JP2016106181A - 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 - Google Patents
鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016106181A JP2016106181A JP2016052176A JP2016052176A JP2016106181A JP 2016106181 A JP2016106181 A JP 2016106181A JP 2016052176 A JP2016052176 A JP 2016052176A JP 2016052176 A JP2016052176 A JP 2016052176A JP 2016106181 A JP2016106181 A JP 2016106181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dithia
- tin
- composition
- silver
- compounds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/34—Electroplating: Baths therefor from solutions of lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Description
産業界は、堆積物の組成が、この物質が所定の用途には高すぎるまたは低すぎる温度で溶融するのを妨げるように効率的に制御されることを望んでいる。劣った組成制御は、結果的に、処理される成分が耐えることができない高すぎる温度、またはその対極である、不完全なはんだ接合の形成をもたらす場合がある。
別の態様において、方法は、1種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオン、銅イオンおよびビスマスイオンからなる群から選択される、1種以上の合金形成金属イオン源、1種以上のフラボン化合物、および式:HOR(R’’)SR’SR(R’’)OH(式中、R、R’およびR’’は同じかまたは異なっており、かつ1〜20の炭素原子を有するアルキレン基である)を有する1種以上の化合物を含む組成物と基体とを接触させ;並びに当該組成物に電流を流して、スズ合金を基体上に堆積させる;ことを含む。
さらなる態様において、方法は、(a)複数の相互接続バンプパッドを有する半導体ダイを提供し;(b)相互接続バンプパッド上にシード層を形成し;(c)1種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオン、銅イオンおよびビスマスイオンからなる群から選択される1種以上の合金形成金属イオン源、1種以上のフラボン化合物、および式:HOR(R’’)SR’SR(R’’)OH(式中、R、R’およびR’’は同じかまたは異なっており、かつ1〜20の炭素原子を有するアルキレン基である)を有する1種以上の化合物を含む組成物と半導体ダイとを接触させることにより、相互接続バンプパッド上にスズ−合金相互接続バンプ層を堆積させ;並びに(d)相互接続バンプ層をリフローする;ことを含む。
メタンスルホン酸スズからの50g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、70g/Lのメタンスルホン酸、8g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、1g/Lのエチルマルトール、4g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、30mg/Lのペンタヒドロキシフラボン、1g/Lのヒドロキノンモノスルホン酸カリウム塩および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、電解質組成物が製造された。銅シード上にフォトレジストでパターン形成された120μm(直径)×50μm(深さ)のバイアを有する4cm×4cmのウェハセグメントがガラス容器中の組成物に浸せきされ、6A/dm2の電流密度でスズ−銀の層をめっきした。
得られたスズ−銀層の形態は日立S2460商標走査型電子顕微鏡で検査された。堆積物は均一で、なめらかで、コンパクトであって、ノジュールはなかった。
サンプルについて得られたスズ−銀層の銀濃度はAAS法によって測定された。測定に使用されたAAS装置はVarian,Inc.(パロアルト、カリフォルニア州)によって製造された。この方法は次の工程を含んでいた:1)フォトレジストが除去された;2)シード層が除かれた;3)各スズ−銀層の重量が測定された、すなわち、平均10mg;4)各スズ−銀層が次いで10〜20mLの30〜40%硝酸を有する別の容器内で溶解された(スズ−銀を溶解するのに必要な場合には、より多くの硝酸が添加された);5)次いで、溶解したスズ−銀を各ビーカーから別の100mLフラスコに移し、脱イオン水で一定の体積し、混合した;並びに6)各溶液中の銀の量を測定し、式:%Ag=[10×AASAg(ppm)]/重量(mg)を用いて、堆積物中の銀の濃度を決定した。スズ−銀層は平均で2.75重量%の銀を含んでいた。
メタンスルホン酸スズからの50g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、70g/Lのメタンスルホン酸、1g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、1g/Lのエチルマルトール、4g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、10mg/Lのペンタヒドロキシフラボン、1g/Lのヒドロキノンモノスルホン酸カリウム塩および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、電解質組成物が製造された。フォトレジストでパターン形成された120μm(直径)×50μm(深さ)のバイア、銅シード層、および5μmの銅スタッドを有する4cm×4cmのウェハセグメントがガラス容器中の組成物に浸せきされ、6A/dm2の電流密度でスズ−銀の層をめっきした。めっき後、フォトレジストおよび露出した銅シード層は除かれ、スズ−銀層が日立S2460商標走査型電子顕微鏡で検査された。堆積物は均一で、なめらかで、コンパクトであり、かつノジュールはなかった。
スズ−銀層は、次いで、リフローされてバンプを形成し、このバンプはWBI−Fox X線検査システムを用いて検査された。検出解像度は0.3μmであった。検査はYxlon Internationalによってなされた。バンプ中に空隙は認められなかった。
スズ−銀層バンプの銀濃度は上記実施例1のAAS法によって測定された。スズ−銀バンプのいくつかが、取り付けられたその銅スタッドを伴って外れた場合には、バンプの組成は、式:%Ag=[10×AASAg(ppm)]/{重量(mg)−0.1×[AASCu(ppm)]}を用いて、測定された重量からスタッドの銅含有量を引くことにより銅スタッドについて調整された。スズ−銀バンプは平均で3重量%の銀を含んでいた。
メタンスルホン酸スズからの50g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、70g/Lのメタンスルホン酸、8g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、1g/Lのエチルマルトール、4g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、50mg/Lのペンタヒドロキシフラボン、1g/Lのヒドロキノンモノスルホン酸カリウム塩および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、電解質組成物が製造された。フォトレジストでパターン形成された120μm(直径)×50μm(深さ)のバイア、銅シード層、および5μmの銅スタッドを有する4cm×4cmのウェハセグメントがガラス容器中の組成物に浸せきされ、6A/dm2の電流密度でスズ−銀の層をめっきした。めっき後、フォトレジストおよび銅シード層は除かれ、得られたスズ−銀層の形態が上述のように走査型電子顕微鏡で検査された。堆積物は均一で、なめらかで、コンパクトであり、かつノジュールはなかった。
スズ−銀層は、次いで、リフローされてバンプを形成し、WBI−Fox X線検査システムを用いて検査された。バンプ中に空隙は認められなかった。
スズ−銀バンプは、次いで、銀濃度について、上記実施例1および2のAAS法を用いて分析された。このバンプは平均で2.56重量%の銀濃度を有していた。
メタンスルホン酸スズからの50g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、70g/Lのメタンスルホン酸、5g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、1g/Lのエチルマルトール、7g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、30mg/Lのペンタヒドロキシフラボン、1g/Lのヒドロキノンモノスルホン酸カリウム塩および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、電解質組成物が製造された。フォトレジストでパターン形成された120μm(直径)×50μm(深さ)のバイア、銅シード層、および5μmの銅スタッドを有する4cm×4cmのウェハセグメントがガラス容器中の組成物に浸せきされ、6A/dm2の電流密度でスズ−銀の層をめっきした。めっき後、フォトレジストおよび銅シード層は除かれ、スズ−銀層の形態が日立走査型電子顕微鏡で検査された。堆積物は均一で、なめらかで、コンパクトであり、かつノジュールはなかった。
スズ−銀層は、次いで、リフローされてバンプを形成し、WBI−Fox X線検査システムを用いて検査された。バンプ中に空隙は認められなかった。
スズ−銀バンプの銀濃度は、上記AAS法によって測定された。このバンプは平均で2.74重量%の銀を含んでいた。
メタンスルホン酸スズからの50g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、67.5g/Lの70%メタンスルホン酸、2.7g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、1g/Lのエチルマルトール、4g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、50mg/Lのペンタヒドロキシフラボン、1g/Lのヒドロキノンモノスルホン酸カリウム塩および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、電解質組成物が製造された。25℃で行われる空気スパージングをしながら、電解質の300mLを1000mLメスシリンダーに入れた。20cm3の泡が生じた。スチールハルセル(Hull cell)試験パネル片をハルセル中の組成物に浸せきし、3Aの電流で2分間スズ−銀の層をめっきした。達成された最も高い堆積速度は5.3μm/分であった。
メタンスルホン酸スズからの20g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.5g/Lの銀、150g/Lの70%メタンスルホン酸、2g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、4g/Lのエトキシ化ノニルフェノール(14エチレンオキシド単位)、および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、従来の電解質組成物が製造された。25℃で行われる空気スパージングをしながら、電解質の300mLを1000mLメスシリンダーに入れた。安定な600cm3の泡が生じた。スチールハルセル試験パネル片をハルセル中の組成物に浸せきし、3Aの電流で2分間スズ−銀の層をめっきした。達成された最も高い堆積速度は2.4μm/分であった。実施例5の電解質組成物と比較して、従来の電解質組成物は望ましくない水準の泡形成性を有していた。また、実施例5の電解質組成物の堆積速度は従来の組成物の堆積速度よりも大きかった。
メタンスルホン酸スズからの50g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、70g/Lのメタンスルホン酸、8g/Lの3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、1g/Lのエチルマルトール、4g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、および脱イオン水(残り)を30℃で合わせることにより、従来の電解質組成物が製造された。フォトレジストでパターン形成された120μm(直径)×50μm(深さ)のバイアを有する4cm×4cmの銅シードウェハセグメントがガラス容器中の組成物に浸せきされ、6A/dm2の電流密度でスズ−銀の層をめっきした。得られたスズ−銀層の形態が日立走査型電子顕微鏡で検査された。その層はなめらかで、コンパクトであり、かつノジュールはなかった。しかし、このスズ−銀層はZeiss Axiovert 100A光学顕微鏡のもとでは不均一であった。よって、実施例1〜4のスズ合金組成物で製造されたスズ−銀合金層は、従来の合金によって製造されたスズ−銀層と比較して改良されたスズ−銀形態を有していた。
Claims (6)
- 1種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオンおよびビスマスイオンから選択される、1種以上の合金形成金属イオン源、1種以上のフラボン化合物、並びに2,4−ジチア−1,5−ペンタンジオール、2,5−ジチア−1,6−ヘキサンジオール、2,6−ジチア−1,7−ヘプタンジオール、2,7−ジチア−1,8−オクタンジオール、2,8−ジチア−1,9−ノナンジオール、2,9−ジチア−1,10−デカンジオール、2,11−ジチア−1,12−ドデカンジオール、5,8−ジチア−1,12−ドデカンジオール、2,15−ジチア−1,16−ヘキサデカンジオール、2,21−ジチア−1,22−ドエイカサンジオール、3,5−ジチア−1,7−ヘプタンジオール、3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、3,8−ジチア−1,10−デカンジオール、3,10−ジチア−1,8−ドデカンジオール、3,13−ジチア−1,15−ペンタデカンジオール、3,18−ジチア−1,20−エイコサンジオール、4,6−ジチア−1,9−ノナンジオール、4,7−ジチア−1,10−デカンジオール、4,11−ジチア−1,14−テトラデカンジオール、4,15−ジチア−1,18−オクタデカンジオール、4,19−ジチア−1,22−ドデエイコサンジオール、5,7−ジチア−1,11−ウンデカンジオール、5,9−ジチア−1,13−トリデカンジオール、5,13−ジチア−1,17−ヘプタデカンジオール、5,17−ジチア−1,21−ウンエイコサンジオール、および1,8−ジメチル−3,6−ジチア−1,8−オクタンジオールから選択される1種以上の化合物を含む、電気めっき用組成物。
- 1種以上の粒子微細化剤/安定化剤化合物をさらに含む、請求項1に記載の電気めっき用組成物。
- 前記合金形成金属のイオンが銀である、請求項1に記載の電気めっき用組成物。
- 前記1種以上のフラボン化合物が、ペンタヒドロキシフラボン、クリシン、フィセチン、ルチン、クエルセチン、ミリセチンおよびクエルシトリンから選択される、請求項1に記載の電気めっき用組成物。
- 1種以上の抑制剤をさらに含む、請求項1に記載の電気めっき用組成物。
- a)1種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオンおよびビスマスイオンからなる群から選択される、1種以上の合金形成金属イオン源、1種以上のフラボン化合物、並びに2,4−ジチア−1,5−ペンタンジオール、2,5−ジチア−1,6−ヘキサンジオール、2,6−ジチア−1,7−ヘプタンジオール、2,7−ジチア−1,8−オクタンジオール、2,8−ジチア−1,9−ノナンジオール、2,9−ジチア−1,10−デカンジオール、2,11−ジチア−1,12−ドデカンジオール、5,8−ジチア−1,12−ドデカンジオール、2,15−ジチア−1,16−ヘキサデカンジオール、2,21−ジチア−1,22−ドエイカサンジオール、3,5−ジチア−1,7−ヘプタンジオール、3,6−ジチア−1,8−オクタンジオール、3,8−ジチア−1,10−デカンジオール、3,10−ジチア−1,8−ドデカンジオール、3,13−ジチア−1,15−ペンタデカンジオール、3,18−ジチア−1,20−エイコサンジオール、4,6−ジチア−1,9−ノナンジオール、4,7−ジチア−1,10−デカンジオール、4,11−ジチア−1,14−テトラデカンジオール、4,15−ジチア−1,18−オクタデカンジオール、4,19−ジチア−1,22−ドデエイコサンジオール、5,7−ジチア−1,11−ウンデカンジオール、5,9−ジチア−1,13−トリデカンジオール、5,13−ジチア−1,17−ヘプタデカンジオール、5,17−ジチア−1,21−ウンエイコサンジオール、および1,8−ジメチル−3,6−ジチア−1,8−オクタンジオールから選択される1種以上の化合物を含む組成物と基体とを接触させ;並びに
b)前記組成物に電流を流して、スズ合金を前記基体上に堆積させる;
ことを含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US20404408P | 2008-12-31 | 2008-12-31 | |
US61/204,044 | 2008-12-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014243538A Division JP6140132B2 (ja) | 2008-12-31 | 2014-12-01 | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016106181A true JP2016106181A (ja) | 2016-06-16 |
JP6169211B2 JP6169211B2 (ja) | 2017-07-26 |
Family
ID=42199934
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000141A Pending JP2010174373A (ja) | 2008-12-31 | 2010-01-04 | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 |
JP2014243538A Active JP6140132B2 (ja) | 2008-12-31 | 2014-12-01 | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 |
JP2016052176A Active JP6169211B2 (ja) | 2008-12-31 | 2016-03-16 | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000141A Pending JP2010174373A (ja) | 2008-12-31 | 2010-01-04 | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 |
JP2014243538A Active JP6140132B2 (ja) | 2008-12-31 | 2014-12-01 | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7968444B2 (ja) |
EP (1) | EP2221396A1 (ja) |
JP (3) | JP2010174373A (ja) |
KR (1) | KR101651920B1 (ja) |
CN (1) | CN102051645B (ja) |
TW (2) | TWI579415B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015036449A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 石原ケミカル株式会社 | 電気高純度スズ又はスズ合金メッキ浴及び当該メッキ浴で形成した突起電極 |
CN110249076A (zh) * | 2017-01-31 | 2019-09-17 | 三菱综合材料株式会社 | 锡合金镀液 |
KR20200034606A (ko) | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 전해 Sn 도금액 |
KR20200043273A (ko) | 2018-10-17 | 2020-04-27 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 전해 Sn 합금 도금액 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9221081B1 (en) | 2011-08-01 | 2015-12-29 | Novellus Systems, Inc. | Automated cleaning of wafer plating assembly |
US9988734B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US10066311B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-09-04 | Lam Research Corporation | Multi-contact lipseals and associated electroplating methods |
US9228270B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-01-05 | Novellus Systems, Inc. | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US9390984B2 (en) * | 2011-10-11 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray inspection of bumps on a semiconductor substrate |
CN102517615A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-27 | 张家港舒马克电梯安装维修服务有限公司镀锌分公司 | 一种Sn-Ag合金电镀液 |
US8888984B2 (en) | 2012-02-09 | 2014-11-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
CN102605394B (zh) * | 2012-03-07 | 2015-02-18 | 深圳市华傲创表面技术有限公司 | 一种无氰酸性白铜锡电镀液 |
SG10201608038VA (en) * | 2012-03-28 | 2016-11-29 | Novellus Systems Inc | Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders |
US8980077B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-03-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
KR102092416B1 (ko) | 2012-03-30 | 2020-03-24 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝 |
EP2722419B1 (en) | 2012-10-19 | 2018-08-15 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Thin-tin tinplate |
JP6133056B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-05-24 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | スズまたはスズ合金めっき液 |
US10416092B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-09-17 | Lam Research Corporation | Remote detection of plating on wafer holding apparatus |
US9389192B2 (en) | 2013-03-24 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps |
US9512529B2 (en) * | 2013-06-04 | 2016-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroplating baths of silver and tin alloys |
US8877630B1 (en) * | 2013-11-12 | 2014-11-04 | Chipmos Technologies Inc. | Semiconductor structure having a silver alloy bump body and manufacturing method thereof |
US10889907B2 (en) | 2014-02-21 | 2021-01-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Cyanide-free acidic matte silver electroplating compositions and methods |
US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
US9368340B2 (en) * | 2014-06-02 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Metallization of the wafer edge for optimized electroplating performance on resistive substrates |
JP6618241B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2019-12-11 | 上村工業株式会社 | 錫電気めっき浴および錫めっき皮膜 |
KR101636361B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2016-07-06 | 주식회사 에이피씨티 | 과불소화알킬 계면활성제를 함유하는 솔더범프용 주석합금 전기도금액 |
US20170204528A1 (en) * | 2014-08-08 | 2017-07-20 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Copper-tin alloy plating bath |
US20160298249A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-10-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Cyanide-free electroplating baths for white bronze based on copper (i) ions |
US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
CN104593835B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-10-24 | 广东羚光新材料股份有限公司 | 用于片式元器件端电极电镀的中性镀锡液 |
US10053793B2 (en) | 2015-07-09 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking |
JP6555455B1 (ja) * | 2017-11-01 | 2019-08-07 | 日本製鉄株式会社 | 電気Snめっき鋼板 |
CN107723760A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-02-23 | 江苏澳光电子有限公司 | 一种Au‑Ag合金表面电镀液及其应用 |
EP3578693B1 (en) * | 2018-06-08 | 2020-04-15 | ATOTECH Deutschland GmbH | Aqueous composition for depositing a tin silver alloy and method for electrolytically depositing such an alloy |
US20200032409A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | The Boeing Company | Compositions and Methods for Electrodepositing Tin-Bismuth Alloys on Metallic Substrates |
US11242609B2 (en) * | 2019-10-15 | 2022-02-08 | Rohm and Hass Electronic Materials LLC | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
CN110760902B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-01-25 | 上海天承化学有限公司 | 一种锡电镀液及其制备方法和应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1060682A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-03-03 | Atotech Deutsche Gmbh | 錫あるいは錫合金を電気分解により析出させるための水溶液 |
JP2000328286A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-28 | Yuken Kogyo Kk | 錫−銀系合金電気めっき浴 |
JP2001234387A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-31 | Yuken Industry Co Ltd | 錫系電気めっきのウィスカー発生防止剤および防止方法 |
WO2002024979A1 (de) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Dr.-Ing. Max Schlötter Gmbh & Co. Kg | Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-kupfer-legierungsschichten |
JP2003258014A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Megic Corp | 半導体表面上に金属バンプを形成する方法 |
JP2006117980A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Ishihara Chem Co Ltd | 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴 |
JP2006265572A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4390709A (en) * | 1976-11-11 | 1983-06-28 | Pfizer Inc. | Preparation of gamma-pyrones |
DE2921241A1 (de) * | 1979-04-19 | 1980-10-23 | Alusuisse | Saurer zinn-ii-haltiger elektrolyt |
EP0319997B1 (en) | 1987-12-10 | 1995-10-04 | LeaRonal, Inc. | Tin, lead or tin/lead alloy electrolytes for high speed electroplating |
US5162585A (en) * | 1991-04-08 | 1992-11-10 | Phillips Petroleum Company | Preparation of dihydroxy bis-sulfides |
US5378347A (en) | 1993-05-19 | 1995-01-03 | Learonal, Inc. | Reducing tin sludge in acid tin plating |
US5492615A (en) * | 1994-11-22 | 1996-02-20 | Learonal Inc. | Cyclodextrin stabilization of organic metal finishing additives in aqueous metal treating baths |
KR100219806B1 (ko) | 1997-05-27 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체장치의 플립 칩 실장형 솔더 범프의 제조방법, 이에 따라 제조되는 솔더범프 및 그 분석방법 |
US5939565A (en) * | 1997-11-03 | 1999-08-17 | Cultor Food Science, Inc. | Recovery of γ-pyrones |
US6210556B1 (en) * | 1998-02-12 | 2001-04-03 | Learonal, Inc. | Electrolyte and tin-silver electroplating process |
JP3718790B2 (ja) | 1998-12-24 | 2005-11-24 | 石原薬品株式会社 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
US7628903B1 (en) * | 2000-05-02 | 2009-12-08 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Silver and silver alloy plating bath |
DE10026680C1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-02-21 | Schloetter Fa Dr Ing Max | Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Silber-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
DE60113333T2 (de) * | 2000-07-01 | 2006-07-06 | Shipley Co., L.L.C., Marlborough | Metalllegierungszusammensetzungen und damit verbundene Plattierungsmethoden |
DE60226196T2 (de) * | 2001-05-24 | 2009-05-14 | Shipley Co., L.L.C., Marlborough | Zinn-Plattieren |
JP4179165B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-11-12 | 日本ゼオン株式会社 | 部分めっき方法、部分めっき樹脂基材、及び多層回路基板の製造方法 |
JP4758614B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2011-08-31 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 電気めっき組成物および方法 |
CN1261399C (zh) * | 2003-06-11 | 2006-06-28 | 浙江新和成股份有限公司 | 异戊醛的制备方法 |
US7713859B2 (en) * | 2005-08-15 | 2010-05-11 | Enthone Inc. | Tin-silver solder bumping in electronics manufacture |
JP4055823B1 (ja) * | 2007-03-12 | 2008-03-05 | 東洋インキ製造株式会社 | 帯電防止剤およびその用途 |
-
2009
- 2009-03-18 EP EP09155456A patent/EP2221396A1/en not_active Withdrawn
- 2009-12-29 TW TW102121310A patent/TWI579415B/zh active
- 2009-12-29 TW TW098145441A patent/TWI402380B/zh active
- 2009-12-30 KR KR1020090134621A patent/KR101651920B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-31 US US12/655,554 patent/US7968444B2/en active Active
- 2009-12-31 CN CN2009102668168A patent/CN102051645B/zh active Active
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2010000141A patent/JP2010174373A/ja active Pending
-
2014
- 2014-12-01 JP JP2014243538A patent/JP6140132B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-16 JP JP2016052176A patent/JP6169211B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1060682A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-03-03 | Atotech Deutsche Gmbh | 錫あるいは錫合金を電気分解により析出させるための水溶液 |
JP2000328286A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-28 | Yuken Kogyo Kk | 錫−銀系合金電気めっき浴 |
JP2001234387A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-31 | Yuken Industry Co Ltd | 錫系電気めっきのウィスカー発生防止剤および防止方法 |
WO2002024979A1 (de) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Dr.-Ing. Max Schlötter Gmbh & Co. Kg | Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-kupfer-legierungsschichten |
JP2003258014A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Megic Corp | 半導体表面上に金属バンプを形成する方法 |
JP2006117980A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Ishihara Chem Co Ltd | 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴 |
JP2006265572A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015036449A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 石原ケミカル株式会社 | 電気高純度スズ又はスズ合金メッキ浴及び当該メッキ浴で形成した突起電極 |
CN110249076A (zh) * | 2017-01-31 | 2019-09-17 | 三菱综合材料株式会社 | 锡合金镀液 |
KR20200034606A (ko) | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 전해 Sn 도금액 |
KR20200043273A (ko) | 2018-10-17 | 2020-04-27 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 전해 Sn 합금 도금액 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7968444B2 (en) | 2011-06-28 |
JP6169211B2 (ja) | 2017-07-26 |
TW201037103A (en) | 2010-10-16 |
KR20100080481A (ko) | 2010-07-08 |
JP2015045094A (ja) | 2015-03-12 |
JP2010174373A (ja) | 2010-08-12 |
EP2221396A1 (en) | 2010-08-25 |
CN102051645A (zh) | 2011-05-11 |
TWI402380B (zh) | 2013-07-21 |
TWI579415B (zh) | 2017-04-21 |
CN102051645B (zh) | 2013-05-08 |
US20100216302A1 (en) | 2010-08-26 |
JP6140132B2 (ja) | 2017-05-31 |
TW201343981A (zh) | 2013-11-01 |
KR101651920B1 (ko) | 2016-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6169211B2 (ja) | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 | |
JP4758614B2 (ja) | 電気めっき組成物および方法 | |
US8888984B2 (en) | Plating bath and method | |
KR101729658B1 (ko) | 은 및 주석 합금의 전기도금조 | |
JP6482822B2 (ja) | めっき浴および方法 | |
KR20150051926A (ko) | 도금 배쓰 및 방법 | |
TWI519682B (zh) | 銀和錫合金之電鍍浴 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170622 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6169211 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |