装置の概略図を示す。
図8による投影露光装置は、照明デバイス6及び投影レンズ31を備える。照明デバイ
ス6は、光源2が放出する照明光3の光伝播方向に、コレクタ26、スペクトルフィルタ
27、視野ファセットミラー28、及び瞳ファセットミラー29を備え、瞳ファセットミ
ラー29から物体平面5に配置した物体視野4に光が当たる。物体視野4から出射した光
は、入射瞳30を有する投影レンズ31に入る。投影レンズ31は、中間像平面17、第
1瞳平面16、及び絞り20を配置したさらに別の瞳平面を有する。投影レンズ31は、
合計6つのミラーM1〜M6を備える。M6は、光ビーム経路に対して最終ミラーを示し
、当該ミラーは貫通孔18を有する。M5は、光ビーム経路に対して最後から2番目のミ
ラーを示し、当該ミラーは貫通孔19を有する。物体平面に配置した物体視野4又はレチ
クルから出射したビームは、結像対象のレチクル構造の像を生成するために、ミラーM1
〜M6での反射後に像平面9に配置したウェーハへ伝わる。
本発明による機構は、投影レンズ31及び/又は照明デバイス6の1つ又は複数のミラ
ーの位置決め及び/又は能動変形に用いることができる。
本発明を具体的な実施形態に基づいて説明したが、例えば個々の実施形態の特徴の組み
合わせ及び/又は交換により、多くの変形形態及び代替的な実施形態が当業者には明らか
である。したがって、当業者には言うまでもなく、かかる変形形態及び代替的な実施形態
は本発明に付随的に包含され、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその等価物の
意味の範囲内にのみ制限される。
従来、2つのアクチュエータをこのとき静定作動用に選択することができ、これらのアクチュエータを用いて、剛体並進及び剛体回転を作動させることができ、こうした目的で、特定の場合には、(力Fを加える)一方のアクチュエータを節310に配置して(力Fを加える)他方のアクチュエータを節310に配置することができる。コントローラによる並進及び回転の制御のために、これら2つのアクチュエータにより所望の並進力f及び所望のトルクMを生成する変換行列Tを通常は用いることができる。次式(4)において、最初の式の左辺に示すF 1 〜F 3 は、それぞれ、図3に示す力F 1 〜F 3 を表し、2番目の式の右辺に示すl(エル)は、図3に示す質量mどうしの中心間隔l(エル)を表す。以下の式(5)〜(7)中のF 1 〜F 3 及びl(エル)についても同様である。
特定の例示的な実施形態では、変換行列Tは以下のように選択することができる。
(7)から分かるように、曲げモード(モード3)は並進軸に現れなくなる。

Claims (20)

  1. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を作動させる機構であって、
    調整可能な力を前記光学素子にそれぞれで伝達できる第1数(n)の自由度と、
    力を前記光学素子(100、200)に伝達する目的で機械式継手を介して前記光学素
    子(100、200)にそれぞれ結合した第2数(n)のアクチュエータ(111、1
    12、113、114、211、212、…)と
    を備え、前記第2数(n)は前記第1数(n)よりも大きく、
    前記アクチュエータ(111、112、113、114、211、212、…)の少な
    くとも1つは、前記光学素子(100、200)の少なくとも1つの固有振動モードの節
    に配置される機構。
  2. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を作動させる機構であって、
    調整可能な力を前記光学素子にそれぞれで伝達できる第1数(n)の自由度と、
    力を前記光学素子(100、200)に伝達する目的で機械式継手を介して前記光学素
    子(100、200)にそれぞれ結合した第2数(n)のアクチュエータ(111、1
    12、113、114、211、212、…)と
    を備え、前記第2数(n)は前記第1数(n)よりも大きく、
    前記アクチュエータは、前記自由度の作動が前記光学素子(100、200)の少なく
    とも1つの固有振動モードに実質的に直交するよう配置される機構。
  3. 請求項1又は2に記載の機構において、前記光学素子(100、200)はミラーであ
    ることを特徴とする機構。
  4. 請求項3に記載の機構において、前記ミラー(200)は、前記投影露光装置における
    望ましくない外乱を補償するために能動的に変形可能であるよう構成されることを特徴と
    する機構。
  5. 請求項3に記載の機構において、前記ミラー(100)は能動変形不可能なミラーであ
    ることを特徴とする機構。
  6. 先行の請求項のいずれか1項に記載の機構において、該機構は、前記光学素子(100
    、200)の場所及び/又は位置を求める第3数(n)のセンサ素子(121、122
    、123、221、222、223)をさらに備えることを特徴とする機構。
  7. 請求項6に記載の機構において、前記第3数(n)は前記第1数(n)よりも大き
    いことを特徴とする機構。
  8. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を作動させる機構であって、
    調整可能な力を前記光学素子(100、200)にそれぞれで伝達できる第1数(n
    )の自由度と、
    前記光学素子(100、200)の場所及び/又は位置を求める第3数(n)のセン
    サ素子(121、122、123、221、222、223)と
    を備え、前記第3数(n)は前記第1数(n)よりも大きい機構。
  9. 先行の請求項のいずれか1項に記載の機構において、少なくとも1つのアクチュエータ
    がローレンツアクチュエータであることを特徴とする機構。
  10. 先行の請求項のいずれか1項に記載の機構において、前記第1数(n)の自由度は少
    なくとも3、特に6であることを特徴とする機構。
  11. 先行の請求項のいずれか1項に記載の機構において、該機構は、EUV用に設計したマ
    イクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を作動させるよう設計されることを特徴とす
    る機構。
  12. 先行の請求項のいずれか1項に記載の機構を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置
  13. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を作動させる方法であって、
    調整可能な力を第1数(n)の自由度で前記光学素子(100、200)に伝達し、
    前記力伝達を第2数(n)のアクチュエータ(111、112、113、114、2
    11、212、…)により実行し、
    前記第2数(n)は前記第1数(n)よりも大きく、
    前記アクチュエータ(111、112、113、114、211、212、…)の少な
    くとも1つを、前記光学素子(100、200)の少なくとも1つの固有振動モードの節
    に配置する方法。
  14. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子を作動させる方法であって、
    調整可能な力を第1数(n)の自由度で前記光学素子(100、200)に伝達し、
    前記力伝達を第2数(n)のアクチュエータ(111、112、113、114、2
    11、212、…)により実行し、
    前記第2数(n)は前記第1数(n)よりも大きく、
    前記自由度の作動は、前記光学素子(100、200)の少なくとも1つの固有振動モ
    ードに対して実質的に直交する方法。
  15. 請求項13又は14に記載の方法において、前記光学素子を前記調整可能な力により能
    動的に変形させることを特徴とする方法。
  16. 請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法において、前記光学素子の位置を前記調
    整可能な力により操作することを特徴とする方法。
  17. 請求項13〜16のいずれか1項に記載の方法において、第3数(n)のセンサ素子
    (121、122、123、221、222、223)を用いて前記光学素子(100、
    200)の場所及び/又は位置を求めることを特徴とする方法。
  18. 請求項17に記載の方法において、前記第3数(n)は前記第1数(n)よりも大
    きいことを特徴とする方法。
  19. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学素子の位置決め及び/又は能動変形の方法で
    あって、
    制御可能な力を第1数(n)の自由度で前記光学素子(100、200)に伝達し、
    第3数(n)のセンサ素子(121、122、123、221、222、223)を
    用いて前記光学素子(100、200)の場所及び/又は位置を求め、
    前記第3数(n)は前記第1数(n)よりも大きい方法。
  20. 請求項13〜19のいずれか1項に記載の方法において、
    前記投影露光装置における少なくとも1つの結像収差を求めるステップと、
    前記結像収差が少なくとも部分的に補償されるよう前記光学素子(100、200)を
    位置決め及び/又は能動的に変形するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022503797A (ja) * 2018-09-25 2022-01-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子の支持

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5864762B2 (ja) 2011-10-07 2016-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィシステムの光学素子の動きの制御方法
DE102013201082A1 (de) 2013-01-24 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung eines Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR102390697B1 (ko) 2013-01-28 2022-04-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치를 위한 방사선 소스, 거울 및 투영 시스템
US20140218704A1 (en) * 2013-02-04 2014-08-07 Nikon Corporation High na (numerical aperture) rectangular field euv catoptric projection optics using tilted and decentered zernike polynomial mirror surfaces
WO2015150466A2 (en) * 2014-04-04 2015-10-08 Asml Netherlands B.V. Control system, positioning system, lithographic apparatus, control method, device manufacturing method and control program
DE102015219671A1 (de) 2015-10-12 2017-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage
DE102016202408A1 (de) 2016-02-17 2017-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Positionsmanipulation eines Elementes in einem optischen System
WO2017207016A1 (en) * 2016-05-30 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with a piezoelectric device
JP2018013510A (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 キヤノン株式会社 光学装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
DE102018201784A1 (de) 2018-02-06 2018-05-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen einer Bewegung eines optischen Elements
KR102273754B1 (ko) 2019-06-14 2021-07-06 엘지전자 주식회사 모터 어셈블리 및 그 제조 방법
WO2024064341A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Systems and methods for over-actuated control
DE102023203872A1 (de) 2023-04-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für ein optisches System

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064076A (ja) * 2002-07-23 2004-02-26 Nikon Corp 変形ミラー構造体、変形ミラーの制御方法及び露光装置
JP2007103657A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 光学素子保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2007316132A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 反射装置
JP2007317713A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 光学素子駆動装置
JP2008112756A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Canon Inc 光学素子駆動装置及びその制御方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008219001A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Asml Netherlands Bv ステージシステムおよび該ステージシステムを備えたリソグラフィ装置
JP2010182867A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2011142165A (ja) * 2010-01-06 2011-07-21 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2012507160A (ja) * 2008-10-31 2012-03-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4664487A (en) 1985-09-30 1987-05-12 Rockwell International Corporation Laser mirror positioning apparatus
RU2101840C1 (ru) 1996-06-10 1998-01-10 Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения Шаговый двигатель
US6330052B1 (en) 1997-06-13 2001-12-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method
JP3322255B2 (ja) * 1999-11-10 2002-09-09 三菱電機株式会社 反射鏡アンテナ装置
US6327065B1 (en) 2000-01-13 2001-12-04 Trw Inc. Fine pointing assembly configuration
US6398373B1 (en) 2000-08-09 2002-06-04 Asml Us, Inc. Pneumatic control system and method for shaping deformable mirrors in lithographic projection systems
DE10225266A1 (de) 2001-12-19 2003-07-03 Zeiss Carl Smt Ag Abbildungseinrichtung in einer Projektionsbelichtungsanlage
US7486382B2 (en) 2001-12-19 2009-02-03 Carl Zeiss Smt Ag Imaging device in a projection exposure machine
EP1321822A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6881963B2 (en) 2002-11-08 2005-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Vibration control of an object
JP3692122B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-07 株式会社東芝 ボンディングシステム
JP2004281644A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 駆動機構及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法
JP2005003736A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp 鏡面形状補正装置
KR101129119B1 (ko) * 2003-09-12 2012-03-26 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 요소의 조작을 위한 장치
JP2005150615A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Canon Inc ステージおよびステージの制御方法
WO2005081060A2 (en) 2004-02-25 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Device consisting of at least one optical element
EP1577693B1 (de) 2004-02-26 2011-07-13 Carl Zeiss SMT GmbH Objektiv mit wenigstens einem optischen Element
WO2005101131A1 (en) 2004-04-14 2005-10-27 Carl Zeiss Smt Ag Support device for positioning an optical element
US20050243295A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing
US7557903B2 (en) * 2005-12-08 2009-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070284502A1 (en) 2006-06-13 2007-12-13 Nikon Corporation Hexapod kinematic mountings for optical elements, and optical systems comprising same
EP1921480A1 (de) 2006-11-07 2008-05-14 Carl Zeiss SMT AG Optische Vorrichtung mit kinematischen Komponenten zur Manipulation beziehungsweise Positionsbestimmung
US7710540B2 (en) 2007-04-05 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4820842B2 (ja) * 2007-05-30 2011-11-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ステージシステムおよびそのようなステージシステムを備えるリソグラフィ装置
JP2009026862A (ja) 2007-07-18 2009-02-05 Canon Inc 光学素子位置決めシステム、投影光学系及び露光装置
NL1036160A1 (nl) 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and two or more active damping systems, lithographic apparatus, and projection assembly.
US7989756B2 (en) 2008-03-18 2011-08-02 Nikon Corporation Active-isolation mounts for optical elements
US8805556B2 (en) 2008-07-03 2014-08-12 Nikon Corporation Damping apparatus and exposure apparatus
EP2295829B1 (de) * 2009-09-11 2016-07-13 Integrated Dynamics Engineering Verbessertes aktives Schwingungsisolationssystem
DE102011075316A1 (de) 2011-05-05 2012-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul mit einer Messeinrichtung
JP5864762B2 (ja) * 2011-10-07 2016-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィシステムの光学素子の動きの制御方法
DE102013201082A1 (de) 2013-01-24 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung eines Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064076A (ja) * 2002-07-23 2004-02-26 Nikon Corp 変形ミラー構造体、変形ミラーの制御方法及び露光装置
JP2007103657A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 光学素子保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2007316132A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 反射装置
JP2007317713A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 光学素子駆動装置
JP2008112756A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Canon Inc 光学素子駆動装置及びその制御方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008219001A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Asml Netherlands Bv ステージシステムおよび該ステージシステムを備えたリソグラフィ装置
JP2012507160A (ja) * 2008-10-31 2012-03-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系
JP2010182867A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2011142165A (ja) * 2010-01-06 2011-07-21 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022503797A (ja) * 2018-09-25 2022-01-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子の支持
JP7288046B2 (ja) 2018-09-25 2023-06-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子の支持

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