JP2016104905A - 貫通孔の充填 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の貫通孔を有する幅5cm、長さ15cm、及び厚さ200μmのFR4/ガラスエポキシ試験片は、Tech Circuitによって提供されたものであった。貫通孔は、100μmの平均直径を有した。試験片をCIRCUPOSIT(商標)880無電解プロセスめっき配合物及び方法(Dow Electronic Materials(Marlborough,MA)から入手可能)でめっきして、試験片の一側面及び貫通孔の壁に銅層を形成した。試験片上の銅層の厚さは、0.3μmであった。従来の銅洗浄剤を用いて試験片を事前に洗浄した。その後、試験片を、表1に示される式を有する銅電気めっき浴を含んだハーリングセル内に設置した。
複数の貫通孔を有する幅5cm、長さ15cm、及び厚さ200μmの6つのFR4/ガラスエポキシ試験片は、Tech Circuitによって提供されたものであった。貫通孔は、100μmの平均直径を有した。試験片をCIRCUPOSIT(商標)880無電解プロセスめっき配合物及び方法(Dow Electronic Materials(Marlborough,MA)から入手可能)でめっきして、試験片の一側面及び貫通孔の壁に銅層を形成した。各試験片上の銅層の厚さは、0.3μmであった。従来の銅洗浄剤を用いて試験片を事前に洗浄した。その後、試験片を、上の表1に示される式を有する銅電気めっき浴を含んだハーリングセル内に設置した。
100μmの平均直径を有する貫通孔を有する幅5cm、長さ15cm、及び厚さ200μmの4つのFR4/ガラスエポキシ試験片を用いて、実施例2に記載の方法を繰り返した。順方向パルス時間は、20ミリ秒または35ミリ秒のいずれかであり、遮断時間は、1ミリ秒または2ミリ秒のいずれかであった。逆方向電流は存在しなかった。上の実施例2に記載されるように、試験片を薄片化し、ディンプルサイズ及びパーセントボイド面積について分析した。1ミリ秒間電流遮断して順方向電流密度で20ミリ秒間めっきした試験片は、4.3μmの平均ディンプルサイズを有し、2ミリ秒間電流遮断した試験片は、5.4μmの平均ディンプルサイズを有した。1ミリ秒間遮断して順方向電流密度で35ミリ秒間めっきした試験片は、−2.78の平均ディンプルサイズを有し、2ミリ秒間遮断した試験片は、6.67の平均ディンプルサイズを有した。分析した貫通孔はすべて、10μmを下回った。分析した試験片のいずれもボイドを呈さなかった。団塊も観察されなかった。
Claims (10)
- a)基板に複数の貫通孔を提供することであって、前記基板の表面及び前記複数の貫通孔の壁に、無電解銅層、銅フラッシュ、またはそれらの組み合わせを含む、提供することと、
b)前記基板を、アノードを備える銅電気めっき浴中に浸漬することと、
c)順方向電流密度を所定の期間印加し、その後、順方向電流密度を所定の期間遮断すること、第2の順方向電流密度を所定の期間印加し、第2の順方向電流密度を所定の期間遮断すること、及び任意にこのサイクルを繰り返すことからなるパルスめっきサイクルによって、前記貫通孔を銅で充填することと、を含む、方法。 - 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、0.1ASD〜5ASDの範囲である、請求項1に記載の前記方法。
- 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、0.5ASD〜3ASDの範囲である、請求項2に記載の前記方法。
- 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、1ASD〜2ASDの範囲である、請求項3に記載の前記方法。
- 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、10ミリ秒〜200ミリ秒間印加される、請求項1に記載の前記方法。
- 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、20ミリ秒〜100ミリ秒間印加される、請求項5に記載の前記方法。
- 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、0.5ミリ秒〜5ミリ秒間遮断される、請求項1に記載の前記方法。
- 前記順方向電流密度及び前記第2の順方向電流密度が、1ミリ秒〜2ミリ秒間遮断される、請求項7に記載の前記方法。
- 前記基板の厚さが、100μm以上である、請求項1に記載の前記方法。
- 前記基板の厚さが、200μm〜300μmである、請求項9に記載の前記方法。
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