JP2016136644A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 211
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 46
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 24
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 195
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
Description
板を指す。
る半導体装置に対する需要が急速に高まっている。これに伴い、可撓性を有する半導体装
置を作製する技術についても、世界中で高い注目を集めている。
形成した半導体装置を含む薄膜層(以下、被剥離層と略記する)を基板から剥離し、可撓
性を有する他の基材、例えばプラスチックフィルムなどに転写して、可撓性を有する半導
体装置を作製する方法が提案されている(特許文献1)。
基板と略記する)から被剥離層を剥離し、第2の基板に移載するにあたり、生産効率を高
める手段の1つとして、第1の半導体基板のサイズを大きくして、より多くの半導体装置
を形成する事が望まれる。
ができる。
基板の取り扱いが困難になるという問題がある。
くことが好ましい(以下、分断した第1の半導体基板のそれぞれを、第2の半導体基板と
略記する)。
められている。そのため、剥離層が形成された部分を横切って分断処理を施すと、分断面
に剥離層部分が露出し、露出した剥離層部分から膜剥がれが生じやすくなる。
に起因したゴミが、被剥離層上に付着する。
的な力が加わる、あるいは力が加わりにくくなる箇所が局所的に発生するため、剥離時に
被剥離層の一部にクラックが発生する、あるいは剥離されない部分が生じるといった問題
が発生しやすくなる。
超音波洗浄)などの洗浄を追加する方法があるが、余分な生産コストが発生してしまう。
去する事は難しい。
、膜剥がれに起因したゴミの発生および、膜剥がれに起因したゴミが原因となる剥離不良
が抑制された半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
の位置関係に着眼した。第1の半導体基板に対して分断処理(以下、第1の分断処理と略
記する)を施して第2の半導体基板を取り出す際に、第2の半導体基板端面に剥離層が露
出しないように、第1の半導体基板の構造を、第1の分断処理を施す箇所に剥離層が形成
されない構造とした。これにより、第1の分断処理時および分断処理後において、剥離層
部分からの膜剥がれに起因したゴミを抑制することができる。
下、第2の分断処理と略記する)を施す前に、第2の半導体基板の被剥離層上に支持材料
を設けた。これにより、第2の分断処理時および分断処理後において発生する剥離層部分
からの膜剥がれに起因したゴミは被剥離層に直接付着せず、支持材料上に付着する。この
ため、第2の半導体基板から被剥離層を剥離する際に支持材料が緩衝材となり、膜剥がれ
に起因したゴミが原因となる剥離不良が抑制される。
第1の半導体基板を作製し、被剥離層は半導体回路を剥離層上に備えおり、基板と被剥離
層が接する部分に沿って第1の半導体基板に第1の分断処理を施して、1つの島状の剥離
層および剥離層を覆う被剥離層を備える第2の半導体基板を作製し、作製した第2の半導
体基板の表面である被剥離層上に剥離可能な支持材料を設け、第2の半導体基板の剥離層
と被剥離層が積層されている部分に第2の分断処理を施して、第2の半導体基板端面に剥
離層を露出させた後に被剥離層から基板を剥離し、被剥離層の基板を剥離した面に接着材
料を介してベース基材を設け、剥離可能な支持材料を剥離することを特徴とする半導体装
置の作製方法である。
膜剥がれに起因したゴミが原因となる剥離不良が抑制された半導体装置を作製することが
できる。
成した第1の半導体基板を作製し、被剥離層は半導体回路を剥離層上に備えおり、基板と
被剥離層が接する部分に沿って第1の半導体基板に第1の分断処理を施して、1つの島状
の剥離層および剥離層を覆う被剥離層を備える第2の半導体基板を作製し、作製した第2
の半導体基板の表面である被剥離層上に剥離可能な支持材料を設け、第2の半導体基板の
剥離層と被剥離層が積層されている部分に第2の分断処理を施して第2の半導体基板端面
に剥離層を露出させ、第2の半導体基板の支持材料が設けられていない面に接着材料を介
して剥離補助基板を設けた後に被剥離層から基板を剥離し、被剥離層の基板を剥離した面
に接着材料を介してベース基材基板を設け、剥離可能な支持材料を剥離することを特徴と
する半導体装置の作製方法。
剥離力を加えることができるため、膜剥がれに起因したゴミによる剥離不良が抑制された
半導体装置を、高い歩留まりで作製することができる。
料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法である。
体回路への悪影響を抑制することができる。
るのに必要な力よりも粘着力が強く、かつ、接着材料よりも粘着力が弱い材料を使用する
ことを特徴とする、半導体装置の作製方法である。
め、半導体回路の劣化が抑制された、半導体装置を作製することができる。
して除去できる材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法である。
、支持材料の剥離時に発生しやすい膜剥がれやクラックなどの半導体回路への悪影響が無
い、半導体装置を作製することができる。
例えば、半導体装置の性能の一部または全部を評価するために使用する評価用素子など)
を指すものであり、半導体回路とは半導体装置の動作に直接関与する半導体群を指すもの
である。
となる剥離不良が抑制された半導体装置を提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、第1の半導体基板の構造および第2の半導体基板の構造について、図
1を用いて説明するとともに、第2の半導体基板を用いて半導体装置を作製する方法につ
いて、図2および図3を用いて説明する。なお、図1(a)は第1の半導体基板の上面図
であり、図1(b)は図1(a)の一点鎖線X1−X2部分についての断面図であり、破
線部分A1−A2、破線部分B1−B2、破線部分C1−C2および破線部分D1−D2
は、第1の基板から第2の基板を切り出すための分断ラインを示す。また、図1(c)は
図1(a)より切り出された第2の半導体基板の構造である。
2を覆う被剥離層106が形成されている。被剥離層106は半導体装置の構成要素であ
る半導体回路104を有している。なお、半導体回路104は剥離層102上に形成され
ている。
これに限定されることはない。ただし、後の工程にて第1の半導体基板に対して第1の分
断処理を施す際には、基板101と被剥離層106が接する箇所(剥離層102の形成さ
れていない箇所)を分断するため、第1の分断処理を簡便に行うためにも基板101と被
剥離層106が接する箇所を直線状に形成することが望ましい。
断処理後に分断した基板(つまり、第2の半導体基板110)の端面から剥離層102が
露出しない範囲で、間隔を狭くすることが望ましい。これにより、剥離層102上に形成
される半導体回路104の形成面積を大きくすることができるため、効率よく半導体回路
を形成できる。
イオード、抵抗、容量素子等)が形成されており、被剥離層106は複数の半導体回路1
04を含んでいる。
4のみを形成しているが、隣接する剥離層102の間の領域や基板101の端面と剥離層
102の間の領域に半導体要素(例えば、半導体装置の不良箇所調査や性能評価を行うた
めの評価用素子(TEG(Test Element Group)とも呼ばれる))を
形成してもよい。
るため、半導体要素にダメージ箇所(例えば、電気特性を測定するために、評価用素子に
探触子(プローブとも言う)を接触させることによるキズ)が形成されても、ダメージ箇
所からクラックが発生、進行するなどといった、半導体回路104への悪影響を抑制する
ことができる。
やCVD装置などの各種成膜装置を用いて形成するため、剛体であり、かつ剥離層102
、半導体回路104および被剥離層106の形成に耐える耐熱性を有することが好ましい
。例えば、ガラス基板、石英基板、金属基板、ステンレス基板、表面に絶縁層を形成した
シリコンウエハなどを用いることができる。
ガラス基板を用いた場合についての説明を行う。
水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)[2]金属膜(例えば、タングステン(W)、モ
リブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(N
i)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、
ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)など
)[3]合金膜(タングステンとモリブデンの合金のような複数の金属元素の合金)[4
]表面に金属酸化物が形成された金属膜または、表面に金属酸化物が形成された合金膜で
形成することができる。
された合金膜を用いた剥離層102では、剥離層102は意図的に被剥離層106との密
着性が弱められており、物理的手段により剥離層102と被剥離層106を容易に剥離す
ることができるため、短時間かつ安全に剥離作業を行うことができるため望ましい。
る方法、酸素またはN2Oプラズマで金属膜表面を処理する方法、オゾン水等の酸化力の
強い溶液で金属膜表面を処理する方法などがある。また別の方法としては、被剥離層10
6を形成した際に、被剥離層106と剥離層102の界面に金属酸化物が形成されるよう
にする方法がある。例えば、スパッタリング法でシリコン酸化物を成膜すると、金属膜ま
たは合金膜表面にシリコン酸化物が堆積する際に、その表面が酸化される。なお、金属膜
または合金膜の表面に金属酸化物を形成する代わりに、プラズマ処理や熱処理によって金
属窒化膜してもよい。
1−D2に沿って第1の分断処理を行う事により、第2の半導体基板110が得られる。
なお、第2の半導体基板110は、端面から剥離層102が露出しない。
a)参照)。
剥がれない密着性を有し、かつ、後の工程にて被剥離層106に接着材料を介してベース
基板を貼り合わせた後に、被剥離層106から容易に剥がすことのできる特性を有する必
要がある。このような材料として、例えば、UV照射、熱付加または通電などの負荷を加
えることにより、粘着性を低下できる樹脂などを用いることができる。
料も含まれる。積層構造の支持材料としては、例えば、UV照射、熱付加または通電など
の負荷を加えることにより粘着性を低下できる樹脂とプラスチックフィルムが積層された
テープ状の材料を用いることができる。
いた場合についての半導体装置の作製方法を記載する。
された部分に分断ラインを形成し(図2(b)参照)、分断ラインより外側の基板101
を、第2の半導体基板110より分離する(図2(c)参照。)。
を基板に押し当てて基板を切断する方法などがある。
ない側)から行っているが、これに限定されることはない。分断ラインを形成した後に基
板101を確実に分離することができるのであれば、支持材料側から分断ラインを形成し
てもよい。
が発生するが、被剥離層106上には支持材料200が形成されているため、仮に支持材
料200上にゴミが付着したとしても、後の工程にて基板101を剥離する際に、被剥離
層106に加わる局所的な力を支持材料200により緩和することができる。このため、
ゴミが原因となり被剥離層106に発生するクラック発生や、剥離不良を抑制することが
できる。
端部に露出した剥離層102と被剥離層106の界面に外力を加える。これにより、被剥
離層106と基板101の一方、または両方に撓みが生じる。その結果、剥離層102が
露出した基板外周の一部または全部において、被剥離層106から基板101が剥離され
た場所が形成される。
2と被剥離層106の界面に先端の鋭利な刃202を押し当てて力を加える方法などがあ
る。
対象物を設置し、多孔質状の孔を有する台座の他の一面から真空引きを行うことにより対
象物を固定する方法(ポーラスチャックとも呼ばれる)などがある。
に、剥離層102が露出した基板外周でのクラックの発生および進行の抑制をすることが
できる。
から基板101の全面を剥離する(図3(a)参照。)。
離層106の支持材料200が形成されている面とは反対の面に、接着材料300を介し
てベース基材302を設置する(図3(b)参照。)。
2を設置した後に、被剥離層106とベース基材302が容易に剥がれない接着力を有し
ていればよい。
種プラスチック基板などを用いることができ、好ましくは、薄く研磨されたガラスやシリ
コンウエハ、金属薄膜、各種プラスチックフィルム、プリプレグ(繊維体に有機樹脂が含
浸された構造体)などの可撓性を有する基材を用いることが望ましい。
構造体を用いる場合は、ベース基材302自体に接着材料が含まれているため、接着材料
300は必ずしも用いる必要はない。
料200を容易に剥がすことができる状態にまで、支持材料200の密着性を低下させる
(図3(c)参照)。なお、本実施の形態では支持材料200としてUV照射により粘着
性を低下できる樹脂を用いているため、図3(c)における密着性低下処理304はUV
照射処理を表している。
い。例えば、加熱処理を行うことにより密着性が低下する材料を支持材料200として用
いている場合は、密着性低下処理304は「加熱処理」となる。
半導体装置の動作に関与する半導体回路104が形成された被剥離層106が接着材料3
00を介してベース基材302に固定された、可撓性を有する半導体装置310を作製す
ることができる(図3(e)参照)。
起因したゴミ発生を抑制することができ、かつ第2の分断処理時に発生する剥離層部分か
らの膜剥がれに起因したゴミが原因となる剥離不良を抑制することができる。
。
本実施の形態では、実施の形態1にて記載した半導体装置の作製方法に関して、半導体装
置の動作に関与する半導体回路104が形成された被剥離層106から、基板101をよ
り簡便に剥離する方法について、図4を用いて説明する。
持材料200を形成し、第2の分断処理を施して基板101の外周部近傍において剥離層
と被剥離層が積層された部分に分断ラインを形成し、分断ラインより外側部分を分離する
(図4(a)参照。)。
して剥離補助基板402を設置する(図4(b)参照)。
を有していれよい。
2を設けた際において、剥離補助基板402の少なくとも一部が、基板101と重畳しな
い(基板101の端面より外側に出ている)ことが望ましい。
基板、石英基板、金属基板、ステンレス基板などを用いることができる
のうち、基板101と重畳しない部分(基板101の端面より外側に出ている部分)に外
力を加える。これにより、被剥離層106と基板101の一方、または両方に撓みが生じ
る。
その結果、剥離層102が露出した基板外周の一部または全部において、被剥離層106
から基板101が剥離された箇所が形成される(図4(c)参照。)。
基板402に対して板状物体403を押し当てて力を加える方法などがある。
施の形態では外力を加える部分が基板101の外形と重畳しない(基板101の端面より
外側に出ている)ため、より簡便に外力を加えることができる。また、剥離補助基板40
2を介して剥離層102と被剥離層106の界面に外力を加えるため、剥離層102およ
び被剥離層106に直接外力を加える(図2(d)のように、剥離層102と被剥離層1
06の界面に、先端の鋭利な刃205を直接押し当てるなど)必要が無く、剥離層102
および被剥離層106へのダメージを無くすことができる。
に、剥離層が露出した基板外周でのクラックの発生および進行を抑制することができる。
2を用いて剥離層102と被剥離層106の界面に外力を加えて、被剥離層106から基
板101の全面を剥離する(図4(d)参照。)。
離後に基板101を剥離した側の被剥離層106表面に、接着材料300を介してベース
基材302を設置する。この状態で支持材料200に対して密着性低下処理304を行う
。
これにより、支持材料200の被剥離層106と接する面における密着性が低下するため
、支持材料200を被剥離層106から剥離できる。したがって、図3(e)と同様に、
可撓性を有する半導体装置310を作製できる。
剥がれに起因したゴミ発生を抑制することができる。加えて、第2の分断処理時に発生す
る、剥離層102部分からの膜剥がれに起因したゴミが原因となる剥離不良を抑制するこ
とができる。さらに、被剥離層106から基板101をより簡便に剥離することができる
。
供することができる
。
本実施の形態では、実施の形態1にて記載した半導体装置の作製方法に関して、異なる支
持材料を用いて半導体装置を作製する方法について、図5を用いて説明する。
の形態1で示すものと同一である。第2の半導体基板110の被剥離層106上に支持材
料500を形成する。そして、基板101の外周部近傍に分断ラインを形成する。分断ラ
インは、剥離層102と被剥離層106が積層されている部分に形成する。分断ライン形
成方法としては、例えば、高速回転させた薄い刃を接触させる、先端の鋭利な刃を押し当
てる、高エネルギー(例えばCO2レーザーやYAGレーザービームなど)を照射する、
高圧の液体(例えば、高圧の水など)を当てる、などを行うとよい。基板101に形成さ
れた分断ラインによって、分断ラインより外側部分を基板101から分離する。その後、
基板101の支持材料500が形成された面を固定用治具204に密接させて固定する(
図5(a)参照)。
f2」の範囲を有する材料を用いる。なお、パラメータf1は、後の工程にて、基板10
1を被剥離層106から剥離する際に、剥離層102と被剥離層106の界面に加える外
力の単位面積あたりの力であり、パラメータf2は、後の工程にて、接着材料300を介
して被剥離層106とベース基材302を接着した際に、接着材料300と被剥離層10
6の界面における単位面積あたりの接着力である。
より、被剥離層106と基板101の一方、または両方に撓みが生じる。その結果、基板
外周近傍の一部または全部において、被剥離層106から基板101が剥離された箇所が
形成される。さらに、被剥離層106から基板101が剥離された箇所を始点として、被
剥離層106から基板101の全面を剥離する(図5(b)参照)。
着力)は、力f1(被剥離層106から基板101を剥離するために加える外力の単位面
積あたりの力)より大きい。このため、支持材料500が被剥離層106から剥がれるこ
となく、被剥離層106から基板101を選択的に剥離することができる。
材料500が形成されていない側の被剥離層106表面に、接着材料300を介してベー
ス基材302を設け、被剥離層106から支持材料500を剥がす(図5(c)参照)。
着力)は、接着力f2(接着材料300と被剥離層106の界面における単位面積あたり
の接着力)より小さい。このため、ベース基材302が接着材料300から剥がれること
なく、支持材料500を被剥離層106から選択的に剥がすことができる。
された被剥離層106が接着材料300を介してベース基材302に固定された、可撓性
を有する半導体装置310を作製することができる。
を作製することができる。
制できるため、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
。
本実施の形態では、実施の形態1にて記載した半導体装置の作製方法に関して、異なる支
持材料を用いて半導体装置を作製する方法について、図6を用いて説明する。
の形態1で示すものと同一である。第2の半導体基板110の被剥離層106上に支持材
料600を形成する。そして、基板101の外周部近傍に分断ラインを形成する。分断ラ
インは、剥離層102と被剥離層106が積層されている部分に形成する。分断ライン形
成方法としては、例えば、高速回転させた薄い刃を接触させる、先端の鋭利な刃を押し当
てる、高エネルギー(例えばCO2レーザーやYAGレーザービームなど)を照射する、
高圧の液体(例えば、高圧の水など)を当てる、などを行うとよい。基板101に形成さ
れた分断ラインによって、分断ラインより外側部分を基板101から分離する。その後、
基板101の支持材料600が形成された面を固定用治具204に密接させて固定する。
のような材料として、例えば水に浸すことにより溶解し、除去することのできる水溶性接
着剤などがある。
より、被剥離層106と基板101の一方、または両方に撓みが生じる。その結果、基板
外周部の一部または全部において、被剥離層106から基板101が剥離される。さらに
、被剥離層106から基板101が剥離された箇所を始点として、被剥離層106から基
板101の全面を剥離する。その後、支持材料600が形成された被剥離層106を固定
用治具204から分離する。分離後に、被剥離層106の基板101を剥離した側の面に
、接着材料602を介してベース基材302を設置する(図6(b)参照。)。
行うため、接着材料602は使用する溶媒に対して不溶な性質を示す材料を用いることが
好ましい。
剥離層106を溶媒604に浸し、支持材料600を溶解させて被剥離層106から除去
する(図6(c)参照。)。
が、接着材料602を介してベース基材302に固定された、可撓性を有する半導体装置
610を作製することができる(図6(d)参照。)。
作製することができる。
、歩留まりが高く、かつ信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
。
101 基板
102 剥離層
104 半導体回路
106 被剥離層
110 第2の半導体基板
200 支持材料
202 先端の鋭利な刃
204 固定用治具
205 先端の鋭利な刃
300 接着材料
302 ベース基材
304 密着性低下処理
310 半導体装置
400 接着材料
402 剥離補助基板
403 板状物体
500 支持材料
600 支持材料
602 接着材料
604 溶媒
610 半導体装置
Claims (4)
- ガラス基板上に複数の島状の剥離層と、前記複数の島状の剥離層の端面を覆う被剥離層を有する第1の半導体基板を作製し、
前記被剥離層は前記複数の島状の剥離層上にそれぞれ半導体回路を備え、
前記第1の半導体基板の前記ガラス基板と前記被剥離層とが接する領域に分断処理を施し、ガラス基板上に一つの島状の剥離層と、前記剥離層を覆う被剥離層とを備える第2の半導体基板を作製し、
前記第2の半導体基板の前記被剥離層上に支持材料を設け、
前記第2の半導体基板の前記剥離層と前記被剥離層とが積層された領域において、前記剥離層を露出し、
前記被剥離層から前記ガラス基板を剥離し、
前記被剥離層の前記ガラス基板を分離した面に接着材料を介してベース基材を設け、
前記支持材料を剥離する半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記支持材料として、UV照射、熱付加または通電により粘着性が低下する材料を使用する半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記支持材料として、前記支持材料と前記被剥離層との粘着力が、前記被剥離層から前記ガラス基板を分離するのに必要な力よりも大きく、かつ、前記接着材料と前記被剥離層の接着力よりも小さい材料を使用する半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記支持材料として、溶媒に浸すことにより溶解する材料を使用する半導体装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010144127 | 2010-06-24 | ||
JP2010144127 | 2010-06-24 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011139226A Division JP5917026B2 (ja) | 2010-06-24 | 2011-06-23 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086246A Division JP6321854B2 (ja) | 2010-06-24 | 2017-04-25 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016136644A true JP2016136644A (ja) | 2016-07-28 |
JP6138309B2 JP6138309B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=45352923
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011139226A Active JP5917026B2 (ja) | 2010-06-24 | 2011-06-23 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016059406A Expired - Fee Related JP6138309B2 (ja) | 2010-06-24 | 2016-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017086246A Active JP6321854B2 (ja) | 2010-06-24 | 2017-04-25 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011139226A Active JP5917026B2 (ja) | 2010-06-24 | 2011-06-23 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086246A Active JP6321854B2 (ja) | 2010-06-24 | 2017-04-25 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8507322B2 (ja) |
JP (3) | JP5917026B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018065861A1 (ja) * | 2016-10-07 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ガラス基板の洗浄方法、半導体装置の作製方法、及びガラス基板 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3697247B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置及び監視方法及びプログラム並びに記憶媒体 |
US8507322B2 (en) | 2010-06-24 | 2013-08-13 | Akihiro Chida | Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
TWI669835B (zh) | 2012-07-05 | 2019-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
KR102173801B1 (ko) | 2012-07-12 | 2020-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법 |
US11074025B2 (en) | 2012-09-03 | 2021-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR102187752B1 (ko) | 2013-05-07 | 2020-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 및 박리 장치 |
KR102224416B1 (ko) * | 2013-08-06 | 2021-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 |
CN104867812A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多晶硅薄膜和半导体器件的制备方法、显示基板及装置 |
CN105762280B (zh) * | 2016-05-05 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板分离方法和装置 |
JP6816046B2 (ja) * | 2018-02-06 | 2021-01-20 | アオイ電子株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6991673B2 (ja) | 2018-02-27 | 2022-01-12 | 株式会社ディスコ | 剥離方法 |
WO2020105482A1 (ja) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法及びそれに用いられる粘着シート |
CN109755351B (zh) * | 2019-01-22 | 2020-06-30 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种柔性薄膜太阳电池及其制作方法 |
WO2020183588A1 (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | シャープ株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
KR20210151910A (ko) * | 2019-04-16 | 2021-12-14 | 넥스트 바이오메트릭스 그룹 에이에스에이 | 유연성 전자부품을 제조하기 위한 시스템 및 방법 |
US20230321752A1 (en) * | 2021-01-21 | 2023-10-12 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Workpiece separation device and workpiece separation method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004086129A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-03-18 | Omron Corp | 光導波路装置、光導波路装置の製造方法及び光通信用装置 |
JP2006093209A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2006173596A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2006245207A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 転写方法、転写物の製造方法、回路基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2009516368A (ja) * | 2005-11-11 | 2009-04-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複数の半導体デバイス及びキャリア基板の製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3526731B2 (ja) * | 1997-10-08 | 2004-05-17 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3485525B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8415208B2 (en) | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP4027740B2 (ja) | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN1808196A (zh) | 2002-07-02 | 2006-07-26 | 欧姆龙株式会社 | 光波导装置、光波导装置的制造方法以及光通信装置 |
TWI272641B (en) | 2002-07-16 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2004179649A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-24 | Sony Corp | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 |
EP2259300B1 (en) | 2003-10-28 | 2020-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture of semiconductor device |
US7229900B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
US7452786B2 (en) | 2004-06-29 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate |
US7591863B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip |
US8698262B2 (en) | 2004-09-14 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip and manufacturing method of the same |
US7736964B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
FR2878535B1 (fr) * | 2004-11-29 | 2007-01-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un substrat demontable |
JP4817673B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-11-16 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子の作製方法 |
US7456104B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101272097B1 (ko) | 2005-06-03 | 2013-06-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 집적회로 장치 및 그의 제조방법 |
US7510950B2 (en) | 2005-06-30 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7465596B2 (en) | 2005-06-30 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7723842B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Integrated circuit device |
CN101305315B (zh) | 2005-11-11 | 2010-05-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 形成具有功能性的层的方法及半导体器件的制造方法 |
KR101358480B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2014-02-05 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법 |
WO2009148001A1 (en) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5144634B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-02-13 | 日東電工株式会社 | 基板レス半導体パッケージ製造用耐熱性粘着シート、及びその粘着シートを用いる基板レス半導体パッケージ製造方法 |
US8507322B2 (en) * | 2010-06-24 | 2013-08-13 | Akihiro Chida | Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
-
2011
- 2011-06-21 US US13/165,063 patent/US8507322B2/en active Active
- 2011-06-23 JP JP2011139226A patent/JP5917026B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-08 US US13/962,326 patent/US8728868B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-13 US US14/276,239 patent/US9190428B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-02 US US14/728,134 patent/US9780070B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-24 JP JP2016059406A patent/JP6138309B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086246A patent/JP6321854B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004086129A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-03-18 | Omron Corp | 光導波路装置、光導波路装置の製造方法及び光通信用装置 |
JP2006093209A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2006173596A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2006245207A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 転写方法、転写物の製造方法、回路基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2009516368A (ja) * | 2005-11-11 | 2009-04-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複数の半導体デバイス及びキャリア基板の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018065861A1 (ja) * | 2016-10-07 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ガラス基板の洗浄方法、半導体装置の作製方法、及びガラス基板 |
JP7143210B2 (ja) | 2016-10-07 | 2022-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US11637009B2 (en) | 2016-10-07 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cleaning method of glass substrate, manufacturing method of semiconductor device, and glass substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012028760A (ja) | 2012-02-09 |
US20130344681A1 (en) | 2013-12-26 |
US20140248744A1 (en) | 2014-09-04 |
US9190428B2 (en) | 2015-11-17 |
US8728868B2 (en) | 2014-05-20 |
JP5917026B2 (ja) | 2016-05-11 |
JP6321854B2 (ja) | 2018-05-09 |
US20150333036A1 (en) | 2015-11-19 |
JP2017147463A (ja) | 2017-08-24 |
US8507322B2 (en) | 2013-08-13 |
US20110318881A1 (en) | 2011-12-29 |
JP6138309B2 (ja) | 2017-05-31 |
US9780070B2 (en) | 2017-10-03 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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