JP2016100593A - 結晶性積層構造体 - Google Patents
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Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239390A JP2016100593A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶性積層構造体 |
JP2019164176A JP7344426B2 (ja) | 2014-11-26 | 2019-09-10 | 結晶性積層構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239390A JP2016100593A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶性積層構造体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019164176A Division JP7344426B2 (ja) | 2014-11-26 | 2019-09-10 | 結晶性積層構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100593A true JP2016100593A (ja) | 2016-05-30 |
JP2016100593A5 JP2016100593A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2018-01-11 |
Family
ID=56077553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239390A Pending JP2016100593A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶性積層構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016100593A (enrdf_load_stackoverflow) |
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JP7108783B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-07-28 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP7124207B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-08-23 | 日本碍子株式会社 | 下地基板 |
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JPWO2020261356A1 (enrdf_load_stackoverflow) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | ||
JPWO2021044845A1 (enrdf_load_stackoverflow) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ||
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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