JP2016110089A - パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1](A)熱・酸分解性重合体及び(B)有機溶剤を含むことを特徴とするパターン形成用リンス溶液。
[2](A)熱・酸分解性重合体が、下記式(1)又は(2)で表される繰り返し単位を含むものである[1]のパターン形成用リンス溶液。
[3](B)有機溶剤が、炭素数7〜10のケトン、炭素数6〜12のエステル、炭素数7〜14のアルデヒド、炭素数6〜12のアルカン、炭素数6〜12のアルケン、炭素数6〜12のアルキン、炭素数3〜10のアルコール、炭素数8〜12のエーテル及び芳香族系溶剤から選ばれる少なくとも1種である[1]又は[2]のパターン形成用リンス溶液。
[4](B)有機溶剤が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−デカノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸2−メチルブチル、酢酸3−メチルブチル、カプロン酸エチル、酢酸ヘキシル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、2−メチル酪酸イソプロピル、3−メチル酪酸イソアミル、2−メチル吉草酸エチル、2−メチルペンタン酸エチル、2−メチルペンタン酸プロピル、2−メチルペンタン酸ブチル、ヘプタン酸アリル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチル、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、ヘキシン、ヘプチン、オクチン、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、t−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、t−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、シクロヘキサノール、1−オクタノール、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−s−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−s−ペンチルエーテル、ジ−t−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、t−ブチルベンゼン、メシチレン、及びアニソールから選ばれる1種又は2種以上である[3]のパターン形成用リンス溶液。
[5]更に、熱酸発生剤を含む[1]〜[4]のいずれかのパターン形成用リンス溶液。
[6]熱酸発生剤が、スルホン酸、カルボン酸及びイミド酸から選ばれる有機酸のアンモニウム塩若しくはスルホニウム塩、スルホン酸エステル、又は下記式で表されるピリジニウム塩である[5]のパターン形成用リンス溶液。
[7]更に、塩基性化合物を含む[1]〜[6]のいずれかのパターン形成用リンス溶液。
[8](1)基板上に、酸の作用により現像液に対する溶解度が変化する樹脂を含むレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜を露光し、加熱する工程、
(3)有機溶剤現像液により現像する工程、
(4)[1]〜[7]のいずれかのリンス溶液で前記現像液を置換する工程、及び
(5)加熱により前記熱・酸分解性重合体を分解除去する工程
を含むパターン形成方法。
[9]前記現像液が2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸2−メチルブチル、酢酸3−メチルブチル、カプロン酸エチル、酢酸ヘキシル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、2−メチル酪酸イソプロピル、3−メチル酪酸イソアミル、2−メチルペンタン酸エチル、2−メチルペンタン酸プロピル、2−メチルペンタン酸ブチル、ヘプタン酸アリル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、及び酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上である[8]のパターン形成方法。
[10]前記露光が、波長364nmのi線、波長248nmのKrFエキシマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザー、波長13.5nmのEUV、又は電子線を用いて行われる[8]又は[9]のパターン形成方法。
本発明のリンス溶液は、(A)熱・酸分解性重合体及び(B)有機溶剤を含むものである。
本発明のパターン形成方法は、
(1)基板上に、酸の作用により現像液に対する溶解度が変化する樹脂を含むレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜を露光し、加熱する工程、
(3)有機溶剤現像液により現像する工程、
(4)本発明のリンス溶液で前記現像液を置換する工程、及び
(5)加熱により前記熱・酸分解性重合体を分解除去する工程
を含むものである。
[合成例1]ポリマー1の合成
陽イオン交換樹脂(アンバーリスト(登録商標)15)3.8g及び酢酸エチル100gの混合物に、ジエチレングリコールモノビニルエーテル100gを室温で加え、更に3時間攪拌した。トリエチルアミン0.8gを加えて反応を停止後、ろ過によって陽イオン交換樹脂を除去した。ろ液を減圧濃縮することにより、ポリマー1を高粘性の液体として得た。
ポリマー1
分子量(Mw)=4,900
分散度(Mw/Mn)=2.33
合成例1のジエチレングリコールモノビニルエーテル100gを1,4−シクロヘキサンジメタノール129gに換えた以外は合成例1と同様の反応を行い、ポリマー2を高粘性の液体として得た。
ポリマー2
Mw=6,000
Mw/Mn=2.57
−70℃に冷却したトルエン20mL中に、2−ヒドロキシビニルエーテル3g、ベンズアルデヒド4g及びメタンスルホン酸0.01gを加えて、48時間反応させた。アンモニア性メタノールを0.02g添加して反応を終了させ、ろ液を減圧濃縮することにより、ポリマー3を得た。
ポリマー3
Mw=5,400
Mw/Mn=2.33
2Lのフラスコに、メタクリル酸3−t−ブチル−3−シクロペンチル10.5g、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル2.5g、メタクリル酸3−エチル−3−エキソテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル4.4g、メタクリル酸テトラヒドロ−2−オキソフラン−3−イル3.4g、及び溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60℃まで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体をろ過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C−NMR、1H−NMR及びGPCで測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
メタクリル酸3−t−ブチル−3−シクロペンチル:メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル:メタクリル酸3−エチル−3−エキソテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル:メタクリル酸テトラヒドロ−2−オキソフラン−3−イル=0.50:0.10:0.20:0.20レジストポリマー1
Mw=7,500
Mw/Mn=1.61
下記表1の組成に従って、ポリマー1〜3、熱酸発生剤、塩基性化合物、溶剤を混合した後、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターでろ過して、リンス溶液を調製した。
レジストポリマー1を用いて、下記表2に示す組成で溶解させた3M社製の界面活性剤FC-4430を100ppm含む溶液を0.2μmサイズのフィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。なお、表2中、PGMEAは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
[実施例1〜17、比較例1〜2]
前記レジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL-102を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A940を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製NSR-610C、NA1.30、σ0.98/0.78、ダイポール開口20度、Azimuthally偏光照明、ウエハー上寸法が40nmラインアンドスペース1:1のパターンの6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて露光量を変化させながら露光を行い、露光後90℃で60秒間ベーク(PEB)し、酢酸n−ブチルで30秒間パドル現像して表1記載のリンス溶液を塗布し、ネガティブパターン間をリンス溶液に含有されているポリマーで埋め、表3に記載の温度で60秒間ベークし、リンス溶液のポリマーを蒸発させてネガティブパターンを形成した。比較例1としては、酢酸n−ブチルで30秒間パドル現像まで前記実施例と同じで、スピンドライで現像液を蒸発させた。比較例2としては、前記実施例と同じく酢酸n−ブチルで30秒間パドル現像後、4−メチル−2−ペンタノールでリンスを行い、スピンドライと100℃、60秒間ベークによってリンス溶液を蒸発させた。リンス溶液蒸発後のピッチ80nmの最小のライン幅の寸法を測長SEM((株)日立製作所製CG-4000)で測定した。結果を表3に示す。
20 被加工膜
30 レジスト膜
30a レジストパターン
40 露光
50 現像液
60 リンス溶液
Claims (10)
- (A)熱・酸分解性重合体及び(B)有機溶剤を含むことを特徴とするパターン形成用リンス溶液。
- (B)有機溶剤が、炭素数7〜10のケトン、炭素数6〜12のエステル、炭素数7〜14のアルデヒド、炭素数6〜12のアルカン、炭素数6〜12のアルケン、炭素数6〜12のアルキン、炭素数3〜10のアルコール、炭素数8〜12のエーテル及び芳香族系溶剤から選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2記載のパターン形成用リンス溶液。
- (B)有機溶剤が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−デカノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸2−メチルブチル、酢酸3−メチルブチル、カプロン酸エチル、酢酸ヘキシル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、2−メチル酪酸イソプロピル、3−メチル酪酸イソアミル、2−メチル吉草酸エチル、2−メチルペンタン酸エチル、2−メチルペンタン酸プロピル、2−メチルペンタン酸ブチル、ヘプタン酸アリル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチル、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、ヘキシン、ヘプチン、オクチン、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、t−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、t−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、シクロヘキサノール、1−オクタノール、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−s−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−s−ペンチルエーテル、ジ−t−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、t−ブチルベンゼン、メシチレン、及びアニソールから選ばれる1種又は2種以上である請求項3記載のパターン形成用リンス溶液。
- 更に、熱酸発生剤を含む請求項1〜4のいずれか1項記載のパターン形成用リンス溶液。
- 更に、塩基性化合物を含む請求項1〜6のいずれか1項記載のパターン形成用リンス溶液。
- (1)基板上に、酸の作用により現像液に対する溶解度が変化する樹脂を含むレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜を露光し、加熱する工程、
(3)有機溶剤現像液により現像する工程、
(4)請求項1〜7のいずれか1項記載のリンス溶液で前記現像液を置換する工程、及び
(5)加熱により前記熱・酸分解性重合体を分解除去する工程
を含むパターン形成方法。 - 前記現像液が2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸2−メチルブチル、酢酸3−メチルブチル、カプロン酸エチル、酢酸ヘキシル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、2−メチル酪酸イソプロピル、3−メチル酪酸イソアミル、2−メチルペンタン酸エチル、2−メチルペンタン酸プロピル、2−メチルペンタン酸ブチル、ヘプタン酸アリル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、及び酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上である請求項8記載のパターン形成方法。
- 前記露光が、波長364nmのi線、波長248nmのKrFエキシマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザー、波長13.5nmの極端紫外線、又は電子線を用いて行われる請求項8又は9記載のパターン形成方法。
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---|---|---|---|
JP2014239498 | 2014-11-27 | ||
JP2014239498 | 2014-11-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016110089A true JP2016110089A (ja) | 2016-06-20 |
JP6455397B2 JP6455397B2 (ja) | 2019-01-23 |
Family
ID=56079142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015214475A Active JP6455397B2 (ja) | 2014-11-27 | 2015-10-30 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9798242B2 (ja) |
JP (1) | JP6455397B2 (ja) |
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2015
- 2015-10-30 JP JP2015214475A patent/JP6455397B2/ja active Active
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US9798242B2 (en) | 2017-10-24 |
US20160154312A1 (en) | 2016-06-02 |
JP6455397B2 (ja) | 2019-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171121 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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