JP2016162888A - 電子装置 - Google Patents

電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016162888A
JP2016162888A JP2015040403A JP2015040403A JP2016162888A JP 2016162888 A JP2016162888 A JP 2016162888A JP 2015040403 A JP2015040403 A JP 2015040403A JP 2015040403 A JP2015040403 A JP 2015040403A JP 2016162888 A JP2016162888 A JP 2016162888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
insulating
metal part
electronic device
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015040403A
Other languages
English (en)
Inventor
真二 平光
Shinji Hiramitsu
真二 平光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2015040403A priority Critical patent/JP2016162888A/ja
Priority to CN201680003923.XA priority patent/CN107004646A/zh
Priority to US15/502,645 priority patent/US20170229371A1/en
Priority to PCT/JP2016/000632 priority patent/WO2016139890A1/ja
Publication of JP2016162888A publication Critical patent/JP2016162888A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/171—Frame
    • H01L2924/176—Material
    • H01L2924/177—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/17717—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400 C and less than 950 C
    • H01L2924/17724—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/171—Frame
    • H01L2924/176—Material
    • H01L2924/177—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/17738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/17747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/171—Frame
    • H01L2924/176—Material
    • H01L2924/177—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/17738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/1776—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/186—Material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】剥離の進行を抑制しつつ、絶縁性を確保できる電子装置を提供すること。【解決手段】電子装置１０は、半導体素子１と、半導体素子１が実装され半導体素子１の熱を放熱する絶縁金属部材と、半導体素子１と絶縁金属部材とを封止しているモールド樹脂８とを備えている。絶縁金属部材は、半導体素子１が実装された第１金属部３と、一部がモールド樹脂８から露出している第２金属部５と、第１金属部３と第２金属部５とに挟まれた絶縁部４とが積層されている。第２金属部５は、中央部５１と、中央部５１を囲う部位であり中央部５１よりも厚さが薄い周辺部５２とを有している。また、第２金属部５は、一面Ｓ１が絶縁部４と対向して密着し、一面の反対面における中央部５１に対応する部位がモールド樹脂８から露出した露出面Ｓ２をなしている。そして、一面Ｓ１の面積は、露出面Ｓ２の面積よりも広い。【選択図】図１

Description

本発明は、封止部材で封止された絶縁金属部材を備えた電子装置に関する。
従来、封止部材で封止された絶縁金属部材を備えた電子装置の一例として、特許文献１に開示された半導体モジュールがある。
半導体モジュールは、上面側に半導体素子が搭載されているヒートスプレッダと、ヒートスプレッダの下面に接着された絶縁層と、絶縁層の下面に接着された金属シート層と、これらを覆う樹脂モールドが設けられている。また、半導体モジュールは、金属シート層の下面が樹脂モールドから露出している。更に、金属シート層は、絶縁層がヒートスプレッダの下面を覆う面積よりも小面積となるように形成されてヒートスプレッダの下面中央部に配されている。
特開２０１０−２８７８２７号公報
上記半導体モジュールは、金属シートと樹脂モールドとの線膨張係数差によって、金属シートから樹脂モールドが剥離する可能性がある。ところが、半導体モジュールは、金属シート層が絶縁層よりも小面積であるため、金属シート層から樹脂モールドが剥離し始めても絶縁層で剥離の進行をとめて、剥離がヒートスプレッダに達することを抑制できる。
しかしながら、半導体モジュールは、絶縁層で剥離の進行を抑制するため、樹脂モールドが剥離する際の応力が絶縁層に印加される。絶縁層は、樹脂モールドから応力が印加されることで亀裂が生じることもありうる。よって、半導体モジュールは、絶縁層に亀裂が生じた場合、ヒートスプレッダが亀裂から露出し、絶縁層による絶縁性を確保できなくなる可能性がある。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、剥離の進行を抑制しつつ、絶縁性を確保できる電子装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、
動作することで熱を発する発熱素子（１）と、
発熱素子が実装され、発熱素子の熱を放熱する絶縁金属部材（３，３ａ，４，４ａ，５，５ａ〜５ｄ）と、
発熱素子と絶縁金属部材とを封止している封止部材（８）と、を備えており、
絶縁金属部材は、発熱素子が実装された第１金属部（３，３ａ）と、一部が封止部材から露出している第２金属部（５，５ａ〜５ｄ）と、第１金属部と第２金属部とに挟まれて第１金属部と第２金属部とを絶縁している絶縁部（４，４ａ）とが積層されており、
第２金属部は、中央部（５１，５１ａ〜５１ｄ）と、中央部を囲う部位であり中央部よりも厚さが薄く封止部材で封止された周辺部（５２，５２ａ〜５２ｄ）とを有すると共に、一面（Ｓ１）が絶縁部と対向して密着し、一面の反対面における中央部に対応する領域が封止部材から露出した露出面（Ｓ２）をなしており、中央部の周囲に、一面の端部と露出面の端部とを最短距離で結ぶ仮想直線（Ｐ１）よりも凹んだ部位が形成されていることを特徴とする。
このように構成された本発明は、第２金属部と封止部材との線膨張係数差によって、第２金属部から封止部材脂が剥離する可能性もある。封止部材は、第２金属部から剥離する場合、自身と第２金属部との境界部から剥離し始める。つまり、境界部は、封止部材と第２金属部との間における剥離の起点となりうる。なお、境界部は、封止部材と第２金属部との界面における、露出面側の端部である。
しかしながら、本発明は、中央部を囲う部位であり中央部よりも厚さが薄く封止部材で封止された周辺部を有しており、中央部の周囲に仮想直線よりも凹んだ部位が形成されている。このため、本発明は、封止部材が境界部から剥離し始めても、凹んだ部位の一部に達したところで剥離が一旦とまりやすい。よって、本発明は、封止部材が境界部から剥離し始めたとしても、剥離が第１金属部にまで進行することを抑制できる。
更に、本発明は、剥離が凹んだ部位の一部に達したところでとまると、封止部材が剥離する際の応力が絶縁部に印加されにくい。従って、本発明は、封止部材からの応力によって絶縁部に亀裂などが生じることを抑制できる。このため、本発明は、絶縁部による絶縁性を確保できる。
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。 実施形態における電子装置の概略構成を示す基板側透視図である。 実施形態における電子装置の概略構成を示す裏面側透視図である。 実施形態における第２金属部の概略構成を示す部分断面図である。 変形例１における第２金属部の概略構成を示す部分断面図である。 変形例２における第２金属部の概略構成を示す部分断面図である。 変形例３における第２金属部の概略構成を示す部分断面図である。 変形例４における第２金属部の概略構成を示す部分断面図である。 変形例５における電子装置の概略構成を示す断面図である。 変形例５における電子装置の概略構成を示す裏面側透視図である。
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
電子装置１０は、図１に示すように、半導体素子１、回路基板７、モールド樹脂８、絶縁金属部材などを備えて構成されている。電子装置１０は、例えば電力変換装置に適用することができる。
半導体素子１は、動作することで熱を発する素子であり特許請求の範囲における発熱素子に相当し、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ、逆導通型ＩＧＢＴなどを採用できる。半導体素子１は、例えば、主にＳｉによって構成された素子や、主にＳｉＣによって構成された素子や、主にＧａＮによって構成された素子などを採用できる。半導体素子１は、一面にゲート電極とエミッタ電極が形成され、反対面にコレクタ電極が形成されている。このコレクタ電極は、ゲート電極やエミッタ電極よりも面積が広い。ここでの面積とは、半導体素子１におけるゲート電極、エミッタ電極の形成面や、コレクタ電極の形成面に沿う面の面積である。
なお、半導体素子１は、例えば、ベアチップ状態で回路基板７に実装されている。この半導体素子１は、パワー素子と言い換えることもできる。また、半導体素子１は、一面にゲート電極とエミッタ電極が形成され、反対面にコレクタ電極が形成された素子であっても採用できる。
半導体素子１は、接合材６を介して回路基板７に実装されている。詳述すると、半導体素子１は、ゲート電極とエミッタ電極の夫々が接合材６を介して、回路基板７と電気的及び機械的に接続されている。また、半導体素子１は、接合材２を介して絶縁金属部材に実装されている。半導体素子１は、コレクタ電極が接合材２を介して、絶縁金属部材の第１金属部３と電気的及び機械的に接続されている。このように、半導体素子１は、第１金属部３に対する実装面の反対面が回路基板７と対向した状態で回路基板７に実装されている。なお、接合材２，６は、はんだや銀ペーストや金属焼結体などの導電性接合材である。
回路基板７は、樹脂やセラミックスなどの絶縁基材に、Ｃｕなどの導体パターンによってランドや配線が形成されたものであり、回路基板７は、半導体素子１が実装され、半導体素子１と電気的に接続されている。また、回路基板７は、絶縁基材を介して導体パターンが積層された積層基板であっても採用できる。更に、回路基板７は、リードフレームであっても採用できる。リードフレームは、例えば、主にＣｕによって構成されたものや、主にＡｌによって構成されたものや、主にＦｅによって構成されたものなどを採用できる。上記のように、電子装置１０は、回路基板７が半導体素子１に電気的に接続されることで、必要な回路配線の大部分を回路基板７上に形成することができ、第１金属部３を放熱性を優先した形状とすることができる。
モールド樹脂８は、特許請求の範囲における封止部材に相当する。モールド樹脂８は、例えば、エポキシ樹脂などを主成分として構成されており、コンプレッション成型やトランスファー成型などによって形成することができる。モールド樹脂８は、半導体素子１と絶縁金属部材とを封止している。更に、モールド樹脂８は、回路基板７における半導体素子１が実装された実装面や、接合材２，６も覆っている。つまり、モールド樹脂８は、半導体素子１、回路基板７の実装面、接合材２，６、絶縁金属部材に密着しつつ、これらを覆っている。なお、後程説明するが、絶縁金属部材は、一部がモールド樹脂８から露出している。よって、モールド樹脂８は、絶縁金属部材の一部を覆うように形成されていると言うことができる。
絶縁金属部材は、第１金属部３、絶縁部４、第２金属部５を備えて構成されている。詳述すると、絶縁金属部材は、半導体素子１が実装された第１金属部３と、一部がモールド樹脂８から露出している第２金属部５と、第１金属部３と第２金属部５とに挟まれた絶縁部４とが積層されている。また、絶縁金属部材は、図１に示すように、半導体素子１側から第１金属部３、絶縁部４、第２金属部５の順番で積層されている。絶縁金属部材は、上記のように半導体素子１が実装されており、半導体素子１から発せられた熱を放熱する部材である。よって、絶縁金属部材は、半導体素子１用のヒートシンクとして機能するものである。
第１金属部３は、半導体素子１の熱を拡散しながら外部へ放熱するためのヒートシンクである。第１金属部３は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｆｅの夫々を主成分として構成されたものや、これらの複合材によって構成されたものを採用できる。本実施形態では、一例として、Ｃｕを主成分として構成された第１金属部３を採用する。図２に示すように、第１金属部３は、半導体素子１が対向配置されている。そして、第１金属部３は、半導体素子１のコレクタ電極が接合材２を介して電気的に接続されている。また、第１金属部３は、半導体素子１が実装された面の反対面に絶縁部４が密着している。
第１金属部３は、図１，図２に示すように、直方体形状のブロック体であり、平板形状を有していると言うこともできる。よって、第１金属部３は、絶縁部４との対向面が矩形形状をなしている。しかしながら、本発明はこれに限定されない。第１金属部３は、例えば、円柱形状を有したものであっても採用できる。なお、第１金属部３は、図示を省略するが、電子装置１０と外部機器とを電気的に接続するための外部接続用端子が設けられていてもよい。
絶縁部４は、第１金属部３と第２金属部５とを電気的に絶縁しつつ、第１金属部３の熱を第２金属部５に伝達するための部材である。つまり、絶縁部４は、半導体素子１のコレクタ電極が電気的に接続された第１金属部３と、一部がモールド樹脂８から露出している第２金属部５とを絶縁しつつ、半導体素子１から第１金属部３に伝達された熱を第２金属部５に伝達するための部材である。このため、絶縁部４は、高い熱伝導性と絶縁性を有する高放熱絶縁樹脂層とすることが好ましい。絶縁部４は、例えば、エポキシ系の樹脂とセラミックフィラーの複合材などを採用できる。絶縁部４は、例えば、第１金属部３との対向面、及び第２金属部５との対向面が矩形形状をなしている。しかしながら、本発明はこれに限定されない。絶縁部４は、例えば、円形などであっても採用できる。また、絶縁部４は、第１金属部３と第２金属部５の夫々に密着するものであるため、第１金属部３における絶縁部４との対向面の形状や、第２金属部５における絶縁部４との対向面の形状と同様の形状であると好ましい。
なお、本実施形態では、絶縁部４における第１金属部３と対向する面の面積が、第１金属部３における半導体素子１が実装されている面の反対面の面積と同じである例を採用している。更に、本実施形態では、絶縁部４における一面Ｓ１と対向する面の面積が、一面Ｓ１の面積と同じである例を採用している。
また、絶縁部４は、第１金属部３における半導体素子１が実装されている面の反対面の全域、及び、後程説明する第２金属部５の一面Ｓ１の全域に密着して設けられていると好ましい。これによって、絶縁部４は、第１金属部３から第２金属部５へ効率的に熱伝達できる。
第２金属部５は、半導体素子１の熱を拡散しながら外部へ放熱するためのヒートシンクである。第２金属部５は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｆｅの夫々を主成分として構成されたものや、これらの複合材によって構成されたものを採用できる。本実施形態では、一例として、Ｃｕを主成分として構成された第２金属部５を採用する。
第２金属部５は、図１，図２に示すように、中央部５１と、中央部５１を囲う部位であり中央部５１よりも厚さが薄い周辺部５２とを有している。第２金属部５の厚みとは、第１金属部３、絶縁部４、第２金属部５の積層方向における厚みである。以下においては、第１金属部３、絶縁部４、第２金属部５の積層方向を単に積層方向とも記載する。
第２金属部５は、自身の一面Ｓ１が絶縁部４と対向して絶縁部４と密着しており、一面Ｓ１の反対面における一部がモールド樹脂８から露出している。また、第２金属部は、絶縁部４における一面Ｓ１との対向面の全域に、一面Ｓ１が密着している。つまり、絶縁部４は、一面Ｓ１との対向面の全域が第２金属部５で覆われている。このため、電子装置１０は、絶縁部４の一部のみに、一面Ｓ１が密着している場合より、絶縁部４と第２金属部５との密着性を向上でき、熱伝達を良好にすることができる。しかしながら、本発明はこれに限定されない。一面Ｓ１は、絶縁部４の少なくとも一部に密着していればよい。なお、本実施形態では、一面Ｓ１の面積が絶縁部４における一面Ｓ１との対向面の面積と同じである例を採用している。また、本実施形態では、第１金属部３と絶縁部４における互いの対向面の面積も同じである例を採用している。
また、中央部５１における絶縁部４と対向する面、及び周辺部５２における絶縁部４と対向する面は、一面Ｓ１に相当し、面一に形成されている。この一面Ｓ１は、矩形形状をなしている。つまり、図３の周辺部５２を示す点線は、一面Ｓ１を指しているものとみなせる。しかしながら、本発明はこれに限定されない。一面Ｓ１は、例えば、円形を有したものであっても採用できる。
また、第２金属部５は、例えば、図３に示すように、一面Ｓ１の各辺と、後程説明する露出面Ｓ２の各辺とが平行な位置関係となるように、中央部５１と周辺部５２とが設けられている。なお、以下においては、第２金属部５における一面Ｓ１の反対面を、単に第２金属部５の反対面とも記載する。
中央部５１は、直方体形状の部位であり、図１，図３に示すように、自身の反対面がモールド樹脂８から露出した露出面Ｓ２をなしている。つまり、露出面Ｓ２は、第２金属部５の反対面における中央部５１に対応する領域である。露出面Ｓ２は、図３に示すように、矩形形状をなしている。しかしながら、本発明はこれに限定されない。中央部５１は、例えば、円柱形状の部位であっても採用できる。また、露出面Ｓ２は、例えば、円形を有したものであっても採用できる。つまり、露出面Ｓ２は、中央部５１の形状に対応した形状をなすものである。
また、露出面Ｓ２は、図１，図４に示すように、自身の周囲におけるモールド樹脂８の表面と面一に形成されている。よって、電子装置１０は、モールド樹脂８の一部が露出面Ｓ２と面一に形成されていると言うことができる。
周辺部５２は、図１，図３などに示すように、モールド樹脂８に覆われている。つまり、第２金属部５の反対面における周辺部５２に対応する領域は、モールド樹脂８で覆われている。周辺部５２は、中央部５１の側壁の全周から突出した部位であり、鍔部やフランジ部と言い換えることもできる。また、周辺部５２は、中央部５１の全周に亘って囲っているため環状部と言い換えることもできる。更に、第２金属部５は、露出面Ｓ２の周囲に、露出面Ｓ２よりも凹んだ周辺部５２が設けられていると言うこともできる。
露出面Ｓ２は、第２金属部５の反対面における中央部５１に対応する領域である。一方、一面Ｓ１は、中央部５１における絶縁部４と対向する面と、周辺部５２における絶縁部４と対向する面とからなる領域である。このため、一面Ｓ１の面積は、露出面Ｓ２の面積よりも広い。
また、第２金属部５は、図４に示すように、中央部５１の周囲に、一面Ｓ１の端部と露出面Ｓ２の端部とを最短距離で結ぶ仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位が形成されている。電子装置１０は、中央部５１と周辺部５２との角部５３が、仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位に含まれる。つまり、電子装置１０は、仮想直線Ｐ１に沿って、積層方向に切断した断面において、仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位が形成されている。
このように構成された電子装置１０は、第２金属部５とモールド樹脂８との線膨張係数差によって、第２金属部５からモールド樹脂８が剥離する可能性もある。モールド樹脂８は、第２金属部５から剥離する場合、自身と第２金属部５との境界部ｂ１から剥離し始める。つまり、境界部ｂ１は、モールド樹脂８と第２金属部５との間における剥離の起点となりうる。
しかしながら、本発明は、中央部５１を囲う部位であり中央部５１よりも厚さが薄くモールド樹脂８で封止された周辺部５２を有しており、中央部５１の周囲に仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位が形成されている。このため、電子装置１０は、モールド樹脂８が境界部ｂ１から剥離し始めても、仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位の一部に達したところで剥離が一旦とまりやすい。本実施形態では、仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位の一部として角部５３が形成されている。よって、モールド樹脂８の剥離は、角部５３で一旦とまりやすい。このように、電子装置１０は、モールド樹脂８が境界部ｂ１から剥離し始めたとしても、剥離が進行することを抑制できる。つまり、電子装置１０は、モールド樹脂８の剥離が第１金属部３や絶縁部４に達することを抑制できる。
更に、電子装置１０は、剥離が角部５３で一旦とまると、モールド樹脂８が剥離する際の応力が絶縁部４に印加されにくい。つまり、モールド樹脂８の収縮による応力は、第２金属部５に印加されるものの、絶縁部４には印加されにくい。従って、電子装置１０は、モールド樹脂８からの応力によって絶縁部４に亀裂が生じることを抑制できる。このため、電子装置１０は、絶縁部４による絶縁性を確保できる。また、電子装置１０は、亀裂が生じることを抑制できるため、モールド樹脂８が剥離した領域に、半導体素子１と電気的に接続された第１金属部３が露出することを防止できる。言い換えると、電子装置１０は、絶縁信頼性の高い絶縁金属部材を備えている。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１〜４に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１〜４は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
（変形例１）
図５を用いて、変形例１の電子装置に関して説明する。ここでは、主に、上記実施形態と異なる点を説明する。そして、上記実施形態と同様な点に関しては、上記実施形態と同じ符号を付与するなどして説明を省略する。変形例１の電子装置は、絶縁金属部材における第２金属部５ａの構成が上記実施形態と異なる。なお、第２金属部５ａの中央部５１ａは、中央部５１と同様であるが符号を変えている。
図５に示すように、周辺部５２ａは、周辺部５２と同様に、モールド樹脂８で封止されている。また、第２金属部５ａは、第２金属部５と同様に、一面Ｓ１の面積が露出面Ｓ２の面積よりも広い。なお、第２金属部５ａは、第２金属部５と同様の材料を用いることができる。
第２金属部５ａは、周辺部５２ａの形状が第２金属部５と異なる。言い換えると、第２金属部５ａは、側壁の形状が第２金属部５と異なる。周辺部５２ａは、露出面Ｓ２に対して二段階に傾斜した形状をなしている。そして、周辺部５２ａは、露出面Ｓ２側の傾斜が絶縁部４側の傾斜より、露出面Ｓ２とのなす角が小さい。言い換えると、周辺部５２ａは、露出面Ｓ２側から第１傾斜部と第２傾斜部が形成されている。第１傾斜部と露出面Ｓ２とのなす角は、第２傾斜部と露出面Ｓ２とのなす角よりも小さい。これによって、第２金属部５ａは、第２金属部５と同様に、中央部５１ａの周囲に仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位が形成されている。第２金属部５ａは、例えば、第１傾斜部と第２傾斜部との中間部５３ａが、仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位に含まれる。
変形例１の電子装置は、モールド樹脂８が境界部ｂ１から剥離し始めても、中間部５３ａに達したところで剥離が一旦とまりやすい。このため、変形例１の電子装置は、電子装置１０と同様の効果を奏することができる。
また、第２金属部５ａは、エッチングで形成することができる。第２金属部５ａは、エッチングで形成する際に、周辺部５２ａが傾斜しているため、第２金属部５よりも形成しやすい。
（変形例２）
図６を用いて、変形例２の電子装置に関して説明する。ここでは、主に、上記実施形態と異なる点を説明する。そして、上記実施形態と同様な点に関しては、上記実施形態と同じ符号を付与するなどして説明を省略する。変形例２の電子装置は、絶縁金属部材における第２金属部５ｂの構成が上記実施形態と異なる。なお、第２金属部５ｂの中央部５１ｂは、中央部５１と同様であるが符号を変えている。
図６に示すように、周辺部５２ｂは、周辺部５２と同様に、モールド樹脂８で封止されている。また、第２金属部５ｂは、第２金属部５と同様に、一面Ｓ１の面積が露出面Ｓ２の面積よりも広い。なお、第２金属部５ｂは、第２金属部５と同様の材料を用いることができる。
第２金属部５ｂは、周辺部５２ｂの形状が第２金属部５と異なる。言い換えると、第２金属部５ｂは、側壁の形状が第２金属部５と異なる。周辺部５２ｂは、露出面Ｓ２の端部から一面Ｓ１の端部に亘って曲面形状をなしている。また、第２金属部５ｂは、露出面Ｓ２に平行な断面の面積が、露出面Ｓ２から一面Ｓ１に行くにつれて徐々に広くなっている。これによって、第２金属部５ｂは、第２金属部５と同様に、中央部５１ｂの周囲に仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位が形成されている。第２金属部５ｂは、例えば、周辺部５２ｂの中間地点５３ｂなどが、仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位に含まれる。
変形例２の電子装置は、モールド樹脂８が境界部ｂ１から剥離し始めても、周辺部５２ｂの中間地点５３ｂに達したところで剥離が一旦とまりやすい。このため、変形例２の電子装置は、電子装置１０と同様の効果を奏することができる。
また、第２金属部５ｂは、エッチングで形成することができる。第２金属部５ｂは、エッチングで形成する際に、周辺部５２ｂが曲面形状をなしているため、第２金属部５よりも形成しやすい。
（変形例３）
図７を用いて、変形例３の電子装置に関して説明する。ここでは、主に、上記実施形態と異なる点を説明する。そして、上記実施形態と同様な点に関しては、上記実施形態と同じ符号を付与するなどして説明を省略する。変形例３の電子装置は、絶縁金属部材における第２金属部５ｃの構成が上記実施形態と異なる。なお、第２金属部５ｃの中央部５１ｃは、中央部５１と同様であるが符号を変えている。
図７に示すように、周辺部５２ｃは、周辺部５２と同様に、モールド樹脂８で封止されている。また、第２金属部５ｃは、第２金属部５と同様に、一面Ｓ１の面積が露出面Ｓ２の面積よりも広い。なお、第２金属部５ｃは、第２金属部５と同様の材料を用いることができる。
第２金属部５ｃは、周辺部５２ｃの形状が第２金属部５と異なる。言い換えると、第２金属部５ｃは、側壁の形状が第２金属部５と異なる。周辺部５２ｃは、露出面Ｓ２に対して傾斜しており、且つ傾斜の途中に凹部５３ｃが形成されている。また、周辺部５２ｃと露出面Ｓ２とのなす角は、９０度より大きい。このように、第２金属部５ｃは、第２金属部５と同様に、中央部５１ｃの周囲に仮想直線Ｐ１よりも凹んだ部位である凹部５３ｃが形成されている。
変形例３の電子装置は、モールド樹脂８が境界部ｂ１から剥離し始めても、周辺部５２ｂの凹部５３ｃに達したところで剥離が一旦とまりやすい。このため、変形例３の電子装置は、電子装置１０と同様の効果を奏することができる。更に、電子装置１０は、周辺部５２ｂに凹部が形成されているため、モールド樹脂８の剥離をより一層抑制することができる。
（変形例４）
図８を用いて、変形例４の電子装置に関して説明する。ここでは、主に、上記実施形態と異なる点を説明する。そして、上記実施形態と同様な点に関しては、上記実施形態と同じ符号を付与するなどして説明を省略する。変形例４の電子装置は、絶縁金属部材における第２金属部５ｄの構成が上記実施形態と異なる。なお、第２金属部５ｄの中央部５１ｄは、中央部５１と同様であるが符号を変えている。
図８に示すように、周辺部５２ｄは、周辺部５２と同様に、モールド樹脂８で封止されている。また、第２金属部５ｄは、第２金属部５と同様に、一面Ｓ１の面積が露出面Ｓ２の面積よりも広い。なお、第２金属部５ｄは、第２金属部５と同様の材料を用いることができる。
周辺部５２ｄは、粗面形状を有している。言い換えると、周辺部５２ｄは、表面が凸凹形状をなしている。変形例４の電子装置は、電子装置１０と同様の効果を奏することができる。更に、変形例４の電子装置は、周辺部５２ｄが粗面形状をなしているため、周辺部５２よりもモールド樹脂８との接触面積が広く剥離をより一層抑制することができる。
（変形例５）
図９，図１０を用いて、変形例５の電子装置１０ａに関して説明する。ここでは、主に、上記実施形態と異なる点を説明する。そして、上記実施形態と同様な点に関しては、上記実施形態と同じ符号を付与するなどして説明を省略する。電子装置１０ａは、絶縁金属部材における第１金属部３ａと絶縁部４ａの構成が上記実施形態と異なる。
電子装置１０ａは、図９，図１０に示すように、絶縁部４ａにおける一面Ｓ１と対向する面の面積が、一面Ｓ１の面積よりも広い。また、電子装置１０ａは、絶縁部４ａにおける第１金属部３ａと対向する面の面積が、第１金属部３ａにおける半導体素子１が実装されている面の反対面の面積と同じである。なお、第１金属部３ａは、第１金属部３と同様の材料を用いることができる。絶縁部４ａは、絶縁部４と同様の材料を用いることができる。この電子装置１０ａは、電子装置１０と同様の効果を奏することができる。
１ 半導体素子、２ 接合材、３，３ａ 第１金属部、４，４ａ 絶縁部、５，５ａ〜５ｄ 第２金属部、５１，５１ａ〜５１ｄ 中央部、５２，５２ａ〜５２ｄ 周辺部、６ 接合材、７ 回路基板、８ モールド樹脂、１０，１０ａ 電子装置、Ｓ１ 一面、Ｓ２ 露出面、Ｐ１ 仮想平面、ｂ１ 境界部

Claims (4)

  1. 動作することで熱を発する発熱素子（１）と、
    前記発熱素子が実装され、前記発熱素子の熱を放熱する絶縁金属部材（３，３ａ，４，４ａ，５，５ａ〜５ｄ）と、
    前記発熱素子と前記絶縁金属部材とを封止している封止部材（８）と、を備えており、
    前記絶縁金属部材は、前記発熱素子が実装された第１金属部（３，３ａ）と、一部が前記封止部材から露出している第２金属部（５，５ａ〜５ｄ）と、前記第１金属部と前記第２金属部とに挟まれて前記第１金属部と前記第２金属部とを絶縁している絶縁部（４，４ａ）とが積層されており、
    前記第２金属部は、中央部（５１，５１ａ〜５１ｄ）と、前記中央部を囲う部位であり前記中央部よりも厚さが薄く前記封止部材で封止された周辺部（５２，５２ａ〜５２ｄ）とを有すると共に、一面（Ｓ１）が前記絶縁部と対向して密着し、前記一面の反対面における前記中央部に対応する領域が前記封止部材から露出した露出面（Ｓ２）をなしており、前記中央部の周囲に、前記一面の端部と前記露出面の端部とを最短距離で結ぶ仮想直線（Ｐ１）よりも凹んだ部位が形成されていることを特徴とする電子装置。
  2. 前記周辺部（５２ｄ）は、粗面形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記発熱素子が実装され、前記発熱素子と電気的に接続された回路基板（７）を有しており、
    前記発熱素子は、前記第１金属部に対する実装面の反対面が前記回路基板と対向した状態で前記回路基板に実装され、
    前記封止部材は、前記回路基板における前記発熱素子が実装された実装面を封止していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
  4. 前記第２金属部は、前記絶縁部における前記一面との対向面の全域に、前記一面が密着していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
JP2015040403A 2015-03-02 2015-03-02 電子装置 Pending JP2016162888A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015040403A JP2016162888A (ja) 2015-03-02 2015-03-02 電子装置
CN201680003923.XA CN107004646A (zh) 2015-03-02 2016-02-08 电子装置
US15/502,645 US20170229371A1 (en) 2015-03-02 2016-02-08 Electronic device
PCT/JP2016/000632 WO2016139890A1 (ja) 2015-03-02 2016-02-08 電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015040403A JP2016162888A (ja) 2015-03-02 2015-03-02 電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016162888A true JP2016162888A (ja) 2016-09-05

Family

ID=56845495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015040403A Pending JP2016162888A (ja) 2015-03-02 2015-03-02 電子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170229371A1 (ja)
JP (1) JP2016162888A (ja)
CN (1) CN107004646A (ja)
WO (1) WO2016139890A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10483186B2 (en) 2017-11-08 2019-11-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device with heat radiator

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7244394B2 (ja) * 2019-09-18 2023-03-22 株式会社東芝 デジタルアイソレータ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120374A (ja) * 1992-03-31 1994-04-28 Amkor Electron Inc 半導体パッケージ構造、半導体パッケージ方法及び半導体パッケージ用放熱板
JPH05299528A (ja) * 1992-04-16 1993-11-12 Mitsubishi Electric Corp 集積回路装置
JP3740116B2 (ja) * 2002-11-11 2006-02-01 三菱電機株式会社 モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法
KR20050016087A (ko) * 2003-08-06 2005-02-21 로무 가부시키가이샤 반도체장치
JP2005057126A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Rohm Co Ltd 半導体装置
KR101193416B1 (ko) * 2008-05-09 2012-10-24 고쿠리츠 다이가쿠 호진 큐슈 코교 다이가쿠 3차원 실장 반도체 장치 및 그의 제조 방법
WO2013124988A1 (ja) * 2012-02-22 2013-08-29 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5558595B2 (ja) * 2012-03-14 2014-07-23 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5930980B2 (ja) * 2013-02-06 2016-06-08 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2015037072A1 (ja) * 2013-09-11 2015-03-19 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10483186B2 (en) 2017-11-08 2019-11-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device with heat radiator

Also Published As

Publication number Publication date
US20170229371A1 (en) 2017-08-10
CN107004646A (zh) 2017-08-01
WO2016139890A1 (ja) 2016-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6421050B2 (ja) 半導体装置
TW201830590A (zh) 功率覆蓋結構及其製造方法
WO2012165045A1 (ja) 半導体装置及び配線基板
TW201448137A (zh) 功率覆蓋結構及其製造方法
CN109637983B (zh) 芯片封装
JP2015185622A (ja) 電子素子実装用基板及び電子装置
JP7247574B2 (ja) 半導体装置
WO2020121680A1 (ja) 半導体装置
WO2018159453A1 (ja) モジュール
JP2015005681A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4967701B2 (ja) 電力半導体装置
JP2011091259A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
JP6048238B2 (ja) 電子装置
WO2016139890A1 (ja) 電子装置
JP2014157949A (ja) 配線基板および電子装置
JP7117960B2 (ja) パワーモジュール用基板およびパワーモジュール
TWI660471B (zh) 晶片封裝
JP2017212362A (ja) 回路基板集合体、電子装置集合体、回路基板集合体の製造方法および電子装置の製造方法
JP2001267475A (ja) 半導体装置の実装構造およびその実装方法
JP5601282B2 (ja) 半導体装置
JP2019153611A (ja) モジュール
JP4949159B2 (ja) 回路基板及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置
JP6299578B2 (ja) 半導体装置
JP2017135144A (ja) 半導体モジュール
KR20130004395U (ko) 반도체 패키지