JP2016145412A5 - - Google Patents
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Description
特定の記載された実施形態のいずれかにおける特徴が、互いに適合しないと明確に特定されていない限り、また、周りの文脈から、特徴が相互に排他的であり、相補および/またはサポートの点で容易に組み合わせ不可能であると示唆されない限りは、本開示全体が、相補的な実施形態の具体的な特徴を選択的に組み合わせて1または複数の包括的であるがやや異なる技術的解決法を提供できることを予期および想定することが理解される。したがって、上記の説明は、単に例示のためのものであり、本開示の範囲内で細部の変形が可能であることが理解される。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
<適用例1>
蒸着処理中に基板への前駆体のドーズ量を制御する方法であって、
(a)ALD蒸着サイクルのドーズ段階の第1の期間中に、第1の搬送ガスと前記前駆体とを含む第1の処理ガスを前記基板に流す工程と、
(b)前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第2の期間中に、第2の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第2の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第2の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第2の処理ガスは第2の搬送ガスを含み、前記第2の処理ガスは前記第2の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記基板への供給前に前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(b)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(c)工程(a)および(b)における流れを停止する工程と、
(d)工程(c)後に、工程(a)および(b)での前記ALD蒸着サイクルとは異なるALD蒸着サイクル中に、前記基板に対して工程(a)および(b)を繰り返す工程と、
を備える、方法。
<適用例2>
適用例1に記載の方法であって、
前記第1の処理ガスの少なくとも一部が、前記基板上に吸着され、
前記方法は、さらに、工程(c)の後、かつ、工程(d)の前に、前記吸着した前駆体を反応させて、前記基板上に薄膜層を形成する工程を備える、方法。
<適用例3>
適用例2に記載の方法であって、
前記吸着した前駆体を反応させる工程は、前記基板が、吸着した前駆体で完全には飽和していない時に実行される、方法。
<適用例4>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の処理ガスは、前記前駆体を含まない、方法。
<適用例5>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第1の期間は、前記第2の期間が終わった後に終わる、方法。
<適用例6>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の期間は、前記第1の期間が終わった後に終わる、方法。
<適用例7>
適用例6に記載の方法であって、
前記第1の期間が終わった後に続く前記第2の期間の一部に供給される前記処理ガスは、少なくとも一部の未吸着の前駆体を前記基板の周りの空間から除去する、方法。
<適用例8>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第1の処理ガスは、第1の流路を通して供給され、
前記第2の処理ガスは、第2の流路を通して供給され、
前記第2の流路は、前記第1の流路に流体接続され、
前記第2の処理ガスは、前記第1の流路の少なくとも一部で前記第1の処理ガスと混合する、方法。
<適用例9>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
工程(a)から工程(c)は、約5秒以下の期間で実行される、方法。
<適用例10>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、約450mm以下の直径を有する、方法。
<適用例11>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
(e)工程(a)の後に、前記ALD蒸着の前記ドーズ段階の第3の期間中に、第3の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第3の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第3の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第3の処理ガスは第3の搬送ガスを含み、前記第3の処理ガスは前記第3の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記基板への供給前に少なくとも前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(e)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程
を備える、方法。
<適用例12>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の搬送ガスは、前記第1の搬送ガス、および、前記第1の搬送ガスとは異なる搬送ガス、からなる群より選択される、方法。
<適用例13>
装置であって、
基板を受けるように構成された基板ホルダと、
シャワーヘッド流入口を備えると共に、前記基板ホルダによって受けられた前記基板に処理ガスを供給するように構成されたシャワーヘッドと、
1または複数の第1のバルブを備えると共に、前記シャワーヘッド流入口に流体接続された第1の流路と、
1または複数の第2のバルブを備えると共に、前記第1の流路に流体接続された第2の流路と、
1または複数のコントローラであって、
(a)前記1または複数の第1のバルブをフローオン位置に切り替えて、ALD蒸着サイクルのドーズ段階の第1の期間中に、第1の搬送ガスと前駆体とを含む第1の処理ガスを前記基板に流す工程と、
(b)前記1または複数の第2のバルブをフローオン位置に切り替えて、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第2の期間中に、第2の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第2の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第2の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第2の処理ガスは前記搬送ガスを含み、前記第2の処理ガスは前記第2の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(b)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(c)工程(a)の後に、前記1または複数の第1のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第1の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
(d)工程(b)の後に、前記1または複数の第2のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第2の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
(e)工程(c)および(d)の後に、工程(a)および(b)での前記ALD蒸着サイクルとは異なるALD蒸着サイクル中に、前記基板に対して工程(a)および(b)を繰り返す工程と、
を実行するように構成された、コントローラと、
を備える、装置。
<適用例14>
適用例13に記載の装置であって、
前記第1の処理ガスの少なくとも一部が、前記基板上に吸着され、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(f)工程(c)および(d)の後、かつ、工程(e)の前に、前記吸着した前駆体を反応させて、前記基板上に薄膜層を形成する工程を実行するように構成されている、装置。
<適用例15>
適用例14に記載の装置であって、
工程(f)が始まる時、前記基板は、吸着した前駆体で完全には飽和していない、装置。
<適用例16>
適用例13に記載の装置であって、
前記1または複数のコントローラは、さらに、前記1または複数の第1のバルブが開き、前記1または複数の第2のバルブが閉じられた時に、前記第2の流路を前記第2の処理ガスで満たすように構成されている、装置。
<適用例17>
適用例16に記載の装置であって、さらに、
前記第2の流路に流体接続された迂回路を備え、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(f)前記1または複数の第2のバルブが前記フローオフ位置にある時に、前記第2の流路からの前記第2の処理ガスを前記迂回路を通して流す工程を実行するように構成されている、装置。
<適用例18>
適用例17に記載の装置であって、さらに、
前記迂回路内に1または複数の迂回バルブを備え、
工程(f)は、前記1または複数の第2のバルブがフローオフ位置に切り替えられた時に、前記1または複数の迂回バルブをフローオン位置に切り替える工程を含む、装置。
<適用例19>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の流路は、前記第1の流路で終端しており、
前記第2の処理ガスは、前記第2の流路が前記第1の流路で終端する位置の下流の前記第1の流路の少なくとも一部で前記第1の処理ガスと混合する、装置。
<適用例20>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第1の期間は、前記第2の期間が終わった後に終わる、装置。
<適用例21>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の期間は、前記第1の期間が終わった後に終わる、装置。
<適用例22>
適用例21に記載の装置であって、
前記第1の期間が終わった後に続く前記第2の期間の一部に供給される前記処理ガスは、少なくとも一部の未吸着の前駆体を前記基板の周りの空間から除去するために用いられる、装置。
<適用例23>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記1または複数のコントローラは、約5秒以下の期間中に工程(a)から(d)を実行するように構成されている、装置。
<適用例24>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記基板は、約450mm以下の直径を有する、装置。
<適用例25>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
1または複数の第3のバルブを有し、前記第1の流路に流体接続された第3の流路を備え、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(f)前記1または複数の第3のバルブをフローオン位置に切り替えて、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第3の期間中に、第3の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第3の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第3の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第3の処理ガスは第3の搬送ガスを含み、前記第3の処理ガスは前記第3の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に少なくとも前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(f)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(g)工程(f)の後に、前記1または複数の第3のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第3の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
を実行するように構成されている、装置。
<適用例26>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の搬送ガスは、前記第1の搬送ガス、および、前記第1の搬送ガスとは異なる搬送ガス、からなる群より選択される、装置。
<適用例27>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記第1の流路に流体接続されると共に、前記第1の処理ガスの前記前駆体を供給するように構成された前駆体源と、
少なくとも前記第1の流路に流体接続されると共に、少なくとも前記第1の処理ガスの前記第1の搬送ガスを供給するように構成された搬送ガス源と、
を備える、装置。
<適用例28>
適用例27に記載の装置であって、
前記搬送ガス源は、さらに、前記第2の流路に流体接続されており、前記第2の処理ガスの前記第2の搬送ガスを供給するように構成されている、装置。
<適用例29>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
少なくとも工程(b)における前記第2の処理ガスの流量は、マスフローコントローラによって制御されない、装置。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
<適用例1>
蒸着処理中に基板への前駆体のドーズ量を制御する方法であって、
(a)ALD蒸着サイクルのドーズ段階の第1の期間中に、第1の搬送ガスと前記前駆体とを含む第1の処理ガスを前記基板に流す工程と、
(b)前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第2の期間中に、第2の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第2の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第2の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第2の処理ガスは第2の搬送ガスを含み、前記第2の処理ガスは前記第2の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記基板への供給前に前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(b)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(c)工程(a)および(b)における流れを停止する工程と、
(d)工程(c)後に、工程(a)および(b)での前記ALD蒸着サイクルとは異なるALD蒸着サイクル中に、前記基板に対して工程(a)および(b)を繰り返す工程と、
を備える、方法。
<適用例2>
適用例1に記載の方法であって、
前記第1の処理ガスの少なくとも一部が、前記基板上に吸着され、
前記方法は、さらに、工程(c)の後、かつ、工程(d)の前に、前記吸着した前駆体を反応させて、前記基板上に薄膜層を形成する工程を備える、方法。
<適用例3>
適用例2に記載の方法であって、
前記吸着した前駆体を反応させる工程は、前記基板が、吸着した前駆体で完全には飽和していない時に実行される、方法。
<適用例4>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の処理ガスは、前記前駆体を含まない、方法。
<適用例5>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第1の期間は、前記第2の期間が終わった後に終わる、方法。
<適用例6>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の期間は、前記第1の期間が終わった後に終わる、方法。
<適用例7>
適用例6に記載の方法であって、
前記第1の期間が終わった後に続く前記第2の期間の一部に供給される前記処理ガスは、少なくとも一部の未吸着の前駆体を前記基板の周りの空間から除去する、方法。
<適用例8>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第1の処理ガスは、第1の流路を通して供給され、
前記第2の処理ガスは、第2の流路を通して供給され、
前記第2の流路は、前記第1の流路に流体接続され、
前記第2の処理ガスは、前記第1の流路の少なくとも一部で前記第1の処理ガスと混合する、方法。
<適用例9>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
工程(a)から工程(c)は、約5秒以下の期間で実行される、方法。
<適用例10>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、約450mm以下の直径を有する、方法。
<適用例11>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
(e)工程(a)の後に、前記ALD蒸着の前記ドーズ段階の第3の期間中に、第3の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第3の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第3の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第3の処理ガスは第3の搬送ガスを含み、前記第3の処理ガスは前記第3の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記基板への供給前に少なくとも前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(e)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程
を備える、方法。
<適用例12>
適用例1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の搬送ガスは、前記第1の搬送ガス、および、前記第1の搬送ガスとは異なる搬送ガス、からなる群より選択される、方法。
<適用例13>
装置であって、
基板を受けるように構成された基板ホルダと、
シャワーヘッド流入口を備えると共に、前記基板ホルダによって受けられた前記基板に処理ガスを供給するように構成されたシャワーヘッドと、
1または複数の第1のバルブを備えると共に、前記シャワーヘッド流入口に流体接続された第1の流路と、
1または複数の第2のバルブを備えると共に、前記第1の流路に流体接続された第2の流路と、
1または複数のコントローラであって、
(a)前記1または複数の第1のバルブをフローオン位置に切り替えて、ALD蒸着サイクルのドーズ段階の第1の期間中に、第1の搬送ガスと前駆体とを含む第1の処理ガスを前記基板に流す工程と、
(b)前記1または複数の第2のバルブをフローオン位置に切り替えて、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第2の期間中に、第2の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第2の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第2の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第2の処理ガスは前記搬送ガスを含み、前記第2の処理ガスは前記第2の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(b)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(c)工程(a)の後に、前記1または複数の第1のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第1の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
(d)工程(b)の後に、前記1または複数の第2のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第2の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
(e)工程(c)および(d)の後に、工程(a)および(b)での前記ALD蒸着サイクルとは異なるALD蒸着サイクル中に、前記基板に対して工程(a)および(b)を繰り返す工程と、
を実行するように構成された、コントローラと、
を備える、装置。
<適用例14>
適用例13に記載の装置であって、
前記第1の処理ガスの少なくとも一部が、前記基板上に吸着され、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(f)工程(c)および(d)の後、かつ、工程(e)の前に、前記吸着した前駆体を反応させて、前記基板上に薄膜層を形成する工程を実行するように構成されている、装置。
<適用例15>
適用例14に記載の装置であって、
工程(f)が始まる時、前記基板は、吸着した前駆体で完全には飽和していない、装置。
<適用例16>
適用例13に記載の装置であって、
前記1または複数のコントローラは、さらに、前記1または複数の第1のバルブが開き、前記1または複数の第2のバルブが閉じられた時に、前記第2の流路を前記第2の処理ガスで満たすように構成されている、装置。
<適用例17>
適用例16に記載の装置であって、さらに、
前記第2の流路に流体接続された迂回路を備え、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(f)前記1または複数の第2のバルブが前記フローオフ位置にある時に、前記第2の流路からの前記第2の処理ガスを前記迂回路を通して流す工程を実行するように構成されている、装置。
<適用例18>
適用例17に記載の装置であって、さらに、
前記迂回路内に1または複数の迂回バルブを備え、
工程(f)は、前記1または複数の第2のバルブがフローオフ位置に切り替えられた時に、前記1または複数の迂回バルブをフローオン位置に切り替える工程を含む、装置。
<適用例19>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の流路は、前記第1の流路で終端しており、
前記第2の処理ガスは、前記第2の流路が前記第1の流路で終端する位置の下流の前記第1の流路の少なくとも一部で前記第1の処理ガスと混合する、装置。
<適用例20>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第1の期間は、前記第2の期間が終わった後に終わる、装置。
<適用例21>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の期間は、前記第1の期間が終わった後に終わる、装置。
<適用例22>
適用例21に記載の装置であって、
前記第1の期間が終わった後に続く前記第2の期間の一部に供給される前記処理ガスは、少なくとも一部の未吸着の前駆体を前記基板の周りの空間から除去するために用いられる、装置。
<適用例23>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記1または複数のコントローラは、約5秒以下の期間中に工程(a)から(d)を実行するように構成されている、装置。
<適用例24>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記基板は、約450mm以下の直径を有する、装置。
<適用例25>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
1または複数の第3のバルブを有し、前記第1の流路に流体接続された第3の流路を備え、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(f)前記1または複数の第3のバルブをフローオン位置に切り替えて、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第3の期間中に、第3の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第3の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第3の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第3の処理ガスは第3の搬送ガスを含み、前記第3の処理ガスは前記第3の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に少なくとも前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(f)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(g)工程(f)の後に、前記1または複数の第3のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第3の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
を実行するように構成されている、装置。
<適用例26>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の搬送ガスは、前記第1の搬送ガス、および、前記第1の搬送ガスとは異なる搬送ガス、からなる群より選択される、装置。
<適用例27>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記第1の流路に流体接続されると共に、前記第1の処理ガスの前記前駆体を供給するように構成された前駆体源と、
少なくとも前記第1の流路に流体接続されると共に、少なくとも前記第1の処理ガスの前記第1の搬送ガスを供給するように構成された搬送ガス源と、
を備える、装置。
<適用例28>
適用例27に記載の装置であって、
前記搬送ガス源は、さらに、前記第2の流路に流体接続されており、前記第2の処理ガスの前記第2の搬送ガスを供給するように構成されている、装置。
<適用例29>
適用例13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
少なくとも工程(b)における前記第2の処理ガスの流量は、マスフローコントローラによって制御されない、装置。
Claims (29)
- 蒸着処理中に基板への前駆体のドーズ量を制御する方法であって、
(a)ALD蒸着サイクルのドーズ段階の第1の期間中に、第1の搬送ガスと前記前駆体とを含む第1の処理ガスを前記基板に流す工程と、
(b)前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第2の期間中に、第2の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第2の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第2の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第2の処理ガスは第2の搬送ガスを含み、前記第2の処理ガスは前記第2の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記基板への供給前に前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(b)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(c)工程(a)および(b)における流れを停止する工程であって、前記第1の処理ガスの少なくとも一部が前記基板上に吸着される、工程と、
(d)工程(c)の後に、前記吸着した前駆体を反応させて、前記基板上に薄膜層を形成する工程と、
(e)工程(d)の後に、工程(a)および(b)での前記ALD蒸着サイクルとは異なるALD蒸着サイクル中に、前記基板に対して工程(a)および(b)を繰り返す工程と、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第2の処理ガスは、キャリアガスのみである、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記吸着した前駆体を反応させる工程は、前記基板が、吸着した前駆体で完全には飽和していない時に実行される、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の処理ガスは、前記前駆体を含まない、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第1の期間は、前記第2の期間が終わった後に終わる、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の期間は、前記第1の期間が終わった後に終わる、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記第1の期間が終わった後に続く前記第2の期間の一部に供給される前記第2の処理ガスは、少なくとも一部の未吸着の前駆体を前記基板の周りの空間から除去する、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第1の処理ガスは、第1の流路を通して供給され、
前記第2の処理ガスは、第2の流路を通して供給され、
前記第2の流路は、前記第1の流路に流体接続され、
前記第2の処理ガスは、前記第1の流路の少なくとも一部で前記第1の処理ガスと混合する、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
工程(a)から工程(c)は、約5秒以下の期間で実行される、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、約450mm以下の直径を有する、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
(f)工程(a)の後に、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第3の期間中に、第3の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第3の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第3の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第3の処理ガスは第3の搬送ガスを含み、前記第3の処理ガスは前記第3の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記基板への供給前に少なくとも前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(f)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程
を備える、方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第2の搬送ガスは、前記第1の搬送ガス、および、前記第1の搬送ガスとは異なる搬送ガス、からなる群より選択される、方法。 - 装置であって、
基板を受けるように構成された基板ホルダと、
シャワーヘッド流入口を備えると共に、前記基板ホルダによって受けられた前記基板に処理ガスを供給するように構成されたシャワーヘッドと、
1または複数の第1のバルブを備えると共に、前記シャワーヘッド流入口に流体接続された第1の流路と、
1または複数の第2のバルブを備えると共に、前記第1の流路に流体接続された第2の流路と、
1または複数のコントローラであって、
(a)前記1または複数の第1のバルブをフローオン位置に切り替えて、ALD蒸着サイクルのドーズ段階の第1の期間中に、第1の搬送ガスと前駆体とを含む第1の処理ガスを前記基板に流す工程と、
(b)前記1または複数の第2のバルブをフローオン位置に切り替えて、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第2の期間中に、第2の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第2の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第2の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第2の処理ガスは第2の搬送ガスを含み、前記第2の処理ガスは前記第2の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(b)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(c)工程(a)の後に、前記1または複数の第1のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第1の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
(d)工程(b)の後に、前記1または複数の第2のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第2の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程であって、前記第1の処理ガスの少なくとも一部が前記基板上に吸着される、工程と、
(e)工程(c)および(d)の後に、前記吸着した前駆体を反応させて、前記基板上に薄膜層を形成する工程と、
(f)工程(e)の後に、工程(a)から工程(e)までの前記ALD蒸着サイクルとは異なるALD蒸着サイクル中に、前記基板に対して工程(a)および(b)を繰り返す工程と、
を実行するように構成された、コントローラと、
を備える、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、
前記第2の処理ガスは、キャリアガスのみである、装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
工程(e)が始まる時、前記基板は、吸着した前駆体で完全には飽和していない、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、
前記1または複数のコントローラは、さらに、前記1または複数の第1のバルブが開き、前記1または複数の第2のバルブが閉じられた時に、前記第2の流路を前記第2の処理ガスで満たすように構成されている、装置。 - 請求項16に記載の装置であって、さらに、
前記第2の流路に流体接続された迂回路を備え、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(g)前記1または複数の第2のバルブが前記フローオフ位置にある時に、前記第2の流路からの前記第2の処理ガスを前記迂回路を通して流す工程を実行するように構成されている、装置。 - 請求項17に記載の装置であって、さらに、
前記迂回路内に1または複数の迂回バルブを備え、
工程(g)は、前記1または複数の第2のバルブがフローオフ位置に切り替えられた時に、前記1または複数の迂回バルブをフローオン位置に切り替える工程を含む、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の流路は、前記第1の流路で終端しており、
前記第2の処理ガスは、前記第2の流路が前記第1の流路で終端する位置の下流の前記第1の流路の少なくとも一部で前記第1の処理ガスと混合する、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第1の期間は、前記第2の期間が終わった後に終わる、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の期間は、前記第1の期間が終わった後に終わる、装置。 - 請求項21に記載の装置であって、
前記第1の期間が終わった後に続く前記第2の期間の一部に供給される前記処理ガスは、少なくとも一部の未吸着の前駆体を前記基板の周りの空間から除去するために用いられる、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記1または複数のコントローラは、約5秒以下の期間中に工程(a)から(d)を実行するように構成されている、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記基板は、約450mm以下の直径を有する、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
1または複数の第3のバルブを有し、前記第1の流路に流体接続された第3の流路を備え、
前記1または複数のコントローラは、さらに、
(h)前記1または複数の第3のバルブをフローオン位置に切り替えて、前記ALD蒸着サイクルの前記ドーズ段階の第3の期間中に、第3の処理ガスを前記基板に流す工程であって、前記第3の期間は前記第1の期間が始まった後に始まり、前記第1および第3の期間は少なくとも部分的に重複し、前記第3の処理ガスは第3の搬送ガスを含み、前記第3の処理ガスは前記第3の期間が前記第1の期間と重複する期間の少なくとも一部の間に少なくとも前記第1の処理ガスと混合し、工程(a)から工程(f)で全処理ガスの体積流量が増大する、工程と、
(i)工程(h)の後に、前記1または複数の第3のバルブをフローオフ位置に切り替えて、前記第3の処理ガスを前記基板に流すことを停止する工程と、
を実行するように構成されている、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第2の搬送ガスは、前記第1の搬送ガス、および、前記第1の搬送ガスとは異なる搬送ガス、からなる群より選択される、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記第1の流路に流体接続されると共に、前記第1の処理ガスの前記前駆体を供給するように構成された前駆体源と、
少なくとも前記第1の流路に流体接続されると共に、少なくとも前記第1の処理ガスの前記第1の搬送ガスを供給するように構成された搬送ガス源と、
を備える、装置。 - 請求項27に記載の装置であって、
前記搬送ガス源は、さらに、前記第2の流路に流体接続されており、前記第2の処理ガスの前記第2の搬送ガスを供給するように構成されている、装置。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の装置であって、
少なくとも工程(b)における前記第2の処理ガスの流量は、マスフローコントローラによって制御されない、装置。
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KR20200106090A (ko) * | 2018-01-31 | 2020-09-10 | 램 리써치 코포레이션 | 복수의 전구체들을 위한 매니폴드 밸브 |
CN110643975B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-09-28 | 东北大学 | 一种金属有机化学源液体的蒸发输运装置 |
US10720526B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stress modulation for dielectric layers |
KR102619482B1 (ko) * | 2019-10-25 | 2024-01-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막 증착 공정에서의 정상 펄스 프로파일의 변형 |
JP7116248B2 (ja) | 2020-04-03 | 2022-08-09 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2022078719A (ja) * | 2020-11-13 | 2022-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US11487304B2 (en) * | 2021-01-08 | 2022-11-01 | Applied Materials, Inc. | Process fluid path switching in recipe operations |
TW202309974A (zh) * | 2021-05-21 | 2023-03-01 | 美商蘭姆研究公司 | 高深寬比3d nand架構中的鎢字元線填充 |
WO2023069924A1 (en) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | Lam Research Corporation | Valve manifold for semiconductor processing |
Family Cites Families (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5769950A (en) * | 1985-07-23 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming deposited film |
US5338389A (en) * | 1990-01-19 | 1994-08-16 | Research Development Corporation Of Japan | Method of epitaxially growing compound crystal and doping method therein |
US5368685A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus and method |
JP3026704B2 (ja) * | 1993-07-29 | 2000-03-27 | 富士通株式会社 | マグネトロン発振出力制御装置及びプラズマ処理方法 |
JP3468859B2 (ja) * | 1994-08-16 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | 気相処理装置及び気相処理方法 |
JP3360265B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US6287965B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co, Ltd. | Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor |
US7393561B2 (en) * | 1997-08-11 | 2008-07-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films |
KR100252049B1 (ko) * | 1997-11-18 | 2000-04-15 | 윤종용 | 원자층 증착법에 의한 알루미늄층의 제조방법 |
US6305314B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-10-23 | Genvs, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
JP2000306884A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2001012873A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-22 | Tokyo Electron Limited | Pulsed plasma processing method and apparatus |
AU2001245388A1 (en) * | 2000-03-07 | 2001-09-17 | Asm America, Inc. | Graded thin films |
US7011710B2 (en) * | 2000-04-10 | 2006-03-14 | Applied Materials Inc. | Concentration profile on demand gas delivery system (individual divert delivery system) |
US7163197B2 (en) * | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
JP2002129337A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
KR100397889B1 (ko) * | 2001-01-18 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 개스공급장치의 잔류개스 제거장치 |
US20030000924A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
US6960537B2 (en) * | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
US6656282B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Moohan Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma |
JP3891848B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
JP2003303023A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理装置の保守方法 |
KR100574150B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2006-04-25 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조방법 |
JP3985899B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-10-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
US7439191B2 (en) * | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
US6838114B2 (en) * | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
JP3967253B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質絶縁膜の形成方法及び多孔質絶縁膜の形成装置 |
JP3574651B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
US7344755B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
US6924223B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-08-02 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a metal layer using an intermittent precursor gas flow process |
KR100591762B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-06-22 | 삼성전자주식회사 | 증착 장치 및 증착 방법 |
US7906393B2 (en) * | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
US7273526B2 (en) * | 2004-04-15 | 2007-09-25 | Asm Japan K.K. | Thin-film deposition apparatus |
US7708859B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
JP2005322668A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Renesas Technology Corp | 成膜装置および成膜方法 |
US20050252449A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
KR101304395B1 (ko) * | 2004-05-12 | 2013-09-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 하프늄-함유 높은-k 유전체 물질의 원자 층 증착을 위한 장치 및 방법 |
JP4502189B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
US7699932B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US7740704B2 (en) * | 2004-06-25 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | High rate atomic layer deposition apparatus and method of using |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US20060128127A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Jung-Hun Seo | Method of depositing a metal compound layer and apparatus for depositing a metal compound layer |
US7674393B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Etching method and apparatus |
JP2007067119A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Elpida Memory Inc | 半導体製造装置 |
JP4943047B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
KR20080027009A (ko) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 원자층 증착 장치 및 그를 이용한 다층막 증착 방법 |
US7794788B2 (en) * | 2007-03-28 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Method for pre-conditioning a precursor vaporization system for a vapor deposition process |
JP2008244298A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置 |
JP5219562B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2013-06-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US20090004877A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US20090272717A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of a substrate etching system and process |
JP4961381B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2012-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2010267925A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5520552B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-06-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
KR20120062915A (ko) * | 2009-09-29 | 2012-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 니켈막의 성막 방법 |
JP2011132568A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US8741394B2 (en) * | 2010-03-25 | 2014-06-03 | Novellus Systems, Inc. | In-situ deposition of film stacks |
US8728956B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal film deposition |
US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US8956983B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-02-17 | Novellus Systems, Inc. | Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition |
US9611544B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
JP5544343B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JPWO2012073938A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-05-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
JP5236755B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2013-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5723678B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそのガス供給方法 |
KR101248918B1 (ko) * | 2011-06-03 | 2013-04-01 | 주성엔지니어링(주) | 가스 공급 방법 |
JP6199292B2 (ja) * | 2011-09-23 | 2017-09-20 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドNovellus Systems Incorporated | プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜 |
US20130237063A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Seshasayee Varadarajan | Split pumping method, apparatus, and system |
JP5895712B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体 |
US9234276B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Novellus Systems, Inc. | Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties |
US10211310B2 (en) | 2012-06-12 | 2019-02-19 | Novellus Systems, Inc. | Remote plasma based deposition of SiOC class of films |
US20140030444A1 (en) * | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Novellus Systems, Inc. | High pressure, high power plasma activated conformal film deposition |
JP6061545B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2017-01-18 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP6196833B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-09-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9371579B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-06-21 | Lam Research Corporation | Ground state hydrogen radical sources for chemical vapor deposition of silicon-carbon-containing films |
JP5917477B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-05-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US9478408B2 (en) * | 2014-06-06 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging |
JP6359913B2 (ja) * | 2014-08-12 | 2018-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US20160056032A1 (en) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for stable deposition rate control in low temperature ald systems by showerhead active heating and/or pedestal cooling |
JP5840268B1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-01-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
JP2016063091A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
US10100407B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
-
2014
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