JP2016136557A - 積層型セラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の誘電体セラミック層32と複数の内部電極層31とが交互に積層された素子本体と、素子本体の内部電極層31が露出した端面に設けられた外部電極33とを有する積層型セラミック電子部品であって、素子本体の端面に露出した複数の内部電極層31の少なくとも一部は、隣接する内部電極層31を連結する端面電極部34を有し、端面電極部34と接する誘電体セラミック層32との間に接続部35を有し、端面電極部34を覆うように外部電極33が設けられている。
【選択図】図4
Description
(式1)
C:静電容量、εr:比誘電率、ε0:真空の誘電率、
S:内部電極重なり面積、d:誘電体セラミック層厚み、n:積層数
しかしながら、微細化した金属粒子と誘電体セラミック粒子を用いると、誘電体セラミック粒子よりも金属粒子の方が反応性が高く、焼結に伴う収縮の開始温度に大きな不整合が生じてしまう。その結果、内部電極層が素子本体内部に引き込んだ構造となりやすく、内部電極層と外部電極との間に空隙が生じてしまい、接続不良が発生して品質確保が難しくなる。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10は、誘電体セラミック層1と内部電極層2とが交互に積層された構成の素子本体素子3を有する。この素子本体素子3の両端部には、素子本体素子の内部で交互に配置された内部電極層2と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。素子本体素子3の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法は、誘電体セラミックペーストの作製、内部電極ペーストの作製、段差吸収層用セラミックペーストの作製、印刷、積層、切断といった、周知の方法により、素子本体素子の有機成分等を含んだ状態のものが作製される。次に有機成分等を炭化させ燃焼させ、素子本体素子を焼結させる為に、脱バインダ工程、焼成工程を経て素子本体を得る。次いで焼結した素子本体の端面に外部電極が形成され、外部電極上にめっき膜が形成され、積層セラミックコンデンサが完成する。
以下、製造方法について具体的に説明する。
上述した誘電体セラミック層の組成は、特に限定される事はないが、ABO3(但し、Aサイトは、少なくともBaを含み、Bサイトは、少なくともTiを含むペロブスカイト型結晶を表す。)を主成分とし、副原料として、ABO3100molに対して、MgがMgO換算で0.01mol以上2.00mol以下、Rの化合物(ただし、Rは、Y、Dy、Ho、Yb、Lu、GdおよびTbから選ばれる少なくとも1つである)をR2O3換算で0.20mol以上1.00mol以下、SiO2を0.40mol以上2.00mol以下、Mnの化合物をMnO換算で0.00molを超え、0.50mol未満、Vの化合物をV2O5換算で0.01mol以上0.50mol以下で示す組成範囲のものが好ましい。
本発明における誘電体セラミック層は、平均粒子径が20nmから100nmの誘電体セラミック粉末を用いることが好ましい。この範囲内に平均粒子径があることで、緻密な誘電体グリーンシートを作製することが可能となる。
本発明における内部電極ペーストの導電性粉末は、粒子径としては特に制限されないが、平均粒子径が10nmから150nmのものを用いることが好ましい。また共材として導電性粉末の焼結挙動を遅らせる為に添加される誘電体セラミック粉末は、誘電体セラミックペーストで用いる誘電体セラミック粉末と同組成で、平均粒子径が10nmから50nm程度の誘電体セラミック粉末を用いることが好ましい。導電材として用いる金属としてはNi,Cu,Ni−Cu合金、Ag−Pd合金等が使用でき、特に限定されない。
段差吸収層の組成は、誘電体セラミック層と同様の無機組成を無機主成分とし、副成分としては特に限定されないが、CuO、Cr2O3、MnO、V2O5、SiO2、MgO、TiO2、BaCO3、CaCO3、ZrO2、換算で少なくとも一種類以上を0.01mol以上2.00mol以下で示す範囲のものが好ましい。用意した原料粉末と、分散剤と、有機溶剤とを、ホモミキサーで混合し、ビーズミルにおいて分散、スラリー化した後に、有機ビヒクルを混ぜ、ホモミキサーで混合した後に、エバポレーター等で有機溶剤を所望の範囲で蒸発気化させた後に、3本ロールミルで混練することによって作製される。
以上のようにして得られた誘電体セラミックペースト、内部電極ペーストおよび段差吸収層用セラミックペーストを用いて、積層セラミックコンデンサを製造する。
脱バインダ工程における条件は、酸素分圧10−21atm以上10−16atm以下で、水素濃度0.1%以上4.0%以下の窒素水素混合ガス中で、トップ保持温度650℃以上850℃以下の条件で行う。昇温速度、保持時間は特に制限されず、残留カーボン量が0.1質量%以下になればよい。脱バインダ温度を低くすると、残留カーボンが多い為に、焼成工程において素子本体からカーボンが多く抜けていく為に、デラミネーションが発生しやすくなってしまう。
本発明の一実施形態における熱処理工程は、本発明で用いる端面電極部と接続部を有する構造とするため、特殊なホットプレス焼結法が用いられる。しかし、本発明の効果は構造体にあり、本発明の構造体が作製できる方法であれば、どのような誘電体セラミックペースト、内部電極ペースト、段差吸収層用ペースト、各種焼成方法を用いても良く、例えばローラーハースキルン焼成、熱間等方圧加圧焼成、バッチ炉焼成等が例示される。
本発明における外部電極ペーストは、導電性粉末を主成分とし、副成分としてガラス粉末と有機ビヒクルを3本ロールミル等で混練して作製できる。導電性粉末は特に限定されることはないが少なくともCuを含み、粒子径としては平均粒子径が0.3μmから7.0μmのものを用いることが好ましい。この範囲に平均粒子径があることで、緻密な外部電極を作製することが可能となる。
本実施例では、(Ba0.96Ca0.04)(Ti0.85Zr0.15)O3+MgO(0.1質量部)+MnO(0.3質量部)+Y2O3(0.4質量部)+SiO2(0.3質量部)+V2O5(0.05質量部)の組成の誘電体層を有する積層セラミックコンデンサを製造した。まず、粒径0.1〜1μmのBaTiO3、CaTiO3、BaZrO3、MgCO3、MnCO3、Y2O3、SiO2の材料粉末を、ボールミルにより16時湿式混合し、乾燥することによって誘電粉末を用意した。
次いで、平均粒径0.15μmのNi粒子100質量部に対し、有機ビヒクル(エチルセルロース8質量部をブチルカルビトール92質量部に溶解したもの)40質量部と、ブチルカルビトール10質量部とを3本ロールにより混練してペースト化し、内部電極層用ペーストを得た。
誘電体セラミックペーストと同様の無機組成原料を、分散剤が溶解したメチルエチルケトン溶剤と混合し、ホモミキサーで混合撹拌しスラリー化した後、φ0.5mmのジルコニアビーズを用いて24時間解砕混合した。
前記記載の誘電体セラミックペーストを用いて、ドクターブレード法により、支持体としてのキャリアフィルム上に、誘電体グリーンシートを形成した。誘電体グリーンシートの厚みは、素子本体内部の1層あたりの誘電体セラミック層の厚みが0.5μmとなるように調整した。
実施例2は、段差吸収層用ペーストにCr2O3を0.7質量部追加し、実施例1と同様に作製した。
実施例3は、段差吸収層用ペーストにCuOを0.7質量部追加し、実施例1と同様に作製した。
実施例4は、段差吸収層用ペーストにMnOを0.7質量部追加し、実施例1と同様に作製した。
実施例5は、段差吸収層用ペーストにV2O5を0.7質量部追加し、実施例1と同様に作製した。
実施例6は、焼成時の加圧量を10MPaに変更し、実施例1と同様に作製した。なお、誘電体グリーンシートの厚みは、素子本体内部の1層あたりの誘電体セラミック層の厚みが0.5μmとなるように調整した。
実施例7は、焼成時の加圧量を15MPaに変更し、実施例1と同様に作製した。なお、誘電体グリーンシートの厚みは、素子本体内部の1層あたりの誘電体セラミック層の厚みが0.5μmとなるように調整した。
実施例8は、焼成時の加圧を20MPaに変更し、実施例1と同様に作製した。なお、誘電体グリーンシートの厚みは、素子本体内部の1層あたりの誘電体セラミック層の厚みが0.5μmとなるように調整した。
実施例9は、焼成時の加圧を40MPaに変更し、実施例1と同様に作製した。なお、誘電体グリーンシートの厚みは、素子本体内部の1層あたりの誘電体セラミック層の厚みが0.5μmとなるように調整した。
実施例10は、段差吸収層用ペーストにCr2O3を0.7質量部追加し、実施例7と同様に作製した。
比較例1は、ローラーハースキルン焼成装置に変更して、実施例1と同様に作製した。焼成時の雰囲気は、加湿した窒素と水素の混合ガスで、酸素分圧10−10atmの条件で焼成した。
比較例2は、外部電極ペーストと外部電極ペーストの焼付時の温度と雰囲気を変更して、比較例1と同様に作製した。外部電極ペーストは、第1の導電性フィラーとしてSnを25.6重量部、第2の導電性フィラーとしてAgを60重量部、熱硬化性のエポキシ樹脂を14.4重量部を秤量し、3本ロールミルで混練し作製した。
焼付け時の温度は520℃、雰囲気は窒素ガスで、酸素分圧10−6atmの条件とした。このような製造方法で作製された積層セラミックコンデンサの構造体は、素子本体側面の少なくとも1組の隣り合う内部電極の露出部を、内部電極から延出された接続部により互いに接続した構造体となるので、外侮電極と内部電極との接合面積が十分となり、静電容量の低下が抑制できる。
得られた積層セラミックコンデンサは以下の評価方法により、端面電極部の有無、3層以上が端面電極部で連結した内部電極層の割合、接続部の有無、接続部の主成分、接続部の副成分、静電容量、たわみ強度試験を評価した。
端面電極部の有無の評価方法は、得られた積層セラミックコンデンサの断面を、電界放出形走査電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて5000倍で観察し、誘電体セラミック層厚み、内部電極層厚みと端面電極部の有無を評価した。
接続部の有無、接続部の主成分と接続部の副成分の評価は、得られた積層セラミックコンデンサの接続部を走査型透過電子顕微鏡に付属のエネルギー分散型X線分光装置(EDS)を用いて、50万倍で観察した視野の線分析を行うことにより、評価を行った。
3層以上が端面電極部で連結した内部電極層の割合の評価は、得られた積層セラミックコンデンサの断面を、電界放出形走査電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて5000倍で10視野を観察し、端面電極部が3層以上の連結している内部電極の層数を評価し、内部電極層数に対する割合を算出した。
得られた積層セラミックコンデンサにおいて、LCRメーター(HP社製 4284A)を用いて1kHz、1.0Vrmsの条件で静電容量を測定し、実効静電容量を求めた。
作製した積層セラミックコンデンサを、はんだ(Sn96.5%−Ag3%−Cu0.5%)を用いてガラスエポキシ基板に実装した後、たわみ強度試験機を用いて、チップ型電子部品の実装部の下側から、ガラスエポキシ基板にたわみ応力を加え、基板曲げ試験を実施した。
2・・・内部電極層
3・・・素子本体素子
4・・・外部電極
10・・・積層セラミックコンデンサ
20・・・加圧パンチ加熱室
21・・・加圧室
22・・・パンチ
23・・・ステージ
24・・・ヒーター
25・・・プッシャー
26・・・受け
27・・・素子本体試料
28・・・高強度プレート
29・・・セラミック台
31・・・内部電極層
32・・・誘電体セラミック層
33・・・外部電極
34・・・端面電極部
35・・・接続部
Claims (4)
- 複数の誘電体セラミック層と複数の内部電極層とが交互に積層された素子本体と、前記素子本体の内部電極層が露出した端面に設けられた外部電極とを有する積層型セラミック電子部品であって、
前記素子本体の端面に露出した複数の内部電極層の少なくとも一部は、隣接する内部電極層を連結する端面電極部を有し、前記端面電極部と接する前記誘電体セラミック層との間に接続部を有し、端面電極部を覆うように外部電極が設けられていることを特徴とする、積層型セラミック電子部品。 - 前記接続部は、前記内部電極金属の酸化物を主成分とすることを特徴とする、請求項1に記載の積層型セラミック電子部品。
- 前記接続部の副成分は、V、Cr、Cu、Mn、Mg、Si、Ti、Ba、Ca、Zr、の酸化物のうち少なくともいずれか一種類を含むことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の積層型セラミック電子部品。
- 前記端面電極部のうち少なくとも3層以上の内部電極層を連結している端面電極部が存在し、端面電極部を介して、3層以上で連結している内部電極層の割合が10%以上であることを特徴とする、請求項1乃至請求項3に記載の積層型セラミック電子部品。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020088372A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ |
US11348732B2 (en) | 2019-07-08 | 2022-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
WO2024014235A1 (ja) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7040206B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2022-03-23 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
KR102257992B1 (ko) * | 2019-07-08 | 2021-05-28 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
JP7498912B2 (ja) * | 2019-12-06 | 2024-06-13 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
CN111584184B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-01-28 | 惠州市宏业兴电子有限公司 | 叠层片式陶瓷电感器 |
JP2022057916A (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2022136816A (ja) * | 2021-03-08 | 2022-09-21 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243650A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2008081350A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびその製法、ならびにコンデンサ |
JP2009012990A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP2010006634A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4840392B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-12-21 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP5600247B2 (ja) | 2008-06-11 | 2014-10-01 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品およびその製造方法 |
US9202640B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method thereof |
KR101655348B1 (ko) * | 2012-02-29 | 2016-09-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 도전성 페이스트, 및 전자부품, 그리고 전자부품의 제조방법 |
JP5835150B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2015-12-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243650A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2008081350A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびその製法、ならびにコンデンサ |
JP2009012990A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP2010006634A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020088372A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ |
US10903010B2 (en) | 2018-11-29 | 2021-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
JP2022031927A (ja) * | 2018-11-29 | 2022-02-22 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ |
JP7053095B2 (ja) | 2018-11-29 | 2022-04-12 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ |
US11393628B2 (en) | 2018-11-29 | 2022-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
JP7302900B2 (ja) | 2018-11-29 | 2023-07-04 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ |
US11348732B2 (en) | 2019-07-08 | 2022-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US11657978B2 (en) | 2019-07-08 | 2023-05-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
WO2024014235A1 (ja) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
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